国際特許分類[H01L21/3205]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 21/20〜21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理 (43,387) | 半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択 (16,787) | 絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理 (7,286)
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国際特許分類[H01L21/3205]に分類される特許
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半導体装置の製造方法
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Cu層形成方法及び半導体装置の製造方法
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半導体装置の製造方法及び半導体装置
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リフロー法及び半導体装置の製造方法
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導電層付ガラス基板の製造方法及び膜の形成方法
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半導体ウェハ、半導体装置及びその製造方法
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半導体装置及びその製造方法
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銅を含む電極連結構造体
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半導体装置およびその製造方法
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半導体ウェハ、半導体装置及びその製造方法
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