【課題】通過損失を低減するためにオン状態時の抵抗を小さくしても、十分なアイソレーション量を確保する高周波スイッチを得る。
【解決手段】トランジスタ５ａ，５ｂのオフ容量Ｃｏｆｆと同一の容量Ｃｃを有するクロスカップルキャパシタ８ａ，８ｂを設ける。
クロスカップルキャパシタ８ａ，８ｂにより、トランジスタ５ａ，５ｂのオフ容量Ｃｏｆｆをキャンセルすることができるので、アイソレーションを大きく改善することができる。したがって、通過損失を低減するためにトランジスタ５ａ，５ｂのオン抵抗Ｒｏｎを小さくしても、十分なアイソレーション量を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】逆導通ＩＧＢＴに内蔵されたダイオードで発生するリカバリ電流を低減させる。
【解決手段】逆導通ＩＧＢＴに内蔵されているダイオードに順方向電流が流れている間に、逆導通ＩＧＢＴのゲート−エミッタ間にゲート閾値電圧よりも低い電圧を印加することで、逆導通ＩＧＢＴのドリフト領域への正孔の注入を抑制し、リカバリ電流を低減させる。 （もっと読む）

【課題】高周波特性を改善した半導体スイッチ及び無線機器を提供する。
【解決手段】電源回路と、駆動回路と、スイッチ部と、第１の電位制御回路と、を備えた半導体スイッチが供給される。前記電源回路は、負の第１の電位を生成する第１の電位生成回路と、電源電位を降圧した正の第２の電位を生成する第２の電位生成回路と、を有する。前記駆動回路は、前記第１の電位と第３の電位とが供給され、端子切替信号に基づいて前記第１の電位及び前記第３の電位の少なくとも一方を出力する。前記スイッチ部は、前記駆動回路の出力に応じて複数の高周波端子のいずれか１つに共通端子を接続する。前記第１の電位制御回路は、第１のトランジスタを有する分割回路と、第２のトランジスタを有する増幅回路と、を有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁素子を介した信号伝達に誤動作を生じさせ得る異常を検出して制御対象に停止信号をすることが可能な半導体集積回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体集積回路は、外部から供給される送信データＶＩＮに応じた送信信号を生成し出力する送信回路Ｔｘ１と、受信信号に基づいて送信データＶＩＮを再生する受信回路Ｒｘ１と、送信回路Ｔｘ１と受信回路Ｒｘ１とを絶縁するとともに、送信信号を受信信号として伝達する絶縁素子ＩＳＯ１と、絶縁素子ＩＳＯ１を介した信号伝達に誤動作を生じさせ得る異常を検出する異常検出部ＤＴ１と、異常検出部ＤＴ１により異常が検出された場合には、外部から送信回路Ｔｘ１に供給される送信データＶＩＮに関わらず停止信号を出力する制御部ＣＴ１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】負荷電流検出手段により検出された負荷電流を用いてリーク故障を確実に検出する。
【解決手段】駆動回路３３ａ、３３ｂの出力端子Ｔａ２、Ｔｂ２から電源線６に至る還流経路内にシャント抵抗９ａ、９ｂを接続し、電源線５と給電分岐点Ｎｓとの間に共通のシャント抵抗２４を接続する。駆動制御回路３２は、ＭＯＳＦＥＴ７ａ、７ｂをＰＷＭ駆動し、負荷電流検出回路１２ａ、１２ｂから負荷電流Ｉａ、Ｉｂを入力し、総電流検出回路２３から総電流Ｉｓを入力する。検出負荷電流Ｉａ、Ｉｂに対しそれぞれ対応するＰＷＭ駆動信号のオフ駆動期間をマスク処理し、マスク処理した検出負荷電流Ｉａｍ、Ｉｂｍを加算した加算電流Ｉｃｍと検出総電流Ｉｓとを比較する。両者が等しい場合には正常状態と判定し、異なる場合にはショート故障またはリーク故障が生じたと判定する。 （もっと読む）

