【課題】本発明は、結晶配向性に優れたペロブスカイト構造の中間薄膜を備えた酸化物超電導導体の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、基材と、該基材上に直接あるいは下地層を介し積層された中間薄膜と酸化物超電導層とを具備する酸化物超電導導体であって、前記中間薄膜が、粒子堆積により基材上にあるいは基材上に下地層を介し中間薄膜を形成する際、基材上方の成膜面に対し斜め方向からアシストイオンビームを照射しつつ成膜するイオンビームアシスト成膜法により形成されたペロブスカイト型酸化物の中間薄膜であって、該中間薄膜を構成する複数の結晶の結晶軸のうち２軸が配向され、これら結晶の配向度を示す正極点図において４回対称性を示す中間薄膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】通過型であるインライン型のスパッタリング等の真空処理装置において、連続する基板に成膜する際に隣り合う基板間（先行する基板とその後方の基板の間）の距離はコンダクタンスに影響し、処理チャンバ内のガス圧に影響するため、隣り合う基板間の距離が均一になるような機構を具備し、その制御を可能にする真空処理装置を提供することにある。
【解決手段】真空処理装置は、減圧が可能な処理チャンバと、処理チャンバ内に設けられ複数の基板を搬送させる搬送手段と、処理チャンバ内で基板を処理するためのガスを導入するガス導入手段と、搬送手段上に載置された基板を処理するための基板処理手段と、複数の基板のうち、隣り合った基板の基板間隔を検知する検知手段と、検知手段で検知した基板間隔に基づいて、ガス導入手段によって導入するガスの導入量を制御する制御手段と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内のプラズマ状態が変化することを抑制して、テープ状の配向金属基板上に、長時間、安定した特性のセラミックス層を形成することができ、より長尺の酸化物超電導薄膜線材を製造することが可能な技術を提供する。
【解決手段】第１の巻出しリールから巻出されて第１の巻取りリールに送られるテープ状の配向金属基板をスパッタ装置内に搬送すると共に、第２の巻出しリールから巻出されて第２の巻取りリールに送られるアノード用金属テープをスパッタ装置内に搬送し、スパッタ装置内で、配向金属基板にセラミックス層を形成する酸化物超電導薄膜線材のセラミックス層形成方法。 （もっと読む）

【課題】より短時間で低コストな状態で、所望とする組成のＮｂドープ酸化チタン膜が形成できるようにする。
【解決手段】透明なガラスから構成された基板１０１を用意し、次に、金属Ｔｉからなる第１ターゲットを用いた酸素ガスによる反応性スパッタと、五酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）からなる第２ターゲットを用いたスパッタとを同時おこなうことで、基板１０１の上にニオブがドープされた酸化チタンからなる透明導電膜１０２を形成する。 （もっと読む）

【課題】インジウムの含有量を低減させているにも拘らず、十分に高い光透過性及び十分に低い抵抗率を有する導電性酸化物を提供すること。
【解決手段】酸化インジウム及び酸化スズからなるインジウムスズ複合酸化物と、前記インジウムスズ複合酸化物にドープされたアンチモンとを含有する導電性酸化物であって、前記インジウムスズ複合酸化物中のインジウム及びスズの合計量に対するスズの含有量の原子比率が２．６〜４７．２ａｔ％であり、且つ、前記導電性酸化物中のインジウム、スズ及びアンチモンの合計量に対するアンチモンの含有量の原子比率が２．７〜１４．５ａｔ％であることを特徴とする導電性酸化物。 （もっと読む）

【課題】基板の斜め方向からスパッタリング粒子が供給される反応性のスパッタリング装置において、良好な成膜レートを確保できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを保持する基板ホルダー６を有し基板ホルダー６が搬送可能に設けられた成膜室２と、成膜室２に連通しターゲット１０が配置されるスパッタリング室３と、を備え、スパッタリング室３から成膜室２に放出されたスパッタリング粒子と反応ガスとの反応により基板Ｗ上に反応生成膜を形成させるスパッタリング装置であって、ターゲット１０が基板ホルダー６の搬送経路に対して斜めに配置され、ターゲット１０の外周より大きな穴部を有する箱体２０がスパッタリング室３に設けられ、箱体２０の第１開口部２１を通してターゲット１０の表面が箱体２０の内面を向き、ターゲット１０が向かい合う箱体２０の面の一部にスパッタリング粒子が通過する第２開口部２２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】膜の結晶配向性及び結晶粒度を適宜に調節可能とする。
【解決手段】非平衡マグネトロンスパッタ装置１は、ターゲットＴから放出させたスパッタ粒子を基板Ｓ上に付着させて膜を形成する。非平衡マグネトロンスパッタ装置１は、処理室１１が形成された真空容器１０と、処理室１１内に配設され、基板Ｓを保持する基板保持部２と、処理室１１内に配設され、ターゲットＴを保持すると共にターゲットＴの表面側に磁界を形成するマグネトロン電極３と、基板Ｓに電圧を印加するバイポーラパルス電源１５と、マグネトロン電極３を介してターゲットＴに電圧を印加する可変直流電源１７とを備えている。バイポーラパルス電源１５は、基板Ｓに対して、負の電圧と正の電圧とを交互に印加する。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法により、より簡便な装置構成で、高いスパッタ速度で十分に酸化された酸化チタン膜が形成できるようにする。
【解決手段】プラズマ生成室１０４内にＥＣＲプラズマ１１１を形成させる。例えばアルゴンガスの供給流量は８sccm，酸素ガスの供給流量は１．４sccmとする。このようにしてＥＣＲプラズマを生成してスパッタ状態にすると共に、ヒータ１０７により基板１０３を例えば６００℃に加熱し、加熱された基板１０３からの輻射熱１７１によりターゲット１０２を加熱する。この状態を所定時間継続することで、加熱されたターゲット１０２よりスパッタされている粒子（Ｔｉ原子）１４１が、ＥＣＲプラズマ中の酸素イオンや酸素ラジカルなどの活性化された酸素により酸化されて基板１０３の上に堆積し、基板１０３の上に酸化チタン膜１１２が形成される。 （もっと読む）

