【課題】回路面積を低減させることのできる電圧生成回路を提供する。
【解決手段】一の実施の形態に係る電圧生成回路は、第１の電圧値の第１電圧を発生させる第１の昇圧回路と、第２の電圧値の第２電圧を発生させる複数の第２の昇圧回路を含む第２昇圧回路群とを有する。複数の第２の昇圧回路は、第１の状態から第２の状態に移行する際に互いに直列に接続され第１昇圧回路とともに第１電圧を発生可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】 広帯域無線通信を行う送信機に用いられ、電源変換効率を向上させると共に、電圧レベル切替の遷移時間の影響を低減し、出力信号の歪特性を改善することができる電源回路を提供する。
【解決手段】 入力信号をプッシュプル増幅方式で増幅するプッシュプル増幅部と、制御信号によりプッシュプル増幅部に提供する電源電圧の電圧レベルを可変とする可変電源部と、入力信号に基づいて電源電圧の電圧レベルを制御する制御信号を出力するスイッチ制御部８３′と、入力信号を特定の時間遅延させるタイミング制御部１２１を備え、スイッチ制御部８３′が、制御信号の立ち上げの場合に、タイミング制御部１２１での遅延時間に対して電圧レベル切り替えの遷移時間に応じた早いタイミングで制御信号を立ち上げ、立ち下げの場合には遅延時間のタイミングで立ち下げる電源回路としている。 （もっと読む）

【課題】電界吸収型光変調器に供給する駆動信号の直流電圧可変に伴う駆動信号波形の劣化を防止する。
【解決手段】電圧連動可変手段３０は、ドライバ回路２５の終段トランジスタＴＲの出力用の特定端子の直流電圧と他の端子の直流電圧とを、同一方向に連動可変させて、終段トランジスタＴＲの動作点の変動を抑制しつつ、電界吸収型光変調器１に与える駆動信号Ｄの直流電圧を変化させて、駆動信号Ｄの直流電圧可変に伴う駆動信号波形の劣化を防止し、波形劣化の無い変調光を出力させる。 （もっと読む）

【課題】簡略化された回路構成でノイズ低減効果を持つ多相駆動型の昇圧回路を実現する。
【解決手段】昇圧回路は、所定周期のクロック信号を出力する発振回路と、前記クロック信号の１本の配線に直列接続され、トータル遅延時間が前記所定周期よりも長い複数の遅延回路と、前記複数の遅延回路に対応して前記１本の配線に接続された複数の分割昇圧回路と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高周波信号の振幅に対する歪みを低減しつつ、スイッチングを実現することが可能なスイッチを提供する。
【解決手段】高周波信号が入力される入力端子と、高周波信号が出力される第１出力端子との間に接続され、入力される高周波信号を第１出力端子から選択的に出力させる第１スイッチング部と、入力端子と、入力された高周波信号が出力される第２出力端子との間に接続され、入力端子に入力される高周波信号を第２出力端子から選択的に出力させる第２スイッチング部とを備え、第１スイッチング部、第２スイッチング部それぞれは、信号線上に設けられるインピーダンス変成器と、エミッタが接地され、コレクタが信号線に接続され、制御電圧に応じた電流がベースに印加されるバイポーラトランジスタと、コレクタが接地され、エミッタが信号線に接続され、制御電圧に応じた電流がベースに印加されるバイポーラトランジスタとを備えるスイッチが提供される。 （もっと読む）

【課題】消費電力を小さくでき、トランジスタ数が少ない半導体装置を提供する。
【解決手段】ソース及びドレインの一方が第１の配線と電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が第２の配線と電気的に接続された第１のトランジスタと、ソース及びドレインの一方が第１の配線と電気的に接続され、ゲートが第１のトランジスタのゲートと電気的に接続された第２のトランジスタと、一方の電極が第３の配線と電気的に接続され、他方の電極が第２のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続された容量素子と、を有する。 （もっと読む）

