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Fターム[4K029BA49]の内容

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Fターム[4K029BA49]に分類される特許

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【課題】特有の組成により、安定してスパッタ中の異常放電を防止できるスパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛質焼結体からなるスパッタリングターゲット材であって、密度が5.4×10kg/m以上5.6×10kg/m以下で、Al換算で1重量%以上3重量%以下のAlを含み、酸化亜鉛粒子10中に存在するZnAl粒子20の粒子径は3μm以下であり、酸化亜鉛粒界中に存在するZnAl粒子20の径は10μm以下である。このように僅かにボイドが存在する緻密な焼結体であるため、放電回数を低減しつつ、スパッタ中の割れを防止できる。また、適度にAlが含まれていることから体積抵抗率を低減できる。また、ZnAl粒子20が小さいため、抵抗の不均一相を小さくし、ZnAl粒子20を起点とする異常放電を防止できる。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング中にターゲットからの粒子の落下を効果的に減少させることができる、CoベースのまたはFeベースの磁気記録媒体の下層材料のためのターゲットを提供する。
【解決手段】立方結晶構造を有するマグネシウム一酸化物ベースの(MgOベースの)複合物からなるターゲットであって、MgOベースの複合物が、MgOおよび単数または複数の酸化物を備える、CoベースのまたはFeベースの磁気記録媒体の下層材料のためのターゲット。 (もっと読む)


【解決手段】PbおよびCdの少なくとも一方を含有することを特徴とする酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットまたは酸化アルミニウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲット。
【効果】本発明の酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットおよび酸化アルミニウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットは、焼結温度が低温、たとえば1300℃程度であっても高い焼結密度となることができる。このため高い焼結密度を得るために原料粉末を高温で焼結する必要がないので、焼結炉にかかる負担が小さく、焼結炉の早期劣化を避けることができ、また、原料粉末からの亜鉛等の成分の揮発を抑制することができ、予定していた組成を有する膜を容易に形成することができる。また、本発明のスパッタリングターゲットは、比抵抗が小さい。さらに本発明のスパッタリングターゲットは、スパッタレート減少率が小さい。 (もっと読む)


【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を異常放電を抑制しつつ成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と;酸化インジウムと;Ti、Mg、Al、およびNbよりなる群から選択される少なくとも1種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をX線回折したとき、ZnmIn23+m(mは5〜7の整数)相を主相とし、In23、及びZnOの各結晶相を含むと共に、相対密度85%以上、比抵抗0.1Ω・cm以下である。 (もっと読む)


【課題】簡単な操作手順で、付着した酸化亜鉛膜を確実に除去できる酸化亜鉛膜のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】透明導電膜として酸化亜鉛膜を生成する透明導電膜生成装置のチャンバー内面に付着した酸化亜鉛膜クリーニングするに当たり、チャンバー内を塩化メチルガスと水素ガスとで水素リッチの塩化メチルー水素混合ガス雰囲気に形成し、この塩化メチルー水素混合ガス雰囲気にあるチャンバー内にプラズマを発生させてチャンバー内面に付着した透明電極膜を除去する。 (もっと読む)


【課題】p型ZnO系半導体層を形成するための新規な技術を提供する。
【解決手段】ZnO系半導体層の製造方法は、(a)下地層上方に、Zn、必要に応じてMg、O、N、及びTeを供給して、NとTeが共ドープされたMgZn1−xO(0≦x≦0.6)単結晶膜を形成する工程と(b)MgZn1−xO(0≦x≦0.6)単結晶膜上に、Zn及びMgの少なくとも一方、Te、及びNを供給して、NがドープされたMgZn1−yTe(0≦y≦1)単結晶膜を形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】Cr被毒の抑制効果を期待することができる保護膜を、基材表面に、より確実に形成した耐熱性導電部材を提供すること。および、その固体酸化物形燃料電池用集電部材としての利用。
【解決手段】Crを含有する合金を基材11aとする耐熱性導電部材1であって、前記基材11aの表面に酸化亜鉛を主材とする保護膜12を、スパッタリング法により膜厚0.8μm以上5μm以下の膜厚に形成する。前記耐熱性導電部材1からなる集電部材を導電性セラミックス材料で燃料電池用セルに接合する。 (もっと読む)


