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Fターム[4K029DC09]の内容

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Fターム[4K029DC09]に分類される特許

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【課題】特有の組成により、安定してスパッタ中の異常放電を防止できるスパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛質焼結体からなるスパッタリングターゲット材であって、密度が5.4×10kg/m以上5.6×10kg/m以下で、Al換算で1重量%以上3重量%以下のAlを含み、酸化亜鉛粒子10中に存在するZnAl粒子20の粒子径は3μm以下であり、酸化亜鉛粒界中に存在するZnAl粒子20の径は10μm以下である。このように僅かにボイドが存在する緻密な焼結体であるため、放電回数を低減しつつ、スパッタ中の割れを防止できる。また、適度にAlが含まれていることから体積抵抗率を低減できる。また、ZnAl粒子20が小さいため、抵抗の不均一相を小さくし、ZnAl粒子20を起点とする異常放電を防止できる。 (もっと読む)


【課題】ターゲットに含まれる強磁性金属元素の含有量を減少させずに、マグネトロンスパッタリング時の漏洩磁束量を従来よりも増加させることができるマグネトロンスパッタリング用ターゲットを提供する。
【解決手段】強磁性金属元素を有するマグネトロンスパッタリング用ターゲット10であって、前記強磁性金属元素を含む磁性相12と、前記強磁性金属元素を含み、かつ、構成元素またはその含有割合の異なる複数の非磁性相14、16と、酸化物相18とを有しており、前記複数の非磁性相のうちの少なくとも1つの非磁性相14は、磁性相12よりも細かく酸化物相18と分散し合っている。 (もっと読む)


【課題】表面にホワイトスポットがない外観が良好なスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】二種以上のホモロガス結晶構造を含む酸化物焼結体からなることを特徴とするスパッタリングターゲットを提供する。 (もっと読む)


【課題】優れた耐摩傷性を備えたトップコート層が、アンダーコート層を介して、樹脂基材の表面に、十分に高い密着性をもって積層形成されてなる樹脂製品を提供する。
【解決手段】ポリカーボネート製の樹脂基材12の表面に積層されたアンダーコート層14上に、無機珪素化合物のスパッタ層からなる基層部18と、無機珪素化合物のプラズマCVD層からなる表層部20との複層構造を有するトップコート層16を更に積層形成して、構成した。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング中にターゲットからの粒子の落下を効果的に減少させることができる、CoベースのまたはFeベースの磁気記録媒体の下層材料のためのターゲットを提供する。
【解決手段】立方結晶構造を有するマグネシウム一酸化物ベースの(MgOベースの)複合物からなるターゲットであって、MgOベースの複合物が、MgOおよび単数または複数の酸化物を備える、CoベースのまたはFeベースの磁気記録媒体の下層材料のためのターゲット。 (もっと読む)


【課題】 スパッタ法により良好にNa添加されたCu−In−Ga−Seからなる膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Cu,In,GaおよびSeを含有し、さらに、NaF化合物、NaS化合物、又はNaSe化合物の少なくとも1種の状態でNaが、Na/(Cu+In+Ga+Se+Na)×100:0.05〜5原子%の割合で含有され、酸素濃度が、200〜2000重量ppmであり、残部が不可避不純物からなる成分組成を有する。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング法を用いた酸化物半導体膜の成膜時の異常放電の発生が抑制され、連続して安定な成膜が可能なスパッタリングターゲットを提供すること。希土類酸化物C型の結晶構造を持つ、表面にホワイトスポット(スパッタリングターゲット表面上に生じる凹凸などの外観不良)がないスパッタリングターゲット用の酸化物を提供すること。
【解決手段】ビックスバイト構造を有し、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛を含有する酸化物焼結体であって、インジウム(In) 、ガリウム(Ga)および亜鉛(Zn)の組成量が原子比で以下の式を満たす組成範囲にある焼結体を提供する。
In/(In+Ga+Zn)<0.75 (もっと読む)


【課題】より高い特性を有する膜体を形成する。
【解決手段】被膜部材10の製造方法は、スパッタリングターゲット部材を用い、スパッタリング処理によって被処理部材11に膜体12を形成する形成工程、を含むものである。この形成工程では、1又は複数のスパッタリングターゲット部材を用い、Mg、Al、O及びNの元素を含む膜体12を被処理部材11の表面に形成する処理を行う。ここで、スパッタリングターゲット部材は、Mg、Al、O及びNの全てが含まれていれば、どのような形態でも構わず、スパッタリングターゲット部材を1種用いるものとしてもよいし、スパッタリングターゲット部材を複数種用いるものとしてもよい。被処理部材11に形成された膜体12には、Mg、Al、O及びNが含まれている。 (もっと読む)


【解決手段】PbおよびCdの少なくとも一方を含有することを特徴とする酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットまたは酸化アルミニウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲット。
【効果】本発明の酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットおよび酸化アルミニウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットは、焼結温度が低温、たとえば1300℃程度であっても高い焼結密度となることができる。このため高い焼結密度を得るために原料粉末を高温で焼結する必要がないので、焼結炉にかかる負担が小さく、焼結炉の早期劣化を避けることができ、また、原料粉末からの亜鉛等の成分の揮発を抑制することができ、予定していた組成を有する膜を容易に形成することができる。また、本発明のスパッタリングターゲットは、比抵抗が小さい。さらに本発明のスパッタリングターゲットは、スパッタレート減少率が小さい。 (もっと読む)


