【課題】オン抵抗を低め、高電流で動作する半導体素子及び製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上部に配設され、内部に２次元電子ガスチャネルを形成する窒化物半導体層３０と、窒化物半導体層３０にオーミック接合されたドレイン電極５０と、ドレイン電極５０と離間して配設され、窒化物半導体層３０にショットキー接合されたソース電極６０と、ドレイン電極５０とソース電極６０との間の窒化物半導体層３０上及びソース電極６０の少なくとも一部上にかけて形成され、ドレイン電極５０とソース電極６０との間にリセスを形成する誘電層４０と、ドレイン電極５０と離間して誘電層４０上及びリセスに配設され、一部が誘電層４０を挟んでソース電極６０のドレイン方向へのエッジ部分上部に形成されたゲート電極７０とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置内に保護ダイオードをレイアウトする。
【解決手段】半導体装置は、電界効果トランジスタ１１と、電界効果トランジスタ１１の形成領域３０に隣接するダイオード形成領域１２とを備え、ダイオード形成領域１２はトランジスタの形成領域３０と半導体基板上で絶縁され、ダイオード形成領域１２内において、電界効果トランジスタ１１のゲート電極１がバス配線７を介して半導体基板とショットキー接合とオーミック接合のいずれか又は両方の接合をする第１のダイオード電極２０と、電界効果トランジスタ１１のソース電極２がパッド５を介して半導体基板とオーミック接合とショットキー接合のいずれか又は両方の接合をする第２のダイオード電極２１とを備えることによってゲート電極１とソース電極２間にダイオードが形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｎチャネル型電界効果トランジスタとｐチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、ｎチャネル型電界効果トランジスタ、ｐチャネル型電界効果トランジスタ共にドレイン電流特性に優れた半導体装置を実現する。
【解決手段】ｎチャネル型電界効果トランジスタ１０と、ｐチャネル型電界効果トランジスタ３０とを有する半導体装置において、ｎチャネル型電界効果トランジスタ１０のゲート電極１５を覆う応力制御膜１９には、膜応力が引張応力側の膜を用いる。ｐチャネル型電界効果トランジスタ３０のゲート電極３５を覆う応力制御膜３９には、膜応力が、ｎチャネル型トランジスタ１０の応力制御膜１９より、圧縮応力側の膜を用いることにより、ｎチャネル型、ｐチャネル型トランジスタの両方のドレイン電流の向上が期待できる。このため、全体としての特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】材料の選択幅が広く、生産性が高いＴＦＴ、アクティブマトリクス基板、およびそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタは、ゲート電極２と、半導体層５と、半導体層５の上に設けられ、半導体層５と電気的に接続されたソース電極７、及びドレイン電極８と、を備えた薄膜トランジスタであって、半導体層５が、透光性半導体膜５ａと、透光性半導体膜５ａ上に配置され、透光性半導体膜５ａよりも光透過率の低いオーミック導電膜５ｂと、を有し、オーミック導電膜５ｂが、透光性半導体膜５ａからはみ出さないように形成され、オーミック導電膜５ｂが、ソース電極７とドレイン電極８の間のチャネル部９を挟むように分離して形成され、ソース電極７、及びドレイン電極８が、オーミック導電膜ｂを介して、透光性半導体膜５ａに接続されているものである。 （もっと読む）

【課題】工数を大幅に増加せず且つ高誘電体からなるゲート絶縁膜にダメージを与えることがない、仕事関数変更用金属不純物膜の効果を有する半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０１と、半導体基板１０１の上部に形成されたｐ型活性領域１１０と、ｐ型活性領域１１０の上に形成されたゲート絶縁膜１５０と、ゲート絶縁膜１５０の上に形成されたゲート電極１０６とを有している。ゲート絶縁膜１５０は、二酸化シリコンよりも大きい誘電率を有する高誘電体膜１０３と、高誘電体膜１０３の上に形成され、炭素を含む炭素含有膜１０４とを有している。高誘電体膜１０３及び炭素含有膜１０４は、第１の金属としてランタン又はマグネシウムを含み、ゲート電極１０６は、第２の金属を含む。 （もっと読む）