【課題】ゲインａ、およびオフセットｂの変動を動的に補正することで、１チップのＩＣ内で高精度な電流検出が可能な電流制御用半導体素子、およびそれを用いた制御装置を提供することにある。
【解決手段】
同一半導体チップ上に、トランジスタ４と、電流−電圧変換回路２２とＡＤコンバータ２３とを有する。参照電流生成回路６，６’は、負荷２の電流に電流パルスＩｃを重畳して、ＡＤコンバータが出力する電圧デジタル値を変動させる。ゲインオフセット補正部８は、参照電流生成回路６，６’による電圧デジタル値の変動を信号処理して、ＡＤコンバータ２３が出力する電圧デジタル値と負荷の電流デジタル値の線形関係式におけるゲインａ，ａ’及びオフセットｂ，ｂ’を動的に取得する。電流デジタル値演算部１２は、ゲインオフセット補正部８により取得されたゲイン及びオフセットを用いて、ＡＤコンバータが出力する電圧値を補正する。 （もっと読む）

【課題】 外部端子の雑音の影響を抑制しつつ、リーク電流を低減する。
【解決手段】 アナログスイッチ回路は、第１ノードと第２ノードとの間に配置された第１スイッチと、第２ノードと第３ノードとの間に配置された第２スイッチと、所定の電圧が供給される第４ノードと第２ノードとの間に配置された第３スイッチと、少なくとも２種類の制御信号を受け、第１スイッチおよび第２スイッチをオンし、かつ、第３スイッチをオフする第１制御と、第１スイッチ、第２スイッチおよび第３スイッチをオフする第２制御と、第１スイッチおよび第２スイッチをオフし、かつ、第３スイッチをオンする第３制御とのいずれかを、制御信号の組み合わせに基づいて実施する制御部とを有している。 （もっと読む）

【課題】整数倍の信号成分に起因して、負荷回路やスイッチング素子に余分な電流が流れない電力効率を向上したスイッチング回路を提供する。
【解決手段】スイッチング回路１は、第１端子５０ａ及び第２端子５０ｂを有しており、パルス信号により駆動されて第１端子及び第２端子の導通状態をスイッチするスイッチング素子１０と、スイッチング素子の第１端子１３に電圧を供給する電源部３０と、電源部に並列に接続される負荷回路４０と、電源部と負荷回路との接続点Ｐと、スイッチング素子の第１端子との間に接続され、パルス信号のクロック周波数のＮ倍（Ｎは１以上の整数）の周波数において、接続点からスイッチング素子へ流れる電流を抑制する受動回路部５０と、受動回路部と接続点との間に接続され、Ｎ倍の周波数において共振する共振回路部６０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＩｎやＺｎなどを含む酸化物半導体をチャネル領域に用いたトランジスタを、Ｐ型トランジスタのように駆動できる半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタとインバータを有し、インバータの出力はトランジスタのゲートに入力され、トランジスタのチャネル領域はＩｎ、Ｚｎ若しくはＳｎを含む酸化物半導体膜を有し、インバータを構成するトランジスタのチャネル領域はシリコンを有し、インバータにハイ電圧を入力すると、インバータからロー電圧が出力されるとともにトランジスタのゲートにロー電圧が入力されてトランジスタはオフし、インバータにロー電圧を入力すると、インバータからハイ電圧が出力されるとともにトランジスタのゲートにハイ電圧が入力されてトランジスタはオンする半導体装置によって解決する。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳインバータのＰ形ＭＯＳトランジスタのボディバイアスを変化させても、入力信号の立ち上がりと立ち下がりの伝搬遅延時間の差を、従来のものより小さく保てるマルチプレクサ、デマルチプレクサ、ルックアップテーブルおよび集積回路を提供する。
【解決手段】パスゲートＭ１、Ｍ２の出力に初段出力バッファとして低しきい値ＣＭＯＳインバータＩＮＶ１を接続したセレクター回路を基本構成とし、それを用いたマルチプレクサ、デマルチプレクサ、ルックアップテーブルおよび集積回路であって、パスゲートはそのボディ端子が可変電位をとるボディバイアス電源ＶＢＮに接続し、ＩＮＶ１のＰ形ＭＯＳトランジスタＭ３のしきい値電圧を可変にできるようにそのボディ端子は可変電位をとるボディバイアス電源ＶＢＰに接続し、そのＮ形ＭＯＳトランジスタＭ４はそのしきい値電圧を固定するためにそのボディ端子が固定電位をとる電源ＶＳＳに接続する。 （もっと読む）

