【課題】狭い範囲の電圧変化に対して容量が線形的に、大きく変化する特性を実現する。
【解決手段】ＩｎＰの半導体基板２１上にエピタキシャル結晶成長させた層に対するエッチング処理により形成されるバラクタダイオード５０において、半導体基板２１上にエピタキシャル結晶成長させた層には、ｐ型不純物を高濃度にドープさせバンドギャップエネルギーが半導体基板２１よりも小さい材料からなるｐ領域５０ｄと、ｐ領域５０ｄの半導体基板２１寄りの面に接し、不純物をドープさせない材料または不純物を低濃度にドープさせた材料からなるＩ領域５０ｃと、Ｉ領域５０ｃの半導体基板２１寄りの面に接し、ｎ型不純物を中濃度以上にドープさせバンドギャップエネルギーが半導体基板２１よりも大きい材料からなり、Ｉ領域５０ｃから半導体基板２１側に向かう程不純物濃度が低下する濃度減少部（５４〜５７）を有するｎ領域５０ｂが含まれている。 （もっと読む）

【課題】カーボンによるバンドギャップ・エンジニアリングを可能とし、カーボン原子に基づく多彩なエレクトロニクスを達成して、信頼性の高い電子装置を実現する。
【解決手段】電子装置は、単層のグラフェン膜１と、グラフェン膜１上の両端に設けられた一対の電極２，３とを有しており、グラフェン膜１では、電極２，３間の領域において、中央部位のＢＣ間が複数のアンチドット１０が形成されてなる第１の領域１ａとされており、第１の領域１ａの両側におけるＡＢ間及びＣＤ間がアンチドットの形成されていない第２の領域１ｂとされている。 （もっと読む）

【課題】ヘテロ構造のｐｎ接合において、電子が妨げられることなく注入されるようにする。
【解決手段】Ｇａを含む窒化物半導体からなるｎ型の窒化物半導体層１０１と、窒化物半導体層１０１に接合して形成されたｐ型のシリコンからなるｐ型シリコン層１０２とを少なくとも備える。窒化物半導体層１０１とｐ型シリコン層１０２とは、接合界面１０３により接合している。 （もっと読む）

【課題】コレクタメサ表面で発生するコレクタリーク電流を抑制し、微細なＨＢＴのコレクタ耐圧特性を改善する。
【解決手段】第２サブコレクタ層１０３は、第１サブコレクタ層１０２より平面視で小さい面積に形成されている。また、コレクタ層１０４は、第２サブコレクタ層１０３を構成している半導体層１３２より平面視で大きい面積に形成されている。また、ベース層１０５は、コレクタ層１０４より平面視で小さい面積に形成されている。また、エミッタ層１０６は、ベース層１０５より平面視で小さい面積に形成されている。加えて、第２サブコレクタ層１０３を構成している半導体層１３２およびベース層１０５は、平面視でコレクタ層１０４の内側の領域に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ｎ型不純物としてＴｅを用いたノンアロイ層を有していても、ベース電流、コレクタ電流のリーク電流が少ないトランジスタ素子を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に設けられた高電子移動度トランジスタ構造層２８と、高電子移動度トランジスタ構造層２８上に設けられたヘテロバイポーラトランジスタ構造層２９とを備えたトランジスタ素子１０において、ヘテロバイポーラトランジスタ構造層２９のノンアロイ層２６，２７は、ｎ型不純物としてＴｅがドーピングされており、ｎ型不純物濃度が１．０×１０¹⁹ｃｍ^-3以上２．０×１０¹⁹ｃｍ^-3以下にされているものである。 （もっと読む）

【課題】充分な選択比を備え、また、除去が比較的容易なエッチングストッパ層を得る。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１０上に設けられた高電子移動度トランジスタ構造２０と、高電子移動度トランジスタ構造２０の上に設けられたヘテロ接合バイポーラトランジスタ構造４０と、を備え、高電子移動度トランジスタ構造２０とヘテロ接合バイポーラトランジスタ構造４０との間には、Ａｓ濃度が１．０×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上１．０×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｃ以下のＩｎＧａＡｓＰ層からなるエッチングストッパ層３０を備える。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓＳｂ系の化合物半導体のベース層を有するＩｎＰ系ＨＢＴにおいて、高周波特性を犠牲にすることなく、さらにオフ耐圧を向上させる。
【解決手段】ＩｎＰからなる基板１０１の上に形成された第１コレクタ層１０２と、この上に形成された第２コレクタ層１０３と、この上に形成されてＧａ，Ａｓ，およびＳｂから構成された化合物半導体からなるベース層１０４と、この上に形成されてＩｎおよびＰから構成された化合物半導体からなるエミッタ層１０５とを少なくとも備える。第２コレクタ層１０３は、第１コレクタ層１０２およびベース層１０４に接した状態で、ベース層１０４の伝導帯端のエネルギー準位よりも低く、第１コレクタ層１０２の伝導帯端よりも高い伝導帯端のエネルギー準位を有し、ベース層１０４の価電子帯端のエネルギー準位よりも低い価電子帯端のエネルギー準位を有したものとなっている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓＳｂ系の化合物半導体のベース層を有するＩｎＰ系ＨＢＴで、大きな電流利得が得られるようにする。
【解決手段】コレクタ層１０２の上に形成されてＧａ，Ａｓ，およびＳｂから構成された化合物半導体からなるベース層１０３と、ベース層１０３の上に接して形成されたスペーサ層１０４と、スペーサ層１０４の上に接して形成されてＩｎおよびＰから構成された化合物半導体からなるエミッタ層１０５とを備える。スペーサ層１０４は、ベース層１０３の伝導帯端のエネルギー準位よりも低く、エミッタ層１０５の伝導帯端よりも高い伝導帯端のエネルギー準位を有し、ベース層１０３の価電子帯端のエネルギー準位よりも低く、エミッタ層１０５の価電子帯端よりも高い価電子帯端のエネルギー準位を有した状態で、ベース層１０３およびエミッタ層１０５に接して形成されている。 （もっと読む）

