【課題】シリコン層又はガラス層とコア基板とをバンプを介在させないで接続した配線基板及びその製造方法、並びに前記配線基板を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】本配線基板は、絶縁性基材の一方の面から他方の面に貫通する複数の線状導体を備えたコア基板と、前記一方の面側及び前記他方の面側の少なくとも一面側に接合されたシリコン層と、前記シリコン層を貫通する貫通配線と、を有し、前記貫通配線は、バンプを介さずに前記線状導体と電気的に接続されており、１つの前記貫通配線の端部に対して、複数の前記線状導体が電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】小型化可能で、高周波での伝送損失が小さい複合多層基板を提供すること。
【解決手段】導体回路層と誘電体層とが交互に積層されてなり、前記誘電体層が少なくとも１層のセラミック層Ｃと少なくとも１層の樹脂層Ｐとから構成される複合多層基板であって、前記樹脂層Ｐが脂環式構造含有ポリマーを含む架橋性樹脂成形体を硬化してなるものである複合多層基板。 （もっと読む）

【課題】電子回路モジュールの小型化を図りつつ、電子回路モジュールの組立を容易にする。
【解決手段】
少なくとも一方の主面に端子を有する親基板４０００に接続される電子回路モジュールである。両方の主面に端子を有し、一方の主面に電子部品が実装されるモジュール基板２０００と、両方の主面に端子を有し、内部に導体パターンを有する低温焼成セラミック部品１０００とを備える。低温焼成セラミック部品１０００の一方の主面の端子がモジュール基板２０００の他方の主面の端子と接続されることにより、低温焼成セラミック部品１０００がモジュール基板２０００に実装される。低温焼成セラミック部品１０００の他方の主面の端子が親基板４０００の端子と接続されることにより、モジュール基板２０００が低温焼成セラミック部品１０００を間に挟んで親基板４０００に実装される。 （もっと読む）

【課題】設計の自由度を向上させることができる多層プリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】多層プリント配線板の製造方法は、スリット７が形成されたプリント配線板と他のプリント配線板を積層して、複数層の第１の導体配線３を有する多層構造の配線板を製造する工程と、前記スリット７を介して、前記プリント配線板の一部を除去することにより、前記複数層の第１の導体配線３の最外層以外の前記第１の導体配線に形成された第１の接続部９を外部に露出させて、該第１の接続部９を前記多層構造の配線板の本体から外方に向けて引き出す工程と、前記第１の接続部９に、フレキシブルプリント配線板が有する第２の導体配線１２に形成された第２の接続部１４を接続する工程とを少なくとも含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プローブカード用セラミック基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるプローブカード用セラミック基板は、複数のビア電極が形成されたセラミック基板と、セラミック基板の一面に形成され、上記ビア電極を露出させる複数の貫通ホールを含む絶縁層と、貫通ホールの内部に形成され、ビア電極と電気的に連結される接触パッドとを含む。 （もっと読む）

【課題】
高速での信号伝達特性の良好な高速信号伝送用基板を提供すること。
【解決手段】
高速信号伝送用基板は、第１接地パターンと、前記第１接地パターンの両面に形成される第１絶縁層と、前記第１絶縁層の表面に形成される第１導電パターンとを有する第１基板部と、第２接地パターンと、前記第２接地パターンの両面に形成される第２絶縁層と、前記第２絶縁層の表面に形成される第２導電パターンとを有する第２基板部と、前記第１基板部と前記第２基板部とを対向させた状態で、前記第１基板部の前記第１導電パターンと、前記第２基板部の前記第２導電パターンとを接続する接続部とを含む。 （もっと読む）

【課題】屈曲部に樹脂付金属箔を使用することのできる多層配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂付銅箔１０と銅張積層板２０を積層して構成される多層配線板１の製造方法は、銅張積層板２０に配線パターン２６を形成するステップＳ１０と、樹脂付銅箔１０の樹脂層１１に低剛性部１２Ａを形成するステップＳ２０と、樹脂付銅箔１０の樹脂層１１を、銅張積層板２０において配線パターン２６が形成された面に貼り合わせるステップＳ３０と、樹脂付銅箔１０に配線パターン１６を形成するステップＳ４０と、を備えており、低剛性部１２Ａの少なくとも一部は、樹脂層１１における他の部分よりも相対的に薄肉である。 （もっと読む）

