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【課題】シャワープレート上部に設置された誘電体窓の温度を制御することにより、シャワープレートの温度変動を抑制し、固定時間でのプラズマ加熱によるシーズニングを行うことがを可能にする。
【解決手段】シャワープレートと誘電体窓間に形成された空隙および前記貫通孔を介して処理ガスが供給される真空容器と、前記真空処理容器に高周波エネルギーを供給して、磁界との相互作用によりプラズマを生成するプラズマ生成装置と、真空容器内を目標温度範囲に制御する制御装置を備え、前記制御装置は、処理停止期間中においてプラズマ処理を開始するに際して、予め定めた、シャワープレートを制御範囲の中央Tbから上限Tdまで昇温するに要する時間よりも短い固定時間、プラズマを生成して前記誘電体窓およびシャワープレートを前記制御装置による目標温度制御範囲まで加熱する。 (もっと読む)


【課題】3A族の酸化物をはじめとする焼結助剤は含有しておらず、研削加工を行っても表面粗さの小さい窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】耐食性を有する純度99%以上の窒化アルミニウム焼結体であって、密度が3.20×10kg/m以上であり、Caを200ppm以上400ppm以下、Siを10ppm以上100ppm以下、Cを220ppm以上1500ppm以下含有する。窒化アルミニウム焼結体は、3A族の酸化物をはじめとする焼結助剤を含有せず、緻密化を促進する物質であるCaと阻害する物質であるSiおよびCを所定量含有する。これにより、研削面において窒化アルミニウム焼結体の表面粗さを小さくすることが可能となる。その結果、研削面の表面積が小さくなり、窒化アルミニウム焼結体の耐食性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】エッチング工程を行う際の窒化膜のエッチング選択比を向上できる半導体製造装置及び方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置は工程チャンバー100の外部でジフルオロメタンCH、窒素N、及び酸素Oガスからプラズマを発生させ、発生されたプラズマを工程チャンバー100内へ供給する。ソースガスの変更無しで酸素の供給量及びチャックの温度を調節することによって、シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜のエッチング選択比とポリシリコン膜に対するシリコン窒化膜のエッチング選択比との相対的な大きさを逆に調節する。 (もっと読む)


【課題】プラズマ密度の均一性を高めることの可能な表面波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】表面波プラズマ処理装置は、導波管20の誘電窓16と互いに向い合う部位にスロットアンテナ21を備えるとともに、基台12と誘電窓16との間に、遮蔽部32と透過部33とを有する遮蔽部材30を備えている。そして、遮蔽部材30は、載置面の法線方向から見て、スロットアンテナ21のアンテナ部24の面積をS1、アンテナ部24と遮蔽部32との重なる部分の面積をS2、スロットアンテナ21の開口部23の面積をS3、開口部23と遮蔽部32との重なる部分の面積をS4とすると、S2/S1<S4/S3が満たされるように構成される。 (もっと読む)


【課題】 腐食性の高いガスが熱電モジュール内に侵入して熱電モジュールが腐食することを防止でき、かつ熱電モジュールを密に設けることができ、さらに、ガスの熱に対する耐久性を向上させることができる温調装置を提供すること。
【解決手段】 温調装置1は、天板2と、熱交換板4と、天板2側に温調側電極52が配置され、熱交換板4側に熱交換板側電極53が配置され、熱電素子54P,54Nの一方の端面が温調側電極52に接続され、熱電素子54P,54Nの他方の端面が熱交換板側電極53に接続された熱電モジュール50と、熱電モジュール50の天板2側の部分に設けられたポリイミドフィルム60Aとを備え、熱電モジュール50よりも外周側は、ポリイミドフィルム60Aと熱交換板4との間に配置され、外周がセラミックス製のシール壁70で囲まれ、シール壁70とポリイミドフィルム60Aとの間には、接着シートまたは接着剤80が介在している。 (もっと読む)


【課題】プラズマ密度の低下を防止できるプラズマ供給ユニットが提供される。
【解決手段】本発明によるプラズマ供給ユニット300はソースガスが供給される放電空間ISが形成されたプラズマチャンバー310と、放電空間ISに高周波電力を印加してソースガスを放電させる電力印加部330と、放電空間ISに連結され放電されたソースガスが流入する流入空間FSを有する流入ダクト340と、を含み、放電空間ISを形成するプラズマチャンバー310の内側壁311は第1材質で形成され、流入空間FSを形成する流入ダクト340の内側壁341は第1材質と異なる第2材質で形成される。 (もっと読む)


