【課題】円筒型スパッタリングターゲット材の外周面側から内周面側までのスパッタ速度の均一化を図る。
【解決手段】純度３Ｎ以上の無酸素銅から形成され、円筒形状を有する円筒型スパッタリングターゲット材２０であって、外周面２１側から内周面２２側へ向けて硬さが次第に増加するとともに、外周面２１側から内周面２２側へ向けて（１１１）面の配向率が次第に増加する。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯスクラップから高純度のＩＴＯを回収できる酸化インジウムスズの回収方法及びターゲット再生の生産性のよい酸化インジウムスズターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＴＯスクラップを塩酸に溶解させて溶解液を得る工程と、溶解液に水酸化ナトリウム溶液を添加して中和し、インジウムスズの水酸化物を含むスラリー液を得る工程と、スラリー液を水熱反応させてＩＴＯの水和物を析出させる工程と、水和物を所定温度で乾燥する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性に優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】少ない処理室で効率よくバリア層及び埋込層を形成する小型の真空処理装置を提供する。
【解決手段】バリア層は、Ｔｉ製のターゲットと希ガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして第１金属層を形成し、処理室内に酸素ガス及び窒素ガスを含むガスを導入して、第１金属層の表面およびターゲット表面を酸窒化処理する。更にターゲットをスパッタリングして酸窒化処理された表面に第２金属層を形成する。他方、埋込層は、Ａｌ含有の金属製のターゲットを用い、スパッタ粒子をプラズマ中の荷電粒子と衝突するように所定圧力に調節すると共に、当初投入したバイアス電力を、成膜中に停止し、処理室の圧力も低下させると共に、加熱手段により処理対象物Ｗを、処理対象物表面に付着、堆積した金属粒子が流動する温度に加熱する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットクリーニングを行う際のシャッタ板のアースを安定させることができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】可動シャッタ装置２は、真空容器内に回転力を導入するモータの回転軸２７に当接させて回転軸２７に連結されているシャッタ板２１をアースするアース部材４３を、回転軸２７に向けて移動させる進退動装置４５を備えており、シャッタ板２１をダミー基板としてターゲットクリーニングを行う際にアース部材４３を回転軸２７に当接させてシャッタ板２１のアースを強化することができる。 （もっと読む）

【課題】比較的簡素な構成で、膜厚の均一性とターゲットの利用率を向上させたマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタ装置１００は、処理チャンバ２０と、基板を搬送する基板搬送手段２と、平板状のターゲット３を設置するためのターゲットホルダー４と、ターゲットホルダーの裏側に配置された磁石ユニット５と、ターゲットホルダー４に電力を供給するための電力供給手段２４と、電力供給手段、および基板搬送手段を制御するための制御手段２５と、ターゲットホルダーの表面に略平行な面内でターゲットホルダーを移動させるターゲットホルダー移動手段１０と、を備え、制御手段は、電力供給手段によりターゲットホルダーに電力を供給しながら、基板搬送手段を駆動して基板を搬送するとともに、ターゲットホルダー移動手段を駆動してターゲットホルダーを移動させるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】簡易な手法を用いて短時間でチャンバ内を真空排気してから基板へのスパッタリングを行なうことができるスパッタリング方法、スパッタターゲット、スパッタリング装置およびターゲット作製方法を提供する。
【解決手段】スパッタターゲットのスパッタ面上にゲッタリング材料1Xを配置し、スパッタリング初期にゲッタリング材料1Xを放出させて、真空度を上げ、その後、スパッタリング対象部をスパッタリングすることにより、スパッタ粒子を基板上に成膜する。 （もっと読む）

【課題】複数の円筒形ターゲット材からなる円筒形スパッタリングターゲットの製造方法において、隣り合う円筒形ターゲット材の外周面のズレや折れ曲がりがない又は極めて小さい円筒形スパッタリングターゲットを製造する方法を提供する。
【解決手段】円筒形基材１０と複数の円筒形ターゲット材２０とを接合材を用いて接合し、円筒形スパッタリングターゲットを製造する方法において、円筒形基材を基準として円筒形ターゲット材を配置する際に、隣り合う円筒形ターゲット材の間に、隣り合う円筒形ターゲット材の外周面が一致するように円筒形ターゲット材を固定することができるスペーサーを挿入して製造する。 （もっと読む）

