【課題】 高い導電性を実現できるとともに、基材上に形成された導体パターンの線幅の太りを低減することができ、より細線化に対応可能な加熱硬化型導電性ペースト組成物を低コストで提供する。
【解決手段】 本発明に係る加熱硬化型導電性ペースト組成物は、（Ａ）銀粉末、（Ｂ）加熱硬化性成分、（Ｃ）硬化剤および（Ｄ）溶剤を含有し、（Ｄ）溶剤として、（Ｄ−ａ）主溶剤のジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテートと、１種類以上の（Ｄ−ｂ）副溶剤とを混合して成る混合溶剤が用いられ、（Ｄ−ｂ）副溶剤の沸点が２００℃〜３００℃の範囲内にあり、かつ、その溶解度パラメータが７．５〜１２．０の範囲内にある溶剤であり、混合溶剤の溶解度パラメータが８．０〜９．５の範囲内にある。 （もっと読む）

【課題】効率よく基板上に安定して均一に成膜する。
【解決手段】筐体と、成膜材料の溶液と圧縮ガスとを混合して成膜材料を微粒子化したミストを筐体の内部に噴霧する複数のスプレーノズル１２とを備える。また、圧縮ガスを圧力の異なる複数の調圧ガスに調整し、複数のスプレーノズル１２の各々に複数の調圧ガスのいずれかを導入し、かつ、複数の調圧ガスのすべてを複数のスプレーノズル１２に対して導入するガス圧調整機構を備える。 （もっと読む）

【課題】低温分散系機能性材料を用いて、微細空間内に空隙、隙間、または空洞のない機能部分を形成する方法を提供する。
【解決手段】熱溶解性を有する機能性微粉末５２を、液状分散媒５１中に分散させた分散系機能性材料５を、微細空間３内に充填する。次に、微細空間３内の液状分散媒５１を蒸発させる。次に、熱処理により機能性微粉末５２を熱溶解させた後、加圧しながら冷却する。 （もっと読む）

【課題】歩留り良く製造可能なトランジスタ、トランジスタの製造方法、表示装置および電子機器を提供する
【解決手段】ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層上のエッチングストッパ層と、前記半導体層上の、少なくとも前記エッチングストッパ層の両側に設けられた一対のコンタクト層と、前記半導体層に前記一対のコンタクト層を介して電気的に接続されると共に前記絶縁層に接するソース・ドレイン電極と、を備えたトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 高い導電性を実現できるとともに、基材上に形成された導体パターンの線幅の太りを低減することができる加熱硬化型導電性ペースト組成物を低コストで提供する。
【解決手段】 本発明に係る加熱硬化型導電性ペースト組成物は、（Ａ）銀粉末と、（Ｂ）加熱硬化性成分と、（Ｃ）硬化剤と、（Ｄ）溶剤と、必要に応じて（Ｅ）添加剤とを含有しており、さらに、レオメータで測定した貯蔵弾性率が１００Ｐａ〜４００Ｐａとなっている。これにより、高い導電性を実現しつつ高精細な導体パターンを低コストで形成することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】物理的な版を必要とせず、微細な導電パターンを形成でき、パターン変更に対して柔軟に対応できる配線の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明では、基板上に、エネルギー付与によって臨界表面張力が変化する材料を含有する濡れ性変化層を形成する工程と、前記濡れ性変化層に選択的にレーザ光を照射して、前記濡れ性変化層の臨界表面張力が高くなるように変化させた高表面エネルギー領域部を前記濡れ性変化層に形成する工程と、前記高表面エネルギー領域部に導電性インクを塗布し、前記高表面エネルギー領域部上に配線を形成する工程と、を有し、前記濡れ性変化層と前記高表面エネルギー領域部とには段差がなく、前記配線は前記高表面エネルギー領域部上に形成されていることを特徴とする配線の形成方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】良好な歩留りで製造可能なトランジスタ、表示装置および電子機器を提供する
【解決手段】ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、前記一対のソース・ドレイン電極それぞれと前記半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面が前記ソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層と、を備えたトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】従来技術を発展させた半導体ガスセンサを提供すること。
【解決手段】第１の端子部分が、半導体本体（２０）の表面に設けられたパッシベーション層（３０）を貫通する第１の成形部分（１１２）を有し、該第１の成形部分（１１２）は、参照電位に接続された導電性層（１１５）を備えた底面を有し、該第１の端子部分と制御電極（１００）とは第１の接合材（１３０）を用いて電気的接続かつ摩擦接続的に結合されている。第２の端子部分と前記制御電極（１００）とは第２の接合材（１４０）を用いて少なくとも摩擦接続的に結合されており、前記第１の接合材（１３０）は前記成形部分を少なくとも部分的に充填し、前記制御電極（１００）と前記導電性層（１１５）とを接続する。 （もっと読む）

