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Fターム[5F004BB20]の内容

半導体のドライエッチング (64,834) | 発生室、反応室、処理室等の内部構成 (10,799) | ウエハの保持 (3,280) | ウエハの固定 (1,177)

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【課題】 腐食性の高いガスが熱電モジュール内に侵入して熱電モジュールが腐食することを防止でき、かつ熱電モジュールを密に設けることができ、さらに、ガスの熱に対する耐久性を向上させることができる温調装置を提供すること。
【解決手段】 温調装置1は、天板2と、熱交換板4と、天板2側に温調側電極52が配置され、熱交換板4側に熱交換板側電極53が配置され、熱電素子54P,54Nの一方の端面が温調側電極52に接続され、熱電素子54P,54Nの他方の端面が熱交換板側電極53に接続された熱電モジュール50と、熱電モジュール50の天板2側の部分に設けられたポリイミドフィルム60Aとを備え、熱電モジュール50よりも外周側は、ポリイミドフィルム60Aと熱交換板4との間に配置され、外周がセラミックス製のシール壁70で囲まれ、シール壁70とポリイミドフィルム60Aとの間には、接着シートまたは接着剤80が介在している。 (もっと読む)


【課題】ガラス基板の表面における縁部を除く領域に凹凸形状を形成する。
【解決手段】基板の処理面の周縁部を選択的に覆うように配され、前記真空容器における前記ガス供給部側の内壁から前記基板ステージに向かって延在している延在部120と、前記基板の処理時において、前記ガス供給部と前記延在部と前記基板の処理面とで囲まれた第1の空間101と前記第1の空間より外側の第2の空間102とが互いに分離されるように前記基板の処理面の周縁部と前記延在部との距離を近づけ、前記基板の交換時において、前記基板の処理面の周縁部と前記延在部との距離を遠ざける距離調整機構20と、第1の排気装置に接続されており、前記基板の処理時において、前記第1の空間を減圧する第1の排気口12と、第2の排気装置に接続されており、前記基板の処理時において、前記第2の空間を減圧する第2の排気口140とを備える。 (もっと読む)


【課題】 全てのウエーハのエッチング量を容易に測定可能なエッチング量検出方法を提供することである。
【解決手段】 ウエーハの被エッチング面にエッチング不要領域を有するウエーハをエッチングした際のエッチング量を検出するエッチング量検出方法であって、ウエーハをエッチングする前にウエーハの該エッチング不要領域上に耐エッチング部材を配設する耐エッチング部材配設ステップと、該耐エッチング部材が配設されたウエーハの被エッチング面をエッチングするエッチングステップと、該エッチングステップを実施した後、該耐エッチング部材の厚みを除いた未エッチング領域の厚みとエッチングされた領域の厚みを測定し、エッチングで除去された厚みを検出するエッチング量検出ステップと、を具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】リードフレームに搭載されたLED素子を傷付けることなく、プラズマ洗浄するプラズマ洗浄装置を提供すること。
【解決手段】収納装置2内の3つの収納ブロック10の各収納溝13内に複数枚のリードフレーム3が収納されて開閉扉が閉じた状態で、プラズマ洗浄装置1において真空状態にされたチャンバー1A内にプラズマ反応性ガスを供給すると共に、一対の電極のうちの一方に高周波電源により高周波を印加して前記反応性ガスをプラズマ化して前記リードフレーム3を洗浄する。このとき、収納装置2の各収納溝13内に収納された状態の各リードフレーム3は各マグネット14の磁力により下方に引かれて垂直状態に自立するので、傾いて各リードフレーム3は上端部が互いに近くなったり、逆に遠くなったりしないようにすることができる。 (もっと読む)


【課題】 導電回路と電極部材との接続部の信頼性を高めた封止講造を有するウェハ保持体を提供する。
【解決手段】本発明のウェハ保持体は、ウェハ保持体の内部に埋設された導電回路と該導電回路に給電するための電極部材との電気的接続部を、環状部材と封止部材とによって封止する構造であって、該環状部材の内径が環状部材の厚み方向に一定ではないことを特徴とする。前記環状部材の最小内径は、該環状部材の厚み方向のウェハ保持体のセラミックス基板側にはないことが好ましい。また、前記環状部材のウェハ保持体側の内径は、前記電極部材の外径より0.2mm以上0.5mm以下大きく、前期環状部材の最小内径は、前記電極部材の外径より0.05mm以上0.2mm以下大きいことが好ましい (もっと読む)


【課題】研削抵抗の相違に由来する、緻密質体と多孔質体との境界における段差の低減または解消を図ることができる緻密質−多孔質接合体等を提供する。
【解決手段】本発明の緻密質−多孔質接合体によれば、緻密質体1と前記多孔質体2との接合界面が実質的に隙間なく一体的に焼成されている。緻密質体1が酸化アルミニウムの焼結体からなり、XRDのピーク強度により算出される結晶配向度I300/(I300+I104)が0.1〜0.2である。 (もっと読む)


