説明

Fターム[5E343DD46]の内容

プリント配線の製造 (50,760) | 導体パターンの形成方法 (7,103) | メッキ (3,277) | 湿式メッキ (2,652) | 電解メッキ (1,191) | 処理条件が特定されたもの (105) | 電流条件 (33)

Fターム[5E343DD46]の下位に属するFターム

電流密度 (25)

Fターム[5E343DD46]に分類される特許

1 - 8 / 8


【課題】導体層とフィルド導体との間のシーム発生を抑制する。又は、小さな環境負荷又は低コストで良質の給電層を得る。又は、高い生産性でフィルド導体を形成する。
【解決手段】配線板の製造方法が、絶縁層と該絶縁層上に形成されている導体層とを有する基材を準備することと、導体層上及び絶縁層上に層間絶縁層を形成することと、層間絶縁層上に金属箔を形成することと、層間絶縁層及び金属箔に、導体層を底とする有底孔を形成することと、有底孔の壁面に給電層を形成することと、給電層が形成された基材を、めっき金属のイオンを含む溶液に浸し、めっき金属を析出させる析出電圧とめっき金属を分離させる分離電圧とを交互に印加しながら、有底孔をめっき金属で充填することと、を含み、給電層は、めっき金属よりも溶液に溶けにくい材料からなり、分離電圧は、めっき金属が溶液に溶け、且つ、給電層が溶液に溶けない範囲に設定される。 (もっと読む)


【課題】めっき焼けを防止しつつめっきの効率を向上させることが可能なめっき装置および配線回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】めっき装置100は、めっき槽102を備える。めっき槽102内には、めっき液が収容される。長尺状基板10がめっき槽102内を通過するように搬送ロール101a〜101dにより搬送される。めっき槽102内には、長尺状基板10に沿って並ぶように3つ以上の棒状のアノード電極1が設けられる。両端に配置されたアノード電極1の表面積は他のアノード電極1の表面積よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】樹脂フィルム基板上に銅皮膜層を有する耐折性の向上した2層フレキシブル配線板用基板の提供。
【解決手段】樹脂フィルム基材と、前記樹脂フィルム基材の少なくとも片面に設けられた〔111〕優先配向の配線用銅層とからなることを特徴とする2層フレキシブル配線用基板、及び、樹脂フィルム基材の少なくとも片面に低電流密度層と高電流密度層を交互に組み合わせた銅めっき積層体を形成した後、次いで熱処理して前記銅めっき積層体を〔111〕優先配向の銅皮膜からなる配線用銅層を形成したことを特徴とする2層フレキシブル配線板用基板の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】アノーダイジング法を用いて基板表面の回路パターンを保護するための酸化層を形成するようにした印刷回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】外面に配線パターン111が形成された基板110の表面全体に金属層113をコーティングするステップと、基板110の表面から金属層113を部分的に除去して、その内部チップを載置するためのウィンドウを形成し、それによって基板110の表面上の配線パターン111の一部を露出させてボンディングフィンガー111aを形成するステップと、金属層113に対して1回目のアノーダイジングを行い、金属層113の表面に絶縁層113aを形成するステップと、金属層113に電源115を供給して、ボンディングフィンガー111aの表面に金111a´を電解めっきするステップとを含む印刷回路基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】レジストの剥離を容易に行うことができる形状の配線層を容易に形成することを可能とした配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】絶縁層上に通電層を形成する工程と、前記通電層上にパターン用マスクを形成する工程と、前記通電層上の前記パターン用マスクで覆われていない領域に、電流方向を周期的に反転させて行うPR電解メッキ処理により導体層を形成する工程とを備え、前記PR電解メッキ処理における正電流Iと逆電流Iの電流比(I/I)は、1:3〜1:1であり、前記導体層は、ほぼ長方形の断面形状を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】導体パターンの狭ピッチ化が可能な回路基板の製造方法及び回路基板を提供すること。
【解決手段】絶縁基板2上に通電層6を形成する通電層形成工程と、通電層6上にパターン用マスク11を形成するマスク形成工程と、通電層6上のうちパターン用マスク11の非形成領域に、電流方向を周期的に反転するPR電解メッキ処理により導体層7を形成する導体層形成工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】RFモジュールの基板材料として、セラミックス材料で成膜した基板を利用する。
【解決手段】厚い金属ベース11上にエアロゾルデポジション法でセラミックス材料の絶縁膜12を形成して、その上にパターン配線13や既存のチップ部品を実装して二次元回路とした第1二次元回路1を作製し、この第1二次元回路1上に、薄い金属ベース12上に絶縁膜22を形成した上にパターン配線23や既存のチップ部品を実装して二次元回路とした第2二次元回路2と、薄い金属ベース31上に絶縁膜32を形成した上にパターン配線33やモジュール内に実装できない比較的大きな既存のチップ部品を実装した第3二次元回路3を積層して、集積化RFモジュールとする。 (もっと読む)


【課題】 導体パターンの密着性を向上することが可能な配線回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 例えばポリイミドからなる絶縁層1上にスパッタリングにより例えば厚さ100Åの例えばクロムからなる膜と、例えば厚さ1000Åの例えば銅からなる膜との積層膜である金属薄膜2を形成する。フォトレジストにより所定の領域にめっきレジストを形成し、めっきレジストが形成されていない金属薄膜2上に電解めっきにより例えば銅からなる導体パターン3を形成する。電解めっきの条件としては、電解めっきの初期電圧を一定に維持する。この初期電圧は、0.2V以上0.5V以下であることが好ましい。また、形成すべき導体パターン3の厚みの30分の1以上になるまで、電圧を一定にすることが好ましい。 (もっと読む)


1 - 8 / 8