【課題】前駆体薄膜中のＩＢ族元素及びＩＩＩＢ族元素とＶＩＢ族元素との発熱反応を抑制し、結晶成長を良好にし、ボイド等が少ない綺麗な連続膜である化合物半導体薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）スパッタリング法により、基板上に、（ＩＢ族元素）−（Ｉｎ_ｘ、Ｇａ_１−ｘ）−（ＶＩＢ族元素）_２（但し、０＜ｘ＜１である）の組成を有する複数の膜を、この複数の膜中のＩｎ元素含量（ｘ）が下層から上層へと増加し、かつＧａ元素含量（１−ｘ）が下層から上層へと減少するように形成した後、その上に、上記組成を有し、Ｉｎ元素含量がその下の膜中のＩｎ元素含量よりも少なく、Ｇａ元素含量がその下の膜中のＧａ元素含量よりも多い膜を形成し、基板上に前駆体薄膜を形成する工程と、（ｂ）工程（ａ）で形成される前駆体薄膜の少なくとも１層の形成毎に、ＶＩＢ族元素の蒸気を供給し、接触させながら熱処理を施す工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】酸化物超電導層が超電導状態から常電導状態へと遷移（クエンチ）しようとした場合に、酸化物超電導層の電流を基材に転流させることができ、酸化物超電導層の上方に形成される安定化層の薄膜化が可能な酸化物超電導導体の提供。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体１０は、金属製の基材１と、基材１上に設けられた単層または複数層からなる中間層２と、中間層２上に設けられた酸化物超電導層３と、を備え、中間層２を構成する全ての層２１、２２が、電気伝導性の酸化物よりなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の蒸発源用磁場印加機構による磁場の相互干渉を抑制することができる真空成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る真空成膜装置は、成膜チャンバーと、成膜チャンバー内に設けられるスパッタリング蒸発源用磁場印加機構１ａ、及び同一の成膜チャンバー内に設けられるアーク蒸発源用磁場印加機構と、これらのうちどちらかの蒸発源用磁場印加機構、好ましくはスパッタリング蒸発源用磁場印加機構１ａの一部又は全部を覆うように設けられる磁場遮蔽部２１，２２とを有することを特徴とする。また、磁場遮蔽部２１，２２の開閉部２１ｂ，２２ｂの一部（閉じた状態でターゲット材１２と対向する部分）を非磁性体２１ａ，２２ａで構成することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ターゲット横方向に飛び出したスパッタ粒子が、プラズマ範囲外のターゲット外周部に堆積することを防止する。
【解決手段】このスパッタ装置１００は、基板ホルダ４００、ターゲット保持部材２２０、プラズマ７００を発生させる電源（不図示）、イオン照射部３００と、を備える。電源（不図示）は、基板１０とターゲット２００に高電圧を印加することで、基板１０とターゲット２００との間にプラズマ７００を発生させる。また、イオン照射部３００は、プラズマ７００と異なるイオン源３２０から発生したイオンをターゲット２００の外周部に対して照射する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗、高透過率および適切な表面凹凸を有する透明導電膜を、低温でより少ないプロセスで得られる太陽電池用透明導電膜の形成方法、それによって形成された透明導電膜、およびその透明導電膜を形成するための形成装置を提供する。
【解決手段】一つの真空チャンバー１内で、スパッタリング法により基板７の表面に透明導電膜を形成する方法であって、基板７の表面上に、拡散板１６を通してレーザー光Ｌを照射しながら成膜する。 （もっと読む）

【課題】先行技術の諸問題を解決し且つ改善された品質を有するイオン伝導性の、特に酸素透過性の膜を製造することができる、プラズマスプレー法を提供すること。
【解決手段】イオン伝導性を有するイオン伝導膜を製造するためのプラズマスプレー法であって、この膜がプロセスチャンバー内で基材（１０）上に層（１１）として堆積され、出発材料（Ｐ）が、プロセスガス（Ｇ）を用いてプロセスビーム（２）の形で基材（１０）表面にスプレーされ、この出発材料は、最大で１０，０００Ｐａの低いプロセス圧力でプラズマに注入され、且つそこで部分的に又は完全に溶融される方法が提供される。酸素（Ｏ_２；２２）は、プロセスガスの全流量の少なくとも１％、好ましくは少なくとも２％になる流量で、スプレー中にプロセスチャンバー（１２）に供給される。 （もっと読む）

【課題】混合ナノ粒子を利用した透明導電構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電構造は基板部及び導電部を備える。前記基板部は少なくとも１つのプラスチック基板を備える。前記導電部は少なくとも１つの透明導電フィルム及び少なくとも１つの導電ナノ粒子群が同時に形成されたものであり、前記透明導電フィルムは前記プラスチック基板上に形成される。前記導電ナノ粒子群は前記透明導電フィルム内に複数混入或いは組み込まれる導電ナノファイバーである。 （もっと読む）

【課題】芳香族酸二無水物と芳香族ジアミンとの熱重合反応により成膜されるポリイミド膜の成膜速度を一定にすることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜容器６０内で基板を保持する基板保持部４４と、基板保持部４４に保持されている基板を加熱する基板加熱部６２と、成膜容器６０内に設けられるとともに、第１の原料ガス及び第２の原料ガスを供給するための供給孔７５が形成された、供給管７３ａを含み、供給孔７５を介して成膜容器６０内に第１の原料ガス及び第２の原料ガスを供給する供給機構７０と、基板保持部４４と基板加熱部６２と供給機構７０とを制御する制御部９０とを有する。制御部９０は、供給機構７０により第１の原料ガス及び第２の原料ガスを供給するとともに、基板加熱部６２により、基板保持部４４に保持されている基板を、熱重合反応が生ずる温度範囲に加熱することによって、ポリイミド膜の成膜速度を制御する。 （もっと読む）

【課題】防塵性能の高い光学物品を提供する。
【解決手段】基板１の上に複数層からなる無機薄膜２を有する防塵ガラス１０であって、無機薄膜２は、複数の酸化ケイ素層２Ａと、複数の金属酸化物の層２Ｂと、が積層され、金属酸化物は、ジルコニウム、タンタルまたはチタンのいずれかを含んだ金属酸化物であり、酸化ケイ素の層２Ａには、低密度の酸化ケイ素層と、この低密度の酸化ケイ素層より密度の高い高密度の酸化ケイ素層とがあり、無機薄膜２の最表層２Ｓは、低密度の酸化ケイ素層であり、無機薄膜２の最表層２Ｓの表面粗さは０．５５ｎｍ以上０．７０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタ法により酸化物薄膜を製造する場合であって、高い２軸配向性を有する膜を形成することができる酸化物薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】成膜面ＤＡに対して斜め方向からイオンビーム１０６を照射しながら、マグネトロンスパッタ法により、スパッタエネルギー密度９．５Ｗ／ｃｍ^２以上２０Ｗ／ｃｍ^２以下、ターゲット１０３と成膜面ＤＡとの距離ＴＳ８０ｍｍ以上１００ｍｍ以下、雰囲気ガスの圧力５０ｍＰａ以上７００ｍＰａ以下の条件で金属のターゲット１０３からの蒸着粒子を成膜面ＤＡに堆積させて酸化物薄膜を形成する酸化物薄膜の製造方法。 （もっと読む）