【課題】形状記憶合金のエッチング特性を飛躍的に向上させることができる形状記憶合金及び同合金ターゲット並びに同合金薄膜を提供する。
【解決手段】構成元素及びガス成分を除いた不純物成分が1000wtppm以下である高純度形状記憶合金及び同合金ターゲット並びに同合金薄膜。Ni-Ti系の形状記憶合金及び同ターゲットにおいて、AlおよびSnの含有量がそれぞれ100wtppm以下、Cu-Al系の形状記憶合金および同ターゲットにおいて、Ag、S及びClの含有量がそれぞれ50wtppm以下、Fe-Mn系の形状記憶合金および同ターゲットにおいてAlおよびCrの含有量がそれぞれ100wtppm以下、である同高純度形状記憶合金及び同合金ターゲット並びに同合金薄膜。 （もっと読む）

【課題】多数のステーションを有する磁気ディスク等の基板を処理するフートプリントの小さいシステムを提供する。
【解決手段】それぞれの上部に処理チャンバが積層され、さまざまなサイズのディスクを取るように調節可能なディスクキャリア上でディスクがシステムを通じて移動するところのディスク処理及び製造装置が記述されている。ディスクはロードゾーンを通じてシステムに進入し、その後ディスクキャリア内に装着される。ディスクはキャリア内にあって、ひとつのレベルで、処理チャンバを通じて連続的に移動し、その後、リフトまたはエレベータにより他のレベルへ移動する。他のレベルにおいて、再びディスクはシステムを通じて連続的に移動し、その後アンロードゾーンで出力される。 （もっと読む）

【課題】 熱的安定性の高い酸化物半導体薄膜層を有する半導体素子の製法を提供することを解決課題とする。
【解決手段】 基板上に、スパッタリング法により成膜された酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層を有する半導体素子の製法であって、前記スパッタリング法による前記酸化物半導体薄膜層の成膜において、酸素を含有したスパッタリングガスを用い、且つ、成膜時に前記基板にバイアス電力を印加することを特徴とする半導体素子の製法である。 （もっと読む）

