セミアディティブ法による銅配線絶縁フィルムの製造法、及びこれらから製造された銅配線絶縁フィルム
【課題】キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、ＩＣなどのチップを実装する場合に接続不良や配線倒れの発生を抑制した、ファインピッチな配線にも適用可能なセミアディティブ法による銅配線絶縁フィルムの製造法を提供する。
【解決手段】銅箔の厚みが０．５〜５μｍのキャリア付き銅箔を絶縁フィルムの片面或いは両面に積層されているキャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法による銅配線絶縁フィルムの製造法であり、銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねり又は銅箔積層絶縁フィルムの銅箔を除去して得られる絶縁フィルム表面特性が（ａ１）うねりの波長が５μｍ以下、（ｂ１）うねりの波長が１２０ｍｍ以上、及び（ｃ１）うねりの波長が５μｍを超えて１２０ｍｍ未満でかつうねりの振幅が０．５μｍ以下より選ばれること。
【解決手段】銅箔の厚みが０．５〜５μｍのキャリア付き銅箔を絶縁フィルムの片面或いは両面に積層されているキャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法による銅配線絶縁フィルムの製造法であり、銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねり又は銅箔積層絶縁フィルムの銅箔を除去して得られる絶縁フィルム表面特性が（ａ１）うねりの波長が５μｍ以下、（ｂ１）うねりの波長が１２０ｍｍ以上、及び（ｃ１）うねりの波長が５μｍを超えて１２０ｍｍ未満でかつうねりの振幅が０．５μｍ以下より選ばれること。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法による銅配線絶縁フィルムの製造法に関するものであり、特にＩＣなどのチップを実装する場合に接続不良や配線倒れの発生を抑制した銅配線絶縁フィルムを得るための銅配線絶縁フィルムの製造法に関する。
【背景技術】
【０００２】
カメラ、パソコン、液晶ディスプレイなどの電子機器類への用途として芳香族ポリイミドフィルムは広く使用されている。
芳香族ポリイミドフィルムをフレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）やテ−プ・オ−トメイティッド・ボンディング（ＴＡＢ）などの基板材料として使用するためには、エポキシ樹脂などの接着剤を用いて銅箔を張り合わせる方法が採用されている。
【０００３】
銅箔としてキャリア付き極薄銅箔を用いた銅張積層板が開示されている。
特許文献１には、厚みが１〜８μｍの銅箔、熱可塑性ポリイミド樹脂を主成分とする接着層、および耐熱性フィルムを備えた、銅張積層体が開示されている。
特許文献２には、合成樹脂フィルムの片面または両面に金属層を設けてなる金属積層体において、前記金属層が５ミクロン以下の金属箔である積層体が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−３１６３８６号公報
【特許文献２】ＷＯ２００２／０３４５０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
キャリア付き銅箔積層フィルムを用いて、銅箔と絶縁フィルムの密着性が良好で、セミアディティブ法により直線性に優れる微細配線を形成可能で、回路視認性の優れた銅配線ポリイミドフィルムの製造法が公開されている。しかし、平滑な銅箔を作製するとき、銅箔表面にはうねりが発生する。銅配線板を製造するとき、銅箔積層フィルムの銅積層側のフィルム表面にうねりがある場合、うねりの上に形成された配線はうねりの影響を受けて傾く可能性がある。そのためＩＣ等のチップを実装する場合、うねりのある配線板は、うねりの無い配線板よりも、接続不良や配線の倒れが発生する可能性が高くなると考えらる。特に配線ピッチが小さくなればなるほどその影響は大きくなると考える。同様に絶縁フィルム表面の形状は、積層する銅箔表面形状のレプリカとなる場合が多く、配線を形成する絶縁フィルム表面のうねりも重要になる。
本発明は、キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、ＩＣなどのチップを実装する場合に接続不良や配線倒れの発生を抑制した、ファインピッチな配線にも適用可能なセミアディティブ法による銅配線絶縁フィルムの製造法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第一は、銅箔の厚みが０．５〜５μｍのキャリア付き銅箔を絶縁フィルムの片面或いは両面に積層されているキャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法による銅配線絶縁フィルムの製造法であり、
銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねり又は銅箔積層絶縁フィルムの銅箔を除去して得られる絶縁フィルム表面のうねりが下記特性（ａ１）、（ｂ１）及び（ｃ１）より選ばれる特性、好ましくは下記特性（ａ２）、（ｂ２）及び（ｃ１）より選ばれる特性を有することを特徴とする銅配線絶縁フィルムの製造法に関する。
・特性（ａ１）：うねりの波長が５μｍ以下。
・特性（ｂ１）：うねりの波長が１２０ｍｍ以上。
・特性（ｃ１）：うねりの波長が５μｍを超えて１２０ｍｍ未満でかつうねりの振幅が０．５μｍ以下。
・特性（ａ２）：うねりの波長が５μｍ以下でかつうねりの振幅が５μｍ以下。
・特性（ｂ２）：うねりの波長が１２０ｍｍ以上でかつうねりの振幅が５μｍ以下。
本発明の第ニは、上記本発明の第一の銅配線絶縁フィルムの製造方法により製造された銅配線絶縁フィルムに関する。
本発明の銅配線絶縁フィルムは、ＩＣなどのチップを実装する場合に接続不良や配線倒れの発生を抑制された配線フィルムである。
【０００７】
本発明の第一の銅配線絶縁フィルムの製造方法により、１０〜４５μｍピッチ、好ましくは１５〜３５μｍピッチの銅配線部分を有する銅配線絶縁フィルムを製造することが出来、これらの銅配線絶縁フィルムは、ＩＣなどのチップを実装する場合に接続不良や配線倒れの発生を抑制された銅配線絶縁フィルムを製造することが出来る。
本発明の第一の銅配線絶縁フィルムの製造方法において、積層に用いる絶縁フィルムとの積層側の銅箔表面のうねり、積層後の絶縁フィルムの積層側の銅箔表面のうねり、或いは銅箔積層絶縁フィルムの銅箔を除去して得られる絶縁フィルム表面のうねりは、銅箔や絶縁フィルムなどの基材表面全体、好ましくは銅箔や絶縁フィルムなどの基材の銅配線を形成する表面のうねり、より好ましくは１０〜４５μｍピッチ、さらに好ましくは１５〜３５μｍピッチの銅配線を形成する部分の絶縁フィルム表面のうねりを意味する。
【０００８】
一般にうねりとは、断面曲線から波長の短い表面粗さの成分を除去して得られる曲線で、例えばＪＩＳ・Ｂ０６１０に表面うねりとして規定されている。
本発明においては、ＩＣなどのチップと銅配線の接続不良を、低波長から高波長まで広範囲を想定して説明しており、波長の短い表面粗さの成分も含めてうねりとして、うねり曲線は波長と振幅で定義する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明により、キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法により、ＩＣなどのチップを実装する場合に接続不良や配線倒れの発生を抑制された配線フィルムを製造することができ、ピッチ間隔を小さくしてもＩＣなどのチップを実装する場合に接続不良や配線倒れの発生を抑制された配線フィルムを製造することができる。
本発明により製造された銅配線絶縁フィルムは、フレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）やテ−プ・オ−トメイティッド・ボンディング（ＴＡＢ）、チップ・オン・フィルム（ＣＯＦ）などの配線基板として利用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、実施の態様により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施の態様に限定されるものではない。
【００１１】
本発明の銅配線絶縁フィルムの製造方法について、一実施の態様を以下に示す。
図１には、キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法により銅配線絶縁フィルムを製造する方法の一例を、工程（ａ）から工程（ｈ）の順序で示す。本発明では公知のセミアディティブ法を用いることができる。
図１（ａ）には、本発明の銅配線絶縁フィルムの製造に用いるキャリア付き銅箔積層絶縁フィルム１を示し、絶縁フィルム２とキャリア付き銅箔３とが積層している。キャリア付き銅箔３は、銅箔４とキャリア５とが積層している。
図１（ｂ）では、キャリア付き銅箔積層絶縁フィルム１よりキャリア箔５を剥がし、銅箔と絶縁フィルムとが直接積層している銅箔積層絶縁フィルムが得られる。
図１（ｃ）では、必要に応じて銅箔積層絶縁フィルムの銅箔を薄くするためにエッチングを行ない（ハーフエッチング）、
図１（ｄ）では、銅箔積層絶縁フィルムの銅箔の上部にフォトレジスト層１７を設け、
図１（ｅ）では、配線パターンのマスクを用いて、フォトレジスト層を露光し、配線パターンとなる部位を現像除去し、配線パターンとなる銅箔が現れ、
図１（ｆ）では、フォトレジスト層１７を除去して現れる配線パターンとなる銅箔の上部に銅メッキ層１０を設け、
図１（ｇ）では、銅箔上の配線パターンとならない部位のフォトレジスト層１７を除去し、
図１（ｈ）では、配線パターンとならない部位の銅箔をフラッシュエッチングにより除去し、銅配線絶縁フィルムを製造することができる。
さらに図１（ｉ）では、銅配線絶縁フィルムの銅配線の少なくとも一部に錫メッキなどの金属メッキ層９を設けることにより、金属メッキされた銅配線絶縁フィルムを製造することができる。
【００１２】
図１（ｃ）の銅箔の薄膜化工程（ハーフエッチング）は必要に応じて行なえばよく、例えば銅箔の厚さが厚い場合は、銅箔の薄膜化工程を行なうことが好ましい。
銅箔の厚いや薄いは、使用する目的に応じて適宜判断すればよく、好ましくはエッチングによりエッチング後の銅箔の厚みが少なくとも０．５μｍ以上となるように行うことが好ましい。
【００１３】
図１（ｃ）の銅箔のハーフエッチングとしては、公知の方法を適宜選択して行なうことが出来、例えば銅箔積層絶縁フィルムを公知のハーフエッチング液に浸漬、あるいはスプレー装置で噴霧する方法などで銅箔を更に薄くする方法を用いることができる。ハーフエッチ液としては、公知のものを用いることができ、例えば硫酸に過酸化水素を混合したものや、あるいは過硫酸ソーダの水溶液を主成分とするものがあげられ、例えば荏原ユージライト製ＤＰ−２００や旭電化工業製アデカテックＣＡＰなどがあげられる。
【００１４】
図１（ｄ）において、フォトレジスト層は、ネガ型やポジ型を用いることが出来、液体状、フィルム状などを用いることができる。