【課題】電圧駆動型素子を駆動状態と非駆動状態の間で遷移させるときの遷移期間において、電圧駆動型素子のゲート電圧を柔軟に制御するための技術を提供する。
【解決手段】駆動装置１は、電圧駆動部３と電流駆動部４を備えている。電圧駆動型素子２を駆動状態と非駆動状態の間で遷移させるときの遷移期間のうちの一部の区間では、電圧駆動部３を利用した電圧駆動型素子２のゲート電圧Ｖｇの制御が停止され、電流駆動部４を利用した電圧駆動型素子２のゲート電圧Ｖｇの制御が実行されるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】高精度で低コストの電圧検知回路を提供する。
【解決手段】パワーオンリセット回路は、分圧回路１、バイポーラトランジスタＱ１，Ｑ２、抵抗素子Ｒ１，Ｒ２、およびベース電流補償回路１０を備える。分圧回路１の出力電圧ＶＩＮがバンドギャップ電圧ＶＢＧの場合、バイポーラトランジスタＱ１，Ｑ２のコレクタ電流Ｉ１，Ｉ２が一致する。電圧補償回路１０は、電流Ｉ１に基いてバイポーラトランジスタＱ１，Ｑ２のベース電流の和に相当する電流Ｉ６を生成し、その電流Ｉ６をバイポーラトランジスタＱ１，Ｑ２のベースに供給する。したがって、バイポーラトランジスタＱ１，Ｑ２の各々のベース電流が大きい場合でも、高い検出精度が得られる。 （もっと読む）

【課題】充電対象素子へ充電電流を効率的に供給することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】充電対象素子Ｃに充電電流を供給する半導体装置１は、第１導電型の半導体層１と、充電対象素子Ｃの第１電極に結合される第１ノードＮ１を有し、半導体層１の主表面上に形成される第２導電型の第１の半導体領域２と、電源電圧が供給される電源電位ノードＮＬ１に結合される第２ノードＮ３および第３ノードＮ４を有し、第１の半導体領域２の表面において半導体層１と間隔をあけて形成される第１導電型の第２の半導体領域３と、第２ノードＮ３および第３ノードＮ４から半導体層１への電荷キャリアの移動を制限する電荷キャリア移動制限部とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、ワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチ素子を駆動するゲートドライブ回路。
【解決手段】ワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチ素子Ｑ１であって、ドレインとソースとゲートとを有し、ゲートをドライブする信号とゲートとの間にコンデンサと抵抗の並列接続回路を介して接続され、オフ信号期間は、スイッチ素子Ｑ１のゲート・ソース間を短絡するスイッチＳＷ１とを備えることを特徴とするゲートドライブ回路。 （もっと読む）

