チャンバ装置
【課題】チャンバ内に配置された要素の特性や性能が劣化することを抑制する。
【解決手段】チャンバ装置は、レーザ装置および前記レーザ装置から出力されるレーザ光を集光するための集光光学系と共に用いられるチャンバ装置であって、レーザ装置から出力されたレーザ光を通過させる入射口が設けられたチャンバと、チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するように構成されたターゲット供給部と、チャンバ内でターゲット物質にレーザ光が照射することで発生したターゲット物質のデブリを付着させるデブリ入射面を含む回収部と、回収部から流出したデブリを回収する回収容器とを備え、デブリ入射面は、前記デブリが入射する方向に対して垂直でない方向に傾いていてもよい。
【解決手段】チャンバ装置は、レーザ装置および前記レーザ装置から出力されるレーザ光を集光するための集光光学系と共に用いられるチャンバ装置であって、レーザ装置から出力されたレーザ光を通過させる入射口が設けられたチャンバと、チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するように構成されたターゲット供給部と、チャンバ内でターゲット物質にレーザ光が照射することで発生したターゲット物質のデブリを付着させるデブリ入射面を含む回収部と、回収部から流出したデブリを回収する回収容器とを備え、デブリ入射面は、前記デブリが入射する方向に対して垂直でない方向に傾いていてもよい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、チャンバ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ方式による極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置では、チャンバ内でターゲット物質にレーザ光を照射することにより、ターゲット物質をプラズマ化し、このプラズマ化したターゲット物質から放射される光のうち所望の波長、たとえば１３．５ｎｍの波長のＥＵＶ光を選択的に集光する。ＥＵＶ光の集光には、ある一点で放射された光を集光する凹面状の反射面を備えた集光ミラーが用いられる。集光ミラーにより集光されたＥＵＶ光は、露光装置に導波され、フォトリソグラフィやレーザ加工等に用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２６６２３４号公報
【概要】
【０００４】
本開示の一態様によるチャンバ装置は、レーザ装置および前記レーザ装置から出力されるレーザ光を集光するための集光光学系と共に用いられるチャンバ装置であって、レーザ装置から出力されたレーザ光を通過させる入射口が設けられたチャンバと、チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するように構成されたターゲット供給部と、チャンバ内でターゲット物質にレーザ光が照射することで発生したターゲット物質のデブリを付着させるデブリ入射面を含む回収部と、回収部から流出したデブリを回収する回収容器とを備え、デブリ入射面は、前記デブリが入射する方向に対して垂直でない方向に傾いていてもよい。
【０００５】
また、本開示の他の態様によるチャンバ装置は、レーザ装置および前記レーザ装置から出力されるレーザ光を集光するための集光光学系と共に用いられるチャンバ装置であって、前記レーザ装置から出力されたレーザ光を通過させる入射口が設けられたチャンバと、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するように構成されたターゲット供給部と、前記所定の領域に磁場を形成するように構成された磁場生成部と、前記チャンバ内で前記ターゲット物質にレーザ光が照射することで発生した前記ターゲット物質のデブリのうち前記磁場に沿って移動したデブリを回収するように構成された回収部と、前記回収部の少なくとも一部を所定の温度範囲内に維持するように構成された温度調節部とを備え、前記温度調節部が、前記回収部を冷却するように構成された冷却器と、前記回収部を加熱するように構成された加熱部と、前記回収部の温度を検出するように構成された温度センサと、前記温度センサで検出された温度に基づいて前記冷却器および前記加熱部のうち少なくとも１つを制御するように構成された制御部とを含んでもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、本開示の実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図２】図２は、図１に示されるＥＵＶ光生成装置のＥＵＶ光の軸を含む他の面に沿って切断した断面における構成を概略的に示す。
【図３Ａ】図３Ａは、実施の形態１によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、図３Ａに示されるデブリ回収部をイオン流が入射する方向に見た構成を概略的に示す。
【図４】図４は、本開示の実施の形態２によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図５】図５は、実施の形態２の変形例によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図６】図６は、本開示の実施の形態３によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図７】図７は、実施の形態３の変形例によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図８】図８は、本開示の実施の形態４によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図９】図９は、実施の形態４の変形例１によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図１０】図１０は、実施の形態４の変形例２によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図１１】図１１は、本開示の実施の形態５によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図１２】図１２は、実施の形態５の変形例１によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図１３】図１３は、実施の形態５の変形例２によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図１４Ａ】図１４Ａは、本開示の実施の形態６によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図１４Ｂ】図１４Ｂは、図１４Ａに示されるデブリ回収部をイオン流が入射する方向に見た構成を概略的に示す。
【図１５】図１５は、実施の形態６の変形例１によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図１６】図１６は、実施の形態６の変形例２によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図１７】図１７は、実施の形態６の変形例３によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図１８Ａ】図１８Ａは、本開示の実施の形態７によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図１８Ｂ】図１８Ｂは、図１８Ａに示されるデブリ回収部をイオン流が入射する方向に見た構成を概略的に示す。
【図１９Ａ】図１９Ａは、本開示の実施の形態８によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図１９Ｂ】図１９Ｂは、図１９Ａに示されるデブリ回収部をイオン流が入射する方向に見た構成を概略的に示す。
【図２０Ａ】図２０Ａは、本開示の実施の形態１０による磁場Ｂの電磁石コイルの中心軸と鉛直方向とを含む面に沿ってデブリ回収部を切断した際の断面における構成を概略的に示す。
【図２０Ｂ】図２０Ｂは、図２０Ａに示されるデブリ回収部をイオン流が入射する方向に見た構成を概略的に示す。
【図２１】図２１は、図２０Ａおよび図２０Ｂに示されるフランジ部分の組立体の構成を概略的に示す分解図である。
【図２２】図２２は、本開示の実施の形態１１によるデブリ回収部を磁場Ｂの電磁石コイルの中心軸と鉛直方向とを含む面に沿って切断した際の断面構成を概略的に示す。
【実施の形態】
【０００７】
以下、本開示を実施するための形態を添付の図面を参照に詳細に説明する。なお、以下の説明において、各図では本開示の内容を理解できる程度に形状、大きさ、および位置関係等が概略的に示されてあるに過ぎず、従って、本開示は各図で例示された形状、大きさ、および位置関係等に限定されるものではない。また、各図では、構成の明瞭化のため、断面におけるハッチングの一部が省略されている。さらに、後述において例示される数値は、本開示の好適な例に過ぎず、従って、本開示は例示された数値に限定されるものではない。
【０００８】
実施の形態１
本開示の実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。図１は、実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す断面図である。図１は、ＥＵＶ集光ミラー１２で反射されるＥＵＶ光Ｌ２の軸ＡＸを含む面に沿ってＥＵＶ光生成装置１を切断した断面である。
【０００９】
図１に示されるように、ＥＵＶ光生成装置１は、内部にＥＵＶ光Ｌ２の生成空間を画定するチャンバ１０を備えてもよい。このチャンバ１０には、ドロップレットジェネレータ１３が設けられてもよい。ドロップレットジェネレータ１３は、ＥＵＶ光Ｌ２の発生源となるターゲット物質である錫（Ｓｎ）を溶融した状態で蓄えてもよい。ドロップレットジェネレータ１３の先端には、ノズル１３ａが設けられていてもよい。ドロップレットジェネレータ１３は、ノズル１３ａの先端がチャンバ１０内のプラズマ生成領域Ｐ１に含まれる所定の位置に向けられるように配置されるのが好ましい。ＳｎのドロップレットＤは、ノズル１３ａの先端からプラズマ生成領域Ｐ１へ向けて出力されてもよい。ドロップレットジェネレータ１３は、たとえばその内部圧力を利用して溶融Ｓｎを液滴状のドロップレットＤとしてノズル１３ａ先端から出力してもよい。ただし、これに限定されない。たとえば、いわゆる静電引出し型のドロップレットジェネレータや、いわゆる静電引出し加速型のドロップレットジェネレータなどが、ドロップレットジェネレータ１３として用いられてもよい。静電引出し型のドロップレットジェネレータは、ノズル１３ａ先端に対向する位置に、溶融Ｓｎを静電気力によって引き出すための電極が配置された構成を備えてもよい。静電引出し加速型のドロップレットジェネレータは、上述の電極に加えて、引き出されたドロップレットＤを静電気力で加速させるための別の電極がさらに配置された構成を備えてもよい。
【００１０】
チャンバ１０内のプラズマ生成領域Ｐ１に供給されたドロップレットＤには、外部のドライバレーザから出力されたレーザ光Ｌ１がチャンバ１０に設けられたウィンドウ１１を介して照射されてもよい。その際、ドロップレットＤには、ＥＵＶ集光ミラー１２の中央に設けられた貫通孔１２ａを介してレーザ光Ｌ１が照射されてもよい。ドライバレーザがレーザ光Ｌ１を出力するタイミングは、ドロップレットＤがプラズマ生成領域Ｐ１に到着する時刻にレーザ光Ｌ１がプラズマ生成領域Ｐ１を照射するようなタイミングに調節されているとよい。これにより、ドロップレットＤがプラズマ生成領域Ｐ１内でプラズマ化し得る。プラズマ化したドロップレットＤからは、プラズマが脱励起する際に所定の波長のＥＵＶ光Ｌ２を含む光が放射され得る。チャンバ１０内には、プラズマ生成領域Ｐ１内で放射された光のうち所定の波長のＥＵＶ光Ｌ２を選択的に反射するＥＵＶ集光ミラー１２が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー１２で反射されたＥＵＶ光Ｌ２は、ＥＵＶ光生成装置１と露光装置（不図示）との接続部分である露光装置接続部１９内の所定の位置（中間集光点ＩＦ）に一旦集光され、その後、露光装置へ導波されてもよい。
【００１１】
チャンバ１０には、プラズマ生成領域Ｐ１を通過したドロップレットＤや、レーザ光Ｌ１に照射されてもプラズマ化しなかったドロップレットＤの一部等を回収するためのターゲット回収部１４が設けられてもよい。このターゲット回収部１４は、たとえばドロップレットジェネレータ１３のノズル１３ａ先端とプラズマ生成領域Ｐ１とを結ぶ直線の延長線上に配置されてもよい。ただし、ドロップレットＤの軌跡がカーブしている場合、ターゲット回収部１４はカーブする軌跡の延長線上に配置されるのが好ましい。
【００１２】
図２は、図１に示されるＥＵＶ光生成装置１をＥＵＶ光Ｌ２の軸ＡＸを含む他の面に沿って切断した断面の構成を概略的に示す。