フォトレジストは、代表的にはネガ型のドライフィルムタイプのレジストを熱ラミネートにより、あるいはポジ型の液状タイプのレジストを塗工乾燥して銅箔上に形成する方法が挙げられる。ネガ型の場合は露光部以外が現像で除去され、一方ポジ型の場合は露光部が現像で除去される。ドライフィルムタイプのレジストは容易に厚い厚みのものが得られる。ネガ型ドライフィルムタイプのフォトレジストとして例えば旭化成製ＳＰＧ−１５２、日立化成製ＲＹ−３２１５などがあげられる。
【００１５】
図１（ｅ）のフォトレジスト層を現像除去する方法としては、公知のフォトレジスト層の現像除去する薬剤を適宜選択して用いることができ、例えば炭酸ソーダ水溶液（１％など）などをスプレーしてフォトレジスト層を現像除去することができる。
【００１６】
図１（ｆ）の銅メッキ工程としては、公知の銅メッキ条件を適宜選択して行なうことができ、例えば、銅箔の露出部を酸等で洗浄し、代表的には硫酸銅を主成分とする溶液中で銅箔をカソード電極として０．１〜１０Ａ／ｄｍ２の電流密度で電解銅めっきを行ない、銅層を形成することができ、例えば硫酸銅が１８０〜２４０ｇ／ｌ、硫酸４５〜６０ｇ／ｌ、塩素イオン２０〜８０ｇ／ｌ、添加剤としてチオ尿素、デキストリン又はチオ尿素と糖蜜とを添加して行なう方法がある。
【００１７】
図１（ｈ）のフラッシュエッチング工程では、フラッシュエッチング液を用いて、浸漬又はスプレーにより露出した銅配線パターン部位以外の薄膜銅を除去する。
フラッシュエッチング液としては、公知のものを用いることができ、例えば硫酸に過酸化水素を混合したものや、あるいは希薄な塩化第ニ鉄の水溶液を主成分とするものがあげられ、例えば荏原電産製ＦＥ−８３０、旭電化工業製ＡＤ−３０５Ｅなどがあげられる。ここで薄銅箔を除去する際、回路部（配線）の銅も溶解するが薄銅箔を除去するのに必要なエッチング量は少量であるため実質的に問題ない。
【００１８】
キャリア付銅箔を両面に積層した絶縁フィルムを用いてセミアディティブ法により、銅配線絶縁フィルムの製造する方法の一例を図２に、工程（ａ）から工程（ｉ）の順序で示す。
図２（ａ）には、本発明の銅配線絶縁フィルムの製造に用いる両面にキャリア付き銅箔を積層した絶縁フィルム１００を示し、キャリア付き銅箔３と絶縁フィルム２とキャリア付き銅箔３’との順で積層している。キャリア付き銅箔３は、銅箔４とキャリア５とが積層している。キャリア付き銅箔３’は、銅箔４’とキャリア５’とが積層している。
図２（ｂ）では、両面キャリア付き銅箔積層絶縁フィルム１００よりキャリア箔５及びキャリア箔５’を剥がし、銅箔４と絶縁フィルムと銅箔４’とが直接積層している両面銅箔積層絶縁フィルムが得られる。
図２（ｃ）では、両面銅箔積層絶縁フィルムの銅箔（４，４’）を薄くするためにエッチングを行ない（ハーフエッチング）、その後両面銅箔積層絶縁フィルムの両面の電解銅箔および絶縁層の一部にレーザーなどを用いて、貫通孔３１を形成する。貫通孔は複数設けることができる。孔形成加工とハーフエッチングとは順序が逆になっても良い。
図２（ｄ）では、銅箔積層絶縁フィルムの貫通孔３１の絶縁表面に導電化皮膜を形成し、銅箔４と銅箔４’を導通させる。
図２（ｅ）では、銅箔積層絶縁フィルムの銅箔（４，４’）の上部にフォトレジスト層（１７、１７’）を設け、
図２（ｆ）では、配線パターンのマスクを用いて、フォトレジスト層を露光し、配線パターンとなる部位を現像除去し、配線パターンとなる複数の銅箔部分（３２、３２’）が現れ、
図２（ｇ）では、フォトレジスト層（１７、１７’）を除去して現れる銅箔部分（３２、３２’）の上部に銅メッキ層（１０、１０’）を設け、
図２（ｈ）では、銅箔上の配線パターンとならない部位のフォトレジスト層を除去し、
図２（ｉ）では、配線パターンとならない部位の銅箔などの銅をフラッシュエッチングにより除去し、両面銅配線絶縁フィルム１０１を製造することができる。
図２（ｉ）で、両面銅配線絶縁フィルム１０１のフラッシュエッチングで銅を除去している部分を記号８、８’で示す。
両面銅配線絶縁フィルム１０１の貫通孔の上部に形成されている両面の銅配線は導通している。
さらに図２（ｊ）では、両面銅配線絶縁フィルム１０１の銅配線の少なくとも一部に錫メッキなどの金属メッキ層（９、９’）を設けることにより、金属メッキされた両面銅配線絶縁フィルム１０２を製造することができる。
さらに両面銅配線絶縁フィルム１０１又は金属メッキされた両面銅配線絶縁フィルム１０２は、銅配線の一部に、ＩＣチップなどのチップ部材や他の金属配線を、ＡＣＦや金などの金属や合金により１つ以上接続することが出来る。
【００１９】
図３の工程（ａ）から工程（ｄ）には、図２の工程（ａ）から工程（ｃ）の別の一例を示す。
図３（ａ）には、本発明の銅配線絶縁フィルムの製造に用いる両面にキャリア付き銅箔を積層した絶縁フィルム１００を示し、キャリア付き銅箔３と絶縁フィルム２とキャリア付き銅箔３’との順で積層している。キャリア付き銅箔３は、銅箔４とキャリア５とが積層している。キャリア付き銅箔３’は、銅箔４’とキャリア５’とが積層している。
図３（ｂ）では、両面キャリア付き銅箔積層絶縁フィルム１００より片面のキャリア箔５のみを剥がし、銅箔４と絶縁フィルムと銅箔４’とキャリア５’が直接積層している両面銅箔積層絶縁フィルムが得られる。
図３（ｃ）では、両面銅箔積層絶縁フィルムの両面の電解銅箔および絶縁層の一部にレーザーなどを用いて、貫通孔３１を形成する加工を行なう。この場合、キャリア５’にも貫通孔を形成してもよい。さらに銅箔４’とキャリア５’を残し、ブラインドビアを形成してもよい。貫通孔またはブラインドビアは複数設けることができる。
図３（ｂ）又は図３（ｃ）のキャリア５’はフィルムの支持体として、又は貫通孔加工時の保護材として、有効に利用することができる。
図３（ｄ）では、その後キャリア５’を剥がし、さらに必要に応じて両面銅箔積層絶縁フィルムの銅箔（４，４’）を薄くするためにエッチングを行なう（ハーフエッチング）。
図３（ｄ）で得られる両面銅箔積層絶縁フィルムは、以後図２の工程（ｄ）以降の処理を行なうことができる。
【００２０】
図１、図２或いは図３で示す工程では、ロールツウロールで連続して処理することができる。
【００２１】
キャリア付銅箔などの極薄銅箔を両面に積層した絶縁フィルムを用いてセミアディティブ法により、回路を形成する方法の具体的一例を示す。
キャリア付銅箔を用いる場合には片面又は両面のキャリア箔を引き剥がす前若しくは剥がした後に、例えばＵＶ−ＹＡＧレーザーで片面又は両面の銅箔と、絶縁フィルムの一部とを同時に除去して、貫通孔又はブラインドビア孔を形成する。或いは、絶縁フィルムに穴をあける部位の銅箔を予めエッチング等で除去した上で炭酸ガスレーザーを照射して絶縁フィルムを除去しブラインドビアを形成したり、あるいはパンチまたはドリルにより両面を貫通する孔を形成してもよい。必要に応じて、孔形成前または後に銅張積層板を公知のハーフエッチング液に浸漬、あるいはスプレー装置で噴霧する方法などにより薄銅箔を更に薄くする。ハーフエッチング液としては、例えば硫酸に過酸化水素を混合したものや、あるいは過硫酸ソーダの水溶液を主成分とするものがあげられ、例えば荏原ユージライト製ＤＰ−２００や旭電化工業製アデカテックＣＡＰなどがあげられる。
パターンめっき法による配線部の形成と孔を導通するビア形成を電解めっきで同時に行なう工程は、貫通孔またはブラインドビア内のデスミアを行ない、例えばパラジウム−スズ皮膜をパラジウム−スズコロイド触媒を用いて形成するいわゆるＤＰＳ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｐｌａｔｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）法にて貫通孔またはブラインドビア内に導電皮膜を形成し、両面の銅箔上にフォトタイプのドライフィルムメッキレジストを塗布又はラミネートした後、配線パターンのフォトマスクを介して露光した後に、１％炭酸ソーダ水溶液などをスプレー現像して配線パターンとなる部位と孔を導通させる部位のメッキレジスト層を除去し、薄銅箔の露出部を酸等で洗浄したのち、代表的には硫酸銅を主成分とする溶液中で薄銅箔をカソード電極として０．１〜１０Ａ／ｄｍ２の電流密度で電解銅めっきを行なって、孔内及び両面の回路部に銅層を形成する。ここで、ＤＰＳ工程として例えば荏原ユージライトのライザトロンＤＰＳシステムがあげられる。ここでは、モノエタノールアミンを主剤とする水溶液で表面をトリートメントしてパラジウム−スズコロイド触媒の吸着しやすい状態を形成する、つづいてソフトエッチング液で薄銅箔のトリートメントされた吸着しやすい表面を除去し、銅箔表面にパラジウム−スズ皮膜が形成する事を抑制し、銅箔表面と電解めっきの密着強度を確保する。塩化ナトリウム、塩酸等にプレディップする。これらの工程の後、パラジウム−スズコロイドの液に浸漬するアクチベ−ティング工程でＰｄ−Ｓｎ被膜を形成させ、最後に炭酸ソ−ダ、炭酸カリおよび銅イオンを含むアルカリアクセラレ−タ−浴および硫酸を含む酸性アクセラレ−タ−浴で活性化する際に、活性化に用いるアルカリ性アクセラレ−タ−浴に還元剤を添加すれば良い。添加することのできる還元剤の例としては、例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド等のアルデヒド類、カテコ−ル、レゾルシン、アスコルビン酸等が挙げられる。還元剤を添加するアルカリ性アクセラレーター浴としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムおよび銅イオンを含むものが好ましい。前記の方法により、Ｐｄ−Ｓｎからなる抵抗値の低い被膜を得ることができる。前記のドライフィルムとしては、ネガ型タイプのレジストやポジ型タイプのレジストが挙げられ、例えばネガ型メッキレジストとして旭化成製ＳＰＧ−１５２、日立化成製ＲＹ−３２１５などがあげられる。電解銅メッキとしては、例えば硫酸銅が１８０〜２４０ｇ／ｌ、硫酸４５〜６０ｇ／ｌ、塩素イオン２０〜８０ｇ／ｌ、添加剤としてチオ尿素、デキストリン又はチオ尿素と糖蜜とを添加して行なう方法がある。次に、２％苛性ソーダ水溶液などをスプレーしてメッキレジスト層を剥離除去した後、フラッシュエッチング液に浸漬またはスプレーにより露出した配線パターン部位以外の薄膜銅を除去する。フラッシュエッチング液としては、例えば硫酸に過酸化水素を混合したものや、あるいは希薄な塩化第２鉄の水溶液を主成分とするものがあげられ、例えば荏原電産製ＦＥ−８３０、旭電化工業製ＡＤ−３０５Ｅなどがあげられる。ここで薄銅箔を除去する際、回路部の銅も溶解するが薄銅箔を除去するのに必要なエッチング量は少量であるため実質的に問題ない、回路基板が得られる。
【００２２】
キャリア付銅箔などの極薄銅箔を両面に積層した絶縁フィルムを用いてセミアディティブ法により、回路を形成する方法の具体的な例をしめすと、
