【課題】 スピン極性化電子の注入及び／又は検出が著しく改善されたスピン検出磁気メモリを提供する。
【解決手段】 本発明のメモリは、二つの隣接領域が形成する半導体接合部（１０３）上に配置され、該第１と第２の領域（１０１，１０２）がそれぞれ第１種と第２種の導電性を呈し、前記接合部（１０３）の各側に配置した第１と第２の接続セル（１１０，１２０）を備え、各セルが磁化モジュール（１１１と１１２，１２１と１２２）を備えるスピン検出磁気メモリであって、前記セルのうちの少なくとも一つが前記磁化モジュールに加えバイアス電極（１１３，１２３）を含む、ことを特徴とする。
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