【課題】IBEにおいてイオンビームの斜め入射を行って基板上に凹凸構造を形成する際に、入射方向ごとに入射量が異なることによる影響を低減し、基板面内において、作製された素子間の特性のバラつきを低減させる。
【解決手段】基板がイオン引き出し用グリッド電極の斜向かいにある場合に、イオンビームエッチングによって形成される被処理面に平行であり且つ基板面に平行である第1の方向側に前記グリッド電極が位置する状態を第1の状態とし、該第1の方向と垂直であり且つ基板面に平行である第2の方向側に前記グリッド電極が位置する状態を第2の状態としたとき、前記第1の状態における基板の回転速度を前記第2の状態における基板の回転速度よりも速くする。 (もっと読む)


【課題】フォーカスリングの温度を基板の温度とは独立して制御することで,これにより基板の面内処理特性を制御する。
【解決手段】ウエハWを載置する基板載置面115とフォーカスリングを載置するフォーカスリング載置面116を有するサセプタ114を備えた載置台110と,ウエハ裏面を基板載置面に静電吸着するとともに,フォーカスリング裏面をフォーカスリング載置面に静電吸着する静電チャック120と,伝熱ガス供給機構200とを備え,伝熱ガス供給機構は,基板裏面に第1伝熱ガスを供給する第1伝熱ガス供給部210と,フォーカスリング裏面に第2伝熱ガスを供給する第2伝熱ガス供給部220とを独立して設けた。 (もっと読む)


【課題】トレイの表面粗さに関係なくプラズマ処理時及びその前後に基板をトレイに確実に固定することができ、しかも必要なときにはトレイから基板を容易に剥離することができるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板14をトレイ15上に載置し、該トレイ15を支持台13上に載置して基板14表面をプラズマにより処理するプラズマ処理方法において、シート状の基材の両面に熱剥離粘着層が設けられた熱剥離接着部材16でトレイ15と基板14を接着する。熱剥離粘着層は常温で粘着性を有するため、プラズマ処理前後はトレイ15と基板14が確実に固定され、処理後はトレイ15を所定の剥離温度以上に加熱するだけで、基板14及び熱剥離接着部材16をトレイ15から容易に取り外すことができる。また、熱剥離接着部材16の両面に同じ熱剥離粘着層を設けたため、熱剥離接着部材16はトレイ15及び基板14に対して均等な接着力で接着する。 (もっと読む)


【課題】ウェハ領域の圧力制御が改善されたプラズマ処理チャンバを提供する。
【解決手段】プラズマ処理チャンバは、プラズマを発生し、維持するために結合された装置を持った真空チャンバである。この装置の一部はエッチング用ガス源および排気口である。閉じ込めリングは、ウェハの上部の領域を定義する。ウェハ領域の圧力は閉じ込めリングの両端の圧力降下に依存する。閉じ込めリングは、ウェハ領域の圧力制御を40%より大きくする閉じ込め装置の一部である。そのような閉じ込め装置は、閉じ込めリングに加えて固定された垂直制限リングであり、閉じ込めリングは調節可能である。所望のウェハ圧力制御のために3つの調節可能な閉じ込めリングが用いられてもよい。 (もっと読む)


【課題】ナノインプリント技術に用いるモールドを高い精度で製造する方法と、このモールドの製造を簡便に行うことができるドライエッチング用のトレーとその製造方法、および、このトレーを用いたドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】ドライエッチング用のトレー1を、基体2と、この基体の一つの面2aに位置する被エッチング体嵌合用の凹部3と、この凹部3の周囲の面2aである開口面積率調整面4と、この開口面積率調整面4を0〜100%の範囲で被覆する開口面積率調整層5と、を備えたものとし、基体2と開口面積率調整層5は、一方をドライエッチング可能な材質とし、他方をドライエッチングされない材質とする。 (もっと読む)


【課題】高温負荷がかかる工程でも基材を保持しうる保持力、および支持体から基材を剥離する工程での易剥離性を有する仮固定材を形成することが可能な仮固定用組成物を提供する。
【解決手段】(A)ポリエーテルスルホンと、(B)フェノキシ樹脂、フェノール性水酸基を有する重合体、ピロリドン基を有する重合体およびポリアルキレングリコールなどの粘性付与剤と、(C)溶剤とを含有する仮固定用組成物。 (もっと読む)


【課題】処理ガスや反応生成物が基板の外周側縁部の上側に滞留するのを防止したり、基台にバイアス電位を均一にかけることができるプラズマ処理装置などを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置1は、処理チャンバ11と、処理チャンバ11内に配設され、基板Kが載置される基台と、処理ガスを供給するガス供給装置と、供給された処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成装置40と、基台の電極17に高周波電圧を印加する高周波電源45と、環状且つ板状に形成され、基台上に載置された基板Kの外周側縁部上面を内周側縁部により覆う保護部材25と、基台を駆動して、基台上の基板Kが保護部材25により覆われる保護位置と覆われない退避位置との間で昇降させる駆動装置23とを備えており、保護部材25は、基台が保護位置に移動したときに、基板Kの上面から保護部材25の上面までの高さが1mm以上5mm以下となる板厚に形成される。 (もっと読む)


