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Fターム[5F048CB00]の内容

MOSIC、バイポーラ・MOSIC (97,815) | 3次元MOSIC(BiMOSを含む) (767)

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Fターム[5F048CB00]に分類される特許

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【課題】 半導体素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 セル領域と周辺回路領域とを備え、セル領域及び周辺回路領域は、素子分離膜により画定された活性領域を備える半導体基板、素子分離膜の表面上に突出され、少なくとも二つの活性チャンネルを画定する活性領域の一部分、少なくとも二つの突出活性チャンネルを有する半導体基板の活性領域上に形成されたゲート酸化膜、ゲート酸化膜及び半導体基板の素子分離膜上に形成されたゲート電極、及び各ゲート電極の両側の半導体基板の活性領域内に形成されたソース及びドレインを備える半導体素子が提供される。 (もっと読む)


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