【課題】グランド端子からグランド電位の供給を受けることなく、スイッチ素子をオン状態に維持することを可能とするスイッチ素子駆動回路を提供する。
【解決手段】本発明によるスイッチ素子駆動回路（１００）は、電源と負荷との間に接続されたスイッチ素子を駆動するためのスイッチ素子駆動回路であって、前記電源と前記負荷との間に設けられた電圧降下素子（１０）と、前記電圧降下素子の端子間に発生する電圧を動作電源として該電圧を昇圧し、該昇圧により得られた電圧から前記スイッチ素子を制御するための制御信号を生成する信号生成部（２０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】消費電力が小さく抑えられ、出力される電位の振幅が小さくなるのを防ぐことができる、単極性のトランジスタを用いた半導体装置。
【解決手段】第１電位を有する第１配線、第２電位を有する第２配線、及び第３電位を有する第３配線と、極性が同じである第１トランジスタ及び第２トランジスタと、第１トランジスタ及び第２トランジスタのゲートに第１電位を与えるか、第１トランジスタ及び第２トランジスタのゲートに第３電位を与えるかを選択し、なおかつ、第１トランジスタ及び第２トランジスタのドレイン端子に、１電位を与えるか否かを選択する複数の第３トランジスタと、を有し、第１トランジスタのソース端子は、第２配線に接続され、第２トランジスタのソース端子は、第３配線に接続されている半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮトランジスタを理想的な還流ダイオードとして動作させ、低損失のスイッチ装置を実現できるようにする。
【解決手段】スイッチ装置は、窒化物半導体素子３０１と、窒化物半導体素子３０１を駆動する駆動部３０２とを備えている。窒化物半導体素子３０１は、第１のオーミック電極、第２のオーミック電極及び第１のゲート電極を有している。駆動部３０２は、第１のゲート電極にバイアス電圧を印加するゲート回路３１１と、第１のゲート電極と第１のオーミック電極との間に接続され、双方向に電流を流すスイッチ素子３１２とを有している。駆動部３０２は、第１のオーミック電極から第２のオーミック電極への電流を通電し且つ第２のオーミック電極から第１のオーミック電極への電流を遮断する動作を行う場合には、スイッチ素子３１２をオン状態とする。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチの低周波数領域での歪み特性を改善する。
【解決手段】制御ポートＰ３には、制御電圧Ｖ_Ｃが入力される。伝送路１０は、入力ポートＰ１と出力ポートＰ２の間を接続する。シャントスイッチ２０は、伝送路１０と接地端子の間に設けられる。シャントスイッチ２０は、そのドレイン、ソースの一方が伝送路１０と接続され、そのドレイン、ソースの他方が接地端子に接続されるＦＥＴ２２を備える。第１抵抗Ｒ１は、ＦＥＴ２２のゲートと制御ポートＰ３の間に設けられる。第２抵抗Ｒ２は、ＦＥＴ２２のゲートと伝送路１０の間に設けられる。 （もっと読む）

【課題】パワーデバイス（メインスイッチＭ）のゲートの印加電圧をバッテリ１２の正電圧より高い電圧と負電圧との双方の電圧とする場合、電源装置の小型化が困難なこと。
【解決手段】バッテリ１２、端子Ｔ３、スイッチング素子ＳＷ１、コンデンサＣ、スイッチング素子ＳＷ２、逆流防止用ダイオードＤ１、端子Ｔ１および充電用抵抗体１４によって、メインスイッチＭのゲート充電経路が構成される。また、放電用抵抗体１６、端子Ｔ２、逆流防止用ダイオードＤ２、スイッチング素子ＳＷ３、コンデンサＣ，スイッチング素子ＳＷ４、および端子Ｔ４によって、メインスイッチＭのゲート放電経路が構成される。さらに、端子Ｔ３、スイッチング素子ＳＷ６、逆流防止用ダイオードＤ４、コンデンサＣ、逆流防止用ダイオードＤ３、スイッチング素子ＳＷ５および端子Ｔ４によって、コンデンサＣの充電経路が構成される。 （もっと読む）

【課題】ベース電流による電力損失を低減するドライブ回路を提供する。
【解決手段】ＢＪＴ２１のベース端子にベース電流を供給するドライブ回路１は、ＢＪＴ２１のベース電流を生成するベース回路部３０と、制御端子に供給される制御電圧に基づき、ベース電流を生成するための駆動電圧をベース回路部３０に供給するドライブ部１０と、ＢＪＴ２１のベース端子とＢＪＴ２１のエミッタ端子との間に発生する第１のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅを検出し、検出した第１のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅに応じたベース電流をＢＪＴ２１に供給するように制御電圧を制御して、ドライブ部１０に供給するベース電流制御部５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数の電力用半導体素子を並列接続する場合において、スイッチング損失を従来よりも低減する。
【解決手段】電力用半導体装置２００は、互いに並列に接続された第１および第２の電力用半導体素子Ｑ１，Ｑ２と、駆動制御部１００とを備える。駆動制御部１００は、外部から繰返し受けるオン指令およびオフ指令に応じて第１および第２の電力用半導体素子の各々をオン状態またはオフ状態にする。具体的には、駆動制御部１００は、オン指令に対して、第１および第２の電力用半導体素子Ｑ１，Ｑ２を同時にオン状態にする場合と、第１および第２の電力用半導体素子Ｑ１，Ｑ２の一方をオン状態にした後に他方をオン状態にする場合とに切替え可能である。駆動制御部１００は、オフ指令に対して、第１および第２の電力用半導体素子Ｑ１，Ｑ２の一方をオフ状態にした後に他方をオフ状態にする。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗を小さく抑えながらも、スイッチ素子の駆動に必要な電力を小さく抑えることができるスイッチ装置を提供する。
【解決手段】スイッチ装置１は、スイッチ素子１０のドレイン電極１２とソース電極１３との間を流れるドレイン電流Ｉｄｓを計測する電流モニタ部２３を駆動回路２０に備えている。制御部２２は、スイッチ素子１０がオンしている状態において、スイッチ素子１０のオン抵抗が規定値以下になるように電流モニタ部２３の計測値（ドレイン電流Ｉｄｓ）に応じてゲート電圧Ｖｇｓの下限値を設定する。制御部２２は、設定した下限値を下回らない範囲で、電圧印加部２１から印加可能な最小の大きさにゲート電圧Ｖｇｓを調節する。電圧印加部２１は、制御部２２に制御され、制御部２２で決定された大きさのゲート電圧Ｖｇｓをスイッチ素子１０に印加する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング時の電流の急激な変化を抑制しオン状態でのオン抵抗を抑制する。
【解決手段】電源回路内の第１のノードと第２のノードとの間に設けられるスイッチング回路装置であって，前記第１または第２のノードにインダクタが接続され，第１のノードと第２のノードとの間に設けられ第１のゲート幅を有する第１のトランジスタと，第１のノードと第２のノードとの間に第１のトランジスタに並列に設けられ第１のゲート幅より大きい第２のゲート幅を有する第２のトランジスタと，電源回路の出力電圧に応じて生成される制御信号に応答して，第１のトランジスタをオン，オフに駆動する第１の駆動信号と，第２のトランジスタをオン，オフに駆動する第２の駆動信号とを，時間的にずらして出力する駆動信号生成回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】電圧伝達経路における電圧降下が小さい過電圧保護回路を提供する。
【解決手段】入力電圧と第１の電圧とを入力して、昇圧した第２の電圧を、電圧伝達経路１１０の遮断または導通を制御するスイッチ回路ＳＷのＭＯＳトランジスタＰＳＷのゲートに供給する昇圧回路ＣＰと、ＭＯＳトランジスタＰＳＷのゲートに蓄積された電荷を放電する放電回路ＤＣＧとを備える。 （もっと読む）

