【課題】変調信号の大きさ及び応答速度を向上可能な駆動回路及び光送信装置を提供する。
【解決手段】差動信号の入力に応じて発光素子ＬＤの駆動電流を増減する駆動回路３である。差動信号の正相信号Ｖｉｎｐが入力される端子と、差動信号の逆相信号Ｖｉｎｎが入力される端子と、発光素子ＬＤのアノードに接続されている端子と、正相信号Ｖｉｎｐが入力される端子に接続されている正相信号処理回路と、逆相信号Ｖｉｎｎが入力される端子に接続されている逆相信号処理回路と、アノードが接続されている端子に接続されている第１及び第２の電圧制御電流源回路を備える。第１の電圧制御電流源回路には、正相信号Ｖｉｎｐに対応する電圧及び逆相信号Ｖｉｎｎの逆相に対応する電圧が入力され、第２の電圧制御電流源回路には、逆相信号Ｖｉｎｎに対応する電圧及び正相信号Ｖｉｎｐの逆相に対応する電圧が入力される。 （もっと読む）

【課題】簡単な回路構成により誤動作を防止できる半導体装置を得る。
【解決手段】パワー素子Ｑ１とパワー素子Ｑ２がトーテムポール接続されている。駆動回路１が入力信号ＩＮに応じてパワー素子Ｑ２を駆動し、駆動回路２が入力信号／ＩＮに応じてパワー素子Ｑ１を駆動する。駆動回路１は、電源に接続された高圧端子と、低圧端子とを有する。抵抗Ｒ１の一端がパワー素子Ｑ２のエミッタに接続され、抵抗Ｒ１の他端が駆動回路１の低圧端子に接続されている。スイッチング素子Ｑ３が駆動回路１の高圧端子と抵抗Ｒ１の一端との間に接続されている。スイッチング素子Ｑ３は入力信号ＩＮに応じてオン・オフする。入力信号ＩＮがオフ信号の場合に、駆動回路１は低圧端子の電圧ＶＧＮＤをパワー素子Ｑ２のゲートに供給してパワー素子Ｑ２はオフする。入力信号ＩＮがオフ信号の場合に、スイッチング素子Ｑ３はオンする。 （もっと読む）

【課題】受信動作への切換時に発生するノイズを抑制する。
【解決手段】受信回路１０は、圧電センサ２の受信信号ＳＰ及びＳＮを増幅するアンプ１５と、圧電センサ２の一端とアンプ１５の一端との間に並列接続されて受信動作への切換時に位相をずらしてオンされる複数のトランジスタ１１ａ及び１１ｂ（ないしは１２ａ及び１２ｂ）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ソレノイドに流れる電流を検出するタイミングと、ＰＷＭ信号を出力するタイミングとのずれを抑制可能なソレノイドの通電制御装置を提供する。
【解決手段】ソレノイドの通電制御装置１００は、ソレノイド５０に流れる電流の電流値の取得用の電流取得用タイマ１０と、当該電流取得用タイマ１０の計数結果に基づいて、ソレノイド５０の通電を制御するスイッチング素子５１を駆動するＰＷＭ信号の１周期内において予め設定された回数だけ電流値を取得する電流値取得部１１と、ＰＷＭ信号の出力用のＰＷＭ制御用タイマ２０と、１周期内に取得された電流値に基づき、次の１周期にスイッチング素子５１に通電する通電時間を設定し、当該設定した通電時間に応じたＰＷＭ信号を出力するＰＷＭ制御部２１と、ＰＷＭ制御用タイマ２０の計時結果に基づき、電流取得用タイマ１０の計時値を更新する計時値更新部４１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】飛び込みの影響を軽減できるブートストラップ回路を提供する。
【解決手段】同一導電型の第１乃至第４ＴＲから構成され、第１ＴＲにおいて、一方のＳ／Ｄ領域は第２ＴＲの一方のＳ／Ｄ領域に接続され、他方のＳ／Ｄ領域には、２相のクロックのうち一方のクロックが印加され、ゲート電極は、第３ＴＲの一方のＳ／Ｄ領域に接続され、第２ＴＲにおいて、他方のＳ／Ｄ領域は電圧供給線に接続され、第３ＴＲにおいて、他方のＳ／Ｄ領域には入力信号が印加され、ゲート電極には他方のクロックが印加され、第１ＴＲのゲート電極と第３ＴＲの一方のＳ／Ｄ領域とは、第３ＴＲがオフ状態になると浮遊状態となるノード部を構成し、第４ＴＲにおいて、一方のＳ／Ｄ領域は、反転回路の入力側に接続されると共に、該反転回路の出力側と第２ＴＲのゲート電極とが接続されており、他方のＳ／Ｄ領域は入力信号が印加され、ゲート電極には他方のクロックが印加される。 （もっと読む）

