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Fターム[5F003BC04]の内容

バイポーラトランジスタ (11,930) | コレクタ (1,152) | バンドギャップ (69)

Fターム[5F003BC04]に分類される特許

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【課題】狭い範囲の電圧変化に対して容量が線形的に、大きく変化する特性を実現する。
【解決手段】InPの半導体基板21上にエピタキシャル結晶成長させた層に対するエッチング処理により形成されるバラクタダイオード50において、半導体基板21上にエピタキシャル結晶成長させた層には、p型不純物を高濃度にドープさせバンドギャップエネルギーが半導体基板21よりも小さい材料からなるp領域50dと、p領域50dの半導体基板21寄りの面に接し、不純物をドープさせない材料または不純物を低濃度にドープさせた材料からなるI領域50cと、I領域50cの半導体基板21寄りの面に接し、n型不純物を中濃度以上にドープさせバンドギャップエネルギーが半導体基板21よりも大きい材料からなり、I領域50cから半導体基板21側に向かう程不純物濃度が低下する濃度減少部(54〜57)を有するn領域50bが含まれている。 (もっと読む)


【課題】ヘテロ構造のpn接合において、電子が妨げられることなく注入されるようにする。
【解決手段】Gaを含む窒化物半導体からなるn型の窒化物半導体層101と、窒化物半導体層101に接合して形成されたp型のシリコンからなるp型シリコン層102とを少なくとも備える。窒化物半導体層101とp型シリコン層102とは、接合界面103により接合している。 (もっと読む)


【課題】カーボンによるバンドギャップ・エンジニアリングを可能とし、カーボン原子に基づく多彩なエレクトロニクスを達成して、信頼性の高い電子装置を実現する。
【解決手段】電子装置は、単層のグラフェン膜1と、グラフェン膜1上の両端に設けられた一対の電極2,3とを有しており、グラフェン膜1では、電極2,3間の領域において、中央部位のBC間が複数のアンチドット10が形成されてなる第1の領域1aとされており、第1の領域1aの両側におけるAB間及びCD間がアンチドットの形成されていない第2の領域1bとされている。 (もっと読む)


【課題】コレクタメサ表面で発生するコレクタリーク電流を抑制し、微細なHBTのコレクタ耐圧特性を改善する。
【解決手段】第2サブコレクタ層103は、第1サブコレクタ層102より平面視で小さい面積に形成されている。また、コレクタ層104は、第2サブコレクタ層103を構成している半導体層132より平面視で大きい面積に形成されている。また、ベース層105は、コレクタ層104より平面視で小さい面積に形成されている。また、エミッタ層106は、ベース層105より平面視で小さい面積に形成されている。加えて、第2サブコレクタ層103を構成している半導体層132およびベース層105は、平面視でコレクタ層104の内側の領域に形成されている。 (もっと読む)


【課題】GaAsSb系の化合物半導体のベース層を有するInP系HBTにおいて、高周波特性を犠牲にすることなく、さらにオフ耐圧を向上させる。
【解決手段】InPからなる基板101の上に形成された第1コレクタ層102と、この上に形成された第2コレクタ層103と、この上に形成されてGa,As,およびSbから構成された化合物半導体からなるベース層104と、この上に形成されてInおよびPから構成された化合物半導体からなるエミッタ層105とを少なくとも備える。第2コレクタ層103は、第1コレクタ層102およびベース層104に接した状態で、ベース層104の伝導帯端のエネルギー準位よりも低く、第1コレクタ層102の伝導帯端よりも高い伝導帯端のエネルギー準位を有し、ベース層104の価電子帯端のエネルギー準位よりも低い価電子帯端のエネルギー準位を有したものとなっている。 (もっと読む)