【課題】基材上にパターンを低温かつ低コストで形成することができると共に、リフトオフを容易にできるパターン構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係るパターン構造体の製造方法では、基材10上に、インクジェット法によりリフトオフ材12を形成する。次に、基材10及びリフトオフ材12上に、原子層堆積法により機能膜14を形成する。次に、リフトオフ法によりリフトオフ材12を除去することによって、基材10上に、機能膜14からパターン14aを形成する。リフトオフ材12は、樹脂と溶媒とを含むインクを基材10上に塗布した後、溶媒を除去することによって形成される。溶媒は、樹脂に対する第1溶解性を有する第1溶媒と、第1溶解性よりも低い第2溶解性を有する第2溶媒とを含む。第1溶媒は第2溶媒に相溶する。 (もっと読む)


【課題】特定のイオン種洗浄ガスから除外する洗浄チャンバ、簡単に交換又は再調整できるチャンバ構成部品、基板汚染を抑え均等な加熱を可能にする基盤加熱台座部を提供する。
【解決手段】基板洗浄チャンバ24は、例えば消耗セラミックライナ60、基板加熱台座部80及び処理キット114等の様々な構成部品を備える。消耗セラミックライナは、遠隔ガスエナジャイザ52のガス出口チャネル62を基板洗浄チャンバのガス入口チャネル40に接続するために設置される。基板加熱台座部は、配列された凹部内に複数のセラミックボール90が位置決めされた基板受け面を有する環状プレート82を備える。処理キットは、トッププレート116、トップライナ118、ガス分散プレート120、ボトムライナ122及びフォーカスリング124を備える。 (もっと読む)


【課題】シリコン含有物を含む被処理基板のの表面にオングストロームオーダー〜ナノオーダーの微小凹凸を形成する粗化処理の処理性能を高める。
【解決手段】大気圧近傍の処理エリア29に被処理基板9を配置する。フッ化水素蒸気及び水蒸気を含有するプロセスガスを供給系10から処理エリア29に供給する。調節部3によって、処理エリア29の露点Tと被処理基板9の温度Tとの間の温度差(T−T)を0℃付近〜20℃の範囲内の所定値になるように調節する。 (もっと読む)


【課題】ウェーハの温度を調整する方法および装置を提供すること。
【解決手段】ウェーハの材質をエッチングするエッチング・システム100は、測定装置114、エッチングチャンバ102、および制御装置112を有する。測定装置114は、複数の設定位置でのウェーハのプロファイルに沿って微細寸法テストフィーチャ(CD)を測定する。エッチングチャンバ102は、ウェーハを保持するチャック108と、該チャック108内の各設定位置に隣接して配置される複数の発熱体110と、を有し、測定装置114からウェーハを受け取る。制御装置112は、CDを受け取る測定装置114および発熱体110に接続される。この制御装置112は、エッチング処理前のリソグラフィ処理で生じるCDばらつきを補正するために、エッチング処理の温度依存であるエッチング特性を用いて、各設定位置の間の微細寸法のばらつきを減らす処理において、各発熱体の温度を調整する。 (もっと読む)


【課題】トレンチ・ビア形状のウエハ面内均一性を向上できるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】基板上の第1配線層の上に絶縁層と金属層とを形成するステップと、絶縁層内に形成される第2配線層のためのトレンチを画成する金属マスク層を金属層から形成するステップと、金属マスク層を覆う平坦化膜を形成するステップと、トレンチの底部に形成され第1及び第2配線層を接続するビアを画成するマスク層を平坦化膜から形成するステップと、マスク層で、絶縁層の厚さよりも小さい開口を形成する第1ステップと、金属マスク層で絶縁層をエッチングしてトレンチを形成し、開口を深くしてビアを形成する第2ステップとが行われる。第1及び第2ステップでは、供給されたエッチングガスの拡散の影響が支配的な位置と、供給されたエッチングガスの流れの影響が支配的な位置とに対応してエッチングガス供給条件が調整される。 (もっと読む)


【課題】堆積物が有機物を含んでいる場合であっても、効率的に堆積物を除去することのできる堆積物の除去方法を提供する。
【解決手段】基板上にエッチングによって形成されたパターンの表面に堆積した堆積物を除去する堆積物除去方法であって、基板を、フッ化水素ガスを含む雰囲気に晒す第1処理工程と、第1処理工程の後に、基板を加熱しながら酸素プラズマに晒す酸素プラズマ処理工程と、酸素プラズマ処理工程の後に、基板を、フッ化水素ガスを含む雰囲気に晒す第2処理工程と、を具備している。 (もっと読む)


【課題】ホール底部の線幅及び深さのウェハ面内均一性に優れたプラズマエッチング方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置において、処理容器と、基板を保持する保持部105と、前記保持部と対向する電極板120と、前記保持部と前記電極板とに挟まれた空間で、前記基板の径方向に対して各々異なる位置に配置された複数の処理ガス供給部143と、前記保持部又は前記電極板の少なくとも一方に高周波電力を供給して、前記空間の処理ガスをプラズマ化する高周波電源116と、前記複数の供給部の各々に対応して、処理ガスの供給条件を調節する調節手段130と、前記基板上における、プラズマ化された処理ガスに含まれる活性種の濃度分布について、供給された処理ガスの拡散の影響が支配的である位置と、供給された処理ガスの流れの影響が支配的である位置とで、前記供給条件を変えるように前記調節手段を制御する制御部190とを有する。 (もっと読む)