【課題】給電端子がそれぞれの接続端子への接触と離間を繰り返したとしても、給電端子と接続端子の接触面に発生した異物を挟んでしまうことを低減させることができ、その結果、接触抵抗の増加による温度上昇を回避することができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置の接電端子は、その深さ方向に所定のテーパー角を有する凹部が形成され、給電端子２２が凹部に進入して電気的に接続された時、該凹部の最底部は該給電端子の先端部が接することのできない空間を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】水素原子を含む化合物等、大気に由来する不純物による汚染が少ない薄膜を成膜するターゲット材料の包装方法を提供することを課題の一とする。また、該不純物による汚染が少ない薄膜を成膜するターゲットの取り付け方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、ターゲットの製造後から当該ターゲットを取り付けた成膜装置を排気するまでの間、当該ターゲット中のターゲット材料を大気にさらすことなく密封状態を保つ。 （もっと読む）

【課題】工程効率の低下なしに、基板に極低濃度に蒸着される金属触媒の均一度を向上することができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】第１領域及び第２領域を含む工程チャンバと、前記工程チャンバの内側で金属ターゲットを移動させ、前記金属ターゲットから放出される金属触媒の進行方向を制御するための第１シールドを備えるターゲット移送部と、前記第２領域に前記金属ターゲットに対向するように位置する基板ホルダと、を含み、前記基板ホルダに支えられる基板と前記金属ターゲットとの間の直線距離と前記第１シールドの長さとの差は３ｃｍ以下であることを特徴とするスパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】磁性ターゲットを交換する際に生じる、ターゲットとカソードマグネットの吸着力によるターゲットの変形及び真空容器内の汚染を防止するとともに、ターゲットの交換を安全に行うことができるターゲット交換装置及び磁性ターゲット交換方法を提供する。
【解決手段】磁性ターゲット２の交換に用いられるターゲット交換装置２０は、カソードボディ５側に固定可能なベース部材２２と、ターゲット２を固定可能な固定プレート２３と、固定プレート２３をベース部材２２に対して移動操作可能な移動機構２５とを備え、固定プレート２３の長手方向には補強部材としてのリブが取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】基板の温度制御変動を抑制し、高品質の膜を再現性よく成膜することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】蒸発源１２およびプラズマ生成空間と、基板保持部に保持された基板１４とをシャッター２０で隔てた状態で、蒸発源を加熱し、プラズマ１０５を生成する。基板サセプタ１３に内蔵された加熱源１３ａにより基板を加熱するとともに、シャッターの基板側の面に配置された輻射熱源により、蒸発源およびプラズマからシャッターに到達している熱量と同等の輻射熱量を供給して基板を加熱する。基板の温度が所定の温度に達した状態で、シャッターを開き、蒸発源からの蒸気をプラズマを通過させて、基板上に堆積させる。これにより、シャッターを開いても基板温度の変動を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの周囲に飛行するスパッタリング粒子が捕獲されるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】基板２を保持する基板ホルダー８を備えた成膜室３と、成膜室３に接続し筐体１４に第１ターゲット１２と第２ターゲット１３とが対向して配置されるスパッタリング粒子放出部４と、を備え、第１ターゲット１２及び第２ターゲット１３の側面とスパッタリング粒子３１を放出する放出面１２ａの外周部１２ｃ及び放出面１３ａの外周部を覆う防着カバー２５を備える。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの角度を調整可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、イオンを発生させるイオン源と、該イオン源が発射したイオンビームが照射されるターゲットと、該ターゲットを保持するターゲットホルダと、前記ターゲットからはじき出されたターゲット成分粒子が堆積する位置で基板を保持する基板ホルダと、前記ターゲットの前記イオンビームに対する角度を調整する角度調整部と、を有している。ターゲットホルダに保持されたターゲットの角度を角度調整部により調整し、イオン源が発射したイオンビームを前記ターゲットに照射させて前記ターゲットからはじき出されたターゲット成分を基板ホルダに保持された基板に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】同一の成膜材料を用いて繰り返し成膜を行った場合でも、各対象物における成膜速度を均一化することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】ターゲット１０１の表面に対向するように配置され、基板１００を設置する基板ホルダ６と、基板１００上の成膜環境を測定可能なセンサ部８とを備え、対象物ホルダ６は、ターゲット１０１に対して移動可能に構成されるとともに、基板ホルダ６の移動量及び移動方向と、センサ部８の移動量及び移動方向とが同一に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐用寿命の終点検出器を、少なくとも１つ備えた、消耗材料からなるスラブ（ＰＶＤターゲット）を提供する。
【解決手段】物理的気相成長法で用いられる、ＰＶＤターゲット構造体１００は、原料からなる消耗スラブと、原料からなる消耗スラブが、ターゲット構造体の耐用寿命の終点に相当する、所定量に接近している、または、この所定量にまで減量している、状態を示す一乃至複数の検出器を、ＰＶＤターゲット構造体内に含有する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの利用率を十分に向上させ、且つ、プラズマダメージを十分に抑制する。
【解決手段】複数の貫通孔が形成されているコリメート板を介してスパッタを行うことにより、ゲート絶縁膜及びゲート電極を有する半導体素子上に金属膜を形成する金属膜形成工程（ステップＳ１）を備える。この金属膜形成工程では、貫通孔のアスペクト比（貫通孔の深さ／貫通孔の開口径）が１／６以上２／３以下であるコリメート板を用いる。金属膜形成工程を、半導体装置のシリサイド形成工程で行う。半導体素子のアンテナ比を４５０００以下とする。アスペクト比をコリメート板の中央部から外周部に向けて徐々に小さくし、コリメート板の最外周部ではアスペクト比を１／２以下とする。 （もっと読む）