ロ−ル巻状両面に銅箔を積層した絶縁フィルムより、１０．５ｃｍ×２５ｃｍ角の試料を切り出し、キャリア付銅箔の場合には両面のキャリア箔を剥がす。ＵＶ−ＹＡＧレーザー［エレクトロ・サイエンティフィック・インダストリーズ社製（ＥＳＩ社）、モデル５３２０、波長３５５μｍ］にて、両面の電解銅箔および絶縁層にレーザー加工し、スルーホールＶＩＡを形成するための貫通孔を形成する。銅箔をハーフエッチ液として荏原ユージライト製ＤＰ−２００を用いて２５℃・２分間浸漬し、銅箔厚みを１μｍにし、孔内のレーザースミア等を荏原ユージライト社のライザトロンＤＳ（デスミア）プロセスによって除去後、同じく荏原ユージライト社のライザトロンＤＰＳプロセスにより導電化皮膜を形成する。ＤＰＳ処理した銅箔上にドライフィルムタイプのネガ型フォトレジスト（旭化成製ＳＰＧ−１５２）を１１０℃の熱ロールでラミネート後、回路形成部位（配線パターン）とスルーホールとなる部位以外を露光し、１％炭酸ソーダ水溶液で３０℃・２０秒間スプレー現像して未露光部のレジストを除去する。薄銅箔の露出部と導電化皮膜を形成した貫通孔内を脱脂・酸洗後、硫酸銅めっき浴中で薄銅箔をカソード電極として２Ａ／ｄｍ２の電流密度で２５℃、３０分間電解銅めっきを行ない、導電化皮膜を形成した貫通孔内部と銅メッキ１０μｍ厚みのパターンメッキを行う。続いて、２％苛性ソーダ水溶液を４２℃で１５秒間スプレー処理して、レジスト層を剥離した後、フラッシュエッチング液（旭電化工業製ＡＤ−３０５Ｅ）で３０℃・３０秒間スプレー処理し不要な部位の薄膜銅を除去すると３０μｍピッチの両面に銅配線を有する絶縁フィルムを得ることができる。
【００２３】
銅配線絶縁フィルムは、１０〜４５μｍピッチ、好ましくは１５〜４２μｍピッチ、さらに好ましくは２０〜３６μｍピッチ、より好ましくは２５〜３５μｍピッチの銅配線を形成している部分を有する。
好ましくは銅配線絶縁フィルムは、１０〜４５μｍピッチ、好ましくは１５〜４２μｍピッチ、さらに好ましくは２０〜３６μｍピッチ、より好ましくは２５〜３５μｍピッチの銅配線を形成している部分の少なくとも一部又は全部が、
上記特性（ａ１）、（ｂ１）及び（ｃ１）より選ばれる特性、好ましくは上記特性（ａ２）、（ｂ２）及び（ｃ１）より選ばれる特性を有する絶縁フィルムと積層する側の銅箔表面のうねりと積層された絶縁フィルム表面上、
又は上記特性（ａ１）、（ｂ１）及び（ｃ１）より選ばれるうねり特性、好ましくは上記特性（ａ２）、（ｂ２）及び（ｃ１）より選ばれるうねり特性を有する銅箔積層絶縁フィルムの銅箔を除去して得られる絶縁フィルム表面上に形成されていることが好ましい。
ここでピッチとは銅配線と銅配線間のスペースとを併せた幅のことであり、３０μｍピッチとは、一例として銅配線１５μｍ、銅配線間のスペース１５μｍを示す。
銅配線絶縁フィルムは、さらに銅配線の少なくとも一部に錫メッキなどの金属メッキすることができる。
【００２４】
キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムは、
１）銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔表面のうねりが下記特性（ａ１）、（ｂ１）及び（ｃ１）より選ばれる特性、好ましくは下記特性（ａ２）、（ｂ２）及び（ｃ１）より選ばれる特性を有するキャリア付き銅箔と絶縁フィルムとを、直接又は接着剤層を介して、加圧或いは加圧加熱などの公知の方法で積層したもの、
２）キャリア付き銅箔と絶縁フィルムとを、直接又は接着剤層を介して、加圧或いは加圧加熱などの公知の方法で積層してキャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを製造し、
キャリアと銅箔とを除去して得られる絶縁フィルム表面のうねりが、
下記特性（ａ１）、（ｂ１）及び（ｃ１）より選ばれる特性、好ましくは下記特性（ａ２）、（ｂ２）及び（ｃ１）より選ばれる特性を有するもの、
或いは、
３）銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔表面のうねりが下記特性（ａ１）、（ｂ１）及び（ｃ１）より選ばれる特性、好ましくは下記特性（ａ２）、（ｂ２）及び（ｃ１）より選ばれる特性を有するキャリア付き銅箔と絶縁フィルムとを、直接又は接着剤層を介して、加圧或いは加圧加熱などの公知の方法で積層してキャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを製造し、キャリアと銅箔とを除去して得られる絶縁フィルム表面のうねりが、
下記特性（ａ１）、（ｂ１）及び（ｃ１）より選ばれる特性、好ましくは下記特性（ａ２）、（ｂ２）及び（ｃ１）より選ばれる特性を有するもの、
を挙げることが出来る。
・特性（ａ１）：うねりの波長が５μｍ以下。
・特性（ｂ１）：うねりの波長が１２０ｍｍ以上。
・特性（ｃ１）：うねりの波長が５μｍを超えて１２０ｍｍ未満でかつうねりの振幅が０．５μｍ以下。
・特性（ａ２）：うねりの波長が５μｍ以下でかつうねりの振幅が５μｍ以下。
・特性（ｂ２）：うねりの波長が１２０ｍｍ以上でかつうねりの振幅が５μｍ以下。
【００２５】
キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムは、
銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔表面のうねりが下記特性（ａ１）、（ｂ１）及び（ｃ１）より選ばれる特性、好ましくは下記特性（ａ２）、（ｂ２）及び（ｃ１）より選ばれる特性を有する銅箔と絶縁フィルムとを、直接又は接着剤層を介して、加圧或いは加圧加熱などの公知の方法で積層することができる。
・特性（ａ１）：うねりの波長が５μｍ以下。
・特性（ｂ１）：うねりの波長が１２０ｍｍ以上。
・特性（ｃ１）：うねりの波長が５μｍを超えて１２０ｍｍ未満でかつうねりの振幅が０．５μｍ以下。
・特性（ａ２）：うねりの波長が５μｍ以下でかつうねりの振幅が５μｍ以下。
・特性（ｂ２）：うねりの波長が１２０ｍｍ以上でかつうねりの振幅が５μｍ以下。
【００２６】
キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムに用いるキャリア付き銅箔は、
銅箔厚みが、０．５〜５μｍ、好ましくは０．６〜４．５μｍ、より好ましくは０．７〜４μｍ、さらに好ましくは０．８〜３．５μｍ、特に好ましくは０．９〜３μｍものを用いることができる。
銅箔は、電解銅箔や圧延銅箔などの銅及び銅合金などを用いることが出来、特に電解銅箔を好ましく用いることができる。
【００２７】
キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムに用いるキャリア付き銅箔は、
キャリアの厚さは、特に限定していないが、厚みの薄い銅箔を補強できるものであればよく、キャリアの厚みが好ましくは６〜４０μｍ、さらに好ましくは９〜３５μｍ、より好ましくは９〜１８μｍであり、銅箔４の厚みが好ましくは０．５〜８μｍ、さらに好ましくは０．５〜６μｍ、より好ましくは０．５〜５μｍ、より好ましくは０．５〜４μｍであり、銅箔の絶縁フィルムと積層する側の表面粗さＲｚが好ましくは１．０μｍ以下、さらに好ましくは０．８μｍ以下、より好ましくは０．７μｍ以下である。
さらに本発明は上記のキャリア付き銅箔３と絶縁、好ましくは高耐熱性の芳香族絶縁層の片面或いは両面に熱圧着性の絶縁フィルムが積層一体化して得られた多層の絶縁との積層物では、１５０℃×１６８時間後でも優れた接着強度を有している配線基板を得ることができる。
【００２８】
キャリア付き銅箔のキャリアは、特に材質は限定していないが、銅箔とはり合わすことができ、銅箔を補強保護し、容易に銅箔と引き剥がせ、絶縁を積層する積層温度に耐える役割を有するものであればよく、例えばアルミニウム箔、銅箔、表面をメタルコーティングした樹脂などを用いることができる。
キャリア箔付電解銅箔では、キャリア箔の表面上に電解銅箔となる銅成分を電析させるので、キャリア箔には少なくとも導電性を有することが必要となる。
キャリア箔は、連続した製造工程を流れ、少なくとも銅箔積層絶縁フィルムの製造終了時までは、銅箔層と接合した状態を維持し、ハンドリングを容易にしているものを用いることができる。
キャリア箔は、キャリア箔付き銅箔を絶縁フィルムに積層後、キャリア箔を引き剥がして除去するもの、キャリア箔付き銅箔を絶縁フィルムに積層後、キャリア箔をエッチング法にて除去するものなどを用いることができる。
キャリア付き銅箔において、金属或いはセラミックスの接合剤によってキャリアと銅箔とが接合されたものは、耐熱性に優れ好適に用いることができる。
【００２９】
銅箔は、絶縁フィルムと積層する少なくとも片面がＮｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＭｏから選ばれる少なくとも１種の金属又はこれらの金属を少なくとも１種含む合金で、粗化処理、防錆処理、耐熱処理、耐薬品処理などの表面処理されているものを用いることができ、さらにシランカップリング処理されたものを用いることができる。
【００３０】
キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムに用いる絶縁フィルムは、キャリア付き銅箔と直接、或いは接着剤層を介して加圧或いは加圧加熱などの公知の方法で積層することができ、好ましくはプリント配線板、フレキシブルプリント回路基板、ＴＡＢテープ、ＣＯＦ基板等の電子部品のベース素材として用いられる絶縁フィルムなどを挙げることができる。
絶縁フィルムとしては、線膨張係数（５０〜２００℃）が絶縁フィルムに積層する銅箔の線膨張係数に近いことが好ましく、絶縁フィルムの線膨張係数（５０〜２００℃）は０．５×１０−５〜２．８×１０−５ｃｍ／ｃｍ／℃であることが好ましい。
絶縁フィルムとしては、熱収縮率が０．０５％以下のものをもちいることが、熱変形が小さく好ましい。
絶縁フィルムとしては、単層、２層以上を積層した複層のフィルム、シートの形状として用いることができる。
【００３１】
絶縁フィルムの厚みは、特に限定されないが、銅箔との積層が問題なく行なえ、製造や取扱が行なえ、銅箔を充分に支持できる厚みであれば良く、好ましくは１〜３００μｍ、より好ましくは２〜１００μｍ、さらに好ましくは５〜５０μｍ、より好ましくは７〜２５μｍ、特に好ましくは８〜１５μｍのものを用いることが好ましい。
【００３２】
絶縁フィルムとしては、基板の少なくとも片面がコロナ放電処理、プラズマ処理、化学的粗面化処理、物理的粗面化処理などの表面処理された基板を用いることができる。
【００３３】
銅箔積層絶縁フィルムの絶縁フィルムは、耐熱性の絶縁層（ｂ）の片面又は両面に、銅箔と加圧又は加圧加熱することにより直接積層することができる熱圧着性絶縁層（ａ）を有する少なくとも２層以上の多層の絶縁フィルムを用いることができる。
また銅箔積層絶縁フィルムは、耐熱性絶縁層（ｂ）と銅箔とを、熱圧着性絶縁層（ａ）を介して加圧又は加圧加熱することにより積層したものを用いることができる。
【００３４】
絶縁フィルムとしては、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリスルホン、液晶ポリマーなどの公知の配線基材を用いることが出来る。
【００３５】
絶縁フィルムのポリイミドの具体例としては、商品名「ユーピレックス（Ｓ、又はＲ）」（宇部興産社製）、商品名「カプトン」（東レ・デュポン社製、デュポン社製）、商品名「アピカル」（カネカ社製）などの絶縁フィルム、又はこれらのフィルムを構成する酸成分とジアミン成分とから得られるポリイミドフィルムなどを挙げる事ができる。