【課題】薄肉化した特性インピーダンスコントロール対応プリント配線基板として、接地配線層にメッシュ構造を適用しつつ、その周辺部鋭角部分の問題を回避して、安定して特性インピーダンス制御を行い得るようにし、製品歩留まりの向上を図り得るようにする。
【解決手段】絶縁層の一方の面に信号線層を設け、他方の面にメッシュ構造で接地配線層を設け、接地配線層のメッシュ構造が、所定方向に連続的に延びる平行な連続帯状パターン部と、隣り合う連続帯状パタ−ン部の間を結ぶ非連続帯状パターン部とからなり、非連続帯状パターン部は、連続帯状パターン部の延びる方向に対する交差方向に沿うよう、間隔を置いて相互に平行に形成され、各連続帯状パターン部の幅方向の一方の側の非連続帯状部の位置が、他方の側の非連続帯状パターン部の延長位置に対して、連続帯状パターン部の延びる方向にずれていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】生産性の良好なモジュールを得ることを目的とするものである。
【解決手段】複数個の子基板３２が連結部で連結された親基板３２ｂの両面に電子部品３３ａ、３３ｂを装着し、その後で連結部を切断して子基板３２同士を分離し、その後でこれら分離された子基板３２同士の間に隙間が形成されるように、子基板３２を配線基板３６へ実装するとともに、それぞれの子基板３２と配線基板３６とをスペーサ３７を介して接続し、その後で子基板３２の下面側と子基板３２と配線基板３６との間に対し樹脂部３５を同時に形成し、その後で隙間に対応する位置の樹脂部３５と配線基板３６とを切除するので、生産性の良好なモジュール３１を実現できる。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路を実装する際に、リフローなどの熱履歴で発生する基板の反りが、最小限に小さく抑制されたハイブリッドコア基板、それを用いた半導体集積回路パッケージ、ビルドアップ基板を提供する。
【解決手段】複数の開口部を有するコア基板に、実装する半導体チップと略同一のサイズの複数のセラミック基板３０２を勘合させ、さらにその表層にコア基板より弾性率の低い絶縁層３０３を積層したハイブリッドコア基板とすることで、該基板を半導体チップのはんだ接合法による実装に用いても、基板の反りを最小限に抑えることができ、かつ加工性に富むビルドアップ基板を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】脆弱な構造を有する第１基板や導電層に第２基板を積層した場合でも、第１基板や導電層の変形や破損を防止することによって、基板間での電気信号の伝送特性が良好な基板間接続構造およびパッケージを提供する。
【解決手段】導電層９が形成され、導電層９の下部に空洞７を有する第１基板２と、導電層９に対応する位置に貫通穴３を有する第２基板１とを、第２基板１と導電層９との間に間隙を開けて導電層９領域以外の領域で固定し、貫通穴３に液体状の導電性材料を挿入して、導電層９に接し貫通穴３の内部に充填された金属を含む貫通導電部１２を形成する基板間接続構造とした。 （もっと読む）

【課題】層間導通部の補強効果を向上した多層配線板およびその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】第１絶縁樹脂層１１０の一方の主面に形成された第１導体回路パターン１１２を備えた第１基板１１と、第２絶縁樹脂層１２０の一方の主面に形成された第２導体回路パターン１２２を備えた第２基板１２と、第１絶縁樹脂層１１０を貫通して形成された層間導通部１１５とを有し、第１基板１１と第２基板１２とを積層し、層間導通部１１５を介して第１導体回路パターン１１２と第２導体回路パターン１２２とを接合した多層配線板において、第１導体回路パターン１１２と層間導通部１１５との接合部の周囲に空隙を介して第１絶縁樹脂層１１０上に形成された第１補強パターン１１４と、第２導体回路パターン１２２と層間導通部１１５との接合部の周囲に空隙を介して第２絶縁樹脂層１２０上に形成された第２補強パターン１２４とを備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】セラミック多層基板部分の割れを防止し、その複合多層基板を用いた電気回路モジュールの製造歩留まりを向上することができる複合多層基板を提供する。
【解決手段】セラミック多層基板２と、セラミック多層基板の表面に設けた樹脂基板３と、樹脂基板３の表面に銅箔層５と、を備える、複合多層基板１において、樹脂基板３は、セラミック多層基板２表面に接するように配置された第１の樹脂層６と、銅箔５に接するように配置された第２の樹脂層６を有し、第１の樹脂層６のヤング率は、第２の樹脂層７のヤング率より小さいことを特徴とした複合多層基板１とした。 （もっと読む）