【課題】ノイズを低減することができるインターフェース回路を提供することを課題とする。
【解決手段】インターフェース回路は、電源電圧端子が第１の電源電圧ノードに接続され、入力信号を増幅する第１のバッファ（１１１）と、第２の電源電圧ノード及び前記第１のバッファの電源電圧端子間に接続されるスイッチ（１２４）と、前記第１のバッファの入力信号がローレベルからハイレベルに立ち上がると、遅延時間経過後に前記スイッチをオフからオンに切り換える第１の制御回路（１２７）とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の制御に好適な制御信号発生回路を提供する。
【解決手段】ジョンソンカウンタ３１は、フリップフロップＦＦ１〜ＦＦ４およびゲート回路４１〜４４を含み、順次入力されるスタート信号ＳＴ１〜ＳＴ４に応答してそれぞれ制御信号Ｃ１〜Ｃ４を「Ｈ」レベルにした後、順次入力されるストップ信号ＳＰ１〜ＳＰ４に応答してそれぞれ制御信号Ｃ１〜Ｃ４を「Ｌ」レベルにする。したがって、多数のフリップフロップを用いることなく、所望の時間間隔で制御信号Ｃ１〜Ｃ４を順次「Ｈ」レベルにし、順次「Ｌ」レベルにすることができる。 （もっと読む）

【課題】絶縁ゲート型半導体素子を駆動する半導体集積回路内において、貫通電流の発生を抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体集積回路は、制御信号Ｖ_inを遅延させて得られる遅延信号を、ＰＭＯＳ１及びＮＭＯＳ２のゲート端子に出力する遅延回路１９を備える。ＮＭＯＳ４が、第２出力信号の変化に応じてオンからオフに切り替えられるタイミング（ｔ₂）は、ＰＭＯＳ１が、遅延信号の変化に応じてオフからオンに切り替えられるタイミング（ｔ₂）よりも遅くなく、かつ、ＰＭＯＳ３が、第１出力信号の変化に応じてオンからオフに切り替えられるタイミング（ｔ₇）は、ＮＭＯＳ２が、遅延信号の変化に応じてオフからオンに切り替えられるタイミング（ｔ₇）よりも遅くない。 （もっと読む）

【課題】寄生容量の影響を最少化させることのできる、パワー半導体スイッチの改良された制御方法及び制御装置を提供する。
【解決手段】パワー半導体スイッチの制御接続端信号を生成するための信号処理ユニットを備えた、パワー半導体スイッチを制御する制御回路において、少なくとも一つの半導体素子が、定められたパワー半導体スイッチのコレクタ・エミッタ電圧を越えた時に、導通作動され、半導体素子の出力端が導電性の接続線を通じて抵抗直列回路の抵抗の間の接続点と、或いは信号処理ユニットと接続されている抵抗直列回路の出力端と接続されており、半導体素子のブレークダウン電圧が、半導体素子の出力端の電位が、パワー半導体スイッチがスイッチオン状態にある時のパワー半導体スイッチの制御接続端の電位よりも高くなるように選ばれている。 （もっと読む）

【課題】レベル変換時の信号の立ち上がりを速くすることのできるレベル変換バススイッチを提供する。
【解決手段】実施形態のレベル変換バススイッチは、低電圧レベル信号が伝送される低電圧レベル信号線と高電圧レベル信号が伝送される高電圧レベル信号線との間に、低電圧レベルの制御信号により導通が制御されるＭＯＳトランジスタ型のスイッチ１が接続され、高電圧レベル信号線と高電圧電源線ＶｃｃＢとの間に、プルアップ抵抗２が接続される。このレベル変換バススイッチでは、加速回路３が、高電圧レベル信号の立ち上がりをプルアップ抵抗２による立ち上がりよりも速くし、加速期間制御回路４が、加速回路３の作動期間を制御する。 （もっと読む）

