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Fターム[4K029BA23]の内容

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Fターム[4K029BA23]に分類される特許

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【課題】反射断熱材の表面の反射膜を高い反射率に維持できる優れた耐久性を確保できるようにすることである。
【解決手段】基材としての樹脂フィルム2の表面の反射膜3を、Agを主成分とし、Bi、SbおよびNdから選ばれる1種以上の合金元素を0.005〜3.2原子%含有するAg基合金で形成することにより、化学的安定性を純Agよりも向上させて、反射膜3を高い反射率に維持できる優れた耐久性を確保できるようにした。 (もっと読む)


【課題】450〜600℃程度の高温下に曝されてもヒロックが発生せず高温耐熱性に優れており、配線構造全体の電気抵抗(配線抵抗)も低く抑えられており、更にフッ酸耐性にも優れた表示装置用配線構造を提供する。
【解決手段】本発明の表示装置用配線構造は、基板側から順に、Ta、Nb、Re、Zr、W、Mo、V、Hf、Ti、CrおよびPtよりなる群(X群)から選択される少なくとも一種の元素と、希土類元素の少なくとも一種とを含むAl合金の第1層と;Ti、Mo、Al、Ta、Nb、Re、Zr、W、V、Hf、およびCrよりなる群(Y群)から選択される少なくとも一種の元素の窒化物、またはAl合金の窒化物の第2層と、が積層された表層構造を有する。 (もっと読む)


【課題】反射膜の膜厚が約25nm以下に薄く調整されていても、光情報記録媒体での反射率やジッター値などの初期特性に優れていることは勿論のこと、高温高湿下で長期間保管した場合であってもこれらの特性が劣化することがなく、耐久性に優れた光情報記録媒体用反射膜を提供する。
【解決手段】本発明の光情報記録媒体用反射膜は、Siを0.5〜10%、および/またはGeを0.5〜10%と、高融点金属元素を0.2〜1.0%含むAl基合金からなる。上記反射膜の膜厚は25nm以下である。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造工程で高温下に曝された場合であっても、ヒロックの発生が抑制されて耐熱性に優れ、かつ膜自体の電気抵抗率が低く抑えられたAl合金膜を有する半導体電極構造を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも、基板側から順に、高融点金属の窒化物薄膜と、Al合金膜とを備えた半導体電極構造であって、前記Al合金膜は、500℃で30分間保持する加熱処理を行った後に下記(a)〜(c)を全て満たし、かつ膜厚が300nm〜5μmであることを特徴とする半導体電極構造。(a)Alマトリックスの最大粒径が1μm以下(b)ヒロック密度が1×10個/m未満(c)電気抵抗率が10μΩcm以下 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造工程で高温下に曝された場合であっても、ヒロックの発生が抑制されて耐熱性に優れ、かつ膜自体の電気抵抗率が低く抑えられた半導体装置用Al合金膜を提供する。
【解決手段】500℃で30分間保持する加熱処理を行った後に下記(a)〜(c)を全て満たし、かつ膜厚が500nm〜5μmであることを特徴とする半導体装置用Al合金膜。(a)Alマトリックスの最大粒径が800nm以下(b)ヒロック密度が1×10個/m未満(c)電気抵抗率が10μΩcm以下 (もっと読む)


【課題】スパッタリングターゲットを用いたときの成膜速度(スパッタレート)が高められ、好ましくはスプラッシュの発生を防止できるAl基合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明のAl基合金スパッタリングターゲットは、Taを含有するものである。好ましくは、AlおよびTaを含むAl−Ta系金属間化合物の平均粒子直径は0.005μm以上1.0μm以下で、且つ、Al−Ta系金属間化合物の平均粒子間距離は0.01μm以上10.0μm以下を満足するものである。 (もっと読む)


【課題】Al系のターゲットにおいて、より優れた耐食性を示す高いCrの含有量とした場合であっても、ターゲットの成形時に割れが発生することなく、また、スパッタ時においても割れが発生することがないスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】原子%で、Si:5〜20%、Cr:5.5〜25%を含有し、残部:Alおよび不可避不純物からなる組成の素地中に絶対最大長:0.1〜50μmの範囲内にあるAlリッチの粒子が分散していることにより、前記課題を解決したものである。 (もっと読む)