【００１３】
図２に示されるように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ１０外に配置される磁場生成部１５と、チャンバ１０内に配置されるデブリ回収部１６と、を備えてもよい。磁場生成部１５は、チャンバ１０を挟むように配置される一対の電磁石コイル１５ａを含んでもよい。磁場生成部１５は、２つの電磁石コイル１５ａのボアの中心を結ぶ線がチャンバ１０内のプラズマ生成領域Ｐ１を通るように配置されるのが好ましい。これにより、磁場生成部１５は、プラズマ生成領域Ｐ１を包含する磁場Ｂを生成し得る。以降、２つの電磁石コイル１５ａのボアの中心を結ぶ線を、電磁石コイルの中心軸と称する。磁場Ｂは、ＥＵＶ光Ｌ２が生成される際にプラズマ生成領域Ｐ１内で発生したターゲット物質（Ｓｎ）のデブリのうち帯電しているデブリをトラップし得る。磁場Ｂにトラップされたデブリは、ローレンツ力によってイオン流ＦＬを形成し得る。イオン流ＦＬの流れる先には、デブリ回収部１６が配置されてもよい。イオン流ＦＬが磁場Ｂに沿って流れることで、プラズマ生成領域Ｐ１内で発生したデブリがデブリ回収部１６に回収され得る。
【００１４】
つぎに、実施の形態１によるデブリ回収部１６が、図面を参照して詳細に説明される。図３Ａは、実施の形態１によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。図３Ａは、磁場Ｂの電磁石コイルの中心軸を含む面に沿ってデブリ回収部を切断した際の断面の構成を示す。図３Ｂは、図３Ａに示されるデブリ回収部をイオン流ＦＬが入射する方向から見た構成を概略的に示す。
【００１５】
図３Ａおよび図３Ｂに示されるように、デブリ回収部１６は、イオン流ＦＬとして入射したＳｎのデブリを捕捉する部材として、たとえば円柱状の多孔質部材（ポーラス材料）１０２を備えてもよい。多孔質部材１０２は、その表面に内部の複数の空隙と連通する無数の開口を備えてもよい。多孔質部材１０２にイオン流ＦＬとして入射したデブリＤ１は、失活したのち凝集して液体となってもよい。液体となったデブリＤ１は、多孔質部材１０２の表面の開口から内部の空隙まで毛細管現象により染み込み得る。これにより、デブリＤ１が多孔質部材１０２の内部に捕捉され、貯蔵され得る。
【００１６】
デブリ回収部１６は、多孔質部材１０２を加熱するためのヒータ１０１を備えてもよい。ヒータ１０１には、たとえばチャンバ１０の外部に配置される電源１０８から電流が供給されてもよい。ヒータ１０１は、多孔質部材１０２をデブリＤ１が溶融状態にある温度範囲内に加熱してもよい。たとえば、ターゲット物質をＳｎとした場合、ヒータ１０１は、多孔質部材１０２を、Ｓｎの融点である２３２℃以上に加熱してもよい。これにより、多孔質部材１０２が入射したデブリＤ１を捕捉できる状態に保たれ得る。なお、多孔質部材１０２の温度は、多孔質部材１０２を構成する材料とターゲット物質とが反応する温度未満に保たれるのが好ましい。たとえば、ＳｎとＣｕとは２８０℃以上で反応し得る。そのため、ターゲット物質をＳｎとし、多孔質部材１０２の材料がＣｕを含む場合、多孔質部材１０２は、２８０℃未満に保たれるのが好ましい。多孔質部材１０２の温度は、電源１０８からヒータ１０１に流される電流を電源１０８に接続された温度コントローラ１０９が制御することで制御されてもよい。
【００１７】
多孔質部材１０２は、溶融したＳｎに対してぬれ性が高い材料で構成されていることが好ましい。以下の表１に、各種材料の溶融Ｓｎに対するぬれ性およびＳｎイオンに対するスパッタ率を示す。ぬれ性が高い場合、一般的に接触角が低い値となる。溶融したＳｎに対してぬれ性が高い材料には、たとえば表１に示されるように、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、シリコン（Ｓｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）などが含まれ得る。デブリに対してぬれ性の高い材料が用いられることで、多孔質部材１０２に入射したデブリを効率よくその内部へ染み込ませることができる。これにより、多孔質部材１０２のデブリが入射する面上に存在するＳｎ（デブリＤ１）を低減させることが可能となる。この結果、多孔質部材１０２に捕捉されたＳｎ（デブリＤ１）がイオン流ＦＬによってスパッタされる量を低減できる。
【００１８】
【表１】
【００１９】
以上のような構成を備えることで、実施の形態１によれば、ＥＵＶ光Ｌ２の生成の際に発生したデブリをデブリ回収部１６で回収することが可能となる。その結果、デブリがチャンバ１０内に配置された要素に付着することでその特性や性能が劣化することを抑制できる。
【００２０】
以上の説明では、デブリ回収部１６について説明したが、たとえば同様の構成をターゲット回収部１４にも適用することが可能である。その場合、プラズマ生成領域Ｐ１を通過したターゲット物質をターゲット回収部１４で回収することが可能となるため、ターゲット物質がチャンバ１０内に配置された要素に付着することでその特性や性能が劣化することを抑制できる。
【００２１】
実施の形態２
つぎに、本開示の実施の形態２によるＥＵＶ光生成装置およびデブリ回収部について、図面を参照して詳細に説明する。実施の形態２によるＥＵＶ光生成装置は、図１および図２に示されるＥＵＶ光生成装置１と同様の構成を備えてもよい。ただし、実施の形態２によるＥＵＶ光生成装置は、デブリ回収部１６に替えてデブリ回収部２１６を備えてもよい。
【００２２】
図４は、実施の形態２によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。図４には、磁場Ｂの電磁石コイルの中心軸を含む面に沿ってデブリ回収部を切断した際の断面の構成を示す。図４に示されるように、デブリ回収部２１６は、多孔質部材１０２の温度を検出するための温度センサ２１１を備えてもよい。デブリ回収部２１６のその他の構成は、図３に示されるデブリ回収部１６と同様の構成であってよい。温度センサ２１１で検出された温度は、温度コントローラ１０９に入力されてもよい。温度コントローラ１０９は、入力された温度に基づいて電源１０８からヒータ１０１に流される電流をフィードバック制御してもよい。これにより、多孔質部材１０２の温度が的確に所定の温度範囲（たとえば２３２℃以上２８０℃未満）内に制御され得る。
【００２３】
その他の構成および動作は、上述した実施の形態１における構成および動作と同様であってよいため、ここでは重複する説明を省略する。
【００２４】
変形例
図５は、実施の形態２の変形例によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。上述の実施の形態２で例示された多孔質部材１０２は、図５のデブリ回収部２１６Ａに示されるようなメッシュ部材（ポーラス材料）２０２に置き換えることも可能である。メッシュ部材２０２は、たとえばワイヤやリボン等が３次元に交差する３次元メッシュ構造を備えてもよい。メッシュ部材２０２は、多孔質部材１０２と同様に、表面に内部の複数の空隙と連通する無数の開口を備えてもよい。メッシュ部材２０２にイオン流ＦＬとして入射したデブリＤ１は、表面の開口から内部の空隙まで染み込み得る。これにより、デブリＤ１がメッシュ部材２０２の内部に捕捉され、貯蔵され得る。
【００２５】
多孔質部材１０２は、液状のターゲット物質を毛細管現象等により内部に染み込ませることができる構造の部材であれば、如何なる部材で構成されてもよい。このような部材には、３次元メッシュ構造のメッシュ部材２０２の他に、たとえば数μｍの微粒子を焼結させた部材や繊維状の部材を固めた部材などが含まれ得る。また、多孔質部材がメッシュ部材等に置き換えられた構成は、他の実施の形態およびそれらの変形例にも適用することが可能である。
【００２６】
実施の形態３
本開示の実施の形態３によるＥＵＶ光生成装置およびデブリ回収部について、図面を参照して詳細に説明する。実施の形態３によるＥＵＶ光生成装置は、図１および図２に示されるＥＵＶ光生成装置１と同様の構成を備えてもよい。ただし、実施の形態３によるＥＵＶ光生成装置は、デブリ回収部１６に替えてデブリ回収部３１６を備えてもよい。
【００２７】
図６は、実施の形態３によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。図６は、磁場Ｂの電磁石コイルの中心軸を含む面に沿ってデブリ回収部を切断した際の断面の構成を示す。図６に示されるように、デブリ回収部３１６は、多孔質部材１０２のイオン流ＦＬが入射する面にメッシュ部材３０３を備えてもよい。このメッシュ部材３０３は、たとえば図５に示されるメッシュ部材２０２と同様の構造を有する部材で構成されてもよい。デブリ回収部３１６のその他の構成は、図４に示されるデブリ回収部２１６と同様の構成であってよい。メッシュ部材３０３にイオン流ＦＬとして入射したデブリＤ１は、メッシュ部材３０３の表面の開口から内部に染み込んだ後、デブリＤ１の入射面に対して反対側の面に接触するように配置された多孔質部材１０２に染み込み得る。これにより、デブリＤ１が多孔質部材１０２の内部に捕捉され、貯蔵され得る。メッシュ部材３０３は、多孔質部材１０２よりもデブリＤ１に対してぬれ性が低いことが好ましい。
【００２８】
メッシュ部材３０３は、たとえば上記の表１に示された、イオン流ＦＬの入射に対してスパッタリングされ難い材料を用いて構成されることが好ましい。この材料には、たとえば炭素（Ｃ）、タングステン（Ｗ）、シリコン（Ｓｉ）、タングステンカーバイド（ＷＣ）、チタン（Ｔｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）およびアルミニウム（Ａｌ）などが含まれ得る。
【００２９】
その他の構成および動作は、上述した実施の形態およびその変形例における構成および動作と同様であってよいため、ここでは重複する説明を省略する。
【００３０】
変形例
図７は、実施の形態３の変形例によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。上述の実施の形態３で例示されたメッシュ部材３０３は、図７のデブリ回収部３１６Ａに示されるような多孔質部材３０４に置き換えることも可能である。多孔質部材３０４は、多孔質部材１０２と同様に、表面に内部の複数の空隙と連通する無数の開口を備えてもよい。多孔質部材３０４にイオン流ＦＬとして入射したデブリＤ１は、多孔質部材３０４の表面の開口から内部に染み込んだ後、デブリＤ１の入射面に対して反対側の面に接触するように配置された多孔質部材１０２に染み込み得る。これにより、デブリＤ１が多孔質部材１０２の内部に捕捉され得る。多孔質部材３０４は、イオン流ＦＬが入射することによってスパッタリングされ難い材料を用いて構成されるのが好ましい。また、多孔質部材３０４は、多孔質部材１０２よりもデブリＤ１に対してぬれ性が低いことが好ましい。
【００３１】
メッシュ部材３０３および多孔質部材３０４は、液状のターゲット物質を毛細管現象等により内部に染み込ませることができる構造の部材であれば、如何なる部材で構成されてもよい。このような部材には、たとえば数μｍの微粒子を焼結させた部材や繊維状の部材を固めた部材などが含まれ得る。メッシュ部材３０３および多孔質部材３０４のイオン流ＦＬが入射する方向の合計の厚さは数十μｍでよい。デブリ回収部のイオン流ＦＬが入射する面にメッシュ部材３０３または多孔質部材３０４が設けられた構成は、他の実施の形態およびその変形例にも適用することが可能である。
【００３２】
実施の形態４
本開示の実施の形態４によるＥＵＶ光生成装置およびデブリ回収部について、図面を参照して詳細に説明する。実施の形態４によるＥＵＶ光生成装置は、図１および図２に示されるＥＵＶ光生成装置１と同様の構成を備えてもよい。ただし、実施の形態４によるＥＵＶ光生成装置は、デブリ回収部１６に替えてデブリ回収部４１６を備えてもよい。
【００３３】
図８は、実施の形態４によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。図８は、磁場Ｂの電磁石コイルの中心軸を含む面に沿ってデブリ回収部を切断した際の断面の構成を示す。図８に示されるように、デブリ回収部４１６は、図４に示されるデブリ回収部２１６と同様の構成を備えてもよい。ただし、デブリ回収部４１６は、多孔質部材１０２に替えて多孔質部材４０２を備えてもよい。多孔質部材４０２は、たとえば図４に示される多孔質部材１０２と同様の部材を用いて構成されてもよい。多孔質部材４０２は、イオン流ＦＬが入射する面にポケット４１１を備えてもよい。ポケット４１１の開口径は、たとえばイオン流ＦＬの横断面よりも幅広であるとよい。イオン流ＦＬが入射する面にイオン流ＦＬを受けるカップ状のポケット４１１が設けられることで、イオン流ＦＬが入射することによって生成されたスパッタ物が、ポケット４１１の側面で捕捉され得る。これにより、スパッタ物がチャンバ１０内へ飛散することを防止できる。
【００３４】
その他の構成および動作は、上述した実施の形態およびその変形例における構成および動作と同様であってよいため、ここでは重複する説明を省略する。
【００３５】
