国際特許分類［G03F7/039］の内容
物理学 (1,541,580) | 写真；映画；光波以外の波を使用する類似技術；電子写真；ホログラフイ (245,998) | フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造，例．印刷用，半導体装置の製造法用；そのための材料；そのための原稿；そのために特に適合した装置 (42,984) | フォトメカニカル法，例．フォトリソグラフ法，による凹凸化またはパターン化された表面，例．印刷表面，の製造；そのための材料，例．フォトレジストからなるもの；そのため特に適合した装置 (38,375) | 感光材料 (22,284) | 光分解可能な高分子化合物，例．ポジ型電子レジスト (3,188)
国際特許分類［G03F7/039］に分類される特許
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感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いた感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
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レジスト保護膜材料及びパターン形成方法
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化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
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パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
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微細パターン形成方法、及びパターン微細化用被覆形成剤
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感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、該組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
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塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
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ポジ型レジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法
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微細パターン形成方法、及びパターン微細化用被覆形成剤
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レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
【課題】ネガ型パターンを高解像性で、かつ、良好な形状で形成できるレジストパターン形成方法と、これに用いるのに好適なレジスト組成物の提供。
【解決手段】基材成分（Ａ）及び光塩基発生剤成分を含有するレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、レジスト膜を露光する工程、露光後にベークを行う工程、レジスト膜をアルカリ現像し、未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法、及びこれに用いるレジスト組成物であって、（Ａ）成分は酸分解性基を含む構成単位、−ＳＯ２−又はラクトン含有環式基を含む構成単位、式（ａ３−１）で表される構成単位（但し１０モル％以下）を有する高分子化合物を含む。
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