【課題】処理工具により使用される消耗材料からなるスラブの寿命検出システムと方法を提供する。
【解決手段】ウェハに対してプロセスを進行する処理工具の動作中に、少なくとも１個の検出器により発生する信号値が、設定値に等しいか、設定値を超えているかの判断がなされる。第１予告は、前記信号値が予告設定値に等しいか、または予告設定値と警告設定値との間にある場合に発せられ、プロセス終了後に処理工具の動作を停止して、残余のプロセスしうるウェハロットの数をＸに設定する。警告は、前記信号値が警告設定値に等しいか、または警告設定値を超える場合に発せられ、プロセス終了後に処理工具の動作を停止して、残余のプロセスしうるウェハロットの数をＺに設定する。ここでは、Ｚ＜Ｘとなる。 （もっと読む）

【課題】膜厚補正板を設けることなく、複数の基板に対して均一な厚みの薄膜を形成することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】内部を真空状態に維持した真空容器内で、同一の膜原料物質で構成される一対のターゲット２９ａ，２９ｂを交互にスパッタし、基板Ｓを保持して回転する回転ドラム１３の一部の領域に向けてスパッタされた何れかのターゲット２９ａ又は２９ｂから膜原料物質を供給し、回転ドラム１３の回転毎に間欠的に基板Ｓの表面に膜原料物質を付着させて薄膜を形成する成膜装置である。一対のターゲット２９ａ，２９ｂのそれぞれを保持して電圧を印加する一対のスパッタ電極２１ａ，２１ｂと、この電極２１ａ，２１ｂに交流電力を供給する交流電源２３と、ターゲット２９ａ，２９ｂに向けてスパッタ用ガスを供給するスパッタ用ガス供給手段と、電極２１ａ，２１ｂの配置を真空容器の外部から変更可能な電極配置調整機構１００を有する。 （もっと読む）