【課題】デバイスサイズの縮小、シリーズ抵抗の低減、及びリーク電流の抑制を可能とする半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、デバイス動作にとって、本来は不要な電位段差を発生させる層をデバイスの構造内にあえて挿入したものである。この電位段差は、バンドギャップの小さな半導体がメサ側面に露出しても、その部分の電位降下量を抑制し、デバイス動作に不都合なリーク電流を低減できる、という機能をもたらす。この効果は、ヘテロ構造バイポーラトランジスタ、フォトダイオード、及び電界吸収形光変調器などに共通して得られる。また、フォトダイオードにおいては、リーク電流が緩和されるのでデバイスのサイズを縮小することが可能となり、シリーズ抵抗の低減による動作速度の改善のみならず、デバイスを高密度にアレイ状に配置できるという利点も生まれる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ基板上に結晶成長する各半導体層の平坦性向上した半導体基板を実現し、この半導体基板を基礎として、特性の高性能化された半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型電極３２と、ｎ型電極３１と、ｐ型電極３２に接続され、複数のｐ型窒化物系III−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型積層構造（１６〜２０）と、ｎ型電極３１に接続され、複数のｎ型窒化物系III−Ｖ族化合物半導体であるｎ型積層構造（１１〜１４）と、ｐ型積層構造（１６〜２０）とｎ型積層構造（１１〜１４）との間に形成された窒化物系III−Ｖ族化合物半導体からなる活性層１５とを備え、ｎ型積層構造（１１〜１４）がＳｉを５ｘ１０17ｃｍ-3以上２ｘ１０19ｃｍ-3以下の濃度で含有し、厚さが０．３ｎｍ以上２００ｎｍ以下のドープ層１０と、ドープ層１０よりも活性層１５側に設けられた超格子層１３とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、ベース層の幅を狭く形成しエミッタ層の不純物濃度を高くした低雑音特性を有する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】一実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第１導電型の第１半導体層の上に第２導電型の第２半導体層を成長する半導体装置の製造方法であって、前記第１半導体層の表面を常圧よりも低い圧力の還元性雰囲気に曝して熱処理する工程（Ｓ０２〜Ｓ０４）と、前記第１半導体層の表面上に、前記第２半導体層を常圧の雰囲気でエピタキシャル成長する工程（Ｓ０５〜Ｓ０７）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】III-Ｖ族窒化物半導体に設けるオーミック電極のコンタクト抵抗を低減しながらデバイスの特性を向上できるようにする。
【解決手段】半導体装置（ＨＦＥＴ）は、ＳｉＣ基板１１上にバッファ層１２を介在させて形成された第１の窒化物半導体層１３と、該第１の窒化物半導体層１３の上に形成され、該第１の窒化物半導体層１３の上部に２次元電子ガス層を生成する第２の窒化物半導体層１４と、該第２の窒化物半導体層１４の上に選択的に形成されたオーム性を持つ電極１６、１７とを有している。第２の窒化物半導体層１４は、底面又は壁面が基板面に対して傾斜した傾斜部を持つ断面凹状のコンタクト部１４ａを有し、オーム性を持つ電極１６、１７はコンタクト部１４ａに形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスにおいて耐圧を高めること。
【解決手段】n型のシリコン基板１と、シリコン基板１の表層に形成されたp型のベース領域２と、ベース領域２の上方に形成され、シリコンよりもバンドギャップが広い半導体材料を含むn型のコレクタ層７ａとを有する半導体デバイスによる。 （もっと読む）