【課題】ターゲットを大型化してもそのクラックや破壊を未然に防止できる新規なコーティング装置およびスパッタリング成膜方法の提供。
【解決手段】チャンバー10内に設置されるバッキングプレート90に当該バッキングプレート90と線膨張係数の異なる板状のターゲット40を備えたコーティング装置100であって、前記ターゲット40を複数の分割ターゲット40aで構成すると共に当該各分割ターゲット40a同士を元の形状を維持すべく互いに所定の隙間を隔てて配置し、各々前記バッキングプレート90に取り付ける。これによって、各分割ターゲット40a間の隙間が適宜拡大縮小することでその膨張収縮量の差を吸収できるため、大型のターゲット40を用いた場合でも、これにクラックや破壊が生ずるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】小型カソードにおいても放電を維持し、かつ、ターゲット全面を均一に侵食させることを可能とすることを課題とする。
【解決手段】ターゲットが、概略箱型形状をなすように構成されているスパッタリング装置において、誘導磁場通過体を挟んで放電空間の反対側に設置されたアンテナに電力を供給することによってプラズマを生成し、更に、ターゲットに供給されたバイアス電圧によってスパッタリングを生じさせることにより、小型カソードにおいても放電を維持し、かつターゲット全面を均一に侵食させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】透明電極成膜において有機薄膜上に透明電極をスパッタリング法により成膜する際、有機薄膜上への二次電子飛散によるチャージアップやスパッタリングダメージを抑制するとともに、ターゲット１２の温度上昇をバッキングプレート下部を流れる冷却水をチラー等により強制冷却させることで抑え、ターゲット１２輻射熱によるマスク変形（たわみ）を抑制する方法を提供する。
【解決手段】有機薄膜上への透明電極成膜をチャージアップを起こさず、かつスパッタリングダメージを抑制させながら行う方法であって、最終成膜プロセスがスパッタリング法である透明有機電界発光素子やトップエミッション型有機電界発光素子においては特性（駆動、寿命等）向上が期待できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、真空容器壁面に絶縁膜が付着しても成膜速度が変化せず、１台の電源で安定放電が可能なスパッタリング方法および装置を提供するものである。
【解決手段】真空容器中に、形成したい薄膜の成分の一部または全部からなる複数の導電性ターゲットを配し、前記真空容器中に少なくとも反応性ガスを含むガスを導入し前記複数の導電性ターゲットのうち少なくとも一つのターゲットに電圧を印加することで真空容器中にプラズマを発生させ、絶縁膜の成膜を行う反応性スパッタリング方法において、前記ターゲットのうち少なくとも一つを接地電位とし、残りの少なくとも一つのターゲットに正負交互に反転する電圧を印加することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】技術を複雑化することなく、基板のスパッタ・エッチング時のプラズマ強度を高める装置および方法を提供する。
【解決手段】被覆対象である基板を収容した被覆反応器内、特にＰＶＤ被複システム内で、該基板と少なくとも１つの別の電極との間に直流または交流の電圧を印加して一次プラズマを発生させる際に、該プラズマの活性を向上させる装置において、
熱電子放出器、望ましくはフィラメントを備え、該フィラメントは１本の長いフィラメントであるか、または数本の短いフィラメントを直列または並列またはその組合せにより接続したフィラメントであって、直流または交流またはその組合せによって加熱されることを特徴とするプラズマ活性を向上させる装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、一般に、大面積基板における堆積の均一性を向上させるため、大きな陽極表面積を有する物理気相蒸着（ＰＶＤ）チャンバにおいて、基板表面を処理する装置及び方法を提供する。
【解決手段】一般に、本発明の態様はフラットパネルディスプレイ工程、半導体工程、太陽素子工程又は他の基板処理工程で用いることができる。ある態様において、処理チャンバは１又はそれ以上の調整可能な陽極アセンブリを備え、これは処理チャンバの処理領域にわたって陽極表面積を増大し、より均一に分布させる。１の態様において、１又はそれ以上の調整可能な陽極アセンブリは真空を解除することなく堆積された陽極表面を堆積されていない新品と交換するために用いられる。他の態様において、接地経路を有する遮蔽フレームは、陽極面積及び堆積均一性を増大するため、基板表面の堆積層と接触する。 （もっと読む）

【課題】形成環境前真空槽と、該真空槽へ不活性ガス及び酸素ガスのプロセスガスを導入し、ターゲットスパッタリング法のＩＴＯ膜を形成する形成環境真空槽とを備え、有機膜を形成した透明基材を、形成環境前真空槽と、形成環境真空槽内とその順に導入し、透明導電性の薄膜形成方法において、装置の増設等や加温による方法に頼ることなく、また真空槽内への持込む水分ガス量の影響を受けにくい、カラーフィルタのＩＴＯ膜形成に適した透明導電性の薄膜形成方法及びその薄膜形成装置を提供することである。
【解決手段】形成環境前真空槽は、形成環境真空槽内のガス圧の１／１００桁の圧力まで減圧し、ＩＴＯ膜の形成環境まで水分を除去したあとに、形成環境前真空槽内へ、不活性ガス及び酸素ガスを導入し、形成環境真空槽内のガス圧にしたあと、透明基材を加温することなく、ＩＴＯ膜を形成することを特徴とする透明導電性の薄膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング装置に係り、特にその真空容器の壁面に絶縁物などが付着することを防ぐ防着板を具備したスパッタリング装置に関するものであり、異物が混入しない所望の組成の成膜ができるスパッタリング装置を提供することを目的とするものである。さらに、経時的にプラズマの状態が変化することを防ぐことで、生産性が低下しないスパッタリング装置を提供するものである。
【解決手段】防着板を金属材にて二重にかつ互いに非接触状態に設置し、前記防着板のうち、外側の防着板に直流負電位を印加するように構成する。 （もっと読む）

【課題】 ＰＶＤチャンバで使用するように形成されたコイル構造、及びＰＶＤチャンバで使用するのに適したコイル構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】 コイル構造は、コイル本体の外周から延びる一つ又はそれ以上のカップ突出部を含む。これらのカップ突出部はコイル本体と一部品であり、カップ突出部内を延びる凹所を有し、突出リップが凹所全体に亘って延びている。カップ突出部の凹所には、更に、コイルをチャンバに連結するためのファスナを受け入れるファスナレシーバーが設けられている。コイル構造を形成する方法は、コイル交換キットと関連したアッセンブリの別体の構成要素を同定する工程、及び少なくとも二つの構成要素に代わることのできる一部品構造を形成する工程を含む。
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