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国際特許分類[H01P1/00]の内容

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【課題】線路を伝播する不要な高周波信号を抑制するとともに、スルーホールから不要な高周波信号が輻射されるのを低減するように構成された高周波モジュールを提供する。
【解決手段】バイアス線路123、124のそれぞれから分岐部131、141で分岐させ合流部132、142で合流させた分岐線路130、140を設けている。分岐線路140の電気長L2と分岐部141から合流部142までのバイアス線路124の電気長L1との差(L2−L1)が、不要な高周波信号の実効的な波長λgの1/2またはその奇数倍に略等しくなるように電気長L1、L2を設定する。 (もっと読む)


【課題】高周波の不要波抑圧の性能を低下させることなく、しかも小型の高周波装置を提供する。
【解決手段】高周波装置の一例は、高周波信号の所定周波数成分を除去し、内部導体とこれを囲む外部導体とを有する構造の出力端子を持つ高周波フィルタと、この高周波フィルタの出力端子に一端を接続される同軸コネクタと、前記高周波フィルタ及び前記同軸コネクタの一部を内蔵し、前記同軸コネクタの他端を外部に露出させたケースと、を有する。 (もっと読む)


【課題】EBG構造体が大型化せずとも、不要放射や表面伝播の抑制効果をより高める。
【解決手段】第一基板3の一方の面3aにグランド層4を形成し、第二基板10の一方の面10aにシード層27を形成した後、第一レジスト28をパターニングし、電解メッキにより第一レジスト28の開口29内に導体層22を成長させ、第一レジスト28の除去後に厚い第二レジスト30をパターニングし、電解メッキを行うことで第二レジスト30の開口31内に柱状導体24を成長させ、第二レジスト30の除去後にシード層27をエッチングによりパターニングし、第二基板10の一方の面10aに誘電体層17を形成し、誘電体層17の表面を研削することで柱状導体24の上面を露出させ、半田バンプ5により柱状導体24の上面とグランド層4を接合する。 (もっと読む)


【課題】マイクロ波の動作周波数でインピーダンスが低くなるが、同じ周波数ではインピーダンスが同様であるコンデンサより小さなチップ面積を使うバイパス回路を提供する。
【解決手段】バイアス接続用のバイパス回路は、コイルと直列のコンデンサを備え、その直列結合がバイアス導体とアースの間に接続される。この直列結合により、動作周波数での反射減衰量が低くなる。他の周波数で損失を与えるために、バイパス回路内にデキューイング回路18を含んでもよい。 (もっと読む)


【課題】高周波伝送線路の遮断周波数を従来構造のものより高くして、広帯域に亘って挿入損失を低減した高周波伝送線路およびアンテナ装置を構成する。
【解決手段】高周波伝送線路101の第1端FPにアンテナが接続され、第2端SPにコネクタが接続される。マイクロストリップラインMSLの特性インピーダンスZb1はストリップラインSL1,SL2の特性インピーダンスより高く、コプレーナラインCPLの特性インピーダンスZb2はストリップラインSL2の特性インピーダンスより高いので、或る周波数でマイクロストリップラインMSLの位置およびコプレーナラインCPLの位置が電圧最大(電圧強度分布の腹)となるような定在波が生じる。すなわち、3/4波長共振が基本波(最低次の高調波)モードとなる。したがって、高周波伝送線路の遮断周波数が高く、広帯域に亘って信号の挿入損失は低く抑えられる。 (もっと読む)


【課題】共鳴トンネルダイオードを利用した低雑音のテラヘルツ発振検出素子を提供する。
【解決手段】半導体基板1上に配置された第2の電極2と、第2の電極2上に配置された絶縁層3と、第2の電極2に対して絶縁層3を介して配置され、かつ半導体基板1上に第2の電極2に対向して配置された第1の電極4と、半導体基板1上に対向する第1の電極4と第2の電極2間に配置された共振器60と、共振器60の略中央部に配置された能動素子90と、共振器60に隣接して、半導体基板1上に対向する第1の電極4と第2の電極2間に配置された導波路70と、導波路70に隣接して、半導体基板1上に対向する第1の電極4と第2の電極2間に配置されたホーン開口部80と、第1の電極4と第2の電極2間に接続されたショットキーバリアダイオード30とを備える。 (もっと読む)


【課題】高利得の増幅器の発振を防止することができるようにする。
【解決手段】キャビティ2,3の外側に配置されており、一方の端子が増幅器5のバイアス端子5cと接続され、他方の端子6aが増幅器4の入力端子4aと同じ側に配置されているローパスフィルタ6と、パッケージ1の接地面1bと接続されている状態で、パッケージ1及びローパスフィルタ6の周囲を覆っている導電性ケース7と、パッケージ1の上面1aに配置され、パッケージ1の接地面1bと電気的に接続されている導電性のキャップ8と、導電性ケース7の上面7aと導電性のキャップ8を接続している導電性の弾性体9とを備える。 (もっと読む)


【課題】装置の大型化、伝送周波数における通過損失の上昇を招くことなく、高周波帯域の不要波による影響を抑制可能とするリミッタ回路を得る。
【解決手段】誘導性のマイクロストリップ線路1を含む入力側経路11と、誘導性のマイクロストリップ線路2を含む出力側経路12と、一端が接地され、他端が入力側経路11と出力側経路12との間に接続されたPINダイオード3と、を備え、PINダイオード3がキャパシタ性を有する小信号入力時において、入力側経路11および出力側経路12のインダクタンス値とPINダイオード3のキャパシタンス値とにより、当該リミッタ回路の伝送周波数を遮断周波数以下の通過帯域に含み、且つ、不要波の周波数を通過帯域に含まないローパスフィルタを形成する。 (もっと読む)


【課題】主として、回路基板に接続するときの部品点数を削減でき、回路基板に容易に取り付けることができる高周波同軸コネクタの実装構造及び高周波同軸コネクタの接続方法を提供する。
【解決手段】高周波同軸コネクタ10と回路基板26を接続する場合には、コネクタ芯線22と回路基板26の高周波回路パターン28が一致するようにして、L形状のフランジ12を構成する水平部14とコネクタ芯線22との間に回路基板26を挿入し、回路基板26の端面が垂直部16に当接した状態で、回路基板26とフランジ12をねじ留めして、半田付けされる。 (もっと読む)


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