【課題】マルチバンドパワーアンプへ接続される小型の高周波スイッチモジュールを構成する。
【解決手段】高周波スイッチモジュール１０は、アンテナＡＮＴに共通端子ＰＩＣ０が接続する第１スイッチ素子１１と、マルチバンドパワーアンプ４０に共通入力端子ＰＩＣｔ０が接続する第２スイッチ素子３０を備える。第２スイッチ素子３０の個別出力端子ＰＩＣｔ２は、第１のローパスフィルタ１２を介して第１スイッチ素子１１の個別端子ＰＩＣ１１に接続し、第２のローパスフィルタ１３とハイパスフィルタ１０２の直列回路を介して第１スイッチ素子１１の個別端子ＰＩＣ１２に接続する。第２スイッチ素子３０の個別出力端子ＰＩＣｔ１は位相回路１０１とＳＡＷデュプレクサ１４を介して第１スイッチ素子１１の個別端子ＰＩＣ１３に接続し、位相回路１０１とＳＡＷデュプレクサ１５を介して第１スイッチ素子１１の個別端子ＰＩＣ１４に接続する。 （もっと読む）

【課題】信号波形の変異を抑制すること。
【解決手段】第１のトランジスタＴ１は、信号Ｓ３に応答してオンオフし、オンしたトランジスタＴ１は外部端子Ｐ２に接続された伝送路２７をプルダウンする。伝送路２７のレベルは、トランジスタＴ１のゲートと外部端子Ｐ２とをＡＣカップリングするキャパシタＣ１により、キャパシタＣ１の容量値に応じた傾きで立ち下がる。プルダウン回路４４は、外部端子Ｐ２の電位に応じて、トランジスタＴ１のゲート電圧をプルダウンする。 （もっと読む）

【課題】装置内の電流を監視する。
【解決手段】回路保護システムは、論理部１０８と、第１ノード１０及び第２ノード２０を有する電流感知装置１０２と、第１ノード１０及び第２ノード２０に接続され、電流感知装置１０２が感知した電流を示す電圧を論理部１０８に出力するように動作する電流感知回路１２０と、第１ノード１０、第２ノード２０、及び論理部１０８とに接続され、電流感知装置１０２を通る電流を誘発するように動作する接続確認部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高電位側スイッチ素子の十分な駆動電圧を実現した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、入力電圧用端子、出力用端子、接地電位用端子、電源電圧用端子、第１端子を有し、入力電圧用端子と出力用端子との間にソースードレイン経路を有する第１ＭＯＳを含む第１チップ、出力用端子と接地電位用端子との間にソースードレイン経路を有する第２ＭＯＳを含む第２チップ、第１ＭＯＳのゲートにその出力が接続された第１駆動回路、第２ＭＯＳのゲートにその出力が接続された第２駆動回路、電源電圧用端子に接続されたドレインと、第１端子に接続されたソースとを有するＰＭＯＳとを含む第３チップが一つのパッケージ内に封止され、第１端子と出力用端子との間に容量が接続可能とされ、第２ＭＯＳがオンとされるとき、ＰＭＯＳはオンとされ、第２ＭＯＳがオフとされるとき、ＰＭＯＳはオフとされる。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の低下による外部出力信号のばらつきを抑制する。
【解決手段】内部入力信号Ａの電位がグランド側からＶＤＤ側、あるいはＶＤＤ側からグランド側へ変化するのに応じて、出力部１は外部出力信号ＥＢの電位を変化させる。差動部２は、外部出力信号ＥＢと、所定の基準信号ＶＲＥＦとに応じた出力信号を出力し、外部出力信号ＥＢが所定の基準信号ＶＲＥＦに応じた電位となるようボルテージフォロアとして機能する。これにより、外部出力信号ＥＢの低電圧側出力電圧ＶＯＬのばらつきを抑制する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の立ち上がりの速度を高速に維持しつつ、スイッチング素子を駆動するドライバ回路の消費電流を削減することができる負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】負荷１０に接続されるスイッチング素子５０と、定電流を生成する定電流生成部３０と、定電流生成部３０から流れ込む定電流の大きさに応じたオン時間でスイッチング素子５０をオンするドライバ回路４０と、を備えた構成とする。そして、定電流生成部３０は、スイッチング素子５０がオンするオン時間に達するまではドライバ回路４０に第１電流量の大きさの定電流を流すことでスイッチング素子５０の立ち上がりの速度を高速に維持する。また、定電流生成部３０は、スイッチング素子５０がオンするオン時間が経過した後はドライバ回路４０に第１電流量よりも小さい第２電流量の定電流を流すことでドライバ回路４０の消費電流を削減する。 （もっと読む）