【課題】下部電極を構成する電極部材を長寿命化して部品消耗コストを低減するとともに、飛散物付着による装置内部の汚染を防止することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理装置用の電極部材を提供することを目的とする。
【解決手段】板状のワークを対象としてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置においてワークの下面に当接する電極部材46を、複数の貫通孔45aが形成された板状の吸着部材45と冷却プレート44とをろう付けして構成し、吸着部材45の上面にアルミナを溶射した溶射膜65を形成するとともに、貫通孔45aが開口した孔部45dのエッジを溶射膜65によって覆うようにする。これにより、電極部材のスパッタリングによる消耗を低減させて長寿命化し部品消耗コストを低減するとともに、飛散物による装置内部の汚染を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】低コストの装置構成で処理精度の向上を図ることのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Kの面における任意箇所に所定の処理を施す処理ヘッド73と、基板Kと処理ヘッド73とを相対的に移動させる駆動手段74X,74Yとを備え、基板Kと処理ヘッド73とを相対的に移動させることで基板Kに1次元または2次元的な所定の処理を施す基板処理装置であって、前記駆動手段74X,74Yに見かけ上の真直進性を持たせるための制御データD6X,D6Yを記憶した記憶手段92を備え、基板Kと処理ヘッド73との相対的な移動に伴い前記制御データD6X,D6Yに基づき駆動手段74X,74Yを補正駆動するように構成する。 (もっと読む)


【課題】チャンバ内に置かれるタイプの全体に平坦な加工品に細長い特徴部分をプラズマエッチングするための方法を提供する。
【解決手段】該方法は、チャンバ内に平らに配置されている試験加工品13をエッチングすること、加工品に直角に通る軸に対して特徴部分16の長手方向の部分のそれぞれの角度を決定すること、及び少なくとも加工品の中央部分に渡って角度を略0°に低減するのに必要とされる加工品の曲率を決定することとを含んでいる。更に、この方法は、加工品が決定された曲率で曲げられている一方で、同じタイプの加工品をさらに処理することを含んでいる。 (もっと読む)


【課題】水素ガスをエッチングガスとして用いた場合に、シリコン材料の表面粗さを悪化させることなく、シリコン基板を鏡面加工し得るプラズマ加工装置及びプラズマ加工方法を提供する。
【解決手段】プラズマ加工処理装置10は、水素雰囲気下にてシリコン基板2に近接させた電極11とシリコン基板2との間に生成した水素プラズマ6を、シリコン基板2の表面に接触させてシリコン基板2をエッチングする。水素プラズマ6を生成するためのマイクロ波を出力するマイクロ波発振器23と、電極11を形成するパイプ内を通して水素ガスをシリコン基板2の加工面へ向けてプラズマ内部へ供給する水素導入ライン12とを備える。シリコン基板2の内部への水素の拡散速度以上のエッチング速度にてシリコン基板2をエッチングする。 (もっと読む)


【課題】取り外し可能なマスクを用いて基板上にパターン化された層を製造し得る装置及び方法を提供する。
【解決手段】マスクを基板上に直接形成する従来の技術と異なり、マスク110は基板105とは独立に形成される。使用中、マスク110は、例えば堆積、スパッタリング、エッチング等の処理のために基板105の一部分のみが露出されるように、基板105に接近して又は接触して設置される。処理が終了したら、マスク110は基板105から取り外され、廃棄されるか、別の基板105に使用される。マスク110は所定の数の基板105に対して循環使用された後に、洗浄又は廃棄のために取り外すことができる。 (もっと読む)


【課題】 搬送トレイに貼付されている接着シートに基板をその全面に亘って効率よく接着できる簡単かつ低コストの接着装置を提供する。
【解決手段】 本発明の接着装置は、搬送トレイTの所定位置に貼付した接着シートAS表面に被処理体Wを載置して仮着したものを収容する脱気室と、脱気室を真空引きする真空排気手段6とを備え、脱気室には、被処理体に対向させて形成された通気孔8a、8b、8cが形成されている。この場合、通気孔は、被処理体の中央領域に対向する中央孔8aと、複数個の周辺孔8b、8cとから構成されていることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】基板をトレイに載置した状態でプラズマ処理を行う場合でもトレイの温度上昇を抑えることができるようにする。
【解決手段】前記トレイ16は、下部電極12の上面とほぼ同じ直径寸法を有する円板状の部材で、その上面には円形状の凹部20が設けられている。前記凹部20の数及び直径寸法は載置される基板の直径寸法に応じた適宜の値に設定されている。トレイ16には、前記凹部20の底面に温度制御面が接するようにペルチェ素子22が配設されている。下部電極12には、前記ペルチェ素子22に直流の電流を供給する電流供給機構25が設けられている。トレイ16を下部電極12に載置することによりペルチェ素子22と電流供給機構25が電気的に接続されてペルチェ素子22に電流が供給される。 (もっと読む)


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