【課題】平坦性が向上した半導体基板を基礎として、特性の高性能化された半導体発光素子を提供する。
【解決手段】p型電極32と、n型電極31と、p型電極32に接続され、複数のp型窒化物系III−V族化合物半導体からなるp型積層構造(16〜20)と、n型電極31に接続され、複数のn型窒化物系III−V族化合物半導体であるn型積層構造(11〜14)と、p型積層構造(16〜20)とn型積層構造(11〜14)との間に形成されたInGaNからなる多重井戸構造を備える活性層15とを備え、n型積層構造が、GaN層11と、GaN層11上に形成されたドープ層10と、ドープ層10上に設けられた窒化物系III−V族化合物半導体層12と、窒化物系III−V族化合物半導体層12よりも活性層15側に設けられた超格子層13とを含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、かかる事情に鑑み、トランジスタの遮断状態を自然に実現し、半導体領域に金属領域との界面近傍の空乏層の形成を抑制しつつ、ショットキー障壁を実質的に下げることができるようにソース領域のフェルミ準位を選択することにより、駆動電流を増加させる半導体素子及び該半導体素子を備える半導体素子構造を提供することを課題とする。
【解決手段】ソース領域6及びドレイン領域7は、フェルミ準位が異なる第1金属領域10及び第2金属領域11を有し、第1金属領域10は、半導体領域5の価電子帯の頂上のエネルギーレベル以上で且つ半導体領域5の真性フェルミ準位以下のフェルミ準位を有する金属であり、第2金属領域11は、第1金属領域10のフェルミ準位以上で且つ伝導帯の底のエネルギーレベル以下のフェルミ準位を有する金属であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】III-V族窒化物半導体に設けるオーミック電極のコンタクト抵抗を低減しながらデバイスの特性を向上できるようにする。
【解決手段】半導体装置(HFET)は、SiC基板11上にバッファ層12を介在させて形成された第1の窒化物半導体層13と、該第1の窒化物半導体層13の上に形成され、該第1の窒化物半導体層13の上部に2次元電子ガス層を生成する第2の窒化物半導体層14と、該第2の窒化物半導体層14の上に選択的に形成されたオーム性を持つ電極16、17とを有している。第2の窒化物半導体層14は、底面又は壁面が基板面に対して傾斜した傾斜部を持つ断面凹状のコンタクト部14aを有し、オーム性を持つ電極16、17はコンタクト部14aに形成されている。 (もっと読む)


【課題】HBTの高速性および信頼性が向上できるようにする。
【解決手段】エミッタメサの部分の側面およびレッジ構造部105aの表面には、これらを被覆するように、窒化シリコン(SiN)からなる第1絶縁層108が形成されている。また、第1絶縁層108の周囲からベース電極111の上面にかけて(渡って)窒化シリコンからなる第2絶縁層109が形成されている。第2絶縁層109は、第1絶縁層108の側面、レッジ構造部105aとベース電極111との間のベース層104の上、およびベース電極111の上面を覆うように形成されている。基板101の平面方向において、レッジ構造部105aの外形は第1絶縁層108の外形と同じに形成されている。また、エミッタメサより離れる方向のベース電極111の外周部分が、第1絶縁層108の外周部分に重なって形成されている。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイスにおいて耐圧を高めること。
【解決手段】n型のシリコン基板1と、シリコン基板1の表層に形成されたp型のベース領域2と、ベース領域2の上方に形成され、シリコンよりもバンドギャップが広い半導体材料を含むn型のコレクタ層7aとを有する半導体デバイスによる。 (もっと読む)


【課題】InGaPをエミッタ層として有し、熱的安定性と通電に対する信頼性を両立することの出来るHBTを用いた電力増幅器を提供する。
【解決手段】InGaPエミッタ層を有するHBTにおいて、InGaPエミッタ層5とAlGaAsバラスト抵抗層7の間にGaAs層6を挿入し、ベース層4から逆注入された正孔がAlGaAsバラスト抵抗層7まで拡散、到達することを抑制する。 (もっと読む)


バイポーラトランジスタは、半導体材料からなる基板(1)と、基板内の高移動度層(2)と、高移動度層に隣接したドナー層(3)とを含む。エミッタ端子(4)がドナー層上のエミッタコンタクト(5)を形成し、コレクタ端子(6)がドナー層上のコレクタコンタクト(7)を形成する。ベース端子(8)が高移動度層に導電接続される。当該トランジスタは、GaAsのHEMT技術またはBiFET技術で製造可能である。
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【課題】高電流注入における高周波特性が改善されたダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供すること。
【解決手段】基板1上に、サブコレクタ層2、コレクタ層、ベース層4、エミッタ層5、キャップ層6が順次積層されたダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、前記コレクタ層が、第1の半導体層31と第2の半導体層32の積層構造から形成され、第1の半導体層31と第2の半導体層32がType−II型のヘテロ接合を形成し、第2の半導体層32とベース層4がホモ接合あるいはType−I型のヘテロ接合を形成することを特徴とするダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成する。 (もっと読む)


【課題】エミッタ電子輸送特性やエミッタ注入効率を劣化させることなく、レッジ部を薄層化することが容易で、微細化に適したヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供すること。
【解決手段】エミッタ層は、第1の半導体層11と、第2の半導体層12と、第3の半導体層13との積層構造からなり、第3の半導体層13は、第2の半導体層12に対してウェット・エッチングにより選択的に除去でき、第2の半導体層12は、第1の半導体層11に対してウェット・エッチングにより選択的に除去でき、第1の半導体層11と第3の半導体層13のバンドギャップはベース層4のバンドギャップよりも大きく、第2の半導体層12は不純物添加によって縮退しており、第3の半導体層13は不純物添加によって中性領域を形成しているヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成する。 (もっと読む)


