Fターム[5F003BP00]の内容
バイポーラトランジスタ (11,930) | 製法 (1,830)
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Fターム[5F003BP00]に分類される特許
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トランジスタ素子およびその製造方法
【課題】
ベース電極とコレクタ半導体の電荷注入障壁の制御が可能である、高性能な縦型薄膜のトランジスタ素子および製造方法を提供する。
【解決手段】
基板10上に、第一電極20と、コレクタ半導体層30と、ベース電極40と、エミッタ半導体層31と、第二電極21とを順次積層するトランジスタ素子において、コレクタ半導体層とエミッタ半導体層の間にベース電極が存在するようにするとともに、コレクタ半導体層が金属酸化物よりなることを特徴とする。
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