光放射線（１０）により材料（６）を工業的に処理する装置は、光放射線（１０）を伝える導波路（１）、および、前記導波路（１）の出力端部（１２）から前記光放射線（１０）を材料（６）上へと導向する焦点合わせ光学機器（５）を備え、前記導波路（１）は、その断面の全体にわたって屈折率プロフィル（２５）と光学的利得プロフィル（１７）とにより定義される導波プロフィル（１９）を有し、且つ、前記導波プロフィル（１９）および焦点合わせ光学機器（５）は、前記材料（６）の表面における光パワー分布（１６）が、該光パワー分布（１６）の中心から第１および第２半径（ｒ１），（ｒ２）に配置された第１および第２光パワー（Ｐ１），（Ｐ２）であって前記第１および第２半径（ｒ１），（ｒ２）より小さな第３半径（ｒ３）における第３光パワー（Ｐ３）よりも実質的に高い強度である第１および第２光パワー（Ｐ１），（Ｐ２）を有する。
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光学コネクタアダプタ(10)は光学信号伝送用の光導波路(20)を有する基板(12)を有する。光学コネクタアダプタ(10)はパッシブアライメント技術を行うことで、光学ポンプ源(74)を光導波路に接続するためのものである。基板(12)は、光伝送方向に垂直な端面(14)、光導波路(20)に対して整合する上部参照面(16)及び側部参照面(18)を有する。各キャリアブラケット(22)は基板(12)の各端面(14)で受け渡される。基板整合基準マーク(24)の各々は基板(12)に対してキャリアブラケット(22)を整合させる。基板キャリア(28)は基板(12)及びキャリアブラケット(22)を受け取る。光カプラ(64)は基板キャリア(28)で受け渡される。光カプラ(64)が光導波路(20)に対して整合するように、カプラ整合基準マーク(66)は基板(12)に対して光カプラ(64)を整合させる。
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複数の活性利得材料（９３）が、フォトニックバンドギャップ結晶ファイバ（２０）の誘電体コア（１２）に隣接する誘電体バンドギャップクラッド閉じ込め領域（２２）の活性界面部（４４）に配置されるが、この場合、動作中に、複数の活性利得材料（９３）が、コア（１２）の第１の導波モードとオーバーラップするための、第２の周波数範囲における第２の周波数の第２の導波モードにおけるＥＭエネルギによる刺激のための潜在的なエネルギ貯蔵として、ポンプエネルギを吸収し、かつポンプエネルギを蓄積して、フォトニックバンドギャップクラッド（２２）と、界面（４４）を伝搬する少なくとも１つ表面モードを支持する誘電体コア（１２）との間の界面によって定義される表面が、誘電体クラッド閉じ込め領域の活性界面部、および誘電体コア（１２）に関連する状態をオーバーラップさせるようにする。
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光能動単一直線偏波デバイスは、光を伝搬し、単一偏波波長範囲（４８）を有するための、線形複屈折性及び直線２色性を有する光導波路（３０）を備える。単一偏波波長範囲（４８）に重なる動作波長範囲（６５０）における導波路の動作を与えるために、線形複屈折性及び直線２色性を有する光導波路（３０）の一部（３４）に複数の活性ドーパントが配される。

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【課題】
【解決手段】
ターゲット材料を囲む少なくとも１つの材料の電気的または物理的な特徴に望ましくない変化を起こすことなく、微視的な領域内においてターゲット材料を処理するためのレーザに基づくシステムにおいて、システムが、シードレーザと、光学増幅器と、ビーム発射装置とを具える。シードレーザは、第１の予め定められた波長を有する連続するレーザパルスを発生するためのシードレーザである。光学増幅器は、増幅された連続する出力パルスを得るために、連続するパルスの少なくとも一部を増幅するための光学増幅器である。ビーム発射装置は、増幅された連続する出力パルスの少なくとも１つのパルスをターゲット材料に発射して焦点を合わせるためのビーム発射装置である。少なくとも１つの出力パルスが約１０ピコ秒から１ナノ秒未満の範囲のパルス持続時間を有する。パルス持続時間が熱処理範囲内である。少なくとも１つの焦点を合わせられた出力パルスがターゲット材料内の位置で十分なパワー密度を有し、ターゲット材料の反射力を減少して、ターゲット材料を除くために焦点を合わされた出力をターゲット材料内に効果的に結びつける。 （もっと読む）