【００３６】
本発明の銅配線絶縁フィルムの製造方法は、配線ピッチが１０〜４５μｍピッチ、好ましくは１５〜４２μｍピッチ、さらに好ましくは２０〜３６μｍピッチ、より好ましくは２０〜３５μｍピッチの銅配線を形成している部分を有する。
【００３７】
本発明の片面或いは両面の銅配線絶縁フィルムは、フレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）、テ−プ・オ−トメイティッド・ボンディング（ＴＡＢ）、チップ・オン・フィルム（ＣＯＦ）などの配線材料として使用することができる。
本発明の片面或いは両面の銅配線絶縁フィルム、及びこれらの銅配線の一部又は全部が金属メッキされた片面或いは両面の銅配線絶縁フィルムは、銅配線或いはめっきされた銅配線の一部に、ＩＣチップなどのチップ部材や他の金属配線を、直接、ＡＣＦなどの熱硬化や熱軟化の接着性樹脂層、又は金、錫などの金属或いは合金により１つ以上を接続することが出来る。
【００３８】
銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねり又は銅箔積層絶縁フィルムの銅箔を除去して得られる絶縁フィルム表面のうねり曲線の振幅が０〜０．５μｍ以内の場合、波長に関わらずインナーリードの配線高低差がＡｕ−Ａｕ接合方式、Ａｕ−Ｓｎ接合方式、又はＡＣＦ接合方式の高低差許容値内となるため、波長に関わらず振幅が０〜０．５μｍ以内であれば、ファインピッチの銅配線、例えば１０〜４５μｍピッチの銅配線を形成しても、ＩＣなどのチップを実装する場合に接続不良や配線倒れの発生を抑制できる。
【００３９】
本発明の銅配線絶縁フィルムの一例として、うねりの振幅０．３μｍ、配線ピッチ２０μｍ、配線高さ１０μmとする場合の銅配線絶縁フィルムとの一部分の断面を模式的に表し、図４〜図６に示す。
図４はうねりの波長が２μｍであり、図５はうねりの波長が４０μｍであり、図６はうねりの波長が１５０ｍｍの場合である。
本発明の銅配線絶縁フィルムの別の一例として、うねりの振幅１μｍ、うねりの波長２μｍ、配線ピッチ２０μｍ、配線高さ１０μｍとする場合の銅配線絶縁フィルムとの一部分の断面を模式的に表し、図７に示す。
図８は、図７の配線ピッチ２０μｍ、配線高さ１０μｍの銅配線を、さらに平坦性の高いめっき処理によって形成されている模式図である。
本発明の銅配線絶縁フィルムの別の一例として、うねりの振幅１μｍ、うねりの波長１５０ｍｍ、配線ピッチ２０μｍ、配線高さ１０μmとする場合の銅配線絶縁フィルムとの一部分の断面を模式的に表し、図９に示す。
図１０は、図９と同じうねりであるが、幅方向の描画範囲を、配線上部に実装を想定している長辺３０ｍｍのＩＣチップと同じとする場合の銅配線絶縁フィルムとの一部分の断面を模式的に示す。ＩＣチップ長辺幅の中点１５ｍｍの位置でＩＣチップが最初に接するように実装すると仮定する場合、チップの中央と両端位置でのインナーリード高低差は０．２μｍ以下となり、ＩＣチップ実装時の障害とならないことが理解できる。
図４〜図１０では、チップ実装時のインナーリードトップ面の傾きやインナーリード高低差の値が小さく、ＩＣチップなどのチップ実装時に障害とならないと考えられる。
【００４０】
本発明ではない銅配線絶縁フィルムの一例として、図１１にはうねりの振幅１μｍ、波長４０μｍ、配線ピッチ２０μｍ、配線高さ１０μｍの銅配線絶縁フィルムとの一部分の断面を模式的に示し、図１２にはうねりの振幅１μｍ、波長３０ｍｍ、配線ピッチ２０μｍ、配線高さ１０μｍの銅配線絶縁フィルムとの一部分の断面を模式的に表し、図１３にはうねりの振幅１μｍ、波長６０ｍｍ、配線ピッチ２０μｍ、配線高さ１０μｍの銅配線絶縁フィルムとの一部分の断面を模式的に示す。
図１１〜図１３では、チップ実装時のインナーリードトップ面の傾き又はインナーリード高低差の値が大きくなり、ＩＣチップなどのチップ実装時に障害となると考えられる。
【００４１】
物性評価は以下の方法に従って行うことができる。
１）絶縁フィルムのガラス転移温度（Ｔｇ）：動的粘弾性法により、ｔａｎδのピーク値から求めた（引張り法、周波数６．２８ｒａｄ／秒、昇温速度１０℃／分）。
２）絶縁フィルムの線膨張係数（５０〜２００℃）：ＴＭＡ法により、２０〜２００℃平均線膨張係数を測定した（引張り法、昇温速度５℃／分）。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】片面キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法により片面銅配線絶縁フィルム製造工程の一例を説明する工程図である。
【図２】両面キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法により両面銅配線絶縁フィルム製造工程の一例を説明する工程図である。
【図３】両面キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、両面キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムより貫通孔形成までの製造工程の一例を説明する工程図である。
【図４】本発明の銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図５】本発明の銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図６】本発明の銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図７】本発明の銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図８】本発明の銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図９】本発明の銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図１０】本発明の銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図１１】本発明ではない銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図１２】本発明ではない銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図１３】本発明ではない銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【符号の説明】
【００４３】
１：片面キャリア付き銅箔積層絶縁フィルム、
２：絶縁フィルム、
３，３’：キャリア付き銅箔、
４，４’：銅箔、
５，５’：キャリア、
８，８’：銅箔が除去されて現れる絶縁フィルム表面、
９，９’：金属メッキ、
１０，１０’：銅メッキ、
１７，１７’：フォトレジスト層、
２１，２１’：導電化皮膜、
１００：両面キャリア付き銅箔積層絶縁フィルム、
１０１：両面銅配線絶縁フィルム、
１０２：両面に金属メッキされた両面銅配線絶縁フィルム。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法による銅配線絶縁フィルムの製造法に関するものであり、特にＩＣなどのチップを実装する場合に接続不良や配線倒れの発生を抑制した銅配線絶縁フィルムを得るための銅配線絶縁フィルムの製造法に関する。
【背景技術】
【０００２】
カメラ、パソコン、液晶ディスプレイなどの電子機器類への用途として芳香族ポリイミドフィルムは広く使用されている。
芳香族ポリイミドフィルムをフレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）やテ−プ・オ−トメイティッド・ボンディング（ＴＡＢ）などの基板材料として使用するためには、エポキシ樹脂などの接着剤を用いて銅箔を張り合わせる方法が採用されている。
【０００３】
銅箔としてキャリア付き極薄銅箔を用いた銅張積層板が開示されている。
特許文献１には、厚みが１〜８μｍの銅箔、熱可塑性ポリイミド樹脂を主成分とする接着層、および耐熱性フィルムを備えた、銅張積層体が開示されている。
特許文献２には、合成樹脂フィルムの片面または両面に金属層を設けてなる金属積層体において、前記金属層が５ミクロン以下の金属箔である積層体が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−３１６３８６号公報
【特許文献２】ＷＯ２００２／０３４５０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
キャリア付き銅箔積層フィルムを用いて、銅箔と絶縁フィルムの密着性が良好で、セミアディティブ法により直線性に優れる微細配線を形成可能で、回路視認性の優れた銅配線ポリイミドフィルムの製造法が公開されている。しかし、平滑な銅箔を作製するとき、銅箔表面にはうねりが発生する。銅配線板を製造するとき、銅箔積層フィルムの銅積層側のフィルム表面にうねりがある場合、うねりの上に形成された配線はうねりの影響を受けて傾く可能性がある。そのためＩＣ等のチップを実装する場合、うねりのある配線板は、うねりの無い配線板よりも、接続不良や配線の倒れが発生する可能性が高くなると考えらる。特に配線ピッチが小さくなればなるほどその影響は大きくなると考える。同様に絶縁フィルム表面の形状は、積層する銅箔表面形状のレプリカとなる場合が多く、配線を形成する絶縁フィルム表面のうねりも重要になる。
本発明は、キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、ＩＣなどのチップを実装する場合に接続不良や配線倒れの発生を抑制した、ファインピッチな配線にも適用可能なセミアディティブ法による銅配線絶縁フィルムの製造法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第一は、銅箔の厚みが０．５〜５μｍのキャリア付き銅箔を絶縁フィルムの片面或いは両面に積層されているキャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法による銅配線絶縁フィルムの製造法であり、
銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねり又は銅箔積層絶縁フィルムの銅箔を除去して得られる絶縁フィルム表面のうねりが下記特性（ａ１）、（ｂ１）及び（ｃ１）より選ばれる特性、好ましくは下記特性（ａ２）、（ｂ２）及び（ｃ１）より選ばれる特性を有することを特徴とする銅配線絶縁フィルムの製造法に関する。
・特性（ａ１）：うねりの波長が５μｍ以下。
・特性（ｂ１）：うねりの波長が１２０ｍｍ以上。
・特性（ｃ１）：うねりの波長が５μｍを超えて１２０ｍｍ未満でかつうねりの振幅が０．５μｍ以下。
・特性（ａ２）：うねりの波長が５μｍ以下でかつうねりの振幅が５μｍ以下。
・特性（ｂ２）：うねりの波長が１２０ｍｍ以上でかつうねりの振幅が５μｍ以下。
