エミッタ結合形無安定マルチバイブレータ
【課題】デューティ比を大きく可変できるエミッタ結合形無安定マルチバイブレータを提供する。
【解決手段】第１、第２のトランジスタＱ１、Ｑ２の負荷抵抗Ｒ１、Ｒ２に並列にクリッピング素子Ｑ３、Ｑ４を接続した無安定マルチバイブレータにおいて、それぞれのクリッピング素子Ｑ３、Ｑ４に流入する電流を可変することによって、エミッタ結合形無安定マルチバイブレータの出力に得られる信号のデューティをコントロールすることを特徴とする。
【解決手段】第１、第２のトランジスタＱ１、Ｑ２の負荷抵抗Ｒ１、Ｒ２に並列にクリッピング素子Ｑ３、Ｑ４を接続した無安定マルチバイブレータにおいて、それぞれのクリッピング素子Ｑ３、Ｑ４に流入する電流を可変することによって、エミッタ結合形無安定マルチバイブレータの出力に得られる信号のデューティをコントロールすることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
エミッタ結合形無安定マルチバイブレータのデューティコントロール技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に用いられるエミッタ結合形無安定マルチバイブレータの回路を図２に示す。
図２において、Q1、Q2は交互にオンオフする第１、第２のトランジスタで、その各エミッタ間にコンデンサＣが接続される。第１、第２のトランジスタQ1、Q2の各エミッタにはそれぞれ抵抗R3、R4を介して接地される。
【０００３】
ベース及びコレクタを共通接続したダイオード接続の第３、第４のトランジスタQ3、Q4のそれぞれのエミッタが第１、第２のトランジスタQ1、Q2のコレクタに接続されるとともにそれぞれのベース及びコレクタが電源Vccに接続される。そして、電源Vccと第１、第２のトランジスタQ1、Q2のコレクタ間に、それぞれマルチバイブレータを構成するそれぞれの負荷抵抗R1、R2が接続される。第１、第２のトランジスタQ1、Q2のコレクタ側が出力Voとなる。ここで、第３、第４のトランジスタQ3、Q4は第１、第２のトランジスタQ1、Q2を飽和させないようにして、エミッタ結合形無安定マルチバイブレータの動作を早くするためのスピードアップ用クリッピング素子で出力波形の立ち上がり、立ち下がりを急峻にするためのものである。以上がエミッタ結合形無安定マルチバイブレータの構成である。
【０００４】
本回路のようなエミッタ結合においては、出力波形は、一般的にデューティ５０％の矩形波であるが、あえてデューティを前後したい場合は抵抗R3、R4の比を１：１以外にするという手法が用いられる。
なお、本回路における出力周波数は制御信号を固定した場合、次式で与えられる。
ｆo＝I／（４*Vbe*Ｃ）
ただし、Vbeは第３、第４のトランジスタQ3、Q4のVceであり、かつ、第１、第２のトランジスタQ1、Q2のベース・エミッタ間電圧と等しいとする。
【０００５】
【特許文献１】特開平４−１１７０１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、抵抗R3、R4の比を１：１から大きく変えると出力に得られる波形の立ち上がり特性が緩慢となるため、デューティ比を大きくコントロールすることは困難であった。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑み、デューティ比を大きく可変できるエミッタ結合形無安定マルチバイブレータを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
第１、第２のトランジスタのそれぞれの負荷抵抗と並列にクリッピング素子を接続したエミッタ結合形無安定マルチバイブレータにおいて、それぞれのクリッピング素子に流入する電流を可変することによって、エミッタ結合形無安定マルチバイブレータの出力に得られる信号のデューティをコントロールすることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、それぞれのクリッピング素子に流入する電流を可変することによって、エミッタ結合形無安定マルチバイブレータの出力に得られる信号のデューティをコントロールするができる。
【実施例】
【００１０】
以下に、図１を参照して、本発明の実施例を説明する。
図１は本発明の一実施例であるエミッタ結合形無安定マルチバイブレータを示す。図１において図２と対応する部分には同一符号を付して説明する。
【００１１】
Q1、Q2は交互にオンオフするNPN形の第１、第２のトランジスタで、その各エミッタ間にコンデンサＣが接続される。第１、第２のトランジスタQ1、Q2の各エミッタはそれぞれ抵抗R3、R4を介して接地される。
【００１２】
そして、ベース及びコレクタを共通接続したダイオード接続の第３、第４のトランジスタQ3、Q4のコレクタ（およびベース）同士を可変抵抗Rcを挟んで接続され、かつ、可変抵抗Rcの摺動子は電源Vccに接続される。また、電源Vccと第１、第２のトランジスタQ1、Q2のそれぞれのコレクタとの間にそれぞれの負荷抵抗R1、R2が接続されている。
