説明

国際特許分類[G02F1/015]の内容

国際特許分類[G02F1/015]の下位に属する分類

国際特許分類[G02F1/015]に分類される特許

1 - 10 / 134


【課題】分散ペナルティを小さく抑えること。
【解決手段】本発明は、2つの出力光導波路38a、38bに第2MMI34を介して接続する2つの光導波路32a、32bを有するマッハツェンダ型光変調器10と、2つの光導波路を伝搬する光を変調させる変調信号を2つの光導波路夫々に設けられた変調用電極42に差動信号として出力する駆動回路14と、2つの光導波路夫々に設けられた位相調整用電極40に出力する第1の位相制御信号を制御して、2つの光導波路を伝搬する光の位相を調整する位相調整回路12と、2つの光導波路夫々に設けられた位相シフト用電極54に出力する第2の位相制御信号を切替えて、2つの光導波路を伝搬する光の位相を変化させる位相シフト制御回路50と、差動信号の極性を反転させる信号極性反転回路52と、を備える光変調装置である。 (もっと読む)


【課題】電界吸収型光変調器に供給する駆動信号の直流電圧可変に伴う駆動信号波形の劣化を防止する。
【解決手段】電圧連動可変手段30は、ドライバ回路25の終段トランジスタTRの出力用の特定端子の直流電圧と他の端子の直流電圧とを、同一方向に連動可変させて、終段トランジスタTRの動作点の変動を抑制しつつ、電界吸収型光変調器1に与える駆動信号Dの直流電圧を変化させて、駆動信号Dの直流電圧可変に伴う駆動信号波形の劣化を防止し、波形劣化の無い変調光を出力させる。 (もっと読む)


【課題】発振スペクトル分布が狭いレーザ光を実現可能なモード同期レーザ光源装置を提供する。
【解決手段】
注入電流Iが注入されてキャリアが生成されかつキャリアの消費によりレーザ光Pのパルスを増幅すると共にキャリアの密度変化によりレーザ光Pのパルス強度に依存する自己位相変調と等価な位相変調を生じる半導体光増幅器1と、半導体光増幅器1から射出されるレーザ光Pのパルスの発振波長を可変とする掃引用変調部3と、掃引用変調部3により変調されたレーザ光Pのパルスを半導体光増幅器1に帰還させてレーザ発振現象を生じさせるリング共振器6と、異常分散領域で用いられかつリング共振器6を導波中のレーザ光Pのパルスの波長に依存してレーザ光Pのパルスの帰還時間を変化させる分散補償器5とを有する。 (もっと読む)


【課題】外部要因の変動によらず、光出力波形を維持することである。
【解決手段】光送信機は、EA変調器と、フォトカレント検出回路と、変調器駆動回路と、CPUとを有する。EA変調器は、入力された信号を光信号に変換して出力する。フォトカレント検出回路は、EA変調器における光吸収電流(フォトカレント)を検出する。変調器駆動回路は、EA変調器を制御する。CPUは、フォトカレント検出回路により検出された上記光吸収電流に基づき、変調器駆動回路に印加する電圧を算出する。 (もっと読む)


【課題】材料コストおよび組み立てコストの削減が可能なシリコンおよびゲルマニウムを用いた半導体光変調器で、高速かつ低消費電力で光変調ができるようにする。
【解決手段】第1半導体層102は、第1導電型のシリコンから構成され、第2半導体層106は、第2導電型のシリコンから構成されている。また、第1障壁層103は、第1組成のシリコンゲルマニウムから構成されている。また、量子構造層104は、第1組成よりゲルマニウムの組成比が大きい第2組成のシリコンゲルマニウムから構成されて少なくとも層方向の厚さが量子効果が発現される範囲とされた量子構造を備えている。また、第2障壁層105は、第2組成よりゲルマニウムの組成比が小さい第3組成のシリコンゲルマニウムから構成されている。 (もっと読む)


【課題】光を変調し得る波長帯域が狭いリング共振器の共振波長を入力光の波長に容易に一致させ、高効率で入力光を変調し得る光半導体素子を提供する。
【解決手段】入力光が入力される第1の導波路と、第1の導波路と光学的に結合するように配されたリング変調器と、第1の導波路と光学的に結合するように配され、リング変調器の周回光路長より小さな周回光路長を有する第1のリング共振器と、第1の導波路と光学的に結合するように配され、リング変調器の周回光路長より大きな周回光路長を有する第2のリング共振器と、リング変調器と第1のリング共振器と第2のリング共振器とに近接して配されたヒータと、第1のリング共振器中の光パワーをモニタする第1の光検出器と、第2のリング共振器中の光パワーをモニタする第2の光検出器と、第1の光検出器及び第2の光検出器により検出された信号に基づいて、リング変調器の共振波長が入力光の波長と一致するようにヒータを制御する制御部とを有する。 (もっと読む)


【課題】リッジ導波路のメサ幅を高精度に制御する。
【解決手段】半導体基板上に設けられたコア層と、コア層の上方に突出するリッジ型の導波路を備え、導波路は、コア層の上方に設けられたメサ状の第1クラッド層と、第1クラッド層上に設けられた第1エッチングストップ層と、第1エッチングストップ層上に設けられ、第1クラッド層と同一の組成を有する第2クラッド層とを有し、第1エッチングストップ層は、第1クラッド層及び第2クラッド層を化学エッチングするエッチャントでエッチングされない半導体光素子を提供する。 (もっと読む)


【課題】低消費電力を実現する外部変調型レーザ素子の駆動回路を提供すること。
【解決手段】この駆動回路1は、バイアス電流Ibiasが供給されて直流光を出射するDFBレーザ素子3と、直流光を変調する光吸収型のEA部5とを駆動する回路であって、バイアス電圧印加用の2つの電源端子VCC,VSS間においてDFBレーザ素子3を挟んで直列に接続されたバイアス電流源11及びスイッチング素子13を備えており、スイッチング素子13は、EA部5に並列に接続された抵抗素子19及びMOSFET21が直列に接続された回路部と、MOSFET25を含む回路部とが並列に接続されて構成されており、MOSFET21,25は、相補的な差動信号によって駆動される。 (もっと読む)


【課題】 バイアス電圧を低減することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかるマッハツェンダ型変調器は、入力された光を分岐する光分岐導波路と、PN接合構造またはPIN接合構造を有し、前記光分岐導波路から入力される光を伝播させる第1のアーム光導波路と、量子井戸構造を有し、前記光分岐導波路から入力される光を伝播させる第2のアーム光導波路と、前記第1のアーム光導波路を伝播する光の位相を調整する第1の位相電極と、前記第2のアーム光導波路を伝播する光の位相を調整する第2の位相電極と、を備え、 前記第1の位相電極に順方向電圧を印加し、前記第2の位相電極に0Vまたは逆方向電圧を印加することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】光位相変調器においてビット遷移時に発生する周波数チャープを抑制する。
【解決手段】入射された光信号を2つに分岐する分岐部(120)と、第1の位相シフタ(132)を有する第1の変調器アーム(130)と、第2の位相シフタ(142)を有する第2の変調器アーム(140)と、第1の変調器アームを伝搬した第1の光信号と第2の変調器アームを伝搬した第2の光信号とを合波して出射する結合部(150)とを備えた光位相変調器(100)において、損失調整部(A)を設け、第1の位相シフタ(132)による第1の光信号の位相のシフトに依存しない第1の変調器アーム(130)の伝搬損失と、第2の位相シフタ(142)による第2の光信号の位相のシフトに依存しない第2の変調器アーム(140)の伝搬損失とを互いに異ならせた。 (もっと読む)


1 - 10 / 134