【課題】 精密な位置決めができ、作成後の剥離がスムースで、かつ作成過程で剥離することのないデバイス作成用の積層体および積層体回路板を提供する。
【解決手段】 ガラス板、セラミック板、シリコンウエハ、金属から選ばれた一種の無機層の一面と、芳香族テトラカルボン酸類と芳香族ジアミン類との反応によって得られる１００℃〜２００℃の線膨張係数が（フィルムの長さ方向と幅方向でいずれも）−５ｐｐｍ／℃〜＋２０ｐｐｍ／℃であるポリイミドフィルムの一面とが、シランカップリング剤層を介して貼り合わされた積層体であって、積層体のフィルムと無機層との１８０度剥離強度が１Ｎ／ｃｍ以上１２Ｎ／ｃｍ以下である積層体。 （もっと読む）

【課題】基板の任意の位置を容易に多層化し、設計変更等に柔軟に対応できる複合配線基板を提供し、また回路部品を三次元的に配置することができるキャビティ構造を有した複合配線基板を提供する。
【解決手段】第一の電気絶縁性基材と前記第一の電気絶縁性基材に形成された配線パターンを有する第一の配線基板と、第二の電気絶縁性基材と前記第二の電気絶縁性基材に形成された配線パターンを有し、かつ少なくともその一部にキャビティを形成した第二の配線基板と、前記第一の配線基板と第二の配線基板を厚み方向に接着し、第一の配線基板の配線パターンと前記第二の配線基板の配線パターン間を電気的に接続する金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性組成物からなる導電部を備え、かつ少なくともその一部にキャビティを形成した第三の電気絶縁性基材と、からなる複合配線基板である。 （もっと読む）

【課題】実装される半導体チップの端子部の狭ピッチ化に対応した配線基板を提供する。
【解決手段】半導体チップが実装される配線基板１であって、厚さ方向に互いに並行して延在する複数の貫通孔１１が形成された陽極酸化層１２と、複数の貫通孔１１のうち導体で充たすように設けられた線状導体部１４、１５、１６とを備えている。線状導体部１５は、一端部が端子部３４と接合され、他端部が配線パターン１８ｂと接合されている。また、線状導体部１６は、一端部が端子部３３と接合され、他端部が配線パターン１８ａと接合されている。線状導体部１４は、一端部が端子部３５と接合され、他端部が接続部２２と接合されている。 （もっと読む）

【課題】小型化を維持しつつ、放熱性を向上させることができる配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態の配線基板１は、金属コア基板１１と、金属コア基板１１の少なくとも一部を被覆するように形成され、相変化材料又は電気熱量効果を有する材料を含むバッファ層１２，１３と、金属コア基板１１及びバッファ層１２，１３を含む基体１０の表面又は内部に搭載された電子素子４０と、電子素子４０とバッファ層１２，１３との間に形成されたサーマルビア２３とを備える。 （もっと読む）

【課題】放熱性を向上するとともに、設計上の制約を低減することが可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】配線パターンが形成された回路基板１１と、絶縁性の樹脂で形成された第１の絶縁層３と、絶縁性の樹脂で形成された第２の絶縁層８と、第１の絶縁層３と第２の絶縁層８によって挟まれたシート状の、導電性を有するグラファイトシート２とを有し、回路基板１１の配線パターンが形成された側に設けられた放熱層２０とを備え、放熱層２０は、第１の絶縁層３とグラファイトシート２と第２の絶縁層８を貫通し、配線パターンの全部又は一部と電気的に接続され、導電性材料によって形成された導電部４と、導電部４とグラファイトシート２の間を絶縁するために、絶縁性の樹脂によって形成された絶縁部５とを有する、配線基板である。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板を含む積層構成において、耐衝撃性に優れ、インナービアおよび二次実装の電気接続信頼性の高い電子部品を実現する。
【解決手段】セラミック基板と、導電性樹脂組成物からなるビアホール導体を有した絶縁性樹脂シートと、多層回路基板もしくは金属箔とが積層された積層体の両側に、セラミックベースを介して加圧加熱して絶縁性樹脂シートを硬化させ、分割し電子部品を作製する製造方法を用いる。また、セラミックス基板の両面に絶縁性樹脂が形成された電子部品を用いる。 （もっと読む）

【課題】
樹脂基板上に導電性ペーストを用いた配線が形成される配線基板においては、導電性ペーストを焼結させる時の熱が樹脂基板に伝熱されてしまい、樹脂基板に耐熱温度の低い材料を使用できない。さらに、焼結時の長時間の加熱により、樹脂基板の反りや機械的特性の劣化などの不具合がある。
また、樹脂基板の反りや機械的特性の劣化を防ぐために、低温で焼結を行うと、導電性ペーストの焼結が不完全で、焼結後の配線において導通の抵抗が高くなる不具合もある。
【解決手段】
配線と樹脂基板の間に、酸化物セラミックスからなる層を設ける。 （もっと読む）