本発明の第ニは、上記本発明の第一の銅配線絶縁フィルムの製造方法により製造された銅配線絶縁フィルムに関する。
本発明の銅配線絶縁フィルムは、ＩＣなどのチップを実装する場合に接続不良や配線倒れの発生を抑制された配線フィルムである。
【０００７】
本発明の第一の銅配線絶縁フィルムの製造方法により、１０〜４５μｍピッチ、好ましくは１５〜３５μｍピッチの銅配線部分を有する銅配線絶縁フィルムを製造することが出来、これらの銅配線絶縁フィルムは、ＩＣなどのチップを実装する場合に接続不良や配線倒れの発生を抑制された銅配線絶縁フィルムを製造することが出来る。
本発明の第一の銅配線絶縁フィルムの製造方法において、積層に用いる絶縁フィルムとの積層側の銅箔表面のうねり、積層後の絶縁フィルムの積層側の銅箔表面のうねり、或いは銅箔積層絶縁フィルムの銅箔を除去して得られる絶縁フィルム表面のうねりは、銅箔や絶縁フィルムなどの基材表面全体、好ましくは銅箔や絶縁フィルムなどの基材の銅配線を形成する表面のうねり、より好ましくは１０〜４５μｍピッチ、さらに好ましくは１５〜３５μｍピッチの銅配線を形成する部分の絶縁フィルム表面のうねりを意味する。
【０００８】
一般にうねりとは、断面曲線から波長の短い表面粗さの成分を除去して得られる曲線で、例えばＪＩＳ・Ｂ０６１０に表面うねりとして規定されている。
本発明においては、ＩＣなどのチップと銅配線の接続不良を、低波長から高波長まで広範囲を想定して説明しており、波長の短い表面粗さの成分も含めてうねりとして、うねり曲線は波長と振幅で定義する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明により、キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法により、ＩＣなどのチップを実装する場合に接続不良や配線倒れの発生を抑制された配線フィルムを製造することができ、ピッチ間隔を小さくしてもＩＣなどのチップを実装する場合に接続不良や配線倒れの発生を抑制された配線フィルムを製造することができる。
本発明により製造された銅配線絶縁フィルムは、フレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）やテ−プ・オ−トメイティッド・ボンディング（ＴＡＢ）、チップ・オン・フィルム（ＣＯＦ）などの配線基板として利用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、実施の態様により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施の態様に限定されるものではない。
【００１１】
本発明の銅配線絶縁フィルムの製造方法について、一実施の態様を以下に示す。
図１には、キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法により銅配線絶縁フィルムを製造する方法の一例を、工程（ａ）から工程（ｈ）の順序で示す。本発明では公知のセミアディティブ法を用いることができる。
図１（ａ）には、本発明の銅配線絶縁フィルムの製造に用いるキャリア付き銅箔積層絶縁フィルム１を示し、絶縁フィルム２とキャリア付き銅箔３とが積層している。キャリア付き銅箔３は、銅箔４とキャリア５とが積層している。
図１（ｂ）では、キャリア付き銅箔積層絶縁フィルム１よりキャリア箔５を剥がし、銅箔と絶縁フィルムとが直接積層している銅箔積層絶縁フィルムが得られる。
図１（ｃ）では、必要に応じて銅箔積層絶縁フィルムの銅箔を薄くするためにエッチングを行ない（ハーフエッチング）、
図１（ｄ）では、銅箔積層絶縁フィルムの銅箔の上部にフォトレジスト層１７を設け、
図１（ｅ）では、配線パターンのマスクを用いて、フォトレジスト層を露光し、配線パターンとなる部位を現像除去し、配線パターンとなる銅箔が現れ、
図１（ｆ）では、フォトレジスト層１７を除去して現れる配線パターンとなる銅箔の上部に銅メッキ層１０を設け、
図１（ｇ）では、銅箔上の配線パターンとならない部位のフォトレジスト層１７を除去し、
図１（ｈ）では、配線パターンとならない部位の銅箔をフラッシュエッチングにより除去し、銅配線絶縁フィルムを製造することができる。
さらに図１（ｉ）では、銅配線絶縁フィルムの銅配線の少なくとも一部に錫メッキなどの金属メッキ層９を設けることにより、金属メッキされた銅配線絶縁フィルムを製造することができる。
【００１２】
図１（ｃ）の銅箔の薄膜化工程（ハーフエッチング）は必要に応じて行なえばよく、例えば銅箔の厚さが厚い場合は、銅箔の薄膜化工程を行なうことが好ましい。
銅箔の厚いや薄いは、使用する目的に応じて適宜判断すればよく、好ましくはエッチングによりエッチング後の銅箔の厚みが少なくとも０．５μｍ以上となるように行うことが好ましい。
【００１３】
図１（ｃ）の銅箔のハーフエッチングとしては、公知の方法を適宜選択して行なうことが出来、例えば銅箔積層絶縁フィルムを公知のハーフエッチング液に浸漬、あるいはスプレー装置で噴霧する方法などで銅箔を更に薄くする方法を用いることができる。ハーフエッチ液としては、公知のものを用いることができ、例えば硫酸に過酸化水素を混合したものや、あるいは過硫酸ソーダの水溶液を主成分とするものがあげられ、例えば荏原ユージライト製ＤＰ−２００や旭電化工業製アデカテックＣＡＰなどがあげられる。
【００１４】
図１（ｄ）において、フォトレジスト層は、ネガ型やポジ型を用いることが出来、液体状、フィルム状などを用いることができる。
フォトレジストは、代表的にはネガ型のドライフィルムタイプのレジストを熱ラミネートにより、あるいはポジ型の液状タイプのレジストを塗工乾燥して銅箔上に形成する方法が挙げられる。ネガ型の場合は露光部以外が現像で除去され、一方ポジ型の場合は露光部が現像で除去される。ドライフィルムタイプのレジストは容易に厚い厚みのものが得られる。ネガ型ドライフィルムタイプのフォトレジストとして例えば旭化成製ＳＰＧ−１５２、日立化成製ＲＹ−３２１５などがあげられる。
【００１５】
図１（ｅ）のフォトレジスト層を現像除去する方法としては、公知のフォトレジスト層の現像除去する薬剤を適宜選択して用いることができ、例えば炭酸ソーダ水溶液（１％など）などをスプレーしてフォトレジスト層を現像除去することができる。
【００１６】
図１（ｆ）の銅メッキ工程としては、公知の銅メッキ条件を適宜選択して行なうことができ、例えば、銅箔の露出部を酸等で洗浄し、代表的には硫酸銅を主成分とする溶液中で銅箔をカソード電極として０．１〜１０Ａ／ｄｍ２の電流密度で電解銅めっきを行ない、銅層を形成することができ、例えば硫酸銅が１８０〜２４０ｇ／ｌ、硫酸４５〜６０ｇ／ｌ、塩素イオン２０〜８０ｇ／ｌ、添加剤としてチオ尿素、デキストリン又はチオ尿素と糖蜜とを添加して行なう方法がある。
【００１７】
図１（ｈ）のフラッシュエッチング工程では、フラッシュエッチング液を用いて、浸漬又はスプレーにより露出した銅配線パターン部位以外の薄膜銅を除去する。
フラッシュエッチング液としては、公知のものを用いることができ、例えば硫酸に過酸化水素を混合したものや、あるいは希薄な塩化第ニ鉄の水溶液を主成分とするものがあげられ、例えば荏原電産製ＦＥ−８３０、旭電化工業製ＡＤ−３０５Ｅなどがあげられる。ここで薄銅箔を除去する際、回路部（配線）の銅も溶解するが薄銅箔を除去するのに必要なエッチング量は少量であるため実質的に問題ない。
【００１８】
キャリア付銅箔を両面に積層した絶縁フィルムを用いてセミアディティブ法により、銅配線絶縁フィルムの製造する方法の一例を図２に、工程（ａ）から工程（ｉ）の順序で示す。
図２（ａ）には、本発明の銅配線絶縁フィルムの製造に用いる両面にキャリア付き銅箔を積層した絶縁フィルム１００を示し、キャリア付き銅箔３と絶縁フィルム２とキャリア付き銅箔３’との順で積層している。キャリア付き銅箔３は、銅箔４とキャリア５とが積層している。キャリア付き銅箔３’は、銅箔４’とキャリア５’とが積層している。
図２（ｂ）では、両面キャリア付き銅箔積層絶縁フィルム１００よりキャリア箔５及びキャリア箔５’を剥がし、銅箔４と絶縁フィルムと銅箔４’とが直接積層している両面銅箔積層絶縁フィルムが得られる。
図２（ｃ）では、両面銅箔積層絶縁フィルムの銅箔（４，４’）を薄くするためにエッチングを行ない（ハーフエッチング）、その後両面銅箔積層絶縁フィルムの両面の電解銅箔および絶縁層の一部にレーザーなどを用いて、貫通孔３１を形成する。貫通孔は複数設けることができる。孔形成加工とハーフエッチングとは順序が逆になっても良い。
図２（ｄ）では、銅箔積層絶縁フィルムの貫通孔３１の絶縁表面に導電化皮膜を形成し、銅箔４と銅箔４’を導通させる。
図２（ｅ）では、銅箔積層絶縁フィルムの銅箔（４，４’）の上部にフォトレジスト層（１７、１７’）を設け、
図２（ｆ）では、配線パターンのマスクを用いて、フォトレジスト層を露光し、配線パターンとなる部位を現像除去し、配線パターンとなる複数の銅箔部分（３２、３２’）が現れ、
図２（ｇ）では、フォトレジスト層（１７、１７’）を除去して現れる銅箔部分（３２、３２’）の上部に銅メッキ層（１０、１０’）を設け、
図２（ｈ）では、銅箔上の配線パターンとならない部位のフォトレジスト層を除去し、
図２（ｉ）では、配線パターンとならない部位の銅箔などの銅をフラッシュエッチングにより除去し、両面銅配線絶縁フィルム１０１を製造することができる。
図２（ｉ）で、両面銅配線絶縁フィルム１０１のフラッシュエッチングで銅を除去している部分を記号８、８’で示す。
両面銅配線絶縁フィルム１０１の貫通孔の上部に形成されている両面の銅配線は導通している。
さらに図２（ｊ）では、両面銅配線絶縁フィルム１０１の銅配線の少なくとも一部に錫メッキなどの金属メッキ層（９、９’）を設けることにより、金属メッキされた両面銅配線絶縁フィルム１０２を製造することができる。
さらに両面銅配線絶縁フィルム１０１又は金属メッキされた両面銅配線絶縁フィルム１０２は、銅配線の一部に、ＩＣチップなどのチップ部材や他の金属配線を、ＡＣＦや金などの金属や合金により１つ以上接続することが出来る。
【００１９】
図３の工程（ａ）から工程（ｄ）には、図２の工程（ａ）から工程（ｃ）の別の一例を示す。
図３（ａ）には、本発明の銅配線絶縁フィルムの製造に用いる両面にキャリア付き銅箔を積層した絶縁フィルム１００を示し、キャリア付き銅箔３と絶縁フィルム２とキャリア付き銅箔３’との順で積層している。キャリア付き銅箔３は、銅箔４とキャリア５とが積層している。キャリア付き銅箔３’は、銅箔４’とキャリア５’とが積層している。
図３（ｂ）では、両面キャリア付き銅箔積層絶縁フィルム１００より片面のキャリア箔５のみを剥がし、銅箔４と絶縁フィルムと銅箔４’とキャリア５’が直接積層している両面銅箔積層絶縁フィルムが得られる。
図３（ｃ）では、両面銅箔積層絶縁フィルムの両面の電解銅箔および絶縁層の一部にレーザーなどを用いて、貫通孔３１を形成する加工を行なう。この場合、キャリア５’にも貫通孔を形成してもよい。さらに銅箔４’とキャリア５’を残し、ブラインドビアを形成してもよい。貫通孔またはブラインドビアは複数設けることができる。
図３（ｂ）又は図３（ｃ）のキャリア５’はフィルムの支持体として、又は貫通孔加工時の保護材として、有効に利用することができる。
