説明

Fターム[5F083]の内容

半導体メモリ (164,393)

Fターム[5F083]の下位に属するFターム

対象となる構造物
DRAM (5,853)
メモリの種類
記憶手段の複合化
材料・用途が特殊なもの
SRAM (3,190)
改善・改良の対象
改善・改良の目的
ROM(EPROM、EEPROMを除く) (635)
EPROM、EEPROMの構造 (21,423)
EPROM、EEPROMの書込、消去方法 (6,790)
メモリ回路の構成要素となるトランジスタ
複数個のトランジスタを含むメモリセル
強誘電体メモリ (1,733)
その他の半導体メモリ (2,669)
改善・改良の目的 (17,234)
メモリセルの構成要素となる抵抗素子
基板 (2,898)
メモリセルの構成要素となる容量素子
材料 (39,186)
メモリセルの構成要素となるその他の素子
配線(断面図中心) (3,852)
レイアウト・回路設計(平面図中心) (10,937)
コンタクト (12,929)
素子分離 (4,541)
プロセス (23,970)
その他 (6,553)