そして、第３、第４のトランジスタQ3、Q4のそれぞれのエミッタは第１、第２のトランジスタQ1、Q2のそれぞれのコレクタに接続され、出力端子に接続される。
【００１３】
このように、可変抵抗Rcの摺動子位置を第３、第４のトランジスタQ3、Q4のコレクタ・ベース接続点に近接させることによって第３、第４のトランジスタQ3、Q4を流れる電流をコントロールし、出力デューティを任意に得ることができる。
【００１４】
第３、第４のトランジスタQ3、Q4を流れる電流をコントロールすることで、デューティ比をコントロールする訳であるが、第３、第４のトランジスタQ3またはQ4の等価抵抗はR1、R2又はR3、R4に比較して極めて小さいため、R1〜R4 ＞＞ RcとしてもΔRcの影響は大きく、デューティも大きく変化する。
【００１５】
以上、本発明のエミッタ結合形無安定マルチバイブレータの好適な実施例を図１を参照して説明した。しかし、これらは単なる例示にすぎず、例えば、要求仕様によっては可変抵抗Rcを第３、第４のトランジスタQ3またはQ4の一方だけに挿入してもよい。また、可変抵抗Rcはアクティブ素子をもちいてもよい。さらにまた、第３、第４のトランジスタQ3、Q4はダイオードを用いてもよい。このように、本発明の精神を逸脱することなく、特定用途に応じて種々の変形変更が可能であることが当業者には容易に理解できよう。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施例であるエミッタ結合形無安定マルチバイブレータの回路図
【図２】従来のエミッタ結合形無安定マルチバイブレータの回路図
【符号の説明】
【００１７】
Q1、Q2 第１、第２のトランジスタ
Q3、Q4 第３、第４のトランジスタ（クリッピング素子）
R1、R2、R3、R4 抵抗
Rc 可変抵抗
Ｃ コンデンサ
Vcc 電源
Vo 出力端子
【技術分野】
【０００１】
エミッタ結合形無安定マルチバイブレータのデューティコントロール技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に用いられるエミッタ結合形無安定マルチバイブレータの回路を図２に示す。
図２において、Q1、Q2は交互にオンオフする第１、第２のトランジスタで、その各エミッタ間にコンデンサＣが接続される。第１、第２のトランジスタQ1、Q2の各エミッタにはそれぞれ抵抗R3、R4を介して接地される。
【０００３】
ベース及びコレクタを共通接続したダイオード接続の第３、第４のトランジスタQ3、Q4のそれぞれのエミッタが第１、第２のトランジスタQ1、Q2のコレクタに接続されるとともにそれぞれのベース及びコレクタが電源Vccに接続される。そして、電源Vccと第１、第２のトランジスタQ1、Q2のコレクタ間に、それぞれマルチバイブレータを構成するそれぞれの負荷抵抗R1、R2が接続される。第１、第２のトランジスタQ1、Q2のコレクタ側が出力Voとなる。ここで、第３、第４のトランジスタQ3、Q4は第１、第２のトランジスタQ1、Q2を飽和させないようにして、エミッタ結合形無安定マルチバイブレータの動作を早くするためのスピードアップ用クリッピング素子で出力波形の立ち上がり、立ち下がりを急峻にするためのものである。以上がエミッタ結合形無安定マルチバイブレータの構成である。
【０００４】
本回路のようなエミッタ結合においては、出力波形は、一般的にデューティ５０％の矩形波であるが、あえてデューティを前後したい場合は抵抗R3、R4の比を１：１以外にするという手法が用いられる。
なお、本回路における出力周波数は制御信号を固定した場合、次式で与えられる。
ｆo＝I／（４*Vbe*Ｃ）
ただし、Vbeは第３、第４のトランジスタQ3、Q4のVceであり、かつ、第１、第２のトランジスタQ1、Q2のベース・エミッタ間電圧と等しいとする。
【０００５】
【特許文献１】特開平４−１１７０１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、抵抗R3、R4の比を１：１から大きく変えると出力に得られる波形の立ち上がり特性が緩慢となるため、デューティ比を大きくコントロールすることは困難であった。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑み、デューティ比を大きく可変できるエミッタ結合形無安定マルチバイブレータを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
第１、第２のトランジスタのそれぞれの負荷抵抗と並列にクリッピング素子を接続したエミッタ結合形無安定マルチバイブレータにおいて、それぞれのクリッピング素子に流入する電流を可変することによって、エミッタ結合形無安定マルチバイブレータの出力に得られる信号のデューティをコントロールすることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、それぞれのクリッピング素子に流入する電流を可変することによって、エミッタ結合形無安定マルチバイブレータの出力に得られる信号のデューティをコントロールするができる。
