国際特許分類［H01L21/3065］の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置，他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁，例．ＰＮ接合，空乏層，キャリア集中層，を有する装置 (97,574) | 不純物，例．ドーピング材料，を含むまたは含まない周期律表第ＩＶ族の元素またはＡ↓Ｉ↓Ｉ↓ＩＢ↓Ｖ化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | ２１／２０〜２１／２６に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理 (43,387) | 表面の物理的性質または形状を変換するため，例．エッチング，ポリシング，切断 (21,268) | 化学的または電気的処理，例．電解エッチング (9,750) | プラズマエッチング；反応性イオンエッチング (7,154)
国際特許分類［H01L21/3065］に分類される特許
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
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半導体装置の製造方法、半導体エッチングプロセスにおける計測方法
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
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プラズマ処理方法
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
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半導体加工用部品の処理方法およびそれにより形成された部品
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プラズマ処理装置用電極板、その電極構成板及び電極板の製造方法
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光路形成装置並びにこれを備えた撮像装置、変位測定装置及び検出装置
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プラズマ処理装置
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