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Fターム[5F041DA15]の内容

発光ダイオード (162,814) | パッケージング (50,429) | パッケージ構造、製法 (39,105) | チップの載置先部材 (9,022)

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【課題】振動又は衝撃等の外力に対する信頼性が高く、発生した熱を効率的に放熱し、容易に製造することができる発光デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】サブマウント12上に、LEDチップ11を実装し、サブマウント電極14a及び14bを形成して、サブマウント部材を構成する。そして、このサブマウント部材を平面基板上に搭載することにより、発光ユニット20を構成する。一方、リードフレームと樹脂モールド体とにより、リードフレーム電極31a及び31bを有するリードフレーム部材30を構成する。これらの発光ユニット20とリードフレーム部材30とを、電極同士が接するように重ね合わせることにより、発光デバイスが得られる。 (もっと読む)


【課題】発光ダイオード素子と電子回路が内蔵されたサブマウントとが積層された半導体装置において、無駄な領域を無くしてコンパクトなチップサイズとして、量産性に優れた半導体装置を得ること。
【解決手段】発光層13に対して垂直方向に光が取り出される発光ダイオード素子10と、基板内に受光素子を内蔵したサブマウント20とが積層されてなり、前記受光素子の受光部が、前記発光ダイオード素子10の前記発光層13と平面視において重複する位置に形成されている。 (もっと読む)


【課題】電気出力の増加によって放熱の問題を生じさせることなく光放射の点において改善された光放射装置を提供する。
【解決手段】光を放射する少なくとも2つの半導体チップ(12,14,16)と1つの基板(66)とからなり、少なくとも1つの第1の半導体チップ(12)が前記基板(66)上に設置され、その第1の半導体チップ(12)上に少なくとも1つの別の半導体チップ(14)が設置されている光放射装置において、上下に積み重ねられた各半導体チップ(12,14;14,16)を互いにずれるように回転させて、いずれも下側の半導体チップが実質的に三角形状の露出した放射面を備えるようにする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、投影面へ高輝度の光を導くことができる投影装置を提供する。
【解決手段】投影装置10は、基板11と、回転ステージ12と、複数のLED22〜24と、均一化光学系16と、制御部21とを備える。回転ステージ12は、基板11を、該基板11の内部に規定される回転軸11a回りに回転する。複数のLED22〜24は、基板11に固定されるとともに回転軸11a回りに基板11の回転方向に沿って並んで配置される。均一化光学系16は、基板11の回転に伴って回転軸11a回りに回転するLEDの回転軌跡上に固定されて、LEDから出力された光の断面照度を均一化する。制御部21は、基板11の回転に伴って回転するLEDのうち均一化光学系16の光軸16a上に重なったLEDを、光軸16aと重なっている間のみ点灯させる。 (もっと読む)


【課題】配線構造の不要な短絡を防止できる新たな構造を有する発光ダイオードパッケージを提供する。
【解決手段】発光ダイオードパッケージ20は、上部を向いて傾斜した側壁を有する実装領域と、その周りに位置した第1及び第2キャビティC1、C2と、実装領域とこれらキャビティの間に延長された第1及び第2溝構造P12、PP13が形成された上面を有するサブマウント基板21と、実装領域の底面に形成された第1及び第2バンプパッド23a、23bと、第これらキャビティの底面に各々形成された第1及び第2ボンディングパッド25a、25bと、各溝構造の底面に沿って形成されて各バンプパッドと各ボンディングパッドを各々連結する第1及び第2導電ライン24a、24bと、これらバンプパッドに接続されるように実装領域に搭載された発光ダイオード28を含む。 (もっと読む)


【課題】 LEDチップ等の発光素子と回路基板との電気的な接続用線材による遮光が配光に悪影響を及ぼさないようにし、接続距離を短くして信頼性を向上させる。
【解決手段】 発光デバイス1において、半導体発光素子2を搭載したマウント部材3を回路基板4上に実装する。マウント部材3に多層基板を用い、その表層に形成された導電性パターン3aと半導体発光素子2とを電気的に接続する。そして、多層基板において、導電性パターン3aよりも回路基板4側に位置する中間層の導電性パターン3bと回路基板4の導体部4aとを金ワイヤー等の導電性線材5で電気的に接続する。導体部4aから導電性線材5、導電性パターン3b、3aを経て半導体発光素子2への給電が行われる構成とした。 (もっと読む)


【課題】 サージ耐量がより高いサージ保護用半導体素子を提供する。
【解決手段】 第2のP型領域8は電気的に浮遊状態になっている。この第2のP型領域8は、裏面電極7への電圧非印加時(ゼロバイアス時)にもESDによる大電圧印加時にも、第1のP型領域3とN型半導体基板2の接合部J23のうち、少なくとも表層部S23を覆う空乏層DLを発生させるように形成されている。裏面電極7から静電気サージ(ESD)が侵入した際に、ESD電流が、接合部J23のうち空乏層DLによって覆われていない領域からのみ第1のP型領域3に流れ込む。よって、表面欠陥の影響によってサージ耐量が低くなっている表層部S23には、ESD電流が流れ込まない。なお、第1の表面電極5からESDが侵入した場合には、空乏層DLによって電流経路が制限されるため、裏面電極7から外部にESDを逃すことができる。 (もっと読む)


【課題】LED発光装置のLEDチップからの発熱に対処するため放熱性を高める高熱伝導材料を選択使用して発光効率の低下を抑止したLEDパッケージを提供する。
【解決手段】LEDパッケージ10は枠体金属ベース11と、LEDチップ12と、このLEDチップ12に接続されるリード部材13を導出する絶縁部材14とを備える発光装置用パッケージにおいて、金属ベース11の枠内にある所定位置にLEDチップ12を金属含浸炭素材(MICC)の高熱伝導カーボン材16と直に接する状態で搭載して構成する。金属ベース11がすり鉢状側壁部材18と底板部材19からなる場合、絶縁部材14は開口部15を形成すると共に外部導出用導電パターンが設けられ、LEDチップは開口部に配置した高熱伝導カーボン材上に搭載され、ワイヤボンディング17と外部導出用導電パターン経由でリードと接続したLEDパッケージである。 (もっと読む)


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