【課題】ＨＢＴの高速性および信頼性が向上できるようにする。
【解決手段】エミッタメサの部分の側面およびレッジ構造部１０５ａの表面には、これらを被覆するように、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる第１絶縁層１０８が形成されている。また、第１絶縁層１０８の周囲からベース電極１１１の上面にかけて（渡って）窒化シリコンからなる第２絶縁層１０９が形成されている。第２絶縁層１０９は、第１絶縁層１０８の側面、レッジ構造部１０５ａとベース電極１１１との間のベース層１０４の上、およびベース電極１１１の上面を覆うように形成されている。基板１０１の平面方向において、レッジ構造部１０５ａの外形は第１絶縁層１０８の外形と同じに形成されている。また、エミッタメサより離れる方向のベース電極１１１の外周部分が、第１絶縁層１０８の外周部分に重なって形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＧａＰをエミッタ層として有し、熱的安定性と通電に対する信頼性を両立することの出来るＨＢＴを用いた電力増幅器を提供する。
【解決手段】ＩｎＧａＰエミッタ層を有するＨＢＴにおいて、ＩｎＧａＰエミッタ層５とＡｌＧａＡｓバラスト抵抗層７の間にＧａＡｓ層６を挿入し、ベース層４から逆注入された正孔がＡｌＧａＡｓバラスト抵抗層７まで拡散、到達することを抑制する。 （もっと読む）

【課題】 ＧａＮ基板上に結晶成長する各半導体層の平坦性が、半導体素子の寸法相当において向上した半導体基板を提供し、更には、この半導体基板を基礎として、特性の高性能化された半導体発光素子、半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１１と、この基板１１上に積層された窒化物系III−Ｖ族化合物半導体単結晶層１２と、基板１１と窒化物系III−Ｖ族化合物半導体単結晶層１２との間に設けられた、不純物元素を５ｘ１０¹⁷ｃｍ^-3以上２ｘ１０¹⁹ｃｍ^-3以下含有する層１０とを備える。 （もっと読む）

バイポーラトランジスタは、半導体材料からなる基板（１）と、基板内の高移動度層（２）と、高移動度層に隣接したドナー層（３）とを含む。エミッタ端子（４）がドナー層上のエミッタコンタクト（５）を形成し、コレクタ端子（６）がドナー層上のコレクタコンタクト（７）を形成する。ベース端子（８）が高移動度層に導電接続される。当該トランジスタは、ＧａＡｓのＨＥＭＴ技術またはＢｉＦＥＴ技術で製造可能である。
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【課題】複数の半導体デバイスを有する電子的な基板を得るための方法および装置。
【解決手段】ナノワイヤ薄膜が、基板上に形成される。ナノワイヤ薄膜は、動作電流レベルを達成するのに十分なナノワイヤの密度を有するように形成される。複数の半導体領域が、ナノワイヤ薄膜に画定される。コンタクトが、半導体デバイス領域において形成され、それによって、電気的な接続を複数の半導体デバイスに提供する。さらに、ナノワイヤを製造するための様々な材料、ｐ型ドーピングナノワイヤおよびｎ型ドーピングナノワイヤを含む薄膜、ナノワイヤヘテロ構造、発光ナノワイヤヘテロ構造、ナノワイヤを基板上に配置するためのフローマスク、ナノワイヤを成膜するためのナノワイヤ噴霧技術、ナノワイヤにおける電子のフォノン散乱を減少または除去するための技術、および、ナノワイヤにおける表面準位を減少させるための技術が、説明される。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型不純物が隣接する半導体結晶層中へ拡散することを抑え、ひいては良好で安定した特性を持つ半導体装置を提供する。
【解決手段】 Ｐ−ＩｎＰ基板４０１と、Ｐ−ＩｎＰ基板４０１に格子整合し、かつ、ｐ型の不純物が注入されたｐ−ＺｎドープＩｎＰバッファ層４０２と、ｐ−ＺｎドープＩｎＰバッファ層４０２よりも上層にあって、Ｐ−ＩｎＰ基板４０１に格子整合し、かつ、ｐ型不純物、ｎ型不純物のいずれか一方を含むｎ−ＳｉドープＩｎＰクラッド層４０４、ｎ−ＳｉドープＩｎＧａＡｓキャップ層４０５と、を備え、ｎ−ＳｉドープＩｎＰクラッド層４０４、ｎ−ＳｉドープＩｎＧａＡｓキャップ層４０５に、Ｓｂを含ませる。 （もっと読む）

電流増幅型トランジスタ素子には、エミッタ電極とコレクタ電極との間に、有機半導体層が２層とシート状のベース電極とが設けられている。一方の有機半導体層は、エミッタ電極とベース電極との間に設けられた、ｐ型有機半導体層とｎ型有機半導体層とのダイオード構造を有する。前記電流増幅型トランジスタ素子と、その中に形成された有機ＥＬ発光素子部とを含む電流増幅型発光トランジスタ素子も開示されている。
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