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Fターム[4M104FF13]の内容

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【課題】耐圧および電流コラプス抑制性能をさらに向上できる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】この電界効果トランジスタによれば、ゲート絶縁膜20を、ストイキオメトリなシリコン窒化膜よりもシリコンの比率が高いシリコン窒化膜で作製されたコラプス抑制膜18と上記コラプス抑制膜18上に形成されたSiO絶縁膜17とを有する複層構造とすることにより、耐圧を向上できるだけでなく、電流コラプスも抑制できる。 (もっと読む)


【課題】配線層の膜応力を低減し、製造歩留まりを向上することが可能な半導体装置およびその製造方法並びに表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】本技術の半導体装置は、一方向に延在する複数の第1配線層と、第1配線層の間に設けられた第1配線層よりも膜厚が薄いゲート電極と、第1配線層およびゲート電極上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上の前記ゲート電極に対応する位置にチャネル領域を有する半導体層と、半導体層上に設けられた層間膜と、層間膜上に形成されると共に、層間膜に設けられた貫通孔を介して半導体層と接続された第2配線層とを備えている。 (もっと読む)


【課題】歩留り良く製造可能なトランジスタ、トランジスタの製造方法、表示装置および電子機器を提供する
【解決手段】ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層上のエッチングストッパ層と、前記半導体層上の、少なくとも前記エッチングストッパ層の両側に設けられた一対のコンタクト層と、前記半導体層に前記一対のコンタクト層を介して電気的に接続されると共に前記絶縁層に接するソース・ドレイン電極と、を備えたトランジスタ。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程により、ソース電極層及びドレイン電極層を形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の不純物を除去する工程を行う。 (もっと読む)


【課題】ゲート絶縁膜の膜減り及びダメージを抑え、微細なトランジスタを歩留まり良く作製する。
【解決手段】絶縁表面上の半導体膜と、半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上の、第1の金属膜および第1の金属膜上の第2の金属膜を有するゲート電極と、ゲート絶縁膜上に形成され、かつ第1の金属膜の側面と接し、第1の金属膜と同一の金属元素を有する金属酸化物膜と、を有し、第2の金属膜より第1の金属膜のほうが、イオン化傾向が大きい半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】強誘電体ゲート薄膜トランジスターの伝達特性が劣化し易い(例えばメモリウインドウの幅が狭くなり易い)という問題をはじめとして、PZT層から酸化物導電体層にPb原子が拡散することに起因して生ずることがある種々の問題が解決された強誘電体ゲート薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】強誘電体ゲート薄膜トランジスター20は、チャネル層28と、チャネル層28の導通状態を制御するゲート電極層22と、チャネル層28とゲート電極層22との間に配置された強誘電体層からなるゲート絶縁層25とを備え、ゲート絶縁層(強誘電体層)25は、PZT層23と、BLT層24(Pb拡散防止層)とが積層された構造を有し、チャネル層28(酸化物導電体層)は、ゲート絶縁層(強誘電体層)25におけるBLT層(Pb拡散防止層)24側の面に配置されている。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜と金属膜との接触抵抗を低減させ、オン特性の優れた酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】絶縁表面上の一対の電極と、一対の電極と接して設けられる酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、を有し、一対の電極において、酸化物半導体膜と接する領域にハロゲン元素を含む半導体装置とする。さらに、一対の電極において、酸化物半導体膜と接する領域にハロゲン元素を含ませる方法として、フッ素を含む雰囲気におけるプラズマ処理を用いることができる。 (もっと読む)


【課題】特性ばらつきの少ない絶縁ゲートを備えた窒化物半導体の半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置が備える絶縁ゲートは、窒化物半導体層1上に設けられているアモルファスの酸化シリコン膜2と、酸化シリコン膜2上に設けられているゲート電極8を有している。ゲート電極8に対向する窒化物半導体層1が酸化されている。 (もっと読む)


【課題】高い歩留まりを実現できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、基板11上の絶縁層13に形成された第1の凹部14および第1の凹部14よりも幅が狭い第2の凹部15に、基板11を銅が流動可能なリフロー温度に加熱した状態で、第1の銅膜21を形成する工程を備えている。また、前記半導体装置の製造方法は、第1の銅膜21上に、不純物濃度が第1の銅膜21よりも高い第2の銅膜22を、第1の銅膜21の形成時よりも流動性が小さい状態で形成する工程を備えている。 (もっと読む)


