国際特許分類［C23C14/34］の内容
化学；冶金 (1,075,549) | 金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般 (47,648) | 金属質への被覆；金属材料による材料への被覆；表面への拡散，化学的変換または置換による，金属材料の表面処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般 (43,865) | 被覆形成材料の真空蒸着，スパッタリングまたはイオン注入法による被覆 (14,491) | 被覆の方法に特徴のあるもの (7,808) | スパッタリング (3,573)
国際特許分類［C23C14/34］の下位に属する分類
磁界の適用によるもの，例．マグネトロンスパッタリング (349)
ダイオードスパッタリング (26)
トリオードスパッタリング (18)
外部のイオン源により作られたイオンビームによるもの (69)
国際特許分類［C23C14/34］に分類される特許
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ターゲットアッセンブリ及びスパッタリングターゲット
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タッチパネルセンサー用Ｃｕ合金配線膜、及びタッチパネルセンサー、並びにスパッタリングターゲット
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酸化物焼結体およびその製造方法
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Ｃｕ層形成方法及び半導体装置の製造方法
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スパッタ装置
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ＩＴＯスパッタリングターゲット及びその製造方法
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薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタを備えた表示装置、スパッタリングターゲット材
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ナトリウム／モリブデン粉末圧縮体およびその同じものを製造するための方法
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プラズマの発生及びスパッタのためのコイル
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スパッタリングターゲット材およびその製造方法
【課題】特有の組成により、安定してスパッタ中の異常放電を防止できるスパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛質焼結体からなるスパッタリングターゲット材であって、密度が５．４×１０３ｋｇ／ｍ３以上５．６×１０３ｋｇ／ｍ３以下で、Ａｌ２Ｏ３換算で１重量％以上３重量％以下のＡｌを含み、酸化亜鉛粒子１０中に存在するＺｎＡｌ２Ｏ４粒子２０の粒子径は３μｍ以下であり、酸化亜鉛粒界中に存在するＺｎＡｌ２Ｏ４粒子２０の径は１０μｍ以下である。このように僅かにボイドが存在する緻密な焼結体であるため、放電回数を低減しつつ、スパッタ中の割れを防止できる。また、適度にＡｌが含まれていることから体積抵抗率を低減できる。また、ＺｎＡｌ２Ｏ４粒子２０が小さいため、抵抗の不均一相を小さくし、ＺｎＡｌ２Ｏ４粒子２０を起点とする異常放電を防止できる。
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