【課題】極低温を必要することなく、小規模の装置で、非常に微弱なテラヘルツ光の強度を明確に検出でき、かつその周波数を正確に測定することができるテラヘルツ光検出装置とその検出方法を提供する。
【解決手段】表面から一定の位置に２次元電子ガス１３が形成された半導体チップ１２と、半導体チップの表面に密着して設けられたカーボンナノチューブ１４、導電性のソース電極１５、ドレイン電極１６及びゲート電極１７とを備える。カーボンナノチューブ１４は、半導体チップの表面に沿って延び、かつその両端部がソース電極とドレイン電極に接続され、ゲート電極１７は、カーボンナノチューブの側面から一定の間隔を隔てて位置する。さらに、ソース電極とドレイン電極の間に所定の電圧を印加しその間のＳＤ電流を検出するＳＤ電流検出回路１８と、ソース電極とゲート電極の間に可変電圧を印加しその間のゲート電圧を検出するゲート電圧印加回路１９と、半導体チップに可変磁場を印加する磁場発生装置２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】挿入光源の永久磁石列に接触する電子ビームのハロー部の強度を高い応答速度で高感度に検出することができる電子ビーム検出器を備えた挿入光源装置を提供する。
【解決手段】本発明の挿入光源装置は、ギャップ空間を介して対向配置された一対の永久磁石列を備え前記永久磁石列間に挿入された電子ビームに蛇行運動させることによってシンクロトロン光を発生させる挿入光源と、前記電子ビームの強度を検出する電子ビーム検出器を備え、前記電子ビーム検出器は、半導体板と、前記半導体板を挟んで配置され且つ前記電子ビームの入射側から見て互いに重なる重なり部分を有する第１及び第２電極を備え、前記重なり部分は、前記永久磁石列の前記ギャップ空間側の面を含む平面の近傍に配置されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 通信で用いられている波長１．５５μｍの光を用いてテラヘルツ波を発生する光スイッチを提供する。
【解決手段】 ＩｎＰ基板１１と、ＩｎＰ基板１１の上に、Ｉｎ_xＧａ_(1-x)Ａｓ（０．４５≦ｘ≦１）により形成された半導体の層であるＩｎＧａＡｓ層１２と、ＩｎＧａＡｓ層１２の上に設けられた第１の電極１３と、ＩｎＧａＡｓ層１２の上に、第１の電極１３と対向するように設けられた第２の電極１４とを備える。ＩｎＧａＡｓ層１２は、波長１．５μｍ程度の光で電子が励起可能な層である。そのため、ＩｎＰ基板１１と、ＩｎＧａＡｓ層１２と、第１の電極１３と、第２の電極１４とを備える光スイッチ１は、通信で用いられている波長１．５５μｍの光を用いてテラヘルツ波を発生する。 （もっと読む）

【課題】 熱中性子にだけ反応し、ガンマ線の影響を受けない、コンパクトな固体検出器の提供。
【解決手段】 対向する縁面の間に１〜１０００ミクロンの厚さを有する１以上のｐＢＮ層と、 ２つの対向面の１つに衝突する中性子の存在を検出する、各対向面上の１以上の金属化接点とを含み、体積抵抗率が約１０^１４ｏｈｍ−ｃｍ未満になるように、ｐＢＮ層を、炭素、ケイ素、チタン、アルミニウム、ガリウム、ゲルマニウム又はこれらの組合せからなる群から選択されるドーパント元素でドープした、熱中性子検出器。 （もっと読む）