変形例１
図９は、実施の形態４の変形例１によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。上述の実施の形態４で例示された多孔質部材４０２は、図９に示されるデブリ回収部４１６Ａのように、多孔質部材４０２ａに置き換えることも可能である。多孔質部材４０２ａでは、多孔質部材４０２におけるカップ状のポケット４１１が、円錐台形状のポケット４１２に置き換えられてもよい。ポケット４１２の側面がイオン流ＦＬの入射方向に対して傾斜していることで、個々のデブリによってポケット４１２の側面が受ける単位面積当たりのＳｎの衝突密度を低減することが可能となる。その結果、イオン流ＦＬが入射することによるスパッタを低減することが可能となる。
【００３６】
変形例２
図１０は、実施の形態４の変形例２によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。上述の多孔質部材４０２または４０２ａは、図１０に示されるデブリ回収部４１６Ｂのように、多孔質部材４０２ｂに置き換えることも可能である。多孔質部材４０２ｂは、たとえば多孔質部材４０２におけるカップ状のポケット４１１に替えて、開口部４１３と、空洞部４１４とを備えてもよい。開口部４１３は、イオン流ＦＬが入射する面に位置するとよい。開口部４１３の開口径は、たとえばイオン流ＦＬの横断面よりも幅広であるとよい。空洞部４１４は、多孔質部材４０２ｂに対してイオン流ＦＬが入射する面よりも多孔質部材４０２ｂの内部に位置し、開口部４１３と連通していてもよい。空洞部４１４の最大の内径は、開口部４１３の開口径よりも幅広であるとよい。多孔質部材４０２ｂの内部に開口部４１３よりも幅広い空間（空洞部４１４）を設けることで、イオン流ＦＬが入射することによって発生したスパッタ物がチャンバ１０内へ飛散することをより確実に抑制することが可能となる。
【００３７】
実施の形態５
本開示の実施の形態５によるＥＵＶ光生成装置およびデブリ回収部について、図面を参照して詳細に説明する。実施の形態５によるＥＵＶ光生成装置は、図１および図２に示されるＥＵＶ光生成装置１と同様の構成を備えてもよい。ただし、実施の形態５によるＥＵＶ光生成装置は、デブリ回収部１６に替えてデブリ回収部５１６を備えてもよい。
【００３８】
図１１は、実施の形態５によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。図１１は、磁場Ｂの電磁石コイルの中心軸を含む面に沿ってデブリ回収部を切断した際の断面の構成を示す。図１１に示されるように、デブリ回収部５１６は、カップ状のポケット４１１の底部、すなわちイオン流ＦＬが入射する面に、スパッタ防止部であるメッシュ部材５１１をさらに備えてもよい。このメッシュ部材５１１は、たとえば図６に示されるメッシュ部材３０３と同様の構造の部材を用いて構成されてもよい。デブリ回収部５１６のその他の構成は、図８に示されるデブリ回収部４１６と同様の構成であってもよい。メッシュ部材５１１にイオン流ＦＬとして入射したデブリＤ１は、メッシュ部材５１１の表面の開口から内部に染み込んだ後、デブリＤ１の入射面に対して反対側の面に接触するように配置された多孔質部材４０２に染み込み得る。これにより、デブリＤ１が多孔質部材４０２の内部に捕捉され、貯蔵され得る。メッシュ部材５１１は、多孔質部材４０２よりもデブリＤ１に対してぬれ性が低いことが好ましい。
【００３９】
その他の構成および動作は、上述した実施の形態およびその変形例における構成および動作と同様であってよいため、ここでは重複する説明を省略する。
【００４０】
変形例１
図１２は、実施の形態５の変形例１によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。変形例１によるデブリ回収部５１６Ａは、図１１に示されるデブリ回収部５１６と同様に、円錐台形状のポケット４１２の底部、すなわちイオン流ＦＬが入射する面に、スパッタ防止部であるメッシュ部材５１１を備えてもよい。デブリ回収部５１６Ａのその他の構成は、図９に示されるデブリ回収部４１６Ａと同様の構成であってよい。メッシュ部材５１１にイオン流ＦＬとして入射したデブリＤ１は、メッシュ部材５１１の表面の開口から内部に染み込んだ後、デブリＤ１の入射面に対して反対側の面に接触するように配置された多孔質部材４０２ａに染み込み得る。これにより、デブリＤ１が多孔質部材４０２ａの内部に捕捉され得る。メッシュ部材５１１は、多孔質部材４０２ａよりもデブリＤ１に対してぬれ性が低いことが好ましい。
【００４１】
変形例２
図１３は、実施の形態５の変形例２によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。変形例２によるデブリ回収部５１６Ｂは、図１１に示されるデブリ回収部５１６および図１２に示されるデブリ回収部５１６Ａと同様に、スパッタ防止部であるメッシュ部材５１１を備えてもよい。メッシュ部材５１１は、多孔質部材４０２ｂ内の空洞部４１４においてイオン流ＦＬが入射する面に設けられてもよい。デブリ回収部５１６Ｂのその他の構成は、図１０に示されるデブリ回収部４１６Ｂと同様の構成であってよい。メッシュ部材５１１にイオン流ＦＬとして入射したデブリＤ１は、メッシュ部材５１１の表面の開口から内部に染み込んだ後、デブリＤ１の入射面に対して反対側の面に接触するように配置された多孔質部材４０２ｂに染み込み得る。これにより、デブリＤ１が多孔質部材４０２ｂの内部に捕捉され得る。メッシュ部材５１１は、多孔質部材４０２ｂよりもデブリＤ１に対してぬれ性が低いことが好ましい。
【００４２】
実施の形態６
本開示の実施の形態６によるＥＵＶ光生成装置およびデブリ回収部について、図面を参照して詳細に説明する。実施の形態６によるＥＵＶ光生成装置は、図１および図２に示されるＥＵＶ光生成装置１と同様の構成を備えてもよい。ただし、実施の形態６によるＥＵＶ光生成装置は、デブリ回収部１６に替えてデブリ回収部６１６を備えてもよい。
【００４３】
図１４Ａは、実施の形態６によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。図１４Ａは、磁場Ｂの電磁石コイルの中心軸を含む面に沿ってデブリ回収部を切断した際の断面の構成を示す。図１４Ｂは、図１４Ａに示されるデブリ回収部をイオン流ＦＬが入射する方向から見た構成を概略的に示す。図１４Ａおよび図１４Ｂに示されるように、デブリ回収部６１６は、円板状の多孔質部材６０２と、多孔質部材６０２のイオン流ＦＬが入射する面側に設けられた円板状のメッシュ部材６０３と、を備えてもよい。多孔質部材６０２は、たとえば図４に示される多孔質部材１０２と同様の部材を用いて構成されてもよい。メッシュ部材６０３は、たとえば図６に示されるメッシュ部材３０３と同様の構造の部材を用いて構成されてもよい。メッシュ部材６０３にイオン流ＦＬとして入射したデブリＤ１は、メッシュ部材６０３の表面の開口から内部に染み込んだ後、デブリＤ１の入射面に対して反対側の面に接触するように配置された多孔質部材６０２に染み込み得る。これにより、デブリＤ１が多孔質部材６０２の内部に捕捉され得る。メッシュ部材６０３は、多孔質部材６０２よりもデブリＤ１に対してぬれ性が低いことが好ましい。多孔質部材６０２の代わりに、板材が用いられてもよい。この板材は、溶融したデブリに対してぬれ性が低いことが好ましい。
【００４４】
デブリ回収部６１６は、多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３を、デブリであるＳｎが溶融する温度以上に加熱するためのヒータ６０１を備えてもよい。温度コントローラ１０９は、温度センサ２１１で検出された温度に基づいて、電源１０８からヒータ６０１に流される電流を制御してもよい。これにより、多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３の温度が、的確に所定の温度範囲（たとえばＳｎの融点（２３２℃）以上）内に制御され得る。
【００４５】
多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３の温度がＳｎの融点以上の温度に調節されると、多孔質部材６０２内部に捕捉されたＳｎ（デブリＤ１）は、溶融状態に保たれ得る。そのため、溶融したＳｎ（デブリＤ１）が鉛直方向（紙面下方向）に向かって流れ得る。多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３の下方には、回収容器６１０が設けられてもよい。回収容器６１０は、多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３のうち少なくとも一方と接続する部分に開口を有してもよい。多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３から下方へ流れる溶融Ｓｎは、回収容器６１０に流れ込み得る。これにより、多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３に捕捉されたデブリＤ１が、デブリＤ２として回収容器６１０内に貯蔵され得る。
【００４６】
以上のように、デブリＤ１を捕捉するユニットとは別にデブリＤ２を蓄えるユニットを設けることで、たとえば多孔質部材またはメッシュ部材の内部にＳｎ（デブリＤ１）が貯蔵される場合と比較して、より多くのＳｎを貯蔵しておくことが可能となる。その結果、メンテナンスの回数を低減することができる。また、メッシュ部材６０３を多孔質部材６０２よりもデブリＤ１に対するぬれ性が低い部材で構成することで、回収容器６１０への溶融Ｓｎの流れ込みをスムーズにすることができる。回収容器６１０には、回収容器６１０の温度をその内部に貯蔵されるＳｎが溶融する温度に保つためのヒータ６１１が設けられてもよい。回収容器６１０の温度をＳｎが溶融する温度に保つことで、回収容器６１０内でのＳｎを液状に保つことができ、デブリＤ２の貯蔵に利用できる容積効率を向上できる。
【００４７】
その他の構成および動作は、上述した実施の形態およびその変形例における構成および動作と同様であってよいため、ここでは重複する説明を省略する。
【００４８】
変形例１
図１５は、実施の形態６の変形例１によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。変形例１によるデブリ回収部６１６Ａは、メッシュ部材６０３のデブリＤ１が入射する面に、たとえばイオン流ＦＬの横断面よりも幅広の開口６１３が開口された円筒状の多孔質部材６１２を備えてもよい。デブリ回収部６１６Ａのその他の構成は、図１４Ａおよび図１４Ｂに示されるデブリ回収部６１６と同様の構成であってよい。このように、イオン流ＦＬが入射する面にイオン流ＦＬを受ける円筒状の多孔質部材６１２が設けられることで、イオン流ＦＬが入射することによって発生したスパッタ物が、多孔質部材６１２の開口内壁面で捕捉され得る。これにより、スパッタ物がチャンバ１０内へ飛散することを抑制できる。図１４Ａおよび図１４Ｂに示されるデブリ回収部６１６におけるヒータ６０１は、多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３に加えて多孔質部材６１２を温めることが可能なヒータ６０１ａに置き換えられてもよい。
【００４９】
変形例２
図１６は、実施の形態６の変形例２によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。変形例２によるデブリ回収部６１６Ｂは、図１４Ａおよび図１４Ｂに示されるデブリ回収部６１６と同様の構成を備えてもよい。ただし、デブリ回収部６１６Ｂにおける回収容器６１０は、チャンバ１０外に配置されてもよい。多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３と回収容器６１０との間には、多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３の下方から流れ出した溶融Ｓｎを回収容器６１０に導くためのドレイン管６２０が設けられてもよい。このドレイン管６２０は、たとえばヒータ６２１によってＳｎが溶融する温度（たとえば融点２３２℃以上）に温められてもよい。このような構成によれば、他の構成要素による占積制約の多いチャンバ１０内に回収容器６１０を配置する必要がなくなる。その結果、比較的大容量の回収容器６１０をチャンバ１０外に設けることが可能となり、メンテナンスの回数を低減できる。
【００５０】
変形例３