【課題】パワーオン時における回路電源電圧の変化の緩急に拘らず、非動作電圧から動作電圧へ変化時にリセット信号を確実に出力するパワーオンリセット回路を提供する。
【解決手段】本発明に係るパワーオンリセット回路は、回路電源電圧を受けて充電を行う充電回路と、回路電源電圧を受けて出力電圧を出力する動作電圧設定回路と、前記充電回路の出力する充電電圧、及び、前記動作電圧設定回路の出力する出力電圧を判定して、パワーオンリセット信号を出力する電圧判定回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、信号線駆動回路におけるトランジスタの特性のばらつきの影響を抑制
する技術に関する。
【解決手段】信号線駆動回路には、各々容量手段と供給手段とを有する第１電流源回路（
４３７）及び第２電流源回路（４３８）を設ける。シフトレジスタ（４１８）から供給さ
れるサンプリングパルスと外部から供給されるラッチパルスに従って、前記容量手段は、
ｎ個のビデオ信号用定電流源（１０９）の各々から供給される電流を加算した電流を電圧
に変換し、前記供給手段は変換された電圧に応じた電流を供給することで、トランジスタ
の特性によらず、ビデオ信号に応じた電流出力を行うことを特徴とする。前記ｎ個のビデ
オ信号用定電流源から供給される電流値は、２^０：２^１：・・・：２^ｎに設定されて、階
調を表現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】保持電圧の下降または上昇傾きを良好に調整可能なホールド回路を提供すること。
【解決手段】ホールド回路１０は、入力端子２０、第１出力端子２２、基準電圧端子２４、オペアンプ３０、ダイオード３２、コンデンサ３６、抵抗Ｒ０、電圧発生回路５０、を備えている。コンデンサ３６は、一端が接続点２６に接続され、他端が基準電圧端子２４に接続される。抵抗Ｒ０は、一端が接続点２６に接続される。ダイオード５２のアノードが、オペアンプ３８を介して接続点２６に接続される。抵抗Ｒ０の他端と中間接続点５８とが接続される。オペアンプ３０は、非反転入力端子３０ｂが入力端子２０に接続され、反転入力端子３０ａが接続点２６に接続され、出力端子３０ｃがダイオード３２に接続される。電圧発生回路５０は、ダイオード５２に入力される出力電圧Ｖ２２から変化させたオフセット電圧Ｖ２３を生成して、中間接続点５８から出力する。 （もっと読む）

【課題】上限あるいは下限付近のデューティー比でも効率よく容量性負荷を駆動する。
【解決手段】駆動波形信号をパルス変調して変調信号を生成し、電力増幅した後に平滑フ
ィルターを通すことによって生成した駆動信号を容量性負荷に印加する。デジタル電力増
幅器から平滑フィルターに流れる電流の方向が一変調周期内で逆転する条件下では、その
一変調周期内での電流の最大値および最小値の絶対値が所定の閾値以上となるようにキャ
リア周波数を変更する。一変調周期内で平滑フィルターを流れる電流の最大値および最小
値の絶対値が所定の閾値を下回ると、電力増幅時に大きな損失が発生する。従って、所定
の閾値を下回らないようにキャリア周波数を変更してやれば、効率よく電力増幅を行って
容量性負荷を駆動することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】出力信号のデューティを保ちつつ消費電流の変化を低減する。
【解決手段】出力バッファ回路は、出力回路（３００）と、第１入力回路（２１０）と、第２入力回路（２２０）と、第１クランプ回路（１１０）と、第２クランプ回路（１２０）とを具備する。出力回路（３００）は、第１出力トランジスタ（Ｐ３０１）と第２出力トランジスタ（Ｎ３０１）とを備え、出力信号（ＶＯＵＴ）を出力する。第１クランプ回路（１１０）および第２クランプ回路（１２０）のそれぞれは、カスコード接続される第１導電型のトランジスタ（Ｐ１１１／Ｐ１２１）と、第２導電型のトランジスタ（Ｎ１１１／Ｎ１２１）とを備える。第１クランプ回路（１１０）は、所定の期間第１入力回路（２１０）の出力電圧（ＶＡ１）をクランプする。第２クランプ回路（１２０）は、所定の期間第２入力回路（２２０）の出力電圧（ＶＡ２）をクランプする。 （もっと読む）

【課題】端子間の直流オン抵抗を高精度で測定可能な半導体スイッチ及びその測定方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１のスイッチ素子と、第２のスイッチ素子と、制御回路と、を備えた半導体スイッチが提供される。第１のスイッチ素子は、第１の端子及び第２の端子を含む複数の高周波端子のそれぞれと共通端子との間に接続される。第２のスイッチ素子は、前記第１の端子と接地用端子との間に接続される。前記制御回路は、前記第１のスイッチ素子及び前記第２のスイッチ素子をそれぞれオンまたはオフさせる制御信号を出力し、端子切替信号に応じて、前記共通端子を前記複数の高周波端子のいずれか１つに接続する通常動作モードと、前記共通端子を前記第１の端子と前記第２の端子と接地用端子とに接続するテストモードと、を実行することを特徴とする。 （もっと読む）