【課題】低いチャネル抵抗を具現し、電界効果移動度が高くなる効果がある二重ゲートトランジスタを含む半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による半導体装置は、下部ゲート電極と、前記下部ゲート電極上の上部ゲート電極と、前記下部ゲート電極と前記上部ゲート電極の間に介在され、前記下部ゲート電極と前記上部ゲート電極を連結するコンタクトプラグと、前記上部ゲート電極と同一の高さに前記上部ゲート電極から離隔して形成された機能電極と、を含む。本発明によれば、電界効果移動度が高い二重ゲートトランジスタを半導体装置に適用させることによって、半導体装置の特性を改善することができる。特に、本発明によれば、別途のマスク工程や蒸着工程を追加する必要がないので、工程コストの上昇や収率減少をもたらすことなく、大面積・高画質の半導体装置を大量生産することができる。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極が金属窒化膜により構成されるＭＯＳＦＥＴにおいて、電流駆動能力の向上を図る。
【解決手段】基板１０に、素子形成領域２０を分離する素子分離領域５０を設ける。次に素子形成領域２０上にゲート絶縁膜１００を形成する。その後ゲート絶縁膜１００上に金属窒化膜により構成される下部ゲート電極膜２００を形成する。さらに下部ゲート電極膜２００を熱処理する。そして下部ゲート電極膜２００上に上部ゲート電極膜２２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】装置の高いスループットを維持しつつ、バリアメタルの酸化工程の追加や異なる種類のシード層の積層、バリア層の積層等を行い配線の信頼性を向上させる。
【解決手段】薄膜の合金シード層を成長させるチャンバー、または、薄膜のバリアメタルを成長させるチャンバーのうち、最も短いタクト時間のチャンバー数を最も少なくして、あるいは、統一して１台の装置で専用に用い、タクト時間の長い工程のチャンバーを２または、３チャンバー以上にすることにより、薄膜工程のチャンバー間バラツキを無くして、装置のスループットを向上させる。 （もっと読む）

【解決課題】集積回路用のサブミクロン相互接続構造を製作する方法を提供する。
【解決手段】添加剤を含み、平坦で光沢があり延性があり低応力のＣｕ金属を付着させるのに通常用いられる浴からＣｕを電気めっきすることによって、ボイドのないシームレスな導体が得られる。ボイドまたはシームを残すことなくフィーチャを超充填できるこの方法の能力は独特であり、他の付着方法より優れている。この方法で電気めっきされたＣｕを利用する構造のエレクトロマイグレーションの抵抗は、ＡｌＣｕ構造または電気めっき以外の方法で付着されたＣｕを用いて製作された構造のエレクトロマイグレーションの抵抗より優れている。 （もっと読む）

【課題】 電極間絶縁膜のリーク電流や絶縁耐圧に関する問題を防止することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 素子形成領域１１を有する半導体基板１０と、素子形成領域上に形成されたトンネル絶縁膜１２と、トンネル絶縁膜上に形成された浮遊ゲート電極１８と、素子形成領域の側面、トンネル絶縁膜の側面及び浮遊ゲート電極の下部分の側面を覆う素子分離絶縁膜１６と、浮遊ゲート電極の上部分の上面及び側面を覆う電極間絶縁膜２０と、電極間絶縁膜上に形成された制御ゲート電極とを備え、浮遊ゲート電極の上部分の上面及び側面に平行な方向から見て、浮遊ゲート電極の上コーナー部は丸められている。 （もっと読む）

【課題】パラジウムシリサイドからなるフルシリサイドゲート電極を有し、ソース／ドレイン領域上にシリサイド層を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板と、半導体基板の上に、ゲート絶縁膜を介して設けられたパラジウムシリサイドのゲート電極と、ゲート電極の両側の半導体基板に形成されたソース／ドレイン領域とを含むＭＯＳ構造の半導体装置において、ゲート電極にホウ素を不純物としてドープすることにより、ゲート電極の仕事関数を小さくなるようにシフトさせた。 （もっと読む）

【課題】工程数を増やすことなく、Ｍｏ酸化物を除去すると共にＭｏ酸化物の基板への付着を抑制する基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る基板の製造方法は、基板上にモリブデンを含む層を形成し、前記モリブデンを含む層が露出した状態において、前記基板に対し、少なくとも窒素ガスを用いた大気圧プラズマ処理を行うものである。このような構成により、工程数を増やすことなく、Ｍｏ酸化物を除去すると共にＭｏ酸化物の基板への付着を抑制する基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 製品不良の原因となる開口不良を感度よく検出することが可能な、開口不良の評価方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体基板１上に設けられた第１の絶縁膜２に形成され、かつ少なくとも１つの接続孔を有する接続孔パターンの開口不良を評価する方法であって、接続孔パターンを半導体基板１に転写する転写工程と、転写工程後に第１の絶縁膜２を除去する除去工程と、転写工程にて接続孔パターンが転写された場合に、開口不良がない正常接続孔３であると判定する一方、接続孔パターンが転写されない場合には、開口不良が生じた不良接続孔４である判定する判定工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 パターン形成において、低コスト化及び形成時間の短縮化を図るとともに、微細パターンの形成を可能としたパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明のパターン形成方法は、基板１８上に第１金属膜２８を形成する第１金属膜形成工程と、第１金属膜２８上に、パターンを形成しない基板１８上の位置に対応する第１金属膜２８が露出するようにマスクパターン３８を形成するマスクパターン形成工程と、マスクパターン３８をマスクとして第１金属膜２８上に絶縁膜４０を形成する絶縁膜形成工程と、マスクパターン３８を除去し、メッキ法により、マスクパターン３８を除去した第１金属膜２８上に絶縁膜４０をマスクとして少なくとも第２金属膜４２を形成する第２金属膜形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 チャネル形成領域に異なる応力を発声させる膜を互いに積層形成した半導体装置において、当該膜のエッジ部形状に起因するボイドが形成された場合であっても、隣り合うコンタクトがショートすることがない半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 コンタクト開口部を形成した後に絶縁材料を堆積して、コンタクト開口部に表出したボイド開口部を塞ぐ。これにより、当該ボイドに導電性材料が侵入することを防止し、隣り合うコンタクトがショートすることを防止する。 （もっと読む）

