説明

国際特許分類[C30B]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 結晶成長 (9,714) | 単結晶成長;そのための装置 (9,714)

国際特許分類[C30B]の下位に属する分類

固相からの直接単結晶成長 (80)
ノーマル・フリージングまたは温度勾配凝固による単結晶成長,例.ブリッジマン―ストックバーガー法 (253)
ゾーンメルティングによる単結晶成長;ゾーンメルティングによる精製 (108)
融液からの引出しによる単結晶成長,例.チョクラルスキー法 (1,247)
成長中融液に浸した種結晶上への単結晶成長,例.ナッケン―キロポロス法 (26)
液相エピタキシャル成長 (350)
共晶物質の一方向固化 (7)
蒸発または昇華した物質の凝固による単結晶成長 (349)
反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着による成長 (895)
保護流体下における単結晶成長 (52)
特定構造を有する均質多結晶物質の製造 (47)
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質 (5,187)
共析晶物質の一方向析出 (1)
電場,磁場,波動エネルギーまたはその他の特殊な物理的条件の作用により特徴づけられる単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の製造 (75)
単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質への拡散またはドーブ工程;そのための装置 (41)
単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理 (621)
単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の成長,製造または後処理のために特に適合した装置一般 (26)
ゲルからの単結晶成長 (6)
常温で液体の溶媒を用いる溶液からの単結晶成長,例.水溶液 (187)
溶融溶媒を用いる融液からの単結晶成長 (156)