【解決手段】面積抵抗率が約５００ｍＯｈｍｓ.ｍｍ^２のバイポーラトランジスタが、コレクタ領域(２)を形成する第１導電型の第１半導体領域を具えている。第２導電型の第２半導体領域が、ベース領域(３)を形成している。第１導電型の第３半導体領域が、エミッタ領域(４)を形成している。金属層が、前記ベース(３)及び複数のエミッタ領域(４)に対する複数のコンタクト部(６、７)を設けている。金属層は、約３μｍより大きい厚さを有する。
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