図１７は、実施の形態６の変形例３によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。変形例３によるデブリ回収部６１６Ｃは、図１４Ａおよび図１４Ｂに示されるデブリ回収部６１６と同様の構成を備えてもよい。ただし、デブリ回収部６１６Ｃは、回収容器６１０に替えて、多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３から分離された回収容器６３０を備えてもよい。回収容器６３０は、チャンバ１０の内壁面において多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３の下方に取り付けられてもよい。この回収容器６３０は、図示しない着脱機構によってチャンバ１０に対して着脱可能であってもよい。多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３で捕捉されたデブリＤ１（溶融Ｓｎ）は、主にメッシュ部材６０３から流れ出し、下方にある回収容器６３０にデブリＤ２として回収され得る。このような構成によれば、チャンバ１０内から回収容器６３０のみが取り出せるため、メンテナンスの手間を低減することが可能となる。
【００５１】
実施の形態７
本開示の実施の形態７によるＥＵＶ光生成装置およびデブリ回収部について、図面を参照して詳細に説明する。実施の形態７によるＥＵＶ光生成装置は、図１および図２に示されるＥＵＶ光生成装置１と同様の構成を備えてもよい。ただし、実施の形態７によるＥＵＶ光生成装置は、デブリ回収部１６に替えてデブリ回収部７１６を備えてもよい。
【００５２】
図１８Ａは、実施の形態７によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。図１８Ａは、磁場Ｂの電磁石コイルの中心軸を含む面に沿ってデブリ回収部を切断した際の断面の構成を示す。図１８Ｂは、図１８Ａに示されるデブリ回収部をイオン流ＦＬが入射する方向から見た構成を概略的に示す。図１８Ａおよび図１８Ｂに示されるように、デブリ回収部７１６は、縦長な板状の多孔質部材７０２を備えてもよい。多孔質部材７０２は、たとえば図４に示される多孔質部材１０２と同様の部材を用いて構成されてもよい。
【００５３】
多孔質部材７０２の長手方向における一方の端の形状は、半円形状であってもよい。多孔質部材７０２はその半円形状の部分が鉛直方向における上方に位置するように配置されてもよい。多孔質部材７０２の半円形状の部分を含む一部には、温度コントローラ１０９に接続された温度センサ２１１および電源１０８に接続されたヒータ７０１が設けられてもよい。温度コントローラ１０９は、ヒータ７０１が、温度センサ２１１で検出された温度に基づいて、多孔質部材７０２の温度が所定の温度範囲（たとえば２３２℃以上２８０℃未満）内の温度となるように電源１０８をフィードバック制御してもよい。これにより、多孔質部材７０２に捕捉されたＳｎのデブリＤ１が、溶融した状態に維持されつつ、鉛直方向の下方へ流れ得る。
【００５４】
多孔質部材７０２における鉛直方向下方に配置される他方の端は、ヒータ７０１よりも下方へ突出してもよい。この突出した部分は、多孔質部材７０２の上方で捕捉されたＳｎを貯蔵するための貯蔵部７０２ａとして機能してもよい。貯蔵部７０２ａは、ヒータ７０１によって直接加熱されないため、Ｓｎの融点より低い温度となり得る。したがって、多孔質部材７０２の上方から流れ落ちてきた溶融Ｓｎは、貯蔵部７０２ａに流れ込んだ後に放冷されて固化し得る。これにより、Ｓｎが貯蔵部７０２ａにデブリＤ３として貯蔵され得る。
【００５５】
その他の構成および動作は、上述した実施の形態およびその変形例における構成および動作と同様であってよいため、ここでは重複する説明を省略する。
【００５６】
実施の形態８
上述の実施の形態では、デブリ回収部においてイオン流ＦＬが入射する部分を、多孔質部材やメッシュ部材などの液体のデブリを浸透させることができる部材で構成した。しかし、本開示はこれに限定されるものではない。たとえば、イオン流ＦＬが入射する部分にデブリを浸透させない部材が配置されてもよい。このような部材は、溶融したデブリに対してぬれ性の低い材料で構成されることが好ましい。以下、この場合を実施の形態８として、図面を参照して詳細に説明する。以下の説明は、上述した実施の形態６の変形例２によるデブリ回収部をベースとする。
【００５７】
図１９Ａは、磁場Ｂの電磁石コイルの中心軸と鉛直方向とを含む面に沿ってデブリ回収部を切断した際の断面の構成を概略的に示す。図１９Ｂは、図１９Ａに示されるデブリ回収部をイオン流ＦＬが入射する方向から見た構成を概略的に示す。
【００５８】
図１９Ａおよび図１９Ｂに示されるように、実施の形態８によるデブリ回収部８１６は、図１６に示されるデブリ回収部６１６Ｂと同様の構成を備えてもよい。ただし、デブリ回収部８１６は、多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３（図１６参照）に替えて、板材８０２を備えてもよい。板材８０２は、たとえばホルダ８０１に保持されてもよい。板材８０２の表面には、被膜８０３が形成されてもよい。
【００５９】
板材８０２には、熱伝導率が高い材料が用いられるとよい。熱伝導率が高い材料には、たとえば銅などの金属材料、ＳｉＣ等のセラミック材料などが含まれ得る。被膜８０３には、たとえば溶融したデブリに対するぬれ性が低く、かつ、耐スパッタリング性に優れた材料が用いられるのが好ましい。また、被膜８０３にはデブリ（実施の形態８ではＳｎ）との反応性が低い材料が用いられることが好ましい。さらに、デブリをクリーニングするために水素ガス等の反応性ガスがチャンバ１０内に導入される場合は、被膜８０３には反応性ガスとの反応性が低い材料が用いられることが好ましい。このような材料には、ＳｉＣやカーボン（Ｃ）などが含まれ得る。材料にＳｉＣを用いた場合には、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いて被膜８０３を形成することができる。被膜８０３の表面は、ある程度粗いことが好ましい。そこで、被膜８０３の表面は、粗く研磨された面であってもよいし、成膜したままの状態の面であってもよい。
【００６０】
デブリ回収部８１６の温度は、イオン流ＦＬが衝突することによって上昇し得る。被膜８０３の表面の温度は、デブリであるＳｎが溶融する温度以上であることが好ましい。ただし、必要以上に被膜８０３の表面の温度が高すぎると、被膜８０３の表面に付着したＳｎがスパッタリングされ易くなる場合がある。そのため、被膜８０３の表面の温度は、所定の範囲内に収まるように制御されることが好ましい。そこで実施の形態８では、図１９Ａおよび図１９Ｂに示されるように、デブリ回収部８１６に冷却器８０８が設けられてもよい。冷却器８０８には、冷却されたシリコン油や有機化合物液体などの冷却媒体を流すための管８０９が連結されてもよい。管８０９の一部は、板材８０２の内部または裏面を通るように配管されてもよい。この管８０９内を冷却器８０８で冷却された冷却媒体が流れることで、被膜８０３の表面の温度が高くなりすぎないように、板材８０２を冷却することができる。この冷却器８０８および管８０９は、上述したいずれの実施の形態に対しても適用することができる。
【００６１】
温度コントローラ１０９は、温度センサ２１１で検出された温度がたとえば予め設定された第１の閾値温度を超えると、冷却器８０８を駆動してもよい。これにより、管８０９内に冷却された冷却媒体が送出され、板材８０２を介して被膜８０３の表面が冷却され得る。たとえば、第１の閾値温度は後述する第２の閾値温度よりも高い温度としてよい。また、第１の閾値温度は、被膜８０３および板材８０２が熱的に変性する温度未満に設定されてもよい。その場合、板材８０２が冷却され、結果として、板材８０２表面に形成された被膜８０３が冷却され得る。管８０９内へは、たとえば温度センサ２１１で検出された温度が予め設定された第２の閾値温度を下回るまで、継続して冷却媒体が送り出されてもよい。第２の閾値温度（＜第１の閾値温度）は、たとえばターゲット物質（Ｓｎ）の溶融温度よりも高い温度に設定されてもよい。
【００６２】
以上のような構成および動作により、実施の形態８では、イオン流ＦＬが衝突する被膜８０３の表面の温度がデブリ（Ｓｎ）の溶融温度以上に保たれ得る。被膜８０３の表面は、溶融したデブリに対するぬれ性が低い。そのため、被膜８０３の表面に付着したデブリは、溶融した状態で自重により鉛直方向下方へ流れ得る。デブリの流れた先には、図１６に示される構成と同様に、ドレイン管６２０が設けられてもよい。ドレイン管６２０の下流側には、回収容器６１０が設けられてもよい。その場合、鉛直方向下方へ流れるデブリは、ドレイン管６２０を通って回収容器６１０に回収され得る。
【００６３】
なお、実施の形態８では、冷却器８０８に代えて、加熱冷却が可能な恒温サーキュレータ等が用いられてもよい。また、その他の構成および動作は、上述した実施の形態およびその変形例における構成および動作と同様であってよいため、ここでは重複する説明を省略する。
【００６４】
実施の形態９
つづいて、実施の形態８で例示された板材８０２の材料について、以下により具体的に説明する。実施の形態８における板材８０２は、以下に例示されるような、溶融Ｓｎに対してぬれ性の低い材料で構成されてもよい。この場合、板材８０２の表面には、被膜８０３が形成されなくともよい。すなわち、実施の形態９では、デブリが入射する面に、以下に例示されるような、溶融Ｓｎに対してぬれ性の低い材料が配置されていればよい。
【００６５】
上述の実施の形態８において述べられたように、被膜８０３には、たとえば溶融したデブリに対するぬれ性が低く、かつ、耐スパッタリング性に優れた材料が用いられるのが好ましい。一般に、接触角度θが０°＜θ≦９０°の材料は、浸漬濡れの特性を有する。そのため、溶融したデブリに対して接触角度θが０°＜θ≦９０°の材料で被膜８０３が形成された場合、被膜８０３の表面に付着したデブリは、被膜８０３表面に浸り得る。一方、接触角度θがθ＞９０°の材料は、付着濡れの特性を有する。そのため、溶融したデブリに対して接触角度θがθ＞９０°の材料で被膜８０３が形成された場合、被膜８０３の表面に付着したデブリは、濡れが進行し難く、被膜８０３の表面に留まり得る。その後、被膜８０３の表面に付着したデブリは、自重により鉛直方向下方へ移動し得る。
【００６６】
以下の表２に、上述の実施の形態において例示したデブリである溶融Ｓｎに対する接触角度と材料との関係を示す。
【００６７】
【表２】
【００６８】
表２を参照すると明らかなように、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ３）、グラファイト、ダイヤモンド、酸化珪素（ＳｉＯｘ）および酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）は、溶融Ｓｎに対する接触角度θが９０°より大きく、溶融Ｓｎに対するぬれ性が低い。そのため、これらの材料は、被膜８０３および板材８０２の材料として好適であり得る。
【００６９】
上記表２に例示される材料以外にも、タングステン（Ｗ）およびタンタル（Ｔａ）は、酸化処理されることによって溶融Ｓｎに対するぬれ性が低くなる。そのため、これらの材料も、被膜８０３および板材８０２の材料として好適であり得る。
【００７０】
次に、溶融Ｓｎと各種材料との反応性について、以下に述べる。一般に、高融点材料であるタングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）などは、Ｓｎに対して安定した特性を有する。すなわち、これらの材料は、Ｓｎとの反応性が低い。
【００７１】
炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ）、グラファイト、ダイヤモンド、酸化珪素（ＳｉＯｘ）および酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）もまた、溶融Ｓｎに対して安定した特性を有する。すなわち、これらの材料も、溶融Ｓｎとの反応性が低い。
【００７２】
さらに、酸化タングステン（ＷＯ３）および酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）も、溶融Ｓｎに対して安定した特性を有する。すなわち、これらの材料も、溶融Ｓｎとの反応性が低い。
【００７３】
以上のことから、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ３）、グラファイト、ダイヤモンド、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）、酸化タングステン（ＷＯ３）および酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）のうちいずれかを、被膜８０３および板材８０２の材料とするのが好ましい。あるいは、これらの材料のうち１つ以上を含む材料を、被膜８０３および板材８０２の材料としてもよい。
【００７４】
また、デブリに対するスパッタ率が低いという観点からは、炭素（Ｃ）を被膜８０３および板材８０２の材料とすることも考えられる。
【００７５】
実施の形態１０
実施の形態１０について、図面を参照に詳細に説明する。実施の形態１０では、実施の形態８で例示したデブリ回収部８１６に実施の形態９で例示したぬれ性の低い材料が用いられてもよい。さらに、実施の形態１０では、ヒータと冷却器との組み合わせによってデブリ回収部の温度が制御されてもよい。
【００７６】
（構成）