【課題】より高速駆動に対応でき、かつ、消費電流を低減することができる負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】ダーリントン回路によってスイッチングデバイス２を駆動するようにし、ダーリントン回路を構成する第１ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ５と第２ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ６のドレインを共にスイッチングデバイス２を構成するＩＧＢＴのゲートに接続する。これにより、第２ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ６の駆動電流もＩＧＢＴの駆動に用いることができるため、消費電流を低減できると共に、より大電流でのＩＧＢＴ駆動が可能になるため高速駆動を行うことができる。また、第２抵抗４と並列的にスイッチ１０を備え、このスイッチ１０をプルアップ駆動時にオンさせる。これにより、プルアップ駆動時に第１ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ５のゲート−ソース間の抵抗値を低下させることが可能となり、駆動スピードが低下することを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】端子切替時の応答特性を改善した半導体スイッチを提供する。
【解決手段】電源回路部は、正の電源電位よりも高い第１の電位と、負の第２の電位と、を生成する。駆動回路部は、前記電源回路部に接続され、端子切替信号に応じて前記第１の電位をハイレベルとし前記第２の電位をローレベルとする制御信号を出力する。スイッチ部は、制御信号を入力して端子間の接続を切り替える。前記駆動回路部は、第１と、第２のレベルシフタと、第１の回路と、を有する。前記第２のレベルシフタは、前記第１のレベルシフタの出力電位に応じて互いに排他的にオンする第２のハイサイドスイッチと第２のローサイドスイッチとを有し、前記制御信号を出力する。前記第１の回路は、前記端子切替信号に応じて、前記制御信号の電位の変化よりも前に前記第２のローサイドスイッチに前記電源電位を供給し、または前記ハイサイドスイッチに前記接地電位を供給する。 （もっと読む）

【課題】通信周波数を微小変動させる技術よりも、ノイズレベルの低減を更に図ることができるＰＷＭ制御のデューティ決定方法を提供する。
【解決手段】制御ＩＣ６３が、駆動回路に出力するＰＷＭ信号のデューティを、指令値を中心に、所定期間内における平均が前記指令値に一致するように微小変動させる場合、ＰＣ６８のデータベース６９に、実際にＰＷＭ信号を駆動回路に与えることで発生したノイズ成分のレベル測定結果を反映したデータを、そのデューティの変動態様と共に記憶する。そして、データベース６９に記憶されているデータを参照し、与えられた動作環境や動作条件等に応じて抑圧対象となる周波数帯のノイズレベルを低減するように、制御ＩＣ６３によるＰＷＭデューティの変動態様を決定する。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な故障または異常検出機能を有するパルス増幅装置を提供すること。
【解決手段】本実施形態に係る故障または異常検出機能を有するパルス増幅装置は、入力されるパルスを増幅して出力するパルス増幅器１１と、パルス増幅器１１の入力端子に接続され、パルス増幅器１１に入力されるパルスに同期したパルス増幅器１１を動作させる制御信号を形成して、この制御信号を入力端子に入力するパルス増幅器制御回路１２と、パルス増幅器制御回路１２に接続され、制御信号を連続波に変換する平均化回路１７と、平均化回路１７に接続され、平均化回路１７から出力された連続波の電圧Ｖｇａｖｅとしきい値電圧Ｖｓとを比較する比較回路１８と、比較回路１８に接続され、比較回路１８から出力される差分電圧（Ｖｇａｖｅ−Ｖｓ）に基づいて、パルス増幅器１１の故障、あるいはパルス増幅器制御回路１２の異常を検出する警報装置２３と、を具備する。 （もっと読む）