ダイオードレーザによってポンプされる固体マイクロチップアセンブリを受け入れるように変更された標準半導体レーザパッケージを含む小型化レーザパッケージが提供される。本発明に記載される標準パッケージは、小さな寸法、十分に封止されたハウジング、頑丈な取り付け構造物、半導体プロセス加工産業の既知の特徴を有する材料ならびに経済的な製造および組み立て技法特性を特徴とするＴＯおよびＨＨＬパッケージを含む。詳しくは、これらのマイクロチップレーザは、大量生産に有用である高密度技法を用いて製造され、その結果、非常に低い単位コストとなる。同時に、これらのコンパクトなレーザ素子は、いまだに主としてダイオードレーザ製造に共通の標準化された設計、材料および技法に立脚するダイオードレーザからは得られないさまざまな波長および動作特性、ならびに低いノイズ雑音特徴で、高いビーム品質および良好な信頼性特徴のレーザ放射を提供するという課題に解決法を提供する。従って、本発明が教示する方法によって構築されたデバイスは、パワー、信頼性および性能は高度であるが低いコストが不可欠である多数の用途に容易に集積化され、最終的には多数の既存のシステムのダイオードレーザを置き換えるばかりか、多数の新しい商業、生物医学、科学および軍事システムを可能にする。 （もっと読む）

本発明は、導波路を励起するよう使用され、光源としても使用される半導体ダイオードレーザに係る。ＩＲ波長放射から可視光線放射を作り出す本発明に従った導波路レーザは、ａ）ＩＲ波長放射を作り出す少なくとも１つの半導体ダイオードレーザ又はダイオードレーザ・バーと、ｂ）後に放射が続く光子吸収エネルギ移動のアップコンバージョン工程によってＩＲ波長放射を可視光線へと変換する半導体ダイオードレーザにおいて放射層の厚さより少なくとも１μｍ厚い厚さを有する少なくとも１つのアップコンバージョン層と、ｃ）可視光線放射を再循環する少なくとも１つの光学的感知手段及び／又はＩＲ波長放射を再循環する少なくとも１つの光学的感知手段と、を有する。レーザダイオード又はレーザダイオード・バー、及びアップコンバージョン層は、同一の基板上又は別個の基板上に配置される。レーザダイオード又はレーザダイオード・バー、及びアップコンバージョン層は、近接して配置される。近接して配置されたダイオードレーザ・バーとアップコンバージョン層との間にギャップが形成される。あるいは、レーザダイオード又はレーザダイオード・バー、及びアップコンバージョン層は、このオーダにおいて接触して配置され、導波路レーザは、
【数５６】


乃至
【数５７】


であるビーム質Ｍ２を有する。
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高エネルギピコ秒、ナノ秒パルス用ファイバベース光源が記載される。ファイバ増幅器での非線形エネルギ制限を最小化することで、光ファイバの損傷閾値に近いパルスエネルギが発生され得る。少なくとも一つの非線形ファイバ増幅器を含む増幅器チェーンと共に最適化されたシード光源を実施することは、バンド幅制限近い高エネルギピコ秒パルスの発生を可能にする。高エネルギパルス化されるファイバ増幅器の最適化シード光源は、半導体レーザも伸長モードロックファイバレーザも含む。ファイバ増幅器から得られるパルスエネルギの最大化は、さらに高繰り返し周期で高エネルギ紫外、赤外パルスの発生を可能にする。

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特別形態の時間的パワープロファイルのレーザパルスは、従来の時間的波形又はほぼ正方形の波形の変わりに、ICリンクを切断する。特別形態のレーザパルスは、好適に、レーザパルスの開始でのオーバーシュート又はレーザパルスの持続時間内のスパイクパルスのいずれかを有する。スパイクピークのタイミングは、リンク部がほぼ完全に除去されるときの時間の前に、好適に設定される。特別形態のレーザパルス・パワープロファイルは、例えば、緑色、UV域などの、レーザパルスの広いパワー範囲と、短いレーザ波長の使用を可能とし、基板及びリンクの側部及び下部のいずれかに配置する不動態化構造部に、ほぼダメージを与えることなく、リンクを切断する。
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エルビウムファイバ（或いはエルビウム−イットリビウム）ベースチャープパルス増幅システムが説明される。通信の窓で動作するファイバ増幅器の使用は、優れた機械的安定性をもつ通信要素と通信コンパチ式手順の実施を可能にする。
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少なくとも約50000パルス/秒のパルス繰り返し数と1ピコ秒よりも短いパルスあたりの長さとを有するパルスの流れを生成させ、数秒程度の時間内に手術を完了させるために、少なくとも多数のパルスたとえば10秒よりも短い時間内に100000パルスを使用して、外科手術処置(たとえば、眼科の)のための組織切断に適した出力光パターンを走査しながら、前記流れを集束させることを特徴とする装置と方法である。一部の実施形態においては、あらかじめ調節するための負の分散を発生させ、該分散が走査システムにおける正の分散を補償する。また、一部の実施形態においては、レーザーおよび走査システムを使用して微小レンズを切断し、該レンズが角膜表面を通過するように形成された側部スリットを通して機械的に取り出される。 （もっと読む）