【課題】バンドギャップが大きく、且つ結合エネルギーを安定な状態にする酸化物半導体膜を提供する。また、バンドギャップが大きく、且つ結合エネルギーを安定な状態にする酸化物半導体膜を具備する半導体装置を提供する。
【解決手段】インジウム、ランタン、亜鉛及び酸素を有する結晶構造の酸化物半導体膜とする。また、当該結晶構造において、ランタンは酸素が6配位した構造とし、インジウムは酸素が5配位した構造とする。酸化物半導体膜の結晶構造中にランタンを用いることで、インジウム、ガリウム、亜鉛及び酸素を有する結晶構造の酸化物半導体膜よりもバンドギャップが大きく、結合エネルギーを大きくした酸化物半導体膜とすることができる。また、該酸化物半導体膜を用いた半導体装置の特性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】スパッタリングターゲットに利用された場合には異常放電等が抑制され、蒸着用タブレットに利用された場合にはスプラッシュ現象が抑制されるZn-Si-O系酸化物焼結体とその製法等を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とし、Siを含有するZn-Si-O系酸化物焼結体であって、Siの含有量が、Si/(Zn + Si)原子数比で0.1〜10原子%であり、Si元素がウルツ鉱型酸化亜鉛相に固溶していると共に、SiO2相および珪酸亜鉛(Zn2SiO4)であるスピネル型複合酸化物相を含有していないことを特徴とする。上記焼結体の製法は、原料粉末であるZnO粉末とSiO粉末から得られた造粒粉を成形し、その成形体を焼成して上記焼結体を製造する際、700〜900℃の温度域を昇温速度5℃/分以上の速さで昇温させる工程と、成形体を焼成炉内において900℃〜1400℃で焼成する工程を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明においては、所定の量の酸化アルミニウム及び酸化ケイ素を添加した、酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物層を用いることにより、膜厚を薄くした場合においても導電性・透明性・耐久性に優れた透明電極付き基板を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物層を有する透明電極付き基板において、該透明導電性酸化物層は、酸化ケイ素を1.2重量%以上2.1重量%以下、酸化アルミニウムを0.2重量%以上1.0重量%未満含有しており、該透明導電性酸化物層の抵抗率は、4.5×10-3Ωcm以下であり、かつ85℃・85%RHの環境下で1000時間放置した時の抵抗率の変化△Rが、温度(T)がT=300K、膜厚(d)が20nm≦d≦120nmのとき、ΔR=a×exp(−b×d/T)+1.0 [1.2≦a≦3.0、15≦b≦45、a,bは実数](式1)を満たすことを特徴とする透明電極付き基板。 (もっと読む)


【課題】高い移動度を実現でき、且つ、ストレス耐性(ストレス印加前後のしきい値電圧シフト量が少ないこと)にも優れた薄膜トランジスタ用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、Zn、Sn、およびInと;Si、Hf、Ga、Al、Ni、Ge、Ta、W、およびNbよりなるX群から選択される少なくとも一種の元素(X群元素)と、を含むものである。 (もっと読む)


【課題】膜特性の均一性に優れた透明導電膜作製用のZnO焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】ZnO焼結体は、ZnO粉末とB粉末とを混合、焼成及び粉砕してZn13粉末を得る工程と、平均粒径が0.5〜1μmのZnO粉末と平均粒径が0.2〜0.5μmのZn13粉末とを混合、成形、焼成してZnO焼結体を得る工程とを含む方法により製造される。 (もっと読む)


【課題】ZnO膜の成膜時にスプラッシュの発生を防止することができる、ZnO蒸着材を提供する。
【解決手段】ZnO蒸着材は、ZnOの多孔質焼結体からなり、その焼結体が0.2以上3.0%未満の気孔率とすることで、内部に存在するガスを著しく減少させることができ、0.1〜300μmの範囲の平均気孔径をとすることで、蒸発速度を高くすることが可能となり、製造コストを低減することができる。ZnO膜は、上記ZnO蒸着材を用いて形成される。 (もっと読む)


【課題】成膜レートを維持しつつ基板上への異物の落下を抑制する。
【解決手段】チャンバー110と、チャンバー110内で成膜処理される基板の上面と対向する主面を有するターゲット130とを備える。また、ターゲット130を下方から支持してチャンバー110に固定する係合部材140および頭付螺子150と、係合部材140と係合して取り付けられ、係合部材140および頭付螺子150の下方を覆う防着部材160とを備える。ターゲット130は、主面の一部に凹部131を有する。係合部材140および頭付螺子150は、上記凹部130内に位置する。防着部材160は、凹部131を埋めるように位置する。防着部材160のターゲット130と面する裏面とは反対側の表面は、ステージ120の上面と対向して平面である。 (もっと読む)


【課題】広範な波長領域の光に対する散乱性能を高めた透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電膜の製造方法は、酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜を基体上にスパッタリング法によって形成する膜形成工程と、透明導電膜をアニール処理するアニール工程と、透明導電膜をウェットエッチングするエッチング工程と、を備える。アニール工程は、エッチング工程よりも前に行われてもよい。透明導電膜のアニール処理の温度が300〜600℃であってもよい。 (もっと読む)


【課題】表面平坦性に優れ、かつ高濃度の窒素ドーピングを実現できるZnO系薄膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】主面の法線が結晶軸から傾斜した酸化亜鉛系基板1上に、窒素ドープ酸化亜鉛系薄膜2を形成するにあたって、少なくとも亜鉛と酸素と窒素を原料ガスとして使用し、これらを750〜900℃の温度条件で基板1に接触させて、基板1表面に、窒素をドープした酸化亜鉛系材料からなる結晶を成長させて窒素ドープ酸化亜鉛系薄膜2を形成する。原料ガスとしての酸素供給量に対する亜鉛供給量は、窒素ドープ酸化亜鉛系薄膜の亜鉛と酸素のモル比(亜鉛/酸素)が1より大きくなるようにされる。原料ガスとしての窒素は、窒素ガスを高周波で励起することによって発生させた窒素ラジカルを含む。 (もっと読む)


【課題】既知のNTO膜より低抵抗な透明伝導膜の製造方法および透明電動膜素材を提供すること。
【解決手段】ガラス基板等に導電性透明酸化亜鉛膜とNTO膜とをこの順に形成したのちにアニール処理することを特徴とする透明導電膜の作成方法である。導電性透明酸化亜鉛は、GZOとすることができる。 (もっと読む)


【課題】従来よりも抵抗値の低いIn系酸化物導電膜を形成することができる酸化物を提供する。
【解決手段】インジウム元素(In)及びガリウム元素(Ga)を含有し、X線回折において、2θ=12〜18度、21〜24度及び43〜45度に回折ピークを有する酸化物。 (もっと読む)


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