【課題】透明電極層との密着性に優れ且つ接触抵抗が小さい電極構造、及びその電極構造を備えた太陽電池等を提供する。
【解決手段】透明電極層5上にパターン状に設けられて導電性粒子及び高分子化合物を有する第1導電層6aと、第1導電層6a上に設けられてバインダーとしての高分子化合物を有さずに導電性粒子を有する第2導電層6bとを備える電極構造6によって、上記課題を解決した。第2導電層6bは、粒径分布の異なる少なくとも2種類の導電性粒子群を含み、かつ該導電性粒子群の含有率が99.0質量%超であることが好ましい。高分子化合物を120℃以上180℃未満で硬化する硬化剤とすることにより、カルコパイライト化合物半導体層を有する太陽電池の集電電極として好ましく用いることができる。 (もっと読む)


【課題】信頼性を向上させることができる光半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】n−InP基板1上に、分離溝13で互いに分離された光半導体素子14,15を形成する。光半導体素子14,15の上面に、Ptを含む電極21,22をそれぞれ形成する。電極21,22に電気的に接続された電極24を形成する。電極24を給電層とした電解メッキ法により電極21,22上にAuメッキ層26,27をそれぞれ形成する。Auメッキ層26,27を覆うレジスト23をフォトリソグラフィにより形成する。レジスト23をマスクとして電極24をエッチングして電極21と電極22を電気的に分離する。電極24を形成する際に、分離溝13内に電極24が形成されないようにする。 (もっと読む)


【課題】製造プロセスが容易であり、かつ、電流駆動能力の高い半導体基板およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】本実施形態による半導体装置は、半導体基板を備える。第1導電型のFin型半導体層は、半導体基板上に形成されている。第1導電型のソース層および第1導電型のドレイン層は、Fin型半導体層の長手方向の両端に設けられている。ゲート絶縁膜は、Fin型半導体層の両側面に設けられている。ゲート電極は、Fin型半導体層の両側面にゲート絶縁膜を介して設けられている。第2導電型のパンチスルーストッパ層は、ゲート電極およびFin型半導体層の下に設けられている。パンチスルーストッパ層の不純物濃度は、ソース層およびドレイン層の下にある半導体基板の不純物濃度よりも高い。 (もっと読む)


【課題】電極と半導体基板が良好にオーミック接合している半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の電極形成面に、単原子の金属イオンを注入するイオン注入工程と、金属イオンが注入された半導体基板をアニール処理して半導体基板にシリサイド層を形成するアニール工程と、アニール工程の後に、半導体基板の電極形成面に電極を形成する電極形成工程とを備えている。 (もっと読む)


【課題】ノーマリオフで動作するとともに、高い耐圧と低いオン抵抗を具備した半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置1では、ドレイン電極21が第1ヘテロ接合面32に形成される2次元電子ガス層に対して電気的に接続可能に構成されており、ソース電極29が第1ヘテロ接合面32に形成される2次元電子ガス層から電気的に絶縁可能に構成されているとともに第2ヘテロ接合面34に形成される2次元電子ガス層に対して電気的に接続可能に構成されており、ゲート部28が第2ヘテロ接合面34に対向しており、導通電極25が第1ヘテロ接合面32及び第2ヘテロ接合面34に形成される2次元電子ガス層の双方に対して電気的に接続可能に構成されている。第1ヘテロ接合面32に形成される2次元電子ガス層の電子濃度は、第2ヘテロ接合面34に形成される2次元電子ガス層の電子濃度よりも濃い。 (もっと読む)


【課題】生産性の高いバッチ処理方式を採用しながら、比較的簡単な構成で、基板の表面の全域に亘ってめっき液がより均一に流れるようにして、膜厚や膜形状の面内均一性を高めためっき膜を形成できるようにする。
【解決手段】内部に上方に向かうめっき液の流れを形成しつつめっき液を保持するめっき槽80と、複数枚の基板Wを鉛直方向に並列に保持してめっき槽80内のめっき液に浸漬させる基板ホルダ84と、基板ホルダ84で保持してめっき液に浸漬させた各基板Wの周囲をそれぞれ囲繞して、各基板Wの外周部に基板表面に沿っためっき液の流れと連続するめっき液の流れを形成する複数枚のガイド板150,152を有する。 (もっと読む)


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