【課題】支持基材および反射電極としての機能を兼ね備え、かつ、熱伝導性に優れた、電極箔ならびにそれを用いた有機デバイスが提供される。
【解決手段】金属箔と、前記金属箔上に直接設けられる反射層とを備えてなり、フレキシブル電子デバイス用の支持基材を兼ねたアノードまたはカソードとして用いられる、1〜100μmの厚さを有する電極箔。 (もっと読む)


【課題】ウエットエッチングによる加工性に優れた特性を有する新規な金属配線用膜を提供すること。
【解決手段】表示装置またはタッチパネルセンサーの配線用膜であって、合金成分としてX群元素(Xは、希土類元素、Ge、Si、Sn、Hf、Zr、Mg、Ca、Sr、Al、Zn、Mn、Co、Fe、及びNiよりなる群から選択される少なくとも一種の元素)を3〜50原子%、および/または酸素を0.2〜3.0質量%含有し、残部Tiおよび不可避不純物からなるTi合金層(第1層)と、Al系膜からなる第2層とを含む積層構造を有することに要旨を有する配線用膜。 (もっと読む)


【課題】450〜600℃程度の高温下に曝されてもヒロックが発生せず高温耐熱性に優れており、膜自体の電気抵抗(配線抵抗)も低く、アルカリ環境下の耐食性にも優れた表示装置用Al合金膜を提供する。
【解決手段】Geを0.01〜2.0原子%と、Ta、Ti、Zr、Hf、W、Cr、Nb、Mo、Ir、Pt、Re、およびOsよりなる群(X群)から選択される少なくとも一種の元素とを含み、450〜600℃の加熱処理を行なったとき、下記(1)の要件を満足する表示装置もしくは半導体装置用Al合金膜である。
(1)Alと、前記X群から選択される少なくとも一種の元素と、Geとを含む第1の析出物について、円相当直径50nm以上の析出物が200,000個/mm2以上の密度で存在する。 (もっと読む)


【課題】ワークピースの配置場所を画成する蒸着装置において長期の高出力作動が可能となるシールド組立体を提供する。
【解決手段】複合シールド組立体10は、ワークピースの配置場所の周囲に置かれる第1シールド要素13と、第1シールド要素13の周りに延在して第1シールド要素13を保持する第2シールド要素14であって、第1シールド要素13の熱伝導率が当該第2シールド要素14の熱伝導率よりも大きく、第1シールド要素13及び当該第2シールド要素14が、熱的接触を密接にするように配置される、第2シールド要素14とを含む。 (もっと読む)


【課題】Al基合金スパッタリングターゲットやCu基合金スパッタリングターゲットを用いたときのプレスパッタリング時、及び続いて行われる基板等へのスパッタリング時の成膜速度が高められ、且つスプラッシュなどのスパッタリング不良を抑制し得る技術を提供すること。
【解決手段】Al基合金またはCu基合金スパッタリングターゲットの最表面から1mm以内の深さのスパッタリング面法線方向の結晶方位<001>±15°と、<011>±15°と、<111>±15°と、<112>±15°と、<012>±15°との合計面積率をP値としたとき、下記(1)および/または(2)の要件を満足するスパッタリングターゲット。
(1)前記P値に対する、<011>±15°の面積率PA:40%以下、
(2)前記P値に対する、<001>±15°と<111>±15°との合計面積率PB:20%以上 (もっと読む)


【課題】電気抵抗率が低く耐熱性に優れた配線材料として汎用されているAl−Nd/La合金の耐アルカリ腐食性を向上させることが可能なAl基合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲットは、Ndおよび/またはLaを0.1〜3原子%含有するAl基合金からなり、Al基合金中に含まれるFe量が、Ndおよび/またはLaの合計量の1/76以下に制御されている。 (もっと読む)


【課題】金属層の剥離が発生する可能性が低く、信頼性の高い真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】本発明の真空蒸着装置では、冷却機構を有し、ボート11からの金属蒸気の基材方向以外への飛散を防止する第1の防着板16と、第1の防着板16よりもボート11側に防着面を有し、ボート11からの金属蒸気の基材方向以外への飛散を防止するとともに脱着自在に配設された第2の防着板19とを備えた構成とした。この構成により、蒸着時に第2の防着板19はボート11からの輻射熱にて十分に熱を帯びた状態となっているため、金属蒸気は第2の防着板19の表面上では固化しにくく、第2の防着板19に蒸着金属が付着することはほとんどないものとなる。この結果、金属層の剥離の可能性が低減され、本発明の真空蒸着装置は信頼性の高いものとなっている。 (もっと読む)


