国際特許分類［H01L29/92］の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置，他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 整流，増幅，発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり，少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有するもの；少なくとも１つの電位障壁または表面障壁，例．ＰＮ接合空乏層またはキャリア集中層，を有するコンデンサーまたは抵抗器；半導体本体または電極の細部（３１／００〜４７／００，５１／０５が優先；半導体本体または電極以外の細部２３／００；１つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置２７／００ (54,759) | 半導体装置の型 (42,689) | 整流，増幅，発振またはスイッチされる電流を流す１つ以上の電極に電流または電圧のみの変化のみを与えることにより制御可能なもの (2,569) | 電位障壁または表面障壁を有するコンデンサー (64)
国際特許分類［H01L29/92］の下位に属する分類
可変容量ダイオード，例．バラクタ (41)
金属―絶縁体―半導体，例．ＭＯＳ (21)
国際特許分類［H01L29/92］に分類される特許
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電力用半導体装置
【課題】消費電力を低減することができる電力用半導体装置を得る。
【解決手段】高耐圧ダイオードＤＢによりコンデンサＣＢを充電してハイサイド駆動回路１０ａの駆動電圧を得る電力用半導体装置において、高耐圧ダイオードＤＢは、Ｐ−型半導体基板１２と、Ｐ−型半導体基板１２の表面に設けられたＮ型カソード領域１４と、Ｎ型カソード領域１４内に設けられたＰ型アノード領域１６と、Ｐ型アノード領域１６内に設けられたＰ＋型コンタクト領域２０及びＮ＋型コンタクト領域２２と、Ｎ型カソード領域１４に接続されたカソード電極２４と、Ｐ＋型コンタクト領域２０及びＮ＋型コンタクト領域２２に接続されたアノード電極２６とを有する。
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半導体装置およびその製造方法
【課題】能動素子とＭＩＭキャパシタとを備え、その製造工程の短縮を可能とする構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板上に、オーミック電極を備えた能動素子と、下側電極と上側電極との間に誘電体層が介在するＭＩＭキャパシタとが設けられた構造を有し、下側電極とオーミック電極とが同じ構造を有する。例えば、ＧａＡｓ基板１０上に、能動素子としてのＦＥＴと、ＭＩＭキャパシタとが設けられたＭＭＩＣ１００では、ＦＥＴのオーミック電極たるソース・ドレイン電極１６ａ・１６ｂと、ＭＩＭキャパシタの下側電極１６ｃとを同時に形成することにより、これらを同じ金属からなる構造とする。
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