【実施例】
【００１０】
以下に、図１を参照して、本発明の実施例を説明する。
図１は本発明の一実施例であるエミッタ結合形無安定マルチバイブレータを示す。図１において図２と対応する部分には同一符号を付して説明する。
【００１１】
Q1、Q2は交互にオンオフするNPN形の第１、第２のトランジスタで、その各エミッタ間にコンデンサＣが接続される。第１、第２のトランジスタQ1、Q2の各エミッタはそれぞれ抵抗R3、R4を介して接地される。
【００１２】
そして、ベース及びコレクタを共通接続したダイオード接続の第３、第４のトランジスタQ3、Q4のコレクタ（およびベース）同士を可変抵抗Rcを挟んで接続され、かつ、可変抵抗Rcの摺動子は電源Vccに接続される。また、電源Vccと第１、第２のトランジスタQ1、Q2のそれぞれのコレクタとの間にそれぞれの負荷抵抗R1、R2が接続されている。
そして、第３、第４のトランジスタQ3、Q4のそれぞれのエミッタは第１、第２のトランジスタQ1、Q2のそれぞれのコレクタに接続され、出力端子に接続される。
【００１３】
このように、可変抵抗Rcの摺動子位置を第３、第４のトランジスタQ3、Q4のコレクタ・ベース接続点に近接させることによって第３、第４のトランジスタQ3、Q4を流れる電流をコントロールし、出力デューティを任意に得ることができる。
【００１４】
第３、第４のトランジスタQ3、Q4を流れる電流をコントロールすることで、デューティ比をコントロールする訳であるが、第３、第４のトランジスタQ3またはQ4の等価抵抗はR1、R2又はR3、R4に比較して極めて小さいため、R1〜R4 ＞＞ RcとしてもΔRcの影響は大きく、デューティも大きく変化する。
【００１５】
以上、本発明のエミッタ結合形無安定マルチバイブレータの好適な実施例を図１を参照して説明した。しかし、これらは単なる例示にすぎず、例えば、要求仕様によっては可変抵抗Rcを第３、第４のトランジスタQ3またはQ4の一方だけに挿入してもよい。また、可変抵抗Rcはアクティブ素子をもちいてもよい。さらにまた、第３、第４のトランジスタQ3、Q4はダイオードを用いてもよい。このように、本発明の精神を逸脱することなく、特定用途に応じて種々の変形変更が可能であることが当業者には容易に理解できよう。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施例であるエミッタ結合形無安定マルチバイブレータの回路図
【図２】従来のエミッタ結合形無安定マルチバイブレータの回路図
【符号の説明】
【００１７】
Q1、Q2 第１、第２のトランジスタ
Q3、Q4 第３、第４のトランジスタ（クリッピング素子）
R1、R2、R3、R4 抵抗
Rc 可変抵抗
Ｃ コンデンサ
Vcc 電源
Vo 出力端子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１、第２のトランジスタのそれぞれの負荷抵抗と並列にクリッピング素子を接続したエミッタ結合形無安定マルチバイブレータにおいて、
それぞれのクリッピング素子に流入する電流を可変することによって、無安定マルチバイブレータの出力に得られる信号のデューティをコントロールすることを特徴とするエミッタ結合形無安定マルチバイブレータ。
【請求項２】
前記クリッピング素子はトランジスタまたはダイオードを用いたことを特徴とする請求項１記載のエミッタ結合形無安定マルチバイブレータ。
【請求項１】
第１、第２のトランジスタのそれぞれの負荷抵抗と並列にクリッピング素子を接続したエミッタ結合形無安定マルチバイブレータにおいて、
それぞれのクリッピング素子に流入する電流を可変することによって、無安定マルチバイブレータの出力に得られる信号のデューティをコントロールすることを特徴とするエミッタ結合形無安定マルチバイブレータ。
【請求項２】
前記クリッピング素子はトランジスタまたはダイオードを用いたことを特徴とする請求項１記載のエミッタ結合形無安定マルチバイブレータ。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２００９−２９６４１４（Ｐ２００９−２９６４１４Ａ）
【公開日】平成２１年１２月１７日（２００９．１２．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１４８９６２（Ｐ２００８−１４８９６２）
【出願日】平成２０年６月６日（２００８．６．６）
【出願人】（０００００３０８９）東光株式会社 (243)
【公開日】平成２１年１２月１７日（２００９．１２．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年６月６日（２００８．６．６）
【出願人】（０００００３０８９）東光株式会社 (243)
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