【課題】500℃以下の低温で、カーボンナノ構造体を製造できるカーボンナノ構造体形成用基板、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材表面に、Fe、Co、およびNiよりなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を含有するAl合金膜を有し、前記Al合金膜に含まれる前記元素の合計量は0.10〜20原子%であり、前記基材側とは反対側のAl合金膜表面に、前記元素の少なくとも一部を含む析出物を有しており、その析出物の平均粒径が5〜100nmであるカーボンナノ構造体形成用基板。 (もっと読む)


【課題】ターゲット材とバッキングプレートをボンディング材を介してターゲット接合体とする際の反りの発生を抑制し、さらにはスパッタリング中の温度上昇に起因するターゲット材とバッキングプレートとの剥離や破壊を効果的に防止し、且つ導電性に優れたターゲット接合体を提供する。
【解決手段】ターゲット接合体1において、ボンディング材は、室温から150℃までにおける粘着力S(N/cm)が0.4以上である耐熱性粘着材4であり、ターゲット材2とバッキングプレート3の接合面積に対する耐熱性粘着材を貼着した面積率(A%)が80%以下であると共に、当該面積率(A%)と、単位面積あたりのターゲット材の自重F(N/cm)との関係が1.0≦[(S×A/F)]を満たし、且つ耐熱性粘着材が貼着していない接合面の少なくとも一部に、耐熱性及び導電性のスペーサー5が介在している。 (もっと読む)


【課題】CMAS耐性を長期間に亘って安定して維持する。
【解決手段】耐熱合金製の母材21と、多数の気孔23aが形成され、母材21を被覆する多孔質セラミックス層23と、を備える耐高温部材10であって、多孔質セラミックス層23のうち少なくとも表面側には、複合酸化物26が含浸した複合酸化物含浸部25を具備していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】仕事関数が、汎用のAg基合金膜と酸化物導電膜との積層構造の仕事関数と同程度に高い、新規なAl基合金反射膜を備えた有機ELディスプレイ用の反射アノード電極を提供する。
【解決手段】基板上に形成された有機ELディスプレイ用の反射アノード電極であって、反射アノード電極は、純Al膜またはAl合金膜6と、Al合金膜上に直接接触する酸化物導電膜7との積層構造であり、酸化物導電膜がAgを0.1〜5原子%含有する。 (もっと読む)


【課題】金属配線膜のドライエッチングレートの低下やエッチング残渣を発生させることがなく、また該金属配線膜のヒロック耐性や電気抵抗率が抑制され、更に該金属配線膜と直接接続する透明導電膜や酸化物半導体層とのコンタクト抵抗率が抑制された薄膜トランジスタ基板、及び該薄膜トランジスタ基板を備えた表示デバイスを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板であって、金属配線膜は、ドライエッチング法によるパターニングで形成された、Ni:0.05〜1.0原子%、Ge:0.3〜1.2原子%、Laおよび/またはNd:0.1〜0.6原子%を含有するAl合金膜とTi膜とからなる積層膜あって、該Ti膜が、該酸化物半導体層と直接接続していると共に、該Al合金膜が、該透明導電膜と直接接続している。 (もっと読む)


【課題】単一のスパッタ装置によって金属材料を凹部に埋め込む際にその埋め込み性を向上させることができるスパッタ方法及び該スパッタ方法に用いられるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】
基板Sの凹部内に金属材料を埋め込むスパッタ方法では、基板Sにバイアス電圧を印加しつつターゲット18をスパッタする第1の工程と、基板Sにバイアス電圧を印加しない状態でターゲットをスパッタする第2の工程とを有し、第1の工程と第2の工程とは真空槽11内で順に実行される。第1の工程では、ターゲット18から放出された金属粒子とプラズマ中の荷電粒子とが衝突する圧力でターゲット18をスパッタして電荷を帯びた金属粒子を生成し、電荷を帯びた金属粒子を凹部の内部に向けてバイアス電圧により引き込む。第2の工程では、基板Sに付着する金属粒子が凹部内に流動するように基板Sの温度を第1の工程よりも高くしてターゲット18をスパッタする。 (もっと読む)


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