【課題】高周波信号の伝送経路におけるインピーダンス変動の変動を抑え、高周波信号の挿入損失を向上させることができるスイッチ回路を提供すること
【解決手段】本発明にかかるスイッチ回路１０は、入力端子１１と出力端子１２との間において信号を伝達する第１の伝送路上に設けられたＦＥＴ１４と、入力端子１３と出力端子１２との間において信号を伝達する第２の伝送路上に設けられたＦＥＴ１５と、入力端子１３とＦＥＴ１５との間に一端が第２の伝送路と接続され、他端がオープンスタブ１７である第３の伝送路と、第３の伝送路上に設けられたＦＥＴ１６と、を備え、第１の伝送路上を信号が伝達される場合、ＦＥＴ１４及びＦＥＴ１６がオン状態となり、ＦＥＴ１５がオフ状態となるように制御されるものである。 （もっと読む）

【課題】入力信号が有する２値の電位に関わらず、正常に動作させることが可能なデジタ
ル回路の提案を課題とする。
【解決手段】半導体装置の一態様は、入力端子、容量素子、スイッチ、トランジスタ、配
線、及び出力端子を有し、前記入力端子は、前記容量素子の第１の電極に電気的に接続さ
れ、前記配線は、前記スイッチを介して前記容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記トランジスタのゲートは、前記容量素子の第２の電極に電気的に接続され、前記トラ
ンジスタのソース又はドレインの一方は、前記配線に電気的に接続され、前記トランジス
タのソース又はドレインの他方は、前記配線に電気的に接続されていることを特徴とする
。 （もっと読む）

【課題】 誘導性負荷を駆動する出力バッファ回路の電力損失を低減する。
【解決手段】 誘導性負荷２から出力バッファ回路１００に電流が流入している場合、スルーレート制御部１４０は、出力バッファ回路１００の出力信号ＶＯＵＴの立ち上がり過程において低いスルーレートから高いスルーレートへ変化させる制御を行うとともに、出力信号ＶＯＵＴの立ち下がり過程において高いスルーレートから低いスルーレートに変化させる制御を行う。また、出力バッファ回路１００から誘導性負荷２に電流が流出している場合に、スルーレート制御部１４０は、出力信号ＶＯＵＴの立ち上がり過程において高いスルーレートから低いスルーレートに変化させる制御を行うとともに、出力信号ＶＯＵＴの立ち下がり過程において低いスルーレートから高いスルーレートに変化させる制御を行う。 （もっと読む）

【課題】プッシュ・プル接続された二つのスイッチ素子のＯＮ／ＯＦＦを切り換えること
によって生じる電力損失を抑制する。
【解決手段】プッシュ・プル接続された二つのスイッチ素子に対して並列に還流ダイオー
ドを設けておく。そして、何れのスイッチ素子もＯＦＦの期間（デッドタイム期間）では
、ＯＮにしようとする方のスイッチ素子に設けられた還流ダイオードに順方向電圧がかか
ったら、デッドタイム期間を終了して、一方のスイッチ素子をＯＮにする。こうすれば、
二つのスイッチ素子の寄生容量での電荷の回生および充電が完了した後に、スイッチ素子
をＯＮに切り換えることができるので、ＯＮにしようするスイッチ素子の寄生容量に蓄え
られた電荷が、ＯＮにしたスイッチ素子を流れて電力損失が発生することを回避すること
が可能となる。 （もっと読む）