【課題】有効誘電率を増大させ、デバイスの性能を制限する可能性がある環境に低K薄膜を曝した後、より低い有効誘電率を維持する新しいプロセスを提供する。
【解決手段】集積回路の2つの導電性構成要素の間に存在する、有効誘電率を低下させる方法。その方法は、低K誘電体層の酸素が豊富な部分に対して選択的な気相エッチの使用を伴う。エッチング速度は、エッチプロセスが比較的高Kの酸素が豊富な部分を通過し、低K部分に達すると減じる。気相エッチプロセスが望ましい低K部分を容易に除去することはないため、エッチプロセスのタイミングを簡単に合わせることができる。 (もっと読む)


【課題】省電力モードからの復旧を従来装置より迅速にするとともに、復帰後における良好な基板処理を実現する。
【解決手段】処理チャンバ11と、処理チャンバ11内に処理ガスを供給するガス供給装置20と、処理チャンバ11内に供給された処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成部25と、処理チャンバ11を加熱するヒータ14a,14bと、制御装置40とを備え、プラズマによって処理チャンバ11内の基板を処理するプラズマ基板処理装置であって、制御装置40は、ヒータ14a,14bへの電力供給を低減または停止させた状態にし、かつプラズマ生成部25への電力供給を停止させた状態とする省電力モード実行部47と、ヒータ14a,14bへの電力供給を復帰させるとともに、プラズマ生成部25への電力供給をして、処理チャンバ11の内部温度を基板処理に適した温度に上昇させる復帰モード実行部48とを備える。 (もっと読む)


【課題】均熱部材を載置台内に一体的に埋め込むようにして被処理体の面内温度の均一性を高めると共に、被処理体に対する加熱効率を高めることが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】処理容器4内にて被処理体Wに対して所定の熱処理を施すために前記被処理体を加熱する加熱手段38が埋め込まれると共に、前記被処理体を載置する載置台32と、前記載置台を前記処理容器の底部より起立させて支持する支柱30とを有する載置台構造において、前記載置台内に、前記埋め込まれている前記加熱手段の上方に位置させて平面方向に広がった均熱部材40を埋め込むように構成する。 (もっと読む)


【課題】パーティクルを発生させるネジを用いず、熱効率にも優れた新規な構造のウェハ支持装置を提供する。
【解決手段】静電チャック11と薄板部材15と固定部材17とを備えて構成されるウェハ支持装置10であり、固定部材17の脚部18は、ウェハ載置領域を囲むように薄板部材に配置された開口16を貫通してその上面より上方にまで突出し、その上端から係合部19が内方に突出している。薄板部材および固定部材が静電チャックの静電吸着面に吸着固定されることにより、該薄板部材と該固定部材の係合部との間にウェハの周縁部を挟んでウェハを固定する。ウェハを上下から挟んだ状態で固定するので、通常の上向き使用だけでなく、下向きや垂直にして使用してもウェハが脱落しない。 (もっと読む)


【課題】ウェハの周縁部の温度調節が容易にできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理を施す基板Wを載置させる載置台11は、所定の温度に温度調節される載置台本体12と、載置台本体12の上部に配置された、基板Wを吸着するための静電チャック13を備え、静電チャック13の上面に、中央に配置される第1の熱伝達用ガス拡散領域47と、周縁部に配置される第2の熱伝達用ガス拡散領域48とが形成され、第1の熱伝達用ガス拡散領域47に熱伝達用ガスを供給する第1の熱伝達用ガス供給部51と、第2の熱伝達用ガス拡散領域48に熱伝達用ガスを供給する第2の熱伝達用ガス供給部52とを備え、第1の熱伝達用ガス拡散領域47と第2の熱伝達用ガス拡散領域48において、冷却能力をそれぞれ任意に設定して別々に制御し、第2の熱伝達用ガス拡散領域48は、静電チャック13の上面の周縁部に形成された環状の凹部である。 (もっと読む)


【課題】高周波電力の印加に伴って発生するノイズを低減することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハが搬入される処理室と、この処理室内にガスを供給するガス供給部と、処理室内を排気する排気部と、処理室内に高周波電力を印加する高周波印加部と、高周波印加部から発生するノイズを検出するノイズ検出部と、ノイズ検出部の検出結果に基づいて、前記高周波印加部から発生するノイズの逆位相の高周波を出力する逆位相出力部と、を有する。 (もっと読む)


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