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国際特許分類[H01L29/68]の内容

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国際特許分類[H01L29/68]に分類される特許

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【課題】カーボンによるバンドギャップ・エンジニアリングを可能とし、カーボン原子に基づく多彩なエレクトロニクスを達成して、信頼性の高い電子装置を実現する。
【解決手段】電子装置は、単層のグラフェン膜1と、グラフェン膜1上の両端に設けられた一対の電極2,3とを有しており、グラフェン膜1では、電極2,3間の領域において、中央部位のBC間が複数のアンチドット10が形成されてなる第1の領域1aとされており、第1の領域1aの両側におけるAB間及びCD間がアンチドットの形成されていない第2の領域1bとされている。 (もっと読む)


【課題】エミッタ電極−コレクタ電極間において、オフ電流が小さく、かつ、低電圧で大電流変調が可能であるオン/オフ比に優れたトランジスタ素子を提供すること。
【解決手段】エミッタ電極とコレクタ電極との間に、有機半導体層とシート状のベース電極とが設けられているトランジスタ素子において、該有機半導体層が、下記一般式(1)で表される化合物を含んでいるトランジスタ素子。
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【課題】キャリア移動度が高く、低駆動電圧で大電流変調を可能とする有機縦型トランジスタを提供すること。
【解決手段】有機縦型トランジスタ1は、基板7と、エミッタ電極2と、第1有機半導体層3と、ベース電極4と、第2有機半導体層5と、コレクタ電極6とを備え、第1および第2有機半導体層3,5は、正孔輸送材料で形成され、各層を形成する有機半導体材料は、その分子構造に平面部分を有し、各分子の平面部分が基板7に対して略平行に配列し、その分子の形成するπ軌道が上下の分子のπ軌道と重なりを有し、分子が積層される配列方向に、エネルギー−波数(E−k)の関係を示す所定のバンド分散幅を有したエネルギーバンドを形成する。エミッタ電極2は、正孔を第1および第2有機半導体層3,5に注入する電極であり、エミッタ電極2およびコレクタ電極6は仕事関数が大きい材料、ベース電極4は仕事関数が小さい材料で形成されている。 (もっと読む)


【課題】エミッタ電極−コレクタ電極間において、低電圧で大電流変調を可能とするトランジスタ素子を提供する。また、そうしたトランジスタ素子の製造方法、また、そのトランジスタ素子有する発光素子及びディスプレイを提供する。
【解決手段】エミッタ電極3とコレクタ電極2との間に、半導体層5(5A,5B)とシート状のベース電極4が設けられているトランジスタ素子により、上記課題を解決する。半導体層5は、エミッタ電極3とベース電極4との間及びコレクタ電極2とベース電極4との間に設けられて、それぞれ第2半導体層5B及び第1半導体層5Aを構成し、さらに、ベース電極の厚さが80nm以下であることが好ましい。また、少なくともエミッタ電極とベース電極との間又はコレクタ電極とベース電極との間には、暗電流抑制層が設けられていてもよい。 (もっと読む)


【課題】
ベース電極とコレクタ半導体の電荷注入障壁の制御が可能である、高性能な縦型薄膜のトランジスタ素子および製造方法を提供する。
【解決手段】
基板10上に、第一電極20と、コレクタ半導体層30と、ベース電極40と、エミッタ半導体層31と、第二電極21とを順次積層するトランジスタ素子において、コレクタ半導体層とエミッタ半導体層の間にベース電極が存在するようにするとともに、コレクタ半導体層が金属酸化物よりなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 大気圧下加熱処理などを行わずに、MBOT素子構造の改良により良好な電流増幅特性やON/OFF比を得る。
【解決手段】 エミッタ電極とコレクタ電極との間に有機半導体層とシート状のベース電極が設けられている有機トランジスタ素子であって、前記ベース電極とコレクタ電極の間に、電荷透過促進層を有するものとする。 (もっと読む)


【課題】期待される高周波特性を得ること、ならびに後続の回路で必要とされる駆動電流を得ることが可能なホットエレクトロントランジスタを提供する。
【解決手段】このホットエレクトロントランジスタ100は、コレクタ層3と、ベース層5と、エミッタ層7と、コレクタ層3とベース層5との間に形成されたコレクタバリア層4と、ベース層5とエミッタ層7との間に形成されたエミッタバリア層6とを備えている。そして、エミッタバリア層6とエミッタ層7との間のエネルギー障壁は実質的に存在しないとともに、コレクタバリア層4のエネルギー障壁の高さはエミッタバリア層6のエネルギー障壁の高さよりも低い。 (もっと読む)


【課題】2次元正孔ガス層をp型ベースとし且つ窒化物系半導体からなり高速に動作するバイポーラトランジスタを実現できるようにする。
【解決手段】バイポーラトランジスタは、窒化物半導体からなる第1の半導体層14を含むエミッタ層と、第1の半導体層14と比べてバンドギャップが小さい窒化物半導体からなり且つ第1の半導体層14と接して形成された第2の半導体層15を含むベース層と、第2の半導体層15における第1の半導体層14とは反対側の面と接して形成された窒化物半導体からなる第3の半導体層16を含むコレクタ層とを備えている。第2の半導体層15における第1の半導体層15と第2の半導体層14との界面領域には、2次元正孔ガス層が発生し、ベース層の一部と接するように選択的に形成されたベース電極19は、2次元正孔ガス層とオーミック接続している。 (もっと読む)


【課題】エミッタ電極−コレクタ電極間において、低電圧で大電流変調を可能とするトランジスタ素子を提供する。また、そうしたトランジスタ素子の製造方法、また、そのトランジスタ素子有する発光素子及びディスプレイを提供する。
【解決手段】エミッタ電極3とコレクタ電極2との間に、半導体層5(5A,5B)とシート状のベース電極4が設けられているトランジスタ素子により、上記課題を解決する。半導体層5は、エミッタ電極3とベース電極4との間及びコレクタ電極2とベース電極4との間に設けられて、それぞれ第2半導体層5B及び第1半導体層5Aを構成し、さらに、ベース電極の厚さが80nm以下であることが好ましい。また、少なくともエミッタ電極とベース電極との間又はコレクタ電極とベース電極との間には、暗電流抑制層が設けられていてもよい。 (もっと読む)


メタルベーストランジスタを示す。該トランジスタは、第一電極2及び第二電極6と、該第一及び第二電極間の電流流れを制御するベース電極3とを備える。第一電極2を半導体材料から作製する。ベース電極は、第一電極を形成する半導体材料の上に堆積した金属層である。本発明によれば、第二電極は、ベース電極3と電気接触した半導体ナノワイヤにより形成される。
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