縦型接合形電界効果トランジスタ(VJFET)またはバイポーラ接合トランジスタ(BJT)のような半導体デバイスを製造する方法が記載される。その方法はイオン注入を必要としない。VJFETデバイスは、エピタキシャル成長した埋め込みゲート層のみでなく、エピタキシャル再成長したn型チャネル層及びエピタキシャル再成長したp型ゲート層も有する。その方法で製造されたデバイスも記載される。 (もっと読む)


【課題】コレクタ層に用いる材料のバンドギャップを大きくし、コレクタ層の膜厚・キャリア濃度を変更せずに高耐圧化を図ることができるヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。
【解決手段】半絶縁性化合物半導体基板上に、サブコレクタ層、コレクタ層、ベース層、エミッタ層、エミッタコンタクト層、ノンアロイ層が順次形成されてなるヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、前記エミッタ層はInGaPからなり、前記コレクタ層はAlxGa(1-x)As(0≦x≦1)からなり、さらに前記コレクタ層は、前記サブコレクタ層側から前記ベース層側へxが大きくなるグレーデッド層と、前記グレーデッド層上に形成されるxが一定の定混晶比層とを有するものである。 (もっと読む)


半導体スイッチング素子は、ワイドバンドギャップパワートランジスタと、前記パワートランジスタと並列に接続されたワイドバンドギャップサージ電流トランジスタと、前記サージ電流トランジスタを駆動するように構成された駆動トランジスタを含む。前記半導体スイッチング素子の、オン状態での出力電流のほぼすべては、前記パワートランジスタのドレイン−ソース電圧が第一の電圧範囲内にあるときには、前記パワートランジスタのチャネルを通って流れる。当該第一の電圧範囲は、例えば、通常動作中に期待されるドレイン−ソース電圧に対応し得る。その一方で、前記半導体スイッチング素子は、さらに、オン状態で、前記パワートランジスタのドレイン−ソース電圧が第二の(より高い)電圧範囲内にあるときには、出力電流が、前記サージ電流トランジスタ、および前記パワートランジスタのチャネルの両方を通って流れるように構成される。 (もっと読む)


【課題】単一半導体基板上にHBTおよびFETのような複数異なる種類のデバイスを形成するに適した半導体基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体を結晶成長させる反応容器内に第1不純物原子を構成要素として有する単体または化合物を含む第1不純物ガスを導入する段階を含む複数の段階を繰り返して、複数の半導体基板を製造する方法であって、第1不純物ガスを導入する段階の後に、製造された半導体基板を取り出す段階と、反応容器内に第1半導体を設置する段階と、反応容器内に、第1半導体内で第1不純物原子と反対の伝導型を示す第2不純物原子を構成要素として有する単体または化合物を含む第2不純物ガスを導入する段階と、第1半導体を第2不純物ガスの雰囲気中で加熱する段階と、加熱した前記第1半導体上に第2半導体を結晶成長させる段階とを備える半導体基板の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】良好な電流増幅率が得られる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられ、炭化ケイ素から形成される第1導電型の第1伝導層12と、第1伝導層12上に設けられ、第1伝導層12の不純物濃度より低い不純物濃度を有し、炭化ケイ素から形成される第1導電型の第2伝導層14と、第2伝導層14中に設けられ、第1導電型とは異なる導電型の第2導電型のベース領域16と、ベース領域16中に設けられ、表面がベース領域16の表面と同一平面にあると共に、5×1017cm−3以上5×1019cm−3以下の不純物濃度を有する第1導電型のエミッタ領域18とを備える。 (もっと読む)


半導体発光素子は、エミッタとコレクタ領域の間のベース領域を有するヘテロ結合バイポーラ発光トランジスタと、エミッタ、ベース、およびコレクタ領域それぞれで、結合電気信号ためのエミッタ、ベース、およびコレクタ電極と、前記ベース領域の中に量子サイズ領域とを備え、前記ベース領域は、前記量子サイズ領域のエミッタ側上に第1のベースサブ領域と、前記量子サイズ領域のコレクタ側上に第2のベースサブ領域を備え、前記第1と第2のベースサブ領域は非対称バンド構造を有する。2端子半導体構造から光放射を生み出すための方法は、第1の伝導型のエミッタ領域と、第1の伝導型の領域と反対に第2の伝導型のベース領域の間に第1の半導体接合、および前記ベース領域とドレイン領域との間に第2の半導体接合を含む半導体構造を提供するステップと、前記ベース領域の間に量子サイズ効果を示す領域を提供するステップと、前記エミッタ領域に結合されたエミッタ電極を提供するステップと、前記ベース領域と前記ドレイン領域に結合されたベース/ドレイン電極を提供するステップとを含み、前記半導体構造から光放射を得るため、前記エミッタおよび前記ベース/ドレイン電極に信号を印加する。 (もっと読む)


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