図２０Ａは、磁場Ｂの電磁石コイルの中心軸と鉛直方向とを含む面に沿ってデブリ回収部を切断した際の断面の構成を概略的に示す。図２０Ｂは、図２０Ａに示されるデブリ回収部をイオン流ＦＬが入射する方向から見た構成を概略的に示す。図２１は、図２０Ａおよび図２０Ｂに示されるフランジ部分の組立体の構成を概略的に示す分解図である。
【００７７】
図２０Ａおよび図２０Ｂに示されるように、実施の形態１０によるデブリ回収部９１６は、基板９０２と、ヒートシンク９１１と、温度コントローラ１０９と、温度センサ２１１と、ヒータ９１２と、電源１０８と、冷却器８０８と、管８０９と、受け部９２１と、ドレイン管９２３とを備えてもよい。
【００７８】
基板９０２には、熱伝導性の高い材料が用いられてもよい。この材料は、たとえば銅（Ｃｕ）等の金属材料や炭化珪素（ＳｉＣ）等のセラミック材料であってもよい。基板９０２の表面には、被膜９０３がコーティングされていてもよい。基板９０２の材料にＣｕを用いた場合、基板９０２表面は、ニッケルを含む被膜９０３にてコーティングされていてもよい。あるいは、被膜９０３には、上述した被膜８０３と同様に、ターゲット物質（たとえばＳｎ）に対するぬれ性の低い材料が用いられてもよい。その際、被膜９０３には、スパッタリングに強い材料が用いられるのが好ましい。被膜９０３の材料は、ＳｉＣやカーボングラファイト（Ｃ）などであってもよい。好ましくは、被膜９０３は、化学蒸着後に研磨されないＣＶＤ−ＳｉＣ膜が用いられるとよい。
【００７９】
また、図２１に示されるように、基板９０２の裏面側には、ヒータ９１２、ヒートシンク９１１およびフランジ９３０が、基板９０２に近い側から順にこの順番で設けられてもよい。図２１のように、ヒートシンク９１１およびフランジ９３０は、一体の部材として形成されてもよいが、図２０Ａのように、それぞれ別体として形成された部材を接合したものであってもよい。基板９０２およびヒータ９１２は、基板９０２の外縁と係合可能な固定リング９０４を用いてヒートシンク９１１に固定されてもよい。固定リング９０４を用いたヒートシンク９１１への固定は、ネジによる締結であってもよいし、ロウ付けや溶接による固定であってもよい。
【００８０】
ヒータ９１２は、円環形状であってもよい。ヒータ９１２は、減圧熱分解ＣＶＤ法で製造されたセラミックであってもよい。このセラミックは、たとえば熱分解窒化ホウ素と熱分解グラファイトとが積層された構成を備えてもよい。
【００８１】
ヒートシンク９１１とヒータ９１２との間には、空間９１３が画定されていてもよい。ヒートシンク９１１は、ヒータ９１２の外周部および内周部の少なくともいずれかでヒータ９１２に接触していればよい。空間９１３には、ヒートシンク９１１とヒータ９１２との間の熱伝導を調節するよう、不活性ガスや空気などの気体が所望の圧力で封入されていてもよい。または、空間９１３には、ヒートシンク９１１よりも熱伝導率の低い液体または固体の物質が充填されてもよい。
【００８２】
また、図２０Ａに示されるように、ヒートシンク９１１内部の冷却媒体通路には、冷却器８０８に接続された冷却媒体流路である管８０９が接続されていてもよい。フランジ９３０は、チャンバ１０に対して脱着可能であることが好ましい。フランジ９３０とチャンバ１０との接続には、ボルト９３０ａなどが用いられてもよい。チャンバ１０には、デブリ回収部９１６をチャンバ１０の外部から装着するための開口１０ａが設けられていてもよい。その場合、フランジ９３０は、チャンバ１０の開口１０ａを気密に封止可能であることが好ましい。
【００８３】
温度センサ２１１は、基板９０２の表面温度を検出してもよい。温度センサ２１１は、ヒートシンク９１１に接触しないように設けられてもよい。温度センサ２１１によって検出された温度値は、温度コントローラ１０９に入力されてもよい。温度コントローラ１０９は、温度センサ２１１から入力される温度値に基づいて、冷却器８０８および電源１０８を制御してもよい。
【００８４】
基板９０２に入射したイオン流ＦＬは、失活したのち冷却され凝集することで、液体のデブリＤ１となってもよい。液体のデブリＤ１は、デブリに対してぬれ性の低い被膜９０３の表面に液滴の状態で付着し得る。デブリＤ１は、温度制御された被膜９０３の表面を液滴のまま鉛直方向下方へ流れ落ち得る。鉛直方向下方へ流れ落ちたデブリＤ１は、受け部９２１を介してドレイン管９２３内に流れ込んでもよい。ドレイン管９２３内を流れたデブリＤ１は、たとえば収容容器６１０（図１９Ａおよび図１９Ｂ参照）内に貯蔵されてもよい。受け部９２１およびドレイン管９２３は、デブリＤ１の融点以上にヒータ等で加熱されてもよい。
【００８５】
（動作）
実施の形態１０によるデブリ回収部９１６の動作を説明する。冷却器８０８は、ヒートシンク９１１内の管８０９に一定流量の冷却媒体を流すように構成されてもよい。冷却器８０８は、たとえば、ラジエータ等の熱交換装置とポンプ等の圧送装置とを含んでもよい。冷却媒体は、冷却されたシリコン油や有機化合物液体などの他、水であってもよい。温度コントローラ１０９は、温度センサ２１１によって検出された温度に基づいて電源１０８からヒータ９１２に供給される電流を制御してもよい。それにより、ヒータ９１２が基板９０２を所望の温度範囲内の温度に加熱し得る。温度コントローラ１０９の設定温度は、被膜９０３の表面において、ターゲット物質（たとえばＳｎ）の融点以上の温度であってもよい。
【００８６】
実施の形態１０では、被膜９０３の材料には、ターゲット物質に対するぬれ性が比較的低い材料が用いられている。そのため、被膜９０３の表面温度をターゲット物質の融点以上の温度に制御することで、被膜９０３表面に付着したデブリＤ１を液滴の状態で鉛直方向下方に落下させることができる。液滴状のデブリＤ１は、漏斗状の受け部９２１を介してドレイン管９２３内に流れ込み、その後、たとえば収容容器６１０（図１９Ａおよび図１９Ｂ参照）内に貯蔵されてもよい。
【００８７】
（作用）
実施の形態１０によれば、デブリ回収部９１６における被膜９０３の表面温度をターゲット物質の融点よりも高い温度に制御することができる。デブリ回収部９１６における少なくとも被膜９０３の表面温度は、ＥＵＶ光生成装置１の運転初期や運転状態の変更時（たとえばデューティ比の変更時）であっても、ターゲット物質の融点よりも高い温度に制御され得る。そのため、デブリ回収部９１６の表面に固体状のターゲット物質が蓄積して固着することを抑制し得る。それにより、イオンなどの粒子とデブリ回収部９１６に固着したターゲット物質（デブリＤ１）との衝突によってターゲット物質がスパッタリングされ得る。その結果、スパッタリングによって飛散したデブリがチャンバ内の光学素子に付着してその性能を低下させることを抑制し得る。さらに、ヒータ９１２とヒートシンク９１１との間に空間９１３が設けられることで、ヒータ９１２とヒートシンク９１１との直接の接触面積が小さくされている。それにより、熱伝導を制限することができる。そのような構成によれば、コントローラ１０９による設定温度よりも低い沸点を持つ冷却媒体を用いた場合でも、冷却媒体が沸騰することを抑制できる。その結果、冷却媒体として安価な水を使用することができる。
【００８８】
（その他）
実施の形態１０では、電源１０８からヒータ９１２に供給する電流を一定の電流とし、代わりに、冷却媒体の流量を制御することで、被膜９０３表面の温度が制御されてもよい。その場合、冷却媒体の流量を制御するための制御バルブが管８０９に設けられてもよい。温度コントローラ１０９は、被膜９０３の表面温度を所定の温度範囲（たとえばターゲット物質の融点以上）に制御するために、管８０９に設けられた制御バルブを制御してもよい。あるいは、温度コントローラ１０９は、制御バルブを制御する代わりに、冷却器８０８内のポンプ等の圧送装置による冷却媒体の圧送流量を制御してもよい。
【００８９】
または、温度コントローラ１０９は、電源１０８からヒータ９１２に供給される電流と、冷却器８０８から管８０９に流される冷却媒体の流量との両方を制御してもよい。
【００９０】
上述のような溶融Ｓｎに対してぬれ性の低い材料は、実施の形態１〜１０およびそれらの変形例で例示されたデブリ回収部において、デブリが入射する部分にも適用可能である。デブリが入射する部分には、たとえば、デブリ回収部を構成する部分として、多孔質部材１０２、メッシュ部材２０２、多孔質部材４０２、多孔質部材４０２ａ、多孔質部材４０２ｂ、多孔質部材６０２および多孔質部材７０２が含まれ得る。また、デブリが入射する部分には、これらの部材のスパッタを防止するためのスパッタ防止部として、メッシュ部材３０３、多孔質部材３０４、メッシュ部材５１１、メッシュ部材６０３および多孔質部材６１２が含まれ得る。
【００９１】
実施の形態１１
上述した実施の形態において、イオン流ＦＬの入射面は、重力方向に対してやや傾いていてもよい。たとえば実施の形態１０のように、ターゲット材料（Ｓｎ）に対してぬれ性の低い材料をデブリ回収部９１６のイオン入射面（基板９０２もしくは被膜９０３）に用いた場合、デブリ回収部９１６は、そのイオン流ＦＬの入射面が重力方向に対して傾いて設置されてもよい。この際、入射面が傾く方向は、重力方向からみて入射面が見えるような方向であるとよい。つまり、地面を仮定した場合、上空に対するように傾くとよい。図２２は、実施の形態１１によるデブリ回収部を磁場Ｂの電磁石コイルの中心軸と重力方向とを含む面に沿って切断した際の断面構成を概略的に示す。図２２では、図２０Ａと同様の構成に同一の符号が付されている。
【００９２】
図２２に示されるように、実施の形態１１によるデブリ回収部９１６Ａは、実施の形態１０によるデブリ回収部９１６と同様の構成を備えてもよい。ただし、デブリ回収部９１６Ａは、ヒートシンク９１１に替えてヒートシンク９１１Ａを備えてもよい。
【００９３】
ヒートシンク９１１Ａは、たとえば略円柱状の部材であってもよい。この円柱状の部材における２つの平面のうちの一方の面は、回転対称である円柱の回転軸に対して垂直よりやや傾いた面であってもよい。ヒートシンク９１１Ａは、この一方の面が上空に対するように傾いた状態で、チャンバ１０に設置されてもよい。ヒータ９１２、被膜９０３を伴う基板９０２は、この一方の面に設けられてもよい。これにより、イオン流ＦＬの入射面（基板９０２もしくは被膜９０３）が上空に対するように傾いた状態となり得る。
【００９４】
以上で説明したように、イオン流ＦＬの入射面（基板９０２もしくは被膜９０３）を上空に対するように傾いた状態とすることで、入射面に付着したデブリＤ１が入射面を伝って重力方向へ流れ得る。それにより、デブリＤ１が入射面の縁以外の部分から離れて落下することを抑制できる。その結果、デブリＤ１が、受け部９２１に到達せずに、チャンバ１０内の要素（たとえばＥＵＶ集光ミラー１２等）に付着したり、チャンバ１０内に拡散したりする確率を低減できる。また、より多くのデブリＤ１が受け部９２１を介してドレイン管９２３内へ流れ込むため、より多くのデブリＤ１を回収することが可能となる。
【００９５】
ヒートシンク９１１Ａ内に配設された管８０９は、入射面側の部分がこの入射面と略平行であるとよい。その場合、イオン流ＦＬの入射面を効率的且つ効果的に冷却し得る。その他の構成は、上述した実施の形態と同様であってもよい。
【００９６】
上記実施の形態およびその変形例は本開示を実施するための例にすぎず、本開示はこれらに限定されるものではなく、仕様等に応じて種々変形することは本開示の範囲内である。更に本開示の範囲内において、他の様々な実施の形態が可能であることは上記記載から自明である。例えば各実施の形態に対して適宜例示された変形例は、他の実施の形態に対して適用することも可能であることは言うまでもない。
【００９７】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００９８】
１ ＥＵＶ光生成装置
１０ チャンバ
１０ａ 開口
１１ ウィンドウ
１２ ＥＵＶ集光ミラー
１２ａ 貫通孔
１３ ドロップレットジェネレータ
１３ａ ノズル
１４ ターゲット回収部
１５ 磁場生成部
１５ａ 電磁石コイル
１６、２１６、２１６Ａ、３１６、３１６Ａ、４１６、４１６Ａ、４１６Ｂ、５１６、５１６Ａ、５１６Ｂ、６１６、６１６Ａ、６１６Ｂ、６１６Ｃ、７１６、８１６、９１６、９１６Ａ デブリ回収部
１９ 露光装置接続部
１０１、６０１、６０１ａ、６１１、６２１、７０１ ヒータ
１０２、３０４、４０２、４０２ａ、４０２ｂ、６０２、６１２、７０２ 多孔質部材
１０８ 電源
１０９ 温度コントローラ
２０２、３０３、５１１、６０３ メッシュ部材
２１１ 温度センサ
４１１、４１２ ポケット
４１３ 開口部
４１４ 空洞部
６１０、６３０ 回収容器
６１３ 開口
６２０ ドレイン管
７０２ａ 貯蔵部
８０１ ホルダ
８０２ 板材
８０３ 被膜
８０８ 冷却器
８０９ 管
９０２ 基板
９０３ 被膜
９０４ 固定リング
９１１、９１１Ａ ヒートシンク
９１２ ヒータ
９１３ 空間
９２１ 受け部
９２３ ドレイン管
９３０ フランジ
９３０ａ ボルト
ＡＸ 軸
Ｂ 磁場
Ｄ ドロップレット
Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３ デブリ
ＦＬ イオン流
ＩＦ 中間集光点
Ｌ１ レーザ光
Ｌ２ ＥＵＶ光
Ｐ１ プラズマ生成領域
【技術分野】
【０００１】
