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Fターム[5J055AX61]の内容

電子的スイッチ (55,123) | 目的、効果 (5,153) | 課題の解決手段 (518)

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【課題】電流変動が大きな箇所の半導体スイッチにおいて耐電流と損失を最適化する。
【解決手段】電気的特性及び種類が互いに異なるFET11とIGBT12を並列接続することで半導体スイッチ1aを形成する。端子5及び6間を接続するとき、FET11及びIGBT12は同時にオンされる。端子5及び6間の電流が小電流であるときには、FET11の内部抵抗がIGBT12よりも小さいため、FET11側に優先的に電流が流れて低損失が実現される。端子5及び6間の電流が増大するにつれて、FET11では発熱が内部抵抗増大を招くがIGBT12では内部抵抗が殆ど変化しないため、或る電流値以上では、IGBT12側に優先的に電流が流れる。結果、大電流がFET11側に流れることによるFET11の劣化又は破損が回避される。 (もっと読む)


【課題】ノーマリオン型のトランジスタをオンオフ駆動できるようにする。
【解決手段】電圧レギュレータは,入力電圧に接続されたノーマリオン型の第1のトランジスタと,第1のトランジスタと出力端子との間に設けられたインダクタと,第1のトランジスタとインダクタとの接続ノードとグランド電圧との間に設けられた還流回路と,第1のトランジスタのゲートに駆動信号を供給する駆動回路と,グランド電圧に接続され,第1のトランジスタのオンオフ動作により接続ノードに生成されるパルス信号に基づいて負電圧を生成し,負電圧を駆動回路に供給する負電圧生成回路とを有する。 (もっと読む)


【課題】装置を大型化することなく且つ半導体スイッチの電圧のばらつきの影響を軽減して過電流を検出することが可能な過電流検出装置を提供する。
【解決手段】FET(T1)のドレインと、EEPROM12との間に、抵抗R1,R2の直列接続回路を含む分圧回路15を設ける。従って、EEPROM12には、FET(T1)のドレイン電圧V1を抵抗R1とR2で分圧した電圧が供給され、この電圧が判定電圧VMの嵩上げ電圧となる。その結果、FET(T1)のドレイン・ソース間電圧Vdsが大きく、判定電圧VMがEEPROM12の設定電圧の上限を超える場合であってもこの嵩上げ電圧が存在することにより、この電圧Vdsに応じた判定電圧VMを設定することができ、過電流の発生を高精度に検出することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】トランジスタの遮断遅延を抑制し、絶縁ゲート型トランジスタ(IGBT)の保護動作を向上できるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】絶縁ゲート型トランジスタ31のゲートに、相補型の対のトランジスタ41A,41Bを接続し、対のトランジスタ41A,41Bのベースライン42の電流制御により絶縁ゲート型トランジスタ31を駆動するゲート駆動回路25において、トランジスタ41A,41Bのベースライン42に、ターンオン時にベースライン電流で充電されるコンデンサCsと、ターンオフ時にコンデンサCsに充電された電荷を消費すると共に、絶縁ゲート型トランジスタ31のゲート電位上昇によりトランジスタ41Aのベースに供給された電荷を消費する抵抗Rb2とを並列接続した電荷消費回路43Aを設けた。 (もっと読む)


【課題】出力ドライバ回路における出力レベルの変動に伴って生じる電源線の電位の変動を抑える。
【解決手段】実装配線により外部電源に接続された電源線aと、外部へ信号を出力する出力線xと、該電源線aと該出力線xにそれぞれドレインとソースが接続され、ゲートにはスイッチ12を介して信号が入力される出力トランジスタQ1と、該電源線aの電位の変動を検出する検出器13を備え、該検出器13の出力により該スイッチ12の開閉を制御する。 (もっと読む)


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