【課題】苛酷な使用環境下で使用される切削工具や金型等において、SiC皮膜の耐剥離性を大幅に改善することにより、工具の耐久性が改善することができる被覆工具およびその製造方法を提供する。
【解決手段】工具の基材表面に中間皮膜を介して硬質皮膜を被覆した被覆工具であって、該硬質皮膜は、原子比でSiよりもCが多く、組織に立方晶の結晶構造相を含むSiC皮膜であり、
前記中間皮膜は、AlxMyからなる窒化物または炭窒化物(但し、x、yは原子比を示し、x+y=100、かつ、x>0、かつ、y≧0、Mは周期律表の4a族元素、5a族元素、6a族元素、B、Si、Yから選択される1種または2種以上)であり、
前記中間皮膜の硬質皮膜側は、六方晶が主体の結晶構造である耐剥離性に優れる被覆工具である。 (もっと読む)


【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜の成膜における異常放電を抑制し、スパッタリング法による安定した成膜が可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と;酸化インジウムと;Ti、Mg、Al、およびNbよりなる群から選択される少なくとも1種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をX線回折したとき、ZnmIn23+m(mは5〜7の整数)相を主相とし、平均粒径10μm以下、且つ粒径30μm以上の結晶粒の割合が15%以下であり、相対密度85%以上である。 (もっと読む)


【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を異常放電を抑制しつつ成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と;酸化インジウムと;Ti、Mg、Al、およびNbよりなる群から選択される少なくとも1種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をX線回折したとき、ZnmIn23+m(mは5〜7の整数)相を主相とし、In23、及びZnOの各結晶相を含むと共に、相対密度85%以上、比抵抗0.1Ω・cm以下である。 (もっと読む)


【課題】 機械加工性に優れ、主としてCu,Gaを含有する化合物膜が成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のスパッタリングターゲットは、スパッタリングターゲット中の全金属元素に対し、Ga:15〜40原子%を含有し、さらに、Bi:0.1〜5原子%を含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる成分組成を有する。このスパッタリングターゲットの製造方法は、少なくともCu,GaおよびBiの各元素を単体またはこれらのうち2種以上の元素を含む合金を1050℃以上に溶解し、鋳塊を作製する工程を有する。または、少なくともCu,GaおよびBiの各元素を単体またはこれらのうち2種以上の元素を含む合金の粉末とした原料粉末を作製する工程と、原料粉末を真空、不活性雰囲気または還元性雰囲気で熱間加工する工程を有している。 (もっと読む)


【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を異常放電や割れを抑制しつつ成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と;酸化インジウムと;Ti、Mg、Al、およびNbよりなる群から選択される少なくとも1種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をX線回折したとき、ZnmIn23+m(mは5〜7の整数)相、In23、及びZnOの各結晶相を含むと共に、相対密度95%以上、比抵抗0.1Ω・cm以下である。 (もっと読む)


【課題】携帯電話やゲーム機などに組み込まれるタッチパネルの電極フィルムとして用いた際に、ペン入力耐久性に優れた透明導電性フィルム及びこれを用いたタッチパネルを提供することにある。さらに、有機エレクトロルミネッセンス、色素増感型太陽電池等の低抵抗な透明電極が必要とされる用途に最適な電気特性に優れた透明導電性フィルムを提供すること。
【解決手段】透明プラスチックフィルムからなる基材上に、透明導電性薄膜層を積層した透明導電性フィルムであって、透明導電性薄膜層がSnO2の含有量が2〜12質量%の結晶質なインジウム−スズ複合酸化物であり、透明導電性薄膜層ハイパワーインパルスマグネトロンスパッタリング法を用いて作製することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法(もっと読む)


【課題】ITO膜と引き回し配線との密着性に優れた透明導電フィルムを提供する。信頼性の高いタッチパネルを提供する。
【解決手段】透明導電膜(II)4と直接接続する金属配線(III)5を有するフィルムであって、前記金属配線(III)5が、金属配線5中の金属全体を100重量%としたとき、Niを30重量%以上、80重量%未満、Cuを20〜50重量%含む透明導電フィルム1。前記透明導電膜(II)4が結晶性ITOにより形成されていることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 大型で均質な焼結体を安価に効率良く製造することを可能とし、放電特性や得られる薄膜の特性が良好な大型のスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 加圧圧縮時には充填した原料粉末に対して実質的に1軸方向からのみ加圧し、加圧終了後の減圧時には成形体に対して等方的に圧力を開放することが可能な構造を有する成形型を用いることにより、成形時のスプリングバックを効率よく解消して、高い成形圧力での冷間静水圧プレスを可能とする。これにより、バインダー等の有機物を含まない原料粉末を用いて、直接、形状精度の良い成形体を作製することができ、大型で均質、かつ、炭素含有量の少ない焼結体を効率よく高い歩留まりで製造することができる。 (もっと読む)


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