本開示は、チャンバ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ方式による極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置では、チャンバ内でターゲット物質にレーザ光を照射することにより、ターゲット物質をプラズマ化し、このプラズマ化したターゲット物質から放射される光のうち所望の波長、たとえば１３．５ｎｍの波長のＥＵＶ光を選択的に集光する。ＥＵＶ光の集光には、ある一点で放射された光を集光する凹面状の反射面を備えた集光ミラーが用いられる。集光ミラーにより集光されたＥＵＶ光は、露光装置に導波され、フォトリソグラフィやレーザ加工等に用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２６６２３４号公報
【概要】
【０００４】
本開示の一態様によるチャンバ装置は、レーザ装置および前記レーザ装置から出力されるレーザ光を集光するための集光光学系と共に用いられるチャンバ装置であって、レーザ装置から出力されたレーザ光を通過させる入射口が設けられたチャンバと、チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するように構成されたターゲット供給部と、チャンバ内でターゲット物質にレーザ光が照射することで発生したターゲット物質のデブリを付着させるデブリ入射面を含む回収部と、回収部から流出したデブリを回収する回収容器とを備え、デブリ入射面は、前記デブリが入射する方向に対して垂直でない方向に傾いていてもよい。
【０００５】
また、本開示の他の態様によるチャンバ装置は、レーザ装置および前記レーザ装置から出力されるレーザ光を集光するための集光光学系と共に用いられるチャンバ装置であって、前記レーザ装置から出力されたレーザ光を通過させる入射口が設けられたチャンバと、前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するように構成されたターゲット供給部と、前記所定の領域に磁場を形成するように構成された磁場生成部と、前記チャンバ内で前記ターゲット物質にレーザ光が照射することで発生した前記ターゲット物質のデブリのうち前記磁場に沿って移動したデブリを回収するように構成された回収部と、前記回収部の少なくとも一部を所定の温度範囲内に維持するように構成された温度調節部とを備え、前記温度調節部が、前記回収部を冷却するように構成された冷却器と、前記回収部を加熱するように構成された加熱部と、前記回収部の温度を検出するように構成された温度センサと、前記温度センサで検出された温度に基づいて前記冷却器および前記加熱部のうち少なくとも１つを制御するように構成された制御部とを含んでもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、本開示の実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図２】図２は、図１に示されるＥＵＶ光生成装置のＥＵＶ光の軸を含む他の面に沿って切断した断面における構成を概略的に示す。
【図３Ａ】図３Ａは、実施の形態１によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、図３Ａに示されるデブリ回収部をイオン流が入射する方向に見た構成を概略的に示す。
【図４】図４は、本開示の実施の形態２によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図５】図５は、実施の形態２の変形例によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図６】図６は、本開示の実施の形態３によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図７】図７は、実施の形態３の変形例によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図８】図８は、本開示の実施の形態４によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図９】図９は、実施の形態４の変形例１によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図１０】図１０は、実施の形態４の変形例２によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図１１】図１１は、本開示の実施の形態５によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図１２】図１２は、実施の形態５の変形例１によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図１３】図１３は、実施の形態５の変形例２によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図１４Ａ】図１４Ａは、本開示の実施の形態６によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図１４Ｂ】図１４Ｂは、図１４Ａに示されるデブリ回収部をイオン流が入射する方向に見た構成を概略的に示す。
【図１５】図１５は、実施の形態６の変形例１によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図１６】図１６は、実施の形態６の変形例２によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図１７】図１７は、実施の形態６の変形例３によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図１８Ａ】図１８Ａは、本開示の実施の形態７によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図１８Ｂ】図１８Ｂは、図１８Ａに示されるデブリ回収部をイオン流が入射する方向に見た構成を概略的に示す。
【図１９Ａ】図１９Ａは、本開示の実施の形態８によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。
【図１９Ｂ】図１９Ｂは、図１９Ａに示されるデブリ回収部をイオン流が入射する方向に見た構成を概略的に示す。
【図２０Ａ】図２０Ａは、本開示の実施の形態１０による磁場Ｂの電磁石コイルの中心軸と鉛直方向とを含む面に沿ってデブリ回収部を切断した際の断面における構成を概略的に示す。
【図２０Ｂ】図２０Ｂは、図２０Ａに示されるデブリ回収部をイオン流が入射する方向に見た構成を概略的に示す。
【図２１】図２１は、図２０Ａおよび図２０Ｂに示されるフランジ部分の組立体の構成を概略的に示す分解図である。
【図２２】図２２は、本開示の実施の形態１１によるデブリ回収部を磁場Ｂの電磁石コイルの中心軸と鉛直方向とを含む面に沿って切断した際の断面構成を概略的に示す。
【実施の形態】
【０００７】
以下、本開示を実施するための形態を添付の図面を参照に詳細に説明する。なお、以下の説明において、各図では本開示の内容を理解できる程度に形状、大きさ、および位置関係等が概略的に示されてあるに過ぎず、従って、本開示は各図で例示された形状、大きさ、および位置関係等に限定されるものではない。また、各図では、構成の明瞭化のため、断面におけるハッチングの一部が省略されている。さらに、後述において例示される数値は、本開示の好適な例に過ぎず、従って、本開示は例示された数値に限定されるものではない。
【０００８】
実施の形態１
本開示の実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置について、図面を参照して詳細に説明する。図１は、実施の形態１によるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す断面図である。図１は、ＥＵＶ集光ミラー１２で反射されるＥＵＶ光Ｌ２の軸ＡＸを含む面に沿ってＥＵＶ光生成装置１を切断した断面である。
【０００９】
図１に示されるように、ＥＵＶ光生成装置１は、内部にＥＵＶ光Ｌ２の生成空間を画定するチャンバ１０を備えてもよい。このチャンバ１０には、ドロップレットジェネレータ１３が設けられてもよい。ドロップレットジェネレータ１３は、ＥＵＶ光Ｌ２の発生源となるターゲット物質である錫（Ｓｎ）を溶融した状態で蓄えてもよい。ドロップレットジェネレータ１３の先端には、ノズル１３ａが設けられていてもよい。ドロップレットジェネレータ１３は、ノズル１３ａの先端がチャンバ１０内のプラズマ生成領域Ｐ１に含まれる所定の位置に向けられるように配置されるのが好ましい。ＳｎのドロップレットＤは、ノズル１３ａの先端からプラズマ生成領域Ｐ１へ向けて出力されてもよい。ドロップレットジェネレータ１３は、たとえばその内部圧力を利用して溶融Ｓｎを液滴状のドロップレットＤとしてノズル１３ａ先端から出力してもよい。ただし、これに限定されない。たとえば、いわゆる静電引出し型のドロップレットジェネレータや、いわゆる静電引出し加速型のドロップレットジェネレータなどが、ドロップレットジェネレータ１３として用いられてもよい。静電引出し型のドロップレットジェネレータは、ノズル１３ａ先端に対向する位置に、溶融Ｓｎを静電気力によって引き出すための電極が配置された構成を備えてもよい。静電引出し加速型のドロップレットジェネレータは、上述の電極に加えて、引き出されたドロップレットＤを静電気力で加速させるための別の電極がさらに配置された構成を備えてもよい。
【００１０】
チャンバ１０内のプラズマ生成領域Ｐ１に供給されたドロップレットＤには、外部のドライバレーザから出力されたレーザ光Ｌ１がチャンバ１０に設けられたウィンドウ１１を介して照射されてもよい。その際、ドロップレットＤには、ＥＵＶ集光ミラー１２の中央に設けられた貫通孔１２ａを介してレーザ光Ｌ１が照射されてもよい。ドライバレーザがレーザ光Ｌ１を出力するタイミングは、ドロップレットＤがプラズマ生成領域Ｐ１に到着する時刻にレーザ光Ｌ１がプラズマ生成領域Ｐ１を照射するようなタイミングに調節されているとよい。これにより、ドロップレットＤがプラズマ生成領域Ｐ１内でプラズマ化し得る。プラズマ化したドロップレットＤからは、プラズマが脱励起する際に所定の波長のＥＵＶ光Ｌ２を含む光が放射され得る。チャンバ１０内には、プラズマ生成領域Ｐ１内で放射された光のうち所定の波長のＥＵＶ光Ｌ２を選択的に反射するＥＵＶ集光ミラー１２が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー１２で反射されたＥＵＶ光Ｌ２は、ＥＵＶ光生成装置１と露光装置（不図示）との接続部分である露光装置接続部１９内の所定の位置（中間集光点ＩＦ）に一旦集光され、その後、露光装置へ導波されてもよい。
【００１１】
チャンバ１０には、プラズマ生成領域Ｐ１を通過したドロップレットＤや、レーザ光Ｌ１に照射されてもプラズマ化しなかったドロップレットＤの一部等を回収するためのターゲット回収部１４が設けられてもよい。このターゲット回収部１４は、たとえばドロップレットジェネレータ１３のノズル１３ａ先端とプラズマ生成領域Ｐ１とを結ぶ直線の延長線上に配置されてもよい。ただし、ドロップレットＤの軌跡がカーブしている場合、ターゲット回収部１４はカーブする軌跡の延長線上に配置されるのが好ましい。
【００１２】
図２は、図１に示されるＥＵＶ光生成装置１をＥＵＶ光Ｌ２の軸ＡＸを含む他の面に沿って切断した断面の構成を概略的に示す。
【００１３】
図２に示されるように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ１０外に配置される磁場生成部１５と、チャンバ１０内に配置されるデブリ回収部１６と、を備えてもよい。磁場生成部１５は、チャンバ１０を挟むように配置される一対の電磁石コイル１５ａを含んでもよい。磁場生成部１５は、２つの電磁石コイル１５ａのボアの中心を結ぶ線がチャンバ１０内のプラズマ生成領域Ｐ１を通るように配置されるのが好ましい。これにより、磁場生成部１５は、プラズマ生成領域Ｐ１を包含する磁場Ｂを生成し得る。以降、２つの電磁石コイル１５ａのボアの中心を結ぶ線を、電磁石コイルの中心軸と称する。磁場Ｂは、ＥＵＶ光Ｌ２が生成される際にプラズマ生成領域Ｐ１内で発生したターゲット物質（Ｓｎ）のデブリのうち帯電しているデブリをトラップし得る。磁場Ｂにトラップされたデブリは、ローレンツ力によってイオン流ＦＬを形成し得る。イオン流ＦＬの流れる先には、デブリ回収部１６が配置されてもよい。イオン流ＦＬが磁場Ｂに沿って流れることで、プラズマ生成領域Ｐ１内で発生したデブリがデブリ回収部１６に回収され得る。
【００１４】
つぎに、実施の形態１によるデブリ回収部１６が、図面を参照して詳細に説明される。図３Ａは、実施の形態１によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。図３Ａは、磁場Ｂの電磁石コイルの中心軸を含む面に沿ってデブリ回収部を切断した際の断面の構成を示す。図３Ｂは、図３Ａに示されるデブリ回収部をイオン流ＦＬが入射する方向から見た構成を概略的に示す。