図３（ｄ）では、その後キャリア５’を剥がし、さらに必要に応じて両面銅箔積層絶縁フィルムの銅箔（４，４’）を薄くするためにエッチングを行なう（ハーフエッチング）。
図３（ｄ）で得られる両面銅箔積層絶縁フィルムは、以後図２の工程（ｄ）以降の処理を行なうことができる。
【００２０】
図１、図２或いは図３で示す工程では、ロールツウロールで連続して処理することができる。
【００２１】
キャリア付銅箔などの極薄銅箔を両面に積層した絶縁フィルムを用いてセミアディティブ法により、回路を形成する方法の具体的一例を示す。
キャリア付銅箔を用いる場合には片面又は両面のキャリア箔を引き剥がす前若しくは剥がした後に、例えばＵＶ−ＹＡＧレーザーで片面又は両面の銅箔と、絶縁フィルムの一部とを同時に除去して、貫通孔又はブラインドビア孔を形成する。或いは、絶縁フィルムに穴をあける部位の銅箔を予めエッチング等で除去した上で炭酸ガスレーザーを照射して絶縁フィルムを除去しブラインドビアを形成したり、あるいはパンチまたはドリルにより両面を貫通する孔を形成してもよい。必要に応じて、孔形成前または後に銅張積層板を公知のハーフエッチング液に浸漬、あるいはスプレー装置で噴霧する方法などにより薄銅箔を更に薄くする。ハーフエッチング液としては、例えば硫酸に過酸化水素を混合したものや、あるいは過硫酸ソーダの水溶液を主成分とするものがあげられ、例えば荏原ユージライト製ＤＰ−２００や旭電化工業製アデカテックＣＡＰなどがあげられる。
パターンめっき法による配線部の形成と孔を導通するビア形成を電解めっきで同時に行なう工程は、貫通孔またはブラインドビア内のデスミアを行ない、例えばパラジウム−スズ皮膜をパラジウム−スズコロイド触媒を用いて形成するいわゆるＤＰＳ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｐｌａｔｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）法にて貫通孔またはブラインドビア内に導電皮膜を形成し、両面の銅箔上にフォトタイプのドライフィルムメッキレジストを塗布又はラミネートした後、配線パターンのフォトマスクを介して露光した後に、１％炭酸ソーダ水溶液などをスプレー現像して配線パターンとなる部位と孔を導通させる部位のメッキレジスト層を除去し、薄銅箔の露出部を酸等で洗浄したのち、代表的には硫酸銅を主成分とする溶液中で薄銅箔をカソード電極として０．１〜１０Ａ／ｄｍ２の電流密度で電解銅めっきを行なって、孔内及び両面の回路部に銅層を形成する。ここで、ＤＰＳ工程として例えば荏原ユージライトのライザトロンＤＰＳシステムがあげられる。ここでは、モノエタノールアミンを主剤とする水溶液で表面をトリートメントしてパラジウム−スズコロイド触媒の吸着しやすい状態を形成する、つづいてソフトエッチング液で薄銅箔のトリートメントされた吸着しやすい表面を除去し、銅箔表面にパラジウム−スズ皮膜が形成する事を抑制し、銅箔表面と電解めっきの密着強度を確保する。塩化ナトリウム、塩酸等にプレディップする。これらの工程の後、パラジウム−スズコロイドの液に浸漬するアクチベ−ティング工程でＰｄ−Ｓｎ被膜を形成させ、最後に炭酸ソ−ダ、炭酸カリおよび銅イオンを含むアルカリアクセラレ−タ−浴および硫酸を含む酸性アクセラレ−タ−浴で活性化する際に、活性化に用いるアルカリ性アクセラレ−タ−浴に還元剤を添加すれば良い。添加することのできる還元剤の例としては、例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド等のアルデヒド類、カテコ−ル、レゾルシン、アスコルビン酸等が挙げられる。還元剤を添加するアルカリ性アクセラレーター浴としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムおよび銅イオンを含むものが好ましい。前記の方法により、Ｐｄ−Ｓｎからなる抵抗値の低い被膜を得ることができる。前記のドライフィルムとしては、ネガ型タイプのレジストやポジ型タイプのレジストが挙げられ、例えばネガ型メッキレジストとして旭化成製ＳＰＧ−１５２、日立化成製ＲＹ−３２１５などがあげられる。電解銅メッキとしては、例えば硫酸銅が１８０〜２４０ｇ／ｌ、硫酸４５〜６０ｇ／ｌ、塩素イオン２０〜８０ｇ／ｌ、添加剤としてチオ尿素、デキストリン又はチオ尿素と糖蜜とを添加して行なう方法がある。次に、２％苛性ソーダ水溶液などをスプレーしてメッキレジスト層を剥離除去した後、フラッシュエッチング液に浸漬またはスプレーにより露出した配線パターン部位以外の薄膜銅を除去する。フラッシュエッチング液としては、例えば硫酸に過酸化水素を混合したものや、あるいは希薄な塩化第２鉄の水溶液を主成分とするものがあげられ、例えば荏原電産製ＦＥ−８３０、旭電化工業製ＡＤ−３０５Ｅなどがあげられる。ここで薄銅箔を除去する際、回路部の銅も溶解するが薄銅箔を除去するのに必要なエッチング量は少量であるため実質的に問題ない、回路基板が得られる。
【００２２】
キャリア付銅箔などの極薄銅箔を両面に積層した絶縁フィルムを用いてセミアディティブ法により、回路を形成する方法の具体的な例をしめすと、
ロ−ル巻状両面に銅箔を積層した絶縁フィルムより、１０．５ｃｍ×２５ｃｍ角の試料を切り出し、キャリア付銅箔の場合には両面のキャリア箔を剥がす。ＵＶ−ＹＡＧレーザー［エレクトロ・サイエンティフィック・インダストリーズ社製（ＥＳＩ社）、モデル５３２０、波長３５５μｍ］にて、両面の電解銅箔および絶縁層にレーザー加工し、スルーホールＶＩＡを形成するための貫通孔を形成する。銅箔をハーフエッチ液として荏原ユージライト製ＤＰ−２００を用いて２５℃・２分間浸漬し、銅箔厚みを１μｍにし、孔内のレーザースミア等を荏原ユージライト社のライザトロンＤＳ（デスミア）プロセスによって除去後、同じく荏原ユージライト社のライザトロンＤＰＳプロセスにより導電化皮膜を形成する。ＤＰＳ処理した銅箔上にドライフィルムタイプのネガ型フォトレジスト（旭化成製ＳＰＧ−１５２）を１１０℃の熱ロールでラミネート後、回路形成部位（配線パターン）とスルーホールとなる部位以外を露光し、１％炭酸ソーダ水溶液で３０℃・２０秒間スプレー現像して未露光部のレジストを除去する。薄銅箔の露出部と導電化皮膜を形成した貫通孔内を脱脂・酸洗後、硫酸銅めっき浴中で薄銅箔をカソード電極として２Ａ／ｄｍ２の電流密度で２５℃、３０分間電解銅めっきを行ない、導電化皮膜を形成した貫通孔内部と銅メッキ１０μｍ厚みのパターンメッキを行う。続いて、２％苛性ソーダ水溶液を４２℃で１５秒間スプレー処理して、レジスト層を剥離した後、フラッシュエッチング液（旭電化工業製ＡＤ−３０５Ｅ）で３０℃・３０秒間スプレー処理し不要な部位の薄膜銅を除去すると３０μｍピッチの両面に銅配線を有する絶縁フィルムを得ることができる。
【００２３】
銅配線絶縁フィルムは、１０〜４５μｍピッチ、好ましくは１５〜４２μｍピッチ、さらに好ましくは２０〜３６μｍピッチ、より好ましくは２５〜３５μｍピッチの銅配線を形成している部分を有する。
好ましくは銅配線絶縁フィルムは、１０〜４５μｍピッチ、好ましくは１５〜４２μｍピッチ、さらに好ましくは２０〜３６μｍピッチ、より好ましくは２５〜３５μｍピッチの銅配線を形成している部分の少なくとも一部又は全部が、
上記特性（ａ１）、（ｂ１）及び（ｃ１）より選ばれる特性、好ましくは上記特性（ａ２）、（ｂ２）及び（ｃ１）より選ばれる特性を有する絶縁フィルムと積層する側の銅箔表面のうねりと積層された絶縁フィルム表面上、
又は上記特性（ａ１）、（ｂ１）及び（ｃ１）より選ばれるうねり特性、好ましくは上記特性（ａ２）、（ｂ２）及び（ｃ１）より選ばれるうねり特性を有する銅箔積層絶縁フィルムの銅箔を除去して得られる絶縁フィルム表面上に形成されていることが好ましい。
ここでピッチとは銅配線と銅配線間のスペースとを併せた幅のことであり、３０μｍピッチとは、一例として銅配線１５μｍ、銅配線間のスペース１５μｍを示す。
銅配線絶縁フィルムは、さらに銅配線の少なくとも一部に錫メッキなどの金属メッキすることができる。
【００２４】
キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムは、
１）銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔表面のうねりが下記特性（ａ１）、（ｂ１）及び（ｃ１）より選ばれる特性、好ましくは下記特性（ａ２）、（ｂ２）及び（ｃ１）より選ばれる特性を有するキャリア付き銅箔と絶縁フィルムとを、直接又は接着剤層を介して、加圧或いは加圧加熱などの公知の方法で積層したもの、
２）キャリア付き銅箔と絶縁フィルムとを、直接又は接着剤層を介して、加圧或いは加圧加熱などの公知の方法で積層してキャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを製造し、
キャリアと銅箔とを除去して得られる絶縁フィルム表面のうねりが、
下記特性（ａ１）、（ｂ１）及び（ｃ１）より選ばれる特性、好ましくは下記特性（ａ２）、（ｂ２）及び（ｃ１）より選ばれる特性を有するもの、
或いは、
３）銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔表面のうねりが下記特性（ａ１）、（ｂ１）及び（ｃ１）より選ばれる特性、好ましくは下記特性（ａ２）、（ｂ２）及び（ｃ１）より選ばれる特性を有するキャリア付き銅箔と絶縁フィルムとを、直接又は接着剤層を介して、加圧或いは加圧加熱などの公知の方法で積層してキャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを製造し、キャリアと銅箔とを除去して得られる絶縁フィルム表面のうねりが、
下記特性（ａ１）、（ｂ１）及び（ｃ１）より選ばれる特性、好ましくは下記特性（ａ２）、（ｂ２）及び（ｃ１）より選ばれる特性を有するもの、
を挙げることが出来る。
・特性（ａ１）：うねりの波長が５μｍ以下。
・特性（ｂ１）：うねりの波長が１２０ｍｍ以上。
・特性（ｃ１）：うねりの波長が５μｍを超えて１２０ｍｍ未満でかつうねりの振幅が０．５μｍ以下。
・特性（ａ２）：うねりの波長が５μｍ以下でかつうねりの振幅が５μｍ以下。
・特性（ｂ２）：うねりの波長が１２０ｍｍ以上でかつうねりの振幅が５μｍ以下。
【００２５】
キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムは、
銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔表面のうねりが下記特性（ａ１）、（ｂ１）及び（ｃ１）より選ばれる特性、好ましくは下記特性（ａ２）、（ｂ２）及び（ｃ１）より選ばれる特性を有する銅箔と絶縁フィルムとを、直接又は接着剤層を介して、加圧或いは加圧加熱などの公知の方法で積層することができる。
・特性（ａ１）：うねりの波長が５μｍ以下。
・特性（ｂ１）：うねりの波長が１２０ｍｍ以上。
・特性（ｃ１）：うねりの波長が５μｍを超えて１２０ｍｍ未満でかつうねりの振幅が０．５μｍ以下。
・特性（ａ２）：うねりの波長が５μｍ以下でかつうねりの振幅が５μｍ以下。
・特性（ｂ２）：うねりの波長が１２０ｍｍ以上でかつうねりの振幅が５μｍ以下。
【００２６】
キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムに用いるキャリア付き銅箔は、
銅箔厚みが、０．５〜５μｍ、好ましくは０．６〜４．５μｍ、より好ましくは０．７〜４μｍ、さらに好ましくは０．８〜３．５μｍ、特に好ましくは０．９〜３μｍものを用いることができる。
銅箔は、電解銅箔や圧延銅箔などの銅及び銅合金などを用いることが出来、特に電解銅箔を好ましく用いることができる。
【００２７】
キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムに用いるキャリア付き銅箔は、
キャリアの厚さは、特に限定していないが、厚みの薄い銅箔を補強できるものであればよく、キャリアの厚みが好ましくは６〜４０μｍ、さらに好ましくは９〜３５μｍ、より好ましくは９〜１８μｍであり、銅箔４の厚みが好ましくは０．５〜８μｍ、さらに好ましくは０．５〜６μｍ、より好ましくは０．５〜５μｍ、より好ましくは０．５〜４μｍであり、銅箔の絶縁フィルムと積層する側の表面粗さＲｚが好ましくは１．０μｍ以下、さらに好ましくは０．８μｍ以下、より好ましくは０．７μｍ以下である。
さらに本発明は上記のキャリア付き銅箔３と絶縁、好ましくは高耐熱性の芳香族絶縁層の片面或いは両面に熱圧着性の絶縁フィルムが積層一体化して得られた多層の絶縁との積層物では、１５０℃×１６８時間後でも優れた接着強度を有している配線基板を得ることができる。
【００２８】
キャリア付き銅箔のキャリアは、特に材質は限定していないが、銅箔とはり合わすことができ、銅箔を補強保護し、容易に銅箔と引き剥がせ、絶縁を積層する積層温度に耐える役割を有するものであればよく、例えばアルミニウム箔、銅箔、表面をメタルコーティングした樹脂などを用いることができる。
キャリア箔付電解銅箔では、キャリア箔の表面上に電解銅箔となる銅成分を電析させるので、キャリア箔には少なくとも導電性を有することが必要となる。
キャリア箔は、連続した製造工程を流れ、少なくとも銅箔積層絶縁フィルムの製造終了時までは、銅箔層と接合した状態を維持し、ハンドリングを容易にしているものを用いることができる。
キャリア箔は、キャリア箔付き銅箔を絶縁フィルムに積層後、キャリア箔を引き剥がして除去するもの、キャリア箔付き銅箔を絶縁フィルムに積層後、キャリア箔をエッチング法にて除去するものなどを用いることができる。
キャリア付き銅箔において、金属或いはセラミックスの接合剤によってキャリアと銅箔とが接合されたものは、耐熱性に優れ好適に用いることができる。
【００２９】
銅箔は、絶縁フィルムと積層する少なくとも片面がＮｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＭｏから選ばれる少なくとも１種の金属又はこれらの金属を少なくとも１種含む合金で、粗化処理、防錆処理、耐熱処理、耐薬品処理などの表面処理されているものを用いることができ、さらにシランカップリング処理されたものを用いることができる。
【００３０】
キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムに用いる絶縁フィルムは、キャリア付き銅箔と直接、或いは接着剤層を介して加圧或いは加圧加熱などの公知の方法で積層することができ、好ましくはプリント配線板、フレキシブルプリント回路基板、ＴＡＢテープ、ＣＯＦ基板等の電子部品のベース素材として用いられる絶縁フィルムなどを挙げることができる。
絶縁フィルムとしては、線膨張係数（５０〜２００℃）が絶縁フィルムに積層する銅箔の線膨張係数に近いことが好ましく、絶縁フィルムの線膨張係数（５０〜２００℃）は０．５×１０−５〜２．８×１０−５ｃｍ／ｃｍ／℃であることが好ましい。
絶縁フィルムとしては、熱収縮率が０．０５％以下のものをもちいることが、熱変形が小さく好ましい。
絶縁フィルムとしては、単層、２層以上を積層した複層のフィルム、シートの形状として用いることができる。
【００３１】
絶縁フィルムの厚みは、特に限定されないが、銅箔との積層が問題なく行なえ、製造や取扱が行なえ、銅箔を充分に支持できる厚みであれば良く、好ましくは１〜３００μｍ、より好ましくは２〜１００μｍ、さらに好ましくは５〜５０μｍ、より好ましくは７〜２５μｍ、特に好ましくは８〜１５μｍのものを用いることが好ましい。
【００３２】
絶縁フィルムとしては、基板の少なくとも片面がコロナ放電処理、プラズマ処理、化学的粗面化処理、物理的粗面化処理などの表面処理された基板を用いることができる。
【００３３】
銅箔積層絶縁フィルムの絶縁フィルムは、耐熱性の絶縁層（ｂ）の片面又は両面に、銅箔と加圧又は加圧加熱することにより直接積層することができる熱圧着性絶縁層（ａ）を有する少なくとも２層以上の多層の絶縁フィルムを用いることができる。
また銅箔積層絶縁フィルムは、耐熱性絶縁層（ｂ）と銅箔とを、熱圧着性絶縁層（ａ）を介して加圧又は加圧加熱することにより積層したものを用いることができる。
【００３４】
絶縁フィルムとしては、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリスルホン、液晶ポリマーなどの公知の配線基材を用いることが出来る。
【００３５】
絶縁フィルムのポリイミドの具体例としては、商品名「ユーピレックス（Ｓ、又はＲ）」（宇部興産社製）、商品名「カプトン」（東レ・デュポン社製、デュポン社製）、商品名「アピカル」（カネカ社製）などの絶縁フィルム、又はこれらのフィルムを構成する酸成分とジアミン成分とから得られるポリイミドフィルムなどを挙げる事ができる。
【００３６】
本発明の銅配線絶縁フィルムの製造方法は、配線ピッチが１０〜４５μｍピッチ、好ましくは１５〜４２μｍピッチ、さらに好ましくは２０〜３６μｍピッチ、より好ましくは２０〜３５μｍピッチの銅配線を形成している部分を有する。
【００３７】
本発明の片面或いは両面の銅配線絶縁フィルムは、フレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）、テ−プ・オ−トメイティッド・ボンディング（ＴＡＢ）、チップ・オン・フィルム（ＣＯＦ）などの配線材料として使用することができる。
本発明の片面或いは両面の銅配線絶縁フィルム、及びこれらの銅配線の一部又は全部が金属メッキされた片面或いは両面の銅配線絶縁フィルムは、銅配線或いはめっきされた銅配線の一部に、ＩＣチップなどのチップ部材や他の金属配線を、直接、ＡＣＦなどの熱硬化や熱軟化の接着性樹脂層、又は金、錫などの金属或いは合金により１つ以上を接続することが出来る。
【００３８】
銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねり又は銅箔積層絶縁フィルムの銅箔を除去して得られる絶縁フィルム表面のうねり曲線の振幅が０〜０．５μｍ以内の場合、波長に関わらずインナーリードの配線高低差がＡｕ−Ａｕ接合方式、Ａｕ−Ｓｎ接合方式、又はＡＣＦ接合方式の高低差許容値内となるため、波長に関わらず振幅が０〜０．５μｍ以内であれば、ファインピッチの銅配線、例えば１０〜４５μｍピッチの銅配線を形成しても、ＩＣなどのチップを実装する場合に接続不良や配線倒れの発生を抑制できる。
【００３９】
本発明の銅配線絶縁フィルムの一例として、うねりの振幅０．３μｍ、配線ピッチ２０μｍ、配線高さ１０μmとする場合の銅配線絶縁フィルムとの一部分の断面を模式的に表し、図４〜図６に示す。
図４はうねりの波長が２μｍであり、図５はうねりの波長が４０μｍであり、図６はうねりの波長が１５０ｍｍの場合である。
本発明の銅配線絶縁フィルムの別の一例として、うねりの振幅１μｍ、うねりの波長２μｍ、配線ピッチ２０μｍ、配線高さ１０μｍとする場合の銅配線絶縁フィルムとの一部分の断面を模式的に表し、図７に示す。
図８は、図７の配線ピッチ２０μｍ、配線高さ１０μｍの銅配線を、さらに平坦性の高いめっき処理によって形成されている模式図である。
本発明の銅配線絶縁フィルムの別の一例として、うねりの振幅１μｍ、うねりの波長１５０ｍｍ、配線ピッチ２０μｍ、配線高さ１０μmとする場合の銅配線絶縁フィルムとの一部分の断面を模式的に表し、図９に示す。
図１０は、図９と同じうねりであるが、幅方向の描画範囲を、配線上部に実装を想定している長辺３０ｍｍのＩＣチップと同じとする場合の銅配線絶縁フィルムとの一部分の断面を模式的に示す。ＩＣチップ長辺幅の中点１５ｍｍの位置でＩＣチップが最初に接するように実装すると仮定する場合、チップの中央と両端位置でのインナーリード高低差は０．２μｍ以下となり、ＩＣチップ実装時の障害とならないことが理解できる。
図４〜図１０では、チップ実装時のインナーリードトップ面の傾きやインナーリード高低差の値が小さく、ＩＣチップなどのチップ実装時に障害とならないと考えられる。
【００４０】
本発明ではない銅配線絶縁フィルムの一例として、図１１にはうねりの振幅１μｍ、波長４０μｍ、配線ピッチ２０μｍ、配線高さ１０μｍの銅配線絶縁フィルムとの一部分の断面を模式的に示し、図１２にはうねりの振幅１μｍ、波長３０ｍｍ、配線ピッチ２０μｍ、配線高さ１０μｍの銅配線絶縁フィルムとの一部分の断面を模式的に表し、図１３にはうねりの振幅１μｍ、波長６０ｍｍ、配線ピッチ２０μｍ、配線高さ１０μｍの銅配線絶縁フィルムとの一部分の断面を模式的に示す。
図１１〜図１３では、チップ実装時のインナーリードトップ面の傾き又はインナーリード高低差の値が大きくなり、ＩＣチップなどのチップ実装時に障害となると考えられる。
【００４１】
物性評価は以下の方法に従って行うことができる。
１）絶縁フィルムのガラス転移温度（Ｔｇ）：動的粘弾性法により、ｔａｎδのピーク値から求めた（引張り法、周波数６．２８ｒａｄ／秒、昇温速度１０℃／分）。
２）絶縁フィルムの線膨張係数（５０〜２００℃）：ＴＭＡ法により、２０〜２００℃平均線膨張係数を測定した（引張り法、昇温速度５℃／分）。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】片面キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法により片面銅配線絶縁フィルム製造工程の一例を説明する工程図である。
【図２】両面キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法により両面銅配線絶縁フィルム製造工程の一例を説明する工程図である。
【図３】両面キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、両面キャリア付き銅箔積層絶縁フィルムより貫通孔形成までの製造工程の一例を説明する工程図である。