【課題】 ゲート電極及びソース・ドレイン電極を形成する工程間において、熱の印加による寸法変動を回避し、生産効率を保持したまま、簡易な工程により、安定した特性を有
する薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、ゲート絶縁膜としてのフィルムのいずれかの面にゲート電極、それと異なる面にソース・ドレイン電極を、導電性材料が有機溶媒により溶解された溶液または分散体を印刷することにより形成する薄膜トランジスタの製造方法であって、フィルムの一方の面に、いずれか一方の電極のパターン形状を前記溶液または分散体により印刷する工程と、先に印刷された電極のパターン形状の溶液または分散体を真空乾燥し、有機溶媒を揮発させて電極を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 優れた特性を有するとともに信頼性が向上し、またＳｉＣウエハを用いることができると。
【解決手段】 ＳｉＣチップ９には、複数個のショットキーバリアダイオードのユニット１０が形成され、各ユニット１０は独立した外部出力電極４を持っている。ＳｉＣチップ９に形成されたユニット１０のうち良品ユニットの外部出力電極４のみに、バンプ１１（直径が数１０〜数１００μｍ）が形成され、耐圧がなかったりリーク電流が多かったりする不良品ユニットの外部出力電極４の上にはバンプは形成されていない。不良品ユニットにはバンプが形成されていないので、ショットキーバリア側電極３は外部出力電極４からバンプ１１、配線基板１２の配線層１３、外部リード１３ａへと外部と並列接続され、良品のユニット１０の外部出力電極４のみが並列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】効率よく放熱することが可能な薄膜トランジスタを備えた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】基板上にマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成された表示部と、基板上の表示部の外側領域に設けられ、表示部を駆動するための駆動回路と、を備える液晶表示装置１０であって、それぞれに切欠部１３２ａを有した一対の拡散層を備えるポリシリコン半導体層１３２と、拡散層のそれぞれの上面及び切欠部に沿った端面に接触する第１電極１３６及び第２電極１３８と、第１電極１３６と第２電極１３８との間の電流をオンオフする電圧が加えられる第３電極１３４と、を備える薄膜トランジスタを具備した液晶表示装置１０。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に成膜配線して半導体素子を形成することにより銅の利点である耐ＥＭ性や耐ＳＭ性を十分に生かして高度耐腐食性の微細化配線を持つ半導体素子を製造することができる高純度単結晶銅とその製造方法、更に得られた単結晶銅からなるスパッタリングターゲットおよび同ターゲットを用いて成膜した配線を有する半導体素子を提供すること。
【解決手段】銀と硫黄の合計含有量が０．１ｐｐｍ以下である純度９９．９９９９ｗｔ％以上の高純度銅を出発原料として用い、これを電気炉１内に配置した原料るつぼ５内に入れて溶解し、るつぼ底部の溶解滴下孔４から下方の単結晶鋳型６に溶解銅を滴下する。この間上部、中部、下部ヒーター１０、１１、１２により温度を調節し、石英外筒３内を真空排気装置２により排気する。炉底部には断熱トラップ８がありその外側に冷却水９が貫流する水冷フランジ７が配置されている。この装置の単結晶鋳型内に半導体素子の配線形成用ターゲット材として好適な高純度単結晶銅が得られる。 （もっと読む）

ＭＯＳＦＥＴのゲートまたはＭＯＳＦＥＴのソースまたはドレイン領域は、シリコンゲルマニウムまたは多結晶シリコンゲルマニウムを含む。好ましくはニッケルシリサイドのモノシリサイドフェーズを含むニッケルゲルマノシリサイド（６２、６４）を形成すべく、ニッケルでのシリサイデーションを実行する。
ニッケルモノシリサイドによって呈される優れたシート抵抗を実質的に保持する一方、シリサイド中にゲルマニウムを含むことは、モノシリサイドフェーズが形成され得るより温度領域をより広くする。その結果、ニッケルゲルマノシリサイドは、後続のプロセスの間、ニッケルモノシリサイドよりも、より高い温度に耐えることができる。しかしながら、ニッケルモノシリサイドとほぼ同一のシート抵抗および他の有益な特性を提供する。
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