【課題】酸化物をチャネル及びゲート絶縁層に適用した薄膜トランジスタの高性能化、又はそのような薄膜トランジスタの製造プロセスの簡素化と省エネルギー化を実現する。
【解決手段】本発明の１つの薄膜トランジスタ１００は、ゲート電極２２０とチャネル４０との間に、ゲート電極２０に接する、ビスマス（Ｂｉ）とニオブ（Ｎｂ）とからなる第１酸化物（不可避不純物を含み得る）の層３２と、チャネル４０に接する、ランタン（Ｌａ）とタンタル（Ｔａ）とからなる酸化物、ランタン（Ｌａ）とジルコニウム（Ｚｒ）とからなる酸化物、及びストロンチウム（Ｓｒ）とタンタル（Ｔａ）とからなる酸化物の群から選択される１種の第２酸化物（不可避不純物を含み得る）の層３４との積層酸化物３０を備え、チャネル４０が、インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）とからなるチャネル用酸化物（不可避不純物を含み得る）である。 （もっと読む）

【課題】ナノインクに変質が生じ難く、ナノリスクが生じない、ナノインク塗布装置を提供する。
【解決手段】本発明のナノインク塗布装置１は、金属ナノ粒子または半導体ナノ粒子を合成する合成部２と、合成部２で合成された金属ナノ粒子または半導体ナノ粒子を精製し、金属ナノ粒子または半導体ナノ粒子を含むナノインクを調製する調製部３と、調製部３からナノインクが供給され、対象物にナノインクを塗布する塗布部４と、を備え、合成部２は、マイクロチャネルが形成されたマイクロリアクターを備え、塗布部４は、外気を遮断する筐体１５に覆われている。 （もっと読む）

【課題】強誘電体ゲート薄膜トランジスターの伝達特性が劣化し易い（例えばメモリウインドウの幅が狭くなり易い）という問題をはじめとして、ＰＺＴ層から酸化物導電体層にＰｂ原子が拡散することに起因して生ずることがある種々の問題が解決された強誘電体ゲート薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】強誘電体ゲート薄膜トランジスター２０は、チャネル層２８と、チャネル層２８の導通状態を制御するゲート電極層２２と、チャネル層２８とゲート電極層２２との間に配置された強誘電体層からなるゲート絶縁層２５とを備え、ゲート絶縁層（強誘電体層）２５は、ＰＺＴ層２３と、ＢＬＴ層２４（Ｐｂ拡散防止層）とが積層された構造を有し、チャネル層２８（酸化物導電体層）は、ゲート絶縁層（強誘電体層）２５におけるＢＬＴ層（Ｐｂ拡散防止層）２４側の面に配置されている。 （もっと読む）

【課題】微細なパターン、例えば、線幅が５０μｍよりも小さいパターンであっても高い精度でパターンを形成することができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】微細なパターンのパターン形成方法であって、基板上に形成された、親疎水性変換機能を有する第１の膜において、パターンが形成されるパターン形成領域を親疎水性に変化させる工程と、パターン形成領域に第２の膜を形成し、第２の膜が乾燥してパターンを形成する工程とを有する。第２の膜は、厚さが０．１μｍになったときの粘度が３ｍＰａ・ｓ以下である。 （もっと読む）