【図４】本発明の銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図５】本発明の銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図６】本発明の銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図７】本発明の銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図８】本発明の銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図９】本発明の銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図１０】本発明の銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図１１】本発明ではない銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図１２】本発明ではない銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【図１３】本発明ではない銅配線絶縁フィルムの一例の断面の一部の模式図を示す。
【符号の説明】
【００４３】
１：片面キャリア付き銅箔積層絶縁フィルム、
２：絶縁フィルム、
３，３’：キャリア付き銅箔、
４，４’：銅箔、
５，５’：キャリア、
８，８’：銅箔が除去されて現れる絶縁フィルム表面、
９，９’：金属メッキ、
１０，１０’：銅メッキ、
１７，１７’：フォトレジスト層、
２１，２１’：導電化皮膜、
１００：両面キャリア付き銅箔積層絶縁フィルム、
１０１：両面銅配線絶縁フィルム、
１０２：両面に金属メッキされた両面銅配線絶縁フィルム。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅箔の厚みが０．５〜５μｍのキャリア付き銅箔を絶縁フィルムの片面或いは両面に積層されているキャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法による銅配線絶縁フィルムの製造法であり、
銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねり又は銅箔積層絶縁フィルムの銅箔を除去して得られる絶縁フィルム表面のうねりが下記特性（ａ１）、（ｂ１）及び（ｃ１）より選ばれる特性を有することを特徴とする銅配線絶縁フィルムの製造法。
・特性（ａ１）：うねりの波長が５μｍ以下。
・特性（ｂ１）：うねりの波長が１２０ｍｍ以上。
・特性（ｃ１）：うねりの波長が５μｍを超えて１２０ｍｍ未満でかつうねりの振幅が０．５μｍ以下。
【請求項２】
銅箔の厚みが０．５〜５μｍのキャリア付き銅箔を絶縁フィルムの片面或いは両面に積層されているキャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法による銅配線絶縁フィルムの製造法であり、
銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねり又は銅箔積層絶縁フィルムの銅箔を除去して得られる絶縁フィルム表面のうねりが下記特性（ａ２）、（ｂ２）及び（ｃ１）より選ばれる特性を有することを特徴とする銅配線絶縁フィルムの製造法。
・特性（ａ２）：うねりの波長が５μｍ以下でかつうねりの振幅が５μｍ以下。
・特性（ｂ２）：うねりの波長が１２０ｍｍ以上でかつうねりの振幅が５μｍ以下。
・特性（ｃ１）：うねりの波長が５μｍを超えて１２０ｍｍ未満でかつうねりの振幅が０．５μｍ以下。
【請求項３】
銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねりがセミアディティブ法により銅配線を形成する部分の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねりであり、
銅箔積層絶縁フィルムの銅箔をエッチングにより除去した絶縁フィルム表面のうねりがセミアディティブ法により銅配線を形成する部分の絶縁フィルム表面のうねりであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の銅配線絶縁フィルムの製造法。
【請求項４】
銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねりがセミアディティブ法により１０〜４５μｍピッチの銅配線を形成する部分の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねりであり、
銅箔積層絶縁フィルムの銅箔をエッチングにより除去した絶縁フィルム表面のうねりがセミアディティブ法により１０〜４５μｍピッチの銅配線を形成する部分の絶縁フィルム表面のうねりであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の銅配線絶縁フィルムの製造法。
【請求項５】
銅配線絶縁フィルムは、１０〜４５μｍピッチの銅配線部分を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の銅配線絶縁フィルムの製造方法。
【請求項６】
銅配線絶縁フィルムは、１０〜３５μｍピッチの銅配線部分を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の銅配線絶縁フィルムの製造方法。
【請求項７】
銅配線絶縁フィルムは、ＩＣチップ実装用銅配線絶縁フィルムであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の銅配線絶縁フィルムの製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の銅配線絶縁フィルムの製造方法により製造された銅配線絶縁フィルム。
【請求項９】
さらに銅が金属めっきされた請求項８に記載の銅配線絶縁フィルム。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９のいずれかに記載の配線絶縁フィルムの銅配線上にＩＣチップが実装された電子部材。
【請求項１】
銅箔の厚みが０．５〜５μｍのキャリア付き銅箔を絶縁フィルムの片面或いは両面に積層されているキャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法による銅配線絶縁フィルムの製造法であり、
銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねり又は銅箔積層絶縁フィルムの銅箔を除去して得られる絶縁フィルム表面のうねりが下記特性（ａ１）、（ｂ１）及び（ｃ１）より選ばれる特性を有することを特徴とする銅配線絶縁フィルムの製造法。
・特性（ａ１）：うねりの波長が５μｍ以下。
・特性（ｂ１）：うねりの波長が１２０ｍｍ以上。
・特性（ｃ１）：うねりの波長が５μｍを超えて１２０ｍｍ未満でかつうねりの振幅が０．５μｍ以下。
【請求項２】
銅箔の厚みが０．５〜５μｍのキャリア付き銅箔を絶縁フィルムの片面或いは両面に積層されているキャリア付き銅箔積層絶縁フィルムを用いて、セミアディティブ法による銅配線絶縁フィルムの製造法であり、
銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねり又は銅箔積層絶縁フィルムの銅箔を除去して得られる絶縁フィルム表面のうねりが下記特性（ａ２）、（ｂ２）及び（ｃ１）より選ばれる特性を有することを特徴とする銅配線絶縁フィルムの製造法。
・特性（ａ２）：うねりの波長が５μｍ以下でかつうねりの振幅が５μｍ以下。
・特性（ｂ２）：うねりの波長が１２０ｍｍ以上でかつうねりの振幅が５μｍ以下。
・特性（ｃ１）：うねりの波長が５μｍを超えて１２０ｍｍ未満でかつうねりの振幅が０．５μｍ以下。
【請求項３】
銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねりがセミアディティブ法により銅配線を形成する部分の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねりであり、
銅箔積層絶縁フィルムの銅箔をエッチングにより除去した絶縁フィルム表面のうねりがセミアディティブ法により銅配線を形成する部分の絶縁フィルム表面のうねりであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の銅配線絶縁フィルムの製造法。
【請求項４】
銅箔の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねりがセミアディティブ法により１０〜４５μｍピッチの銅配線を形成する部分の絶縁フィルムと積層する側の銅箔の表面のうねりであり、
銅箔積層絶縁フィルムの銅箔をエッチングにより除去した絶縁フィルム表面のうねりがセミアディティブ法により１０〜４５μｍピッチの銅配線を形成する部分の絶縁フィルム表面のうねりであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の銅配線絶縁フィルムの製造法。
【請求項５】
銅配線絶縁フィルムは、１０〜４５μｍピッチの銅配線部分を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の銅配線絶縁フィルムの製造方法。
【請求項６】
銅配線絶縁フィルムは、１０〜３５μｍピッチの銅配線部分を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の銅配線絶縁フィルムの製造方法。
【請求項７】
銅配線絶縁フィルムは、ＩＣチップ実装用銅配線絶縁フィルムであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の銅配線絶縁フィルムの製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の銅配線絶縁フィルムの製造方法により製造された銅配線絶縁フィルム。
【請求項９】
さらに銅が金属めっきされた請求項８に記載の銅配線絶縁フィルム。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９のいずれかに記載の配線絶縁フィルムの銅配線上にＩＣチップが実装された電子部材。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
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【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
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【公開番号】特開２００９−１７６７６８（Ｐ２００９−１７６７６８Ａ）
【公開日】平成２１年８月６日（２００９．８．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１０６９９（Ｐ２００８−１０６９９）
【出願日】平成２０年１月２１日（２００８．１．２１）
【出願人】（００００００２０６）宇部興産株式会社 (2,022)
【公開日】平成２１年８月６日（２００９．８．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１月２１日（２００８．１．２１）
【出願人】（００００００２０６）宇部興産株式会社 (2,022)
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