Fターム[5F082AA10]の内容
Fターム[5F082AA10]に分類される特許
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高利得ワイドバンドギャップ・ダーリントン・トランジスタ及び関連する製造方法
パッケージ化電力電子デバイスが、ベース、コレクタ、及びエミッタ端子を有するワイドバンドギャップ・バイポーラ・ドライバ・トランジスタ(112)と、ベース、コレクタ、及びエミッタ端子を有するワイドバンドギャップ・バイポーラ出力トランジスタ(116)とを含む。出力トランジスタのコレクタ端子は、ドライバ・トランジスタのコレクタ端子に結合され、出力トランジスタのベース端子は、ドライバ・トランジスタのエミッタ端子に結合され、ダーリントン対をもたらす。平面図における出力トランジスタの面積は、ドライバ・トランジスタの面積より少なくとも3倍大きい。例えば、出力トランジスタのドライバ・トランジスタに対する面積比は、約3:1から約5:1までの間とすることができる。関連するデバイス及び製造方法についても説明される。 (もっと読む)
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