【００１５】
図３Ａおよび図３Ｂに示されるように、デブリ回収部１６は、イオン流ＦＬとして入射したＳｎのデブリを捕捉する部材として、たとえば円柱状の多孔質部材（ポーラス材料）１０２を備えてもよい。多孔質部材１０２は、その表面に内部の複数の空隙と連通する無数の開口を備えてもよい。多孔質部材１０２にイオン流ＦＬとして入射したデブリＤ１は、失活したのち凝集して液体となってもよい。液体となったデブリＤ１は、多孔質部材１０２の表面の開口から内部の空隙まで毛細管現象により染み込み得る。これにより、デブリＤ１が多孔質部材１０２の内部に捕捉され、貯蔵され得る。
【００１６】
デブリ回収部１６は、多孔質部材１０２を加熱するためのヒータ１０１を備えてもよい。ヒータ１０１には、たとえばチャンバ１０の外部に配置される電源１０８から電流が供給されてもよい。ヒータ１０１は、多孔質部材１０２をデブリＤ１が溶融状態にある温度範囲内に加熱してもよい。たとえば、ターゲット物質をＳｎとした場合、ヒータ１０１は、多孔質部材１０２を、Ｓｎの融点である２３２℃以上に加熱してもよい。これにより、多孔質部材１０２が入射したデブリＤ１を捕捉できる状態に保たれ得る。なお、多孔質部材１０２の温度は、多孔質部材１０２を構成する材料とターゲット物質とが反応する温度未満に保たれるのが好ましい。たとえば、ＳｎとＣｕとは２８０℃以上で反応し得る。そのため、ターゲット物質をＳｎとし、多孔質部材１０２の材料がＣｕを含む場合、多孔質部材１０２は、２８０℃未満に保たれるのが好ましい。多孔質部材１０２の温度は、電源１０８からヒータ１０１に流される電流を電源１０８に接続された温度コントローラ１０９が制御することで制御されてもよい。
【００１７】
多孔質部材１０２は、溶融したＳｎに対してぬれ性が高い材料で構成されていることが好ましい。以下の表１に、各種材料の溶融Ｓｎに対するぬれ性およびＳｎイオンに対するスパッタ率を示す。ぬれ性が高い場合、一般的に接触角が低い値となる。溶融したＳｎに対してぬれ性が高い材料には、たとえば表１に示されるように、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、シリコン（Ｓｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）などが含まれ得る。デブリに対してぬれ性の高い材料が用いられることで、多孔質部材１０２に入射したデブリを効率よくその内部へ染み込ませることができる。これにより、多孔質部材１０２のデブリが入射する面上に存在するＳｎ（デブリＤ１）を低減させることが可能となる。この結果、多孔質部材１０２に捕捉されたＳｎ（デブリＤ１）がイオン流ＦＬによってスパッタされる量を低減できる。
【００１８】
【表１】
【００１９】
以上のような構成を備えることで、実施の形態１によれば、ＥＵＶ光Ｌ２の生成の際に発生したデブリをデブリ回収部１６で回収することが可能となる。その結果、デブリがチャンバ１０内に配置された要素に付着することでその特性や性能が劣化することを抑制できる。
【００２０】
以上の説明では、デブリ回収部１６について説明したが、たとえば同様の構成をターゲット回収部１４にも適用することが可能である。その場合、プラズマ生成領域Ｐ１を通過したターゲット物質をターゲット回収部１４で回収することが可能となるため、ターゲット物質がチャンバ１０内に配置された要素に付着することでその特性や性能が劣化することを抑制できる。
【００２１】
実施の形態２
つぎに、本開示の実施の形態２によるＥＵＶ光生成装置およびデブリ回収部について、図面を参照して詳細に説明する。実施の形態２によるＥＵＶ光生成装置は、図１および図２に示されるＥＵＶ光生成装置１と同様の構成を備えてもよい。ただし、実施の形態２によるＥＵＶ光生成装置は、デブリ回収部１６に替えてデブリ回収部２１６を備えてもよい。
【００２２】
図４は、実施の形態２によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。図４には、磁場Ｂの電磁石コイルの中心軸を含む面に沿ってデブリ回収部を切断した際の断面の構成を示す。図４に示されるように、デブリ回収部２１６は、多孔質部材１０２の温度を検出するための温度センサ２１１を備えてもよい。デブリ回収部２１６のその他の構成は、図３に示されるデブリ回収部１６と同様の構成であってよい。温度センサ２１１で検出された温度は、温度コントローラ１０９に入力されてもよい。温度コントローラ１０９は、入力された温度に基づいて電源１０８からヒータ１０１に流される電流をフィードバック制御してもよい。これにより、多孔質部材１０２の温度が的確に所定の温度範囲（たとえば２３２℃以上２８０℃未満）内に制御され得る。
【００２３】
その他の構成および動作は、上述した実施の形態１における構成および動作と同様であってよいため、ここでは重複する説明を省略する。
【００２４】
変形例
図５は、実施の形態２の変形例によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。上述の実施の形態２で例示された多孔質部材１０２は、図５のデブリ回収部２１６Ａに示されるようなメッシュ部材（ポーラス材料）２０２に置き換えることも可能である。メッシュ部材２０２は、たとえばワイヤやリボン等が３次元に交差する３次元メッシュ構造を備えてもよい。メッシュ部材２０２は、多孔質部材１０２と同様に、表面に内部の複数の空隙と連通する無数の開口を備えてもよい。メッシュ部材２０２にイオン流ＦＬとして入射したデブリＤ１は、表面の開口から内部の空隙まで染み込み得る。これにより、デブリＤ１がメッシュ部材２０２の内部に捕捉され、貯蔵され得る。
【００２５】
多孔質部材１０２は、液状のターゲット物質を毛細管現象等により内部に染み込ませることができる構造の部材であれば、如何なる部材で構成されてもよい。このような部材には、３次元メッシュ構造のメッシュ部材２０２の他に、たとえば数μｍの微粒子を焼結させた部材や繊維状の部材を固めた部材などが含まれ得る。また、多孔質部材がメッシュ部材等に置き換えられた構成は、他の実施の形態およびそれらの変形例にも適用することが可能である。
【００２６】
実施の形態３
本開示の実施の形態３によるＥＵＶ光生成装置およびデブリ回収部について、図面を参照して詳細に説明する。実施の形態３によるＥＵＶ光生成装置は、図１および図２に示されるＥＵＶ光生成装置１と同様の構成を備えてもよい。ただし、実施の形態３によるＥＵＶ光生成装置は、デブリ回収部１６に替えてデブリ回収部３１６を備えてもよい。
【００２７】
図６は、実施の形態３によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。図６は、磁場Ｂの電磁石コイルの中心軸を含む面に沿ってデブリ回収部を切断した際の断面の構成を示す。図６に示されるように、デブリ回収部３１６は、多孔質部材１０２のイオン流ＦＬが入射する面にメッシュ部材３０３を備えてもよい。このメッシュ部材３０３は、たとえば図５に示されるメッシュ部材２０２と同様の構造を有する部材で構成されてもよい。デブリ回収部３１６のその他の構成は、図４に示されるデブリ回収部２１６と同様の構成であってよい。メッシュ部材３０３にイオン流ＦＬとして入射したデブリＤ１は、メッシュ部材３０３の表面の開口から内部に染み込んだ後、デブリＤ１の入射面に対して反対側の面に接触するように配置された多孔質部材１０２に染み込み得る。これにより、デブリＤ１が多孔質部材１０２の内部に捕捉され、貯蔵され得る。メッシュ部材３０３は、多孔質部材１０２よりもデブリＤ１に対してぬれ性が低いことが好ましい。
【００２８】
メッシュ部材３０３は、たとえば上記の表１に示された、イオン流ＦＬの入射に対してスパッタリングされ難い材料を用いて構成されることが好ましい。この材料には、たとえば炭素（Ｃ）、タングステン（Ｗ）、シリコン（Ｓｉ）、タングステンカーバイド（ＷＣ）、チタン（Ｔｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）およびアルミニウム（Ａｌ）などが含まれ得る。
【００２９】
その他の構成および動作は、上述した実施の形態およびその変形例における構成および動作と同様であってよいため、ここでは重複する説明を省略する。
【００３０】
変形例
図７は、実施の形態３の変形例によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。上述の実施の形態３で例示されたメッシュ部材３０３は、図７のデブリ回収部３１６Ａに示されるような多孔質部材３０４に置き換えることも可能である。多孔質部材３０４は、多孔質部材１０２と同様に、表面に内部の複数の空隙と連通する無数の開口を備えてもよい。多孔質部材３０４にイオン流ＦＬとして入射したデブリＤ１は、多孔質部材３０４の表面の開口から内部に染み込んだ後、デブリＤ１の入射面に対して反対側の面に接触するように配置された多孔質部材１０２に染み込み得る。これにより、デブリＤ１が多孔質部材１０２の内部に捕捉され得る。多孔質部材３０４は、イオン流ＦＬが入射することによってスパッタリングされ難い材料を用いて構成されるのが好ましい。また、多孔質部材３０４は、多孔質部材１０２よりもデブリＤ１に対してぬれ性が低いことが好ましい。
【００３１】
メッシュ部材３０３および多孔質部材３０４は、液状のターゲット物質を毛細管現象等により内部に染み込ませることができる構造の部材であれば、如何なる部材で構成されてもよい。このような部材には、たとえば数μｍの微粒子を焼結させた部材や繊維状の部材を固めた部材などが含まれ得る。メッシュ部材３０３および多孔質部材３０４のイオン流ＦＬが入射する方向の合計の厚さは数十μｍでよい。デブリ回収部のイオン流ＦＬが入射する面にメッシュ部材３０３または多孔質部材３０４が設けられた構成は、他の実施の形態およびその変形例にも適用することが可能である。
【００３２】
実施の形態４
本開示の実施の形態４によるＥＵＶ光生成装置およびデブリ回収部について、図面を参照して詳細に説明する。実施の形態４によるＥＵＶ光生成装置は、図１および図２に示されるＥＵＶ光生成装置１と同様の構成を備えてもよい。ただし、実施の形態４によるＥＵＶ光生成装置は、デブリ回収部１６に替えてデブリ回収部４１６を備えてもよい。
【００３３】
図８は、実施の形態４によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。図８は、磁場Ｂの電磁石コイルの中心軸を含む面に沿ってデブリ回収部を切断した際の断面の構成を示す。図８に示されるように、デブリ回収部４１６は、図４に示されるデブリ回収部２１６と同様の構成を備えてもよい。ただし、デブリ回収部４１６は、多孔質部材１０２に替えて多孔質部材４０２を備えてもよい。多孔質部材４０２は、たとえば図４に示される多孔質部材１０２と同様の部材を用いて構成されてもよい。多孔質部材４０２は、イオン流ＦＬが入射する面にポケット４１１を備えてもよい。ポケット４１１の開口径は、たとえばイオン流ＦＬの横断面よりも幅広であるとよい。イオン流ＦＬが入射する面にイオン流ＦＬを受けるカップ状のポケット４１１が設けられることで、イオン流ＦＬが入射することによって生成されたスパッタ物が、ポケット４１１の側面で捕捉され得る。これにより、スパッタ物がチャンバ１０内へ飛散することを防止できる。
【００３４】
その他の構成および動作は、上述した実施の形態およびその変形例における構成および動作と同様であってよいため、ここでは重複する説明を省略する。
【００３５】
変形例１
図９は、実施の形態４の変形例１によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。上述の実施の形態４で例示された多孔質部材４０２は、図９に示されるデブリ回収部４１６Ａのように、多孔質部材４０２ａに置き換えることも可能である。多孔質部材４０２ａでは、多孔質部材４０２におけるカップ状のポケット４１１が、円錐台形状のポケット４１２に置き換えられてもよい。ポケット４１２の側面がイオン流ＦＬの入射方向に対して傾斜していることで、個々のデブリによってポケット４１２の側面が受ける単位面積当たりのＳｎの衝突密度を低減することが可能となる。その結果、イオン流ＦＬが入射することによるスパッタを低減することが可能となる。
【００３６】
変形例２
図１０は、実施の形態４の変形例２によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。上述の多孔質部材４０２または４０２ａは、図１０に示されるデブリ回収部４１６Ｂのように、多孔質部材４０２ｂに置き換えることも可能である。多孔質部材４０２ｂは、たとえば多孔質部材４０２におけるカップ状のポケット４１１に替えて、開口部４１３と、空洞部４１４とを備えてもよい。開口部４１３は、イオン流ＦＬが入射する面に位置するとよい。開口部４１３の開口径は、たとえばイオン流ＦＬの横断面よりも幅広であるとよい。空洞部４１４は、多孔質部材４０２ｂに対してイオン流ＦＬが入射する面よりも多孔質部材４０２ｂの内部に位置し、開口部４１３と連通していてもよい。空洞部４１４の最大の内径は、開口部４１３の開口径よりも幅広であるとよい。多孔質部材４０２ｂの内部に開口部４１３よりも幅広い空間（空洞部４１４）を設けることで、イオン流ＦＬが入射することによって発生したスパッタ物がチャンバ１０内へ飛散することをより確実に抑制することが可能となる。
