【課題】スイッチング素子駆動回路において、スイッチング素子のスイッチング損失を抑制する。
【解決手段】 ゲート電圧検出回路２０１は、スイッチング素子１１のゲート電圧Ｖｇｓを検出し、このゲート電圧がスイッチング素子１１の閾値電圧未満に設定された所定電圧未満のとき、Ｈレベルの昇圧指示信号を出力する。電圧制御回路１０３は、前記昇圧指示信号がＬレベルの間は、制御電源１０２の所定電圧Ｖ１をそのまま出力し、前記昇圧指示信号がＨレベルの間は、前記所定電圧Ｖ１を昇圧した電圧Ｖ２を出力する。駆動信号出力回路１０４は、ＰＷＭパルス出力回路１１１から出力されるＰＷＭパルスの電圧を電圧制御回路１０３から出力される電圧に増幅する。従って、駆動信号出力回路１０４からスイッチング素子１１への駆動信号は、前記ＰＷＭパルスがＨレベルになった時に、先ず昇圧された電圧Ｖ２となり、スイッチング素子１１のゲート電圧Ｖｇｓが所定電圧にまで上昇すると、所定電圧Ｖ１となる。 （もっと読む）

【課題】制御部及びゲート駆動部によって消費される電力を抑制しつつ、負荷の起動時に突入電流を流しきることが可能な電子リレーを提供する。
【解決手段】商用電源６と負荷７に直列接続され、トランジスタ構造を有するスイッチ素子を用いた開閉部１１と、負荷の起動及び停止を制御する制御部１２と、制御部１２とは絶縁され、スイッチ素子のゲート電極にゲート駆動信号を出力するゲート駆動部１３と、制御部１２及びゲート駆動部１３を動作させるための電力を確保する電源部１４を備え、制御部１２は、負荷７の起動時に、ゲート駆動部１３に、所定時間だけスイッチ素子のゲート電極に対して、定常安定動作時よりも多くの駆動電力を供給させる。 （もっと読む）

【課題】映像や音声の入力と出力をマトリクス状に接続するビデオルータにおいて、ビデオルータの入力数や出力数などの構成を自由に変更することが可能なユニットを提供する。
【解決手段】ビデオルータを構成するユニット（スイッチユニット）であって、１以上であるｎ個の入力端子Ａと、前記ｎ個の入力端子Ａのそれぞれと有線で接続されたｎ個の入力接続端子Ｂと、１以上であるｍ個の出力端子Ｄと、前記ｍ個の出力端子Ｄのそれぞれと有線で接続されたｍ個の出力接続端子Ｃと、前記ｎ個の入力端子Ａと前記ｍ個の出力端子Ｄの組み合わせの１つ以上について設けられるスイッチｓと、を備えた。 （もっと読む）

【課題】構成の大型化やコストの上昇を抑制して、ＰＷＭ制御によりモータ負荷を高精度に駆動制御することを課題とする。
【解決手段】ＣＰＵ１０から与えられるＰＷＭ信号に基づいて負荷駆動電圧が負荷駆動回路１２からモータ２に供給されてモータ２がＰＷＭ制御により駆動され、モータ２に供給されるモータ駆動電圧のパルス信号がパルス検出回路１３で検出され、パルス検出回路１３で検出されたモータ駆動電圧のパルス信号とＣＰＵ１０から負荷駆動回路１２に与えられるＰＷＭ信号とのパルス幅の差分がＣＰＵ１０で算出され、この差分に基づいてＣＰＵ１０から負荷駆動回路１２に与えられるＰＷＭ信号のパルス幅が補正され、補正されてＣＰＵ１０から負荷駆動回路１２に与えられたＰＷＭ信号に基づいてモータ２が駆動制御されて構成される。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチ素子と電流・電圧検知素子とを使用してＯＮ側を危険側とするフェールセーフ性を有するスイッチ回路を構成する。
【解決手段】半導体スイッチ素子と電流・電圧検知素子とを配置して、複数の半導体スイッチ素子の一つがＯＮ故障しても出力側に電流が流れないよう構成し、出力側に電流を流さないままで各スイッチ素子のＯＮ故障を検知することを可能とした。 （もっと読む）

【課題】 ＨＢＴは、ＨＥＭＴより低オン抵抗を得ることができる。しかし各単位素子において動作上の微小なアンバランスから二次降伏による破壊を起こすため、信頼性が低い問題があった。
【解決手段】 単位ＨＢＴのベース電極に、ベース層に連続した抵抗層により形成されたバラスト抵抗を接続する。そしてＨＢＴとバラスト抵抗が接続された単位素子を複数並列接続し、スイッチング素子を構成する。これにより各単位素子において単位ＨＢＴの発熱が直接バラスト抵抗に伝わる。抵抗は負の温度係数を持つため、単位ＨＢＴが発熱するとそれに接続するバラスト抵抗の抵抗値が大きくなりバラストとしての機能が増す。従って、ＨＢＴによるスイッチ回路装置において二次降伏による破壊を回避し、信頼性を大幅に向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】２つの問題（電源ノイズ及び放射ノイズ）を低減する機能と、且つ、そこで得られる効果を選定できる機能を有する出力回路を提供すること。
【解決手段】ソースが第１の電源に接続され、ドレインが出力端子に接続される第１の伝導タイプの第１のＭＯＳＦＥＴと、ソースが第２の電源に接続され、ドレインが出力端子に接続される第２の伝導タイプの第２のＭＯＳＦＥＴから成る出力回路において、
前記第１のＭＯＳＦＥＴのゲートを制御する第１の制御回路と、前記第２のＭＯＳＦＥＴのゲートを制御する第２の制御回路を持ち、出力端子から第１の制御回路と、第２の制御回路のそれぞれに出力端子の変動の高周波成分を帰還し、第１若しくは第２のＭＯＳＦＥＴのうち、導通状態から非導通状態に変化するＭＯＳＦＥＴについては高周波成分を帰還する手段によらず高速に非導通状態になるように制御する。 （もっと読む）