【課題】透明電極層との密着性に優れ且つ接触抵抗が小さい電極構造、及びその電極構造を備えた太陽電池等を提供する。
【解決手段】透明電極層５上にパターン状に設けられて導電性粒子及び高分子化合物を有する第１導電層６ａと、第１導電層６ａ上に設けられてバインダーとしての高分子化合物を有さずに導電性粒子を有する第２導電層６ｂとを備える電極構造６によって、上記課題を解決した。第２導電層６ｂは、粒径分布の異なる少なくとも２種類の導電性粒子群を含み、かつ該導電性粒子群の含有率が９９．０質量％超であることが好ましい。高分子化合物を１２０℃以上１８０℃未満で硬化する硬化剤とすることにより、カルコパイライト化合物半導体層を有する太陽電池の集電電極として好ましく用いることができる。 （もっと読む）

【課題】基材との密着性が高く、かつ10^-6Ωcmオーダーの低い電気抵抗率を有する電極/配線を300℃以下の低温焼成で形成することができる導電性ガラスペーストを提供する。また、該導電性ガラスペーストを用いて電極/配線が形成された電気電子部品を提供する。
【解決手段】本発明に係る導電性ガラスペーストは、無鉛ガラス粒子とAg粒子と有機溶剤とを含有する導電性ガラスペーストであって、前記導電性ガラスペーストは、更にAg₂O粒子を含有し、前記無鉛ガラス粒子は、成分を酸化物で表したときに、V₂O₅とAg₂OとTeO₂とを少なくとも含有し、軟化点が300℃以下であることを特徴とする。前記導電性ガラスペーストにおける配合割合は、Ag粒子100質量部に対して、Ag₂O粒子を10〜70質量部とし、無鉛ガラス粒子を10〜50質量部とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて、かつ、従来よりも短工程で製造することが可能な機能性デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】熱処理することにより金属酸化物又は金属となる液体材料を準備する第１工程と、基材上に液体材料を塗布することにより金属酸化物又は金属の前駆体組成物からなる前駆体組成物層を形成する第２工程と、前駆体組成物層に対して凹凸型を用いて型押し加工を施すことにより前駆体組成物層に残膜を含む型押し構造を形成する第３工程と、型押し構造が形成された前駆体組成物層に対して大気圧プラズマ又は減圧プラズマによるアッシング処理を施すことにより残膜を処理する第４工程と、前駆体組成物層を熱処理することにより、前駆体組成物層から金属酸化物又は金属からなる型押し構造体を形成する第５工程とをこの順序で含む型押し構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の発電効率を高めることが可能な、新規かつ改良された光電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型を有する半導体基板に前記第１導電型と異なる第２導電型を有する第１ドーピング物質層ＤＰ１を形成する先蒸着段階と、第１ドーピング物質層ＤＰ１が形成された前記半導体基板を加熱する熱拡散段階と、前記熱拡散段階後、第１ドーピング物質層ＤＰ１上に、前記第２導電型を有する第２ドーピング物質層ＤＰ２を形成する後蒸着段階と、前記半導体基板、第１ドーピング物質層ＤＰ１及び第２ドーピング物質層ＤＰ２の一部をレーザＬで局所加熱し、前記半導体基板の第１面上にコンタクト層を形成する局所加熱段階と、前記コンタクト層上に第１電極を形成し、前記半導体基板の前記第１面と対向する第２面上に第２電極を形成する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ウエハに設けられた微細孔内に流動性充填材を、より確実に充填し得、しかも、ウエハ上から充填材残渣を取り払い得る充填方法、そのための充填装置及びウエハを提供すること。
【解決手段】ウエハ７に存在する微細孔７３内に流し込まれた流動性充填材９を、加圧手段１，３により加圧する工程において、ウエハ７の受圧面７１に対する流動性充填材９の表面張力と、加圧手段１，３の加圧面３１１に対する流動性充填材９の表面張力とを互いに異ならせる。 （もっと読む）

【課題】大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いた製造プロセスを提供す
る。
【解決手段】液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザ光で選択的に
露光した後、現像またはエッチングすることによって、レーザ光で露光した領域のみを残
し、吐出後のパターンよりも微細なソース配線およびドレイン配線を実現する。ＴＦＴの
ソース配線およびドレイン配線は、島状の半導体層を横断して重ねることを特徴としてい
る。 （もっと読む）