説明

Fターム[5F101]の内容

不揮発性半導体メモリ (42,765)

Fターム[5F101]の下位に属するFターム

電荷蓄積機構 (9,664)
制御 (5,368)
電荷注入 (1,823)
素子構造 (12,113)
周辺技術 (5,862)
動作 (2,287)
応用 (153)
製造方法 (5,495)