【００３７】
実施の形態５
本開示の実施の形態５によるＥＵＶ光生成装置およびデブリ回収部について、図面を参照して詳細に説明する。実施の形態５によるＥＵＶ光生成装置は、図１および図２に示されるＥＵＶ光生成装置１と同様の構成を備えてもよい。ただし、実施の形態５によるＥＵＶ光生成装置は、デブリ回収部１６に替えてデブリ回収部５１６を備えてもよい。
【００３８】
図１１は、実施の形態５によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。図１１は、磁場Ｂの電磁石コイルの中心軸を含む面に沿ってデブリ回収部を切断した際の断面の構成を示す。図１１に示されるように、デブリ回収部５１６は、カップ状のポケット４１１の底部、すなわちイオン流ＦＬが入射する面に、スパッタ防止部であるメッシュ部材５１１をさらに備えてもよい。このメッシュ部材５１１は、たとえば図６に示されるメッシュ部材３０３と同様の構造の部材を用いて構成されてもよい。デブリ回収部５１６のその他の構成は、図８に示されるデブリ回収部４１６と同様の構成であってもよい。メッシュ部材５１１にイオン流ＦＬとして入射したデブリＤ１は、メッシュ部材５１１の表面の開口から内部に染み込んだ後、デブリＤ１の入射面に対して反対側の面に接触するように配置された多孔質部材４０２に染み込み得る。これにより、デブリＤ１が多孔質部材４０２の内部に捕捉され、貯蔵され得る。メッシュ部材５１１は、多孔質部材４０２よりもデブリＤ１に対してぬれ性が低いことが好ましい。
【００３９】
その他の構成および動作は、上述した実施の形態およびその変形例における構成および動作と同様であってよいため、ここでは重複する説明を省略する。
【００４０】
変形例１
図１２は、実施の形態５の変形例１によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。変形例１によるデブリ回収部５１６Ａは、図１１に示されるデブリ回収部５１６と同様に、円錐台形状のポケット４１２の底部、すなわちイオン流ＦＬが入射する面に、スパッタ防止部であるメッシュ部材５１１を備えてもよい。デブリ回収部５１６Ａのその他の構成は、図９に示されるデブリ回収部４１６Ａと同様の構成であってよい。メッシュ部材５１１にイオン流ＦＬとして入射したデブリＤ１は、メッシュ部材５１１の表面の開口から内部に染み込んだ後、デブリＤ１の入射面に対して反対側の面に接触するように配置された多孔質部材４０２ａに染み込み得る。これにより、デブリＤ１が多孔質部材４０２ａの内部に捕捉され得る。メッシュ部材５１１は、多孔質部材４０２ａよりもデブリＤ１に対してぬれ性が低いことが好ましい。
【００４１】
変形例２
図１３は、実施の形態５の変形例２によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。変形例２によるデブリ回収部５１６Ｂは、図１１に示されるデブリ回収部５１６および図１２に示されるデブリ回収部５１６Ａと同様に、スパッタ防止部であるメッシュ部材５１１を備えてもよい。メッシュ部材５１１は、多孔質部材４０２ｂ内の空洞部４１４においてイオン流ＦＬが入射する面に設けられてもよい。デブリ回収部５１６Ｂのその他の構成は、図１０に示されるデブリ回収部４１６Ｂと同様の構成であってよい。メッシュ部材５１１にイオン流ＦＬとして入射したデブリＤ１は、メッシュ部材５１１の表面の開口から内部に染み込んだ後、デブリＤ１の入射面に対して反対側の面に接触するように配置された多孔質部材４０２ｂに染み込み得る。これにより、デブリＤ１が多孔質部材４０２ｂの内部に捕捉され得る。メッシュ部材５１１は、多孔質部材４０２ｂよりもデブリＤ１に対してぬれ性が低いことが好ましい。
【００４２】
実施の形態６
本開示の実施の形態６によるＥＵＶ光生成装置およびデブリ回収部について、図面を参照して詳細に説明する。実施の形態６によるＥＵＶ光生成装置は、図１および図２に示されるＥＵＶ光生成装置１と同様の構成を備えてもよい。ただし、実施の形態６によるＥＵＶ光生成装置は、デブリ回収部１６に替えてデブリ回収部６１６を備えてもよい。
【００４３】
図１４Ａは、実施の形態６によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。図１４Ａは、磁場Ｂの電磁石コイルの中心軸を含む面に沿ってデブリ回収部を切断した際の断面の構成を示す。図１４Ｂは、図１４Ａに示されるデブリ回収部をイオン流ＦＬが入射する方向から見た構成を概略的に示す。図１４Ａおよび図１４Ｂに示されるように、デブリ回収部６１６は、円板状の多孔質部材６０２と、多孔質部材６０２のイオン流ＦＬが入射する面側に設けられた円板状のメッシュ部材６０３と、を備えてもよい。多孔質部材６０２は、たとえば図４に示される多孔質部材１０２と同様の部材を用いて構成されてもよい。メッシュ部材６０３は、たとえば図６に示されるメッシュ部材３０３と同様の構造の部材を用いて構成されてもよい。メッシュ部材６０３にイオン流ＦＬとして入射したデブリＤ１は、メッシュ部材６０３の表面の開口から内部に染み込んだ後、デブリＤ１の入射面に対して反対側の面に接触するように配置された多孔質部材６０２に染み込み得る。これにより、デブリＤ１が多孔質部材６０２の内部に捕捉され得る。メッシュ部材６０３は、多孔質部材６０２よりもデブリＤ１に対してぬれ性が低いことが好ましい。多孔質部材６０２の代わりに、板材が用いられてもよい。この板材は、溶融したデブリに対してぬれ性が低いことが好ましい。
【００４４】
デブリ回収部６１６は、多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３を、デブリであるＳｎが溶融する温度以上に加熱するためのヒータ６０１を備えてもよい。温度コントローラ１０９は、温度センサ２１１で検出された温度に基づいて、電源１０８からヒータ６０１に流される電流を制御してもよい。これにより、多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３の温度が、的確に所定の温度範囲（たとえばＳｎの融点（２３２℃）以上）内に制御され得る。
【００４５】
多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３の温度がＳｎの融点以上の温度に調節されると、多孔質部材６０２内部に捕捉されたＳｎ（デブリＤ１）は、溶融状態に保たれ得る。そのため、溶融したＳｎ（デブリＤ１）が鉛直方向（紙面下方向）に向かって流れ得る。多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３の下方には、回収容器６１０が設けられてもよい。回収容器６１０は、多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３のうち少なくとも一方と接続する部分に開口を有してもよい。多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３から下方へ流れる溶融Ｓｎは、回収容器６１０に流れ込み得る。これにより、多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３に捕捉されたデブリＤ１が、デブリＤ２として回収容器６１０内に貯蔵され得る。
【００４６】
以上のように、デブリＤ１を捕捉するユニットとは別にデブリＤ２を蓄えるユニットを設けることで、たとえば多孔質部材またはメッシュ部材の内部にＳｎ（デブリＤ１）が貯蔵される場合と比較して、より多くのＳｎを貯蔵しておくことが可能となる。その結果、メンテナンスの回数を低減することができる。また、メッシュ部材６０３を多孔質部材６０２よりもデブリＤ１に対するぬれ性が低い部材で構成することで、回収容器６１０への溶融Ｓｎの流れ込みをスムーズにすることができる。回収容器６１０には、回収容器６１０の温度をその内部に貯蔵されるＳｎが溶融する温度に保つためのヒータ６１１が設けられてもよい。回収容器６１０の温度をＳｎが溶融する温度に保つことで、回収容器６１０内でのＳｎを液状に保つことができ、デブリＤ２の貯蔵に利用できる容積効率を向上できる。
【００４７】
その他の構成および動作は、上述した実施の形態およびその変形例における構成および動作と同様であってよいため、ここでは重複する説明を省略する。
【００４８】
変形例１
図１５は、実施の形態６の変形例１によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。変形例１によるデブリ回収部６１６Ａは、メッシュ部材６０３のデブリＤ１が入射する面に、たとえばイオン流ＦＬの横断面よりも幅広の開口６１３が開口された円筒状の多孔質部材６１２を備えてもよい。デブリ回収部６１６Ａのその他の構成は、図１４Ａおよび図１４Ｂに示されるデブリ回収部６１６と同様の構成であってよい。このように、イオン流ＦＬが入射する面にイオン流ＦＬを受ける円筒状の多孔質部材６１２が設けられることで、イオン流ＦＬが入射することによって発生したスパッタ物が、多孔質部材６１２の開口内壁面で捕捉され得る。これにより、スパッタ物がチャンバ１０内へ飛散することを抑制できる。図１４Ａおよび図１４Ｂに示されるデブリ回収部６１６におけるヒータ６０１は、多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３に加えて多孔質部材６１２を温めることが可能なヒータ６０１ａに置き換えられてもよい。
【００４９】
変形例２
図１６は、実施の形態６の変形例２によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。変形例２によるデブリ回収部６１６Ｂは、図１４Ａおよび図１４Ｂに示されるデブリ回収部６１６と同様の構成を備えてもよい。ただし、デブリ回収部６１６Ｂにおける回収容器６１０は、チャンバ１０外に配置されてもよい。多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３と回収容器６１０との間には、多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３の下方から流れ出した溶融Ｓｎを回収容器６１０に導くためのドレイン管６２０が設けられてもよい。このドレイン管６２０は、たとえばヒータ６２１によってＳｎが溶融する温度（たとえば融点２３２℃以上）に温められてもよい。このような構成によれば、他の構成要素による占積制約の多いチャンバ１０内に回収容器６１０を配置する必要がなくなる。その結果、比較的大容量の回収容器６１０をチャンバ１０外に設けることが可能となり、メンテナンスの回数を低減できる。
【００５０】
変形例３
図１７は、実施の形態６の変形例３によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。変形例３によるデブリ回収部６１６Ｃは、図１４Ａおよび図１４Ｂに示されるデブリ回収部６１６と同様の構成を備えてもよい。ただし、デブリ回収部６１６Ｃは、回収容器６１０に替えて、多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３から分離された回収容器６３０を備えてもよい。回収容器６３０は、チャンバ１０の内壁面において多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３の下方に取り付けられてもよい。この回収容器６３０は、図示しない着脱機構によってチャンバ１０に対して着脱可能であってもよい。多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３で捕捉されたデブリＤ１（溶融Ｓｎ）は、主にメッシュ部材６０３から流れ出し、下方にある回収容器６３０にデブリＤ２として回収され得る。このような構成によれば、チャンバ１０内から回収容器６３０のみが取り出せるため、メンテナンスの手間を低減することが可能となる。
【００５１】
実施の形態７
本開示の実施の形態７によるＥＵＶ光生成装置およびデブリ回収部について、図面を参照して詳細に説明する。実施の形態７によるＥＵＶ光生成装置は、図１および図２に示されるＥＵＶ光生成装置１と同様の構成を備えてもよい。ただし、実施の形態７によるＥＵＶ光生成装置は、デブリ回収部１６に替えてデブリ回収部７１６を備えてもよい。
【００５２】
図１８Ａは、実施の形態７によるデブリ回収部の構成を概略的に示す断面図である。図１８Ａは、磁場Ｂの電磁石コイルの中心軸を含む面に沿ってデブリ回収部を切断した際の断面の構成を示す。図１８Ｂは、図１８Ａに示されるデブリ回収部をイオン流ＦＬが入射する方向から見た構成を概略的に示す。図１８Ａおよび図１８Ｂに示されるように、デブリ回収部７１６は、縦長な板状の多孔質部材７０２を備えてもよい。多孔質部材７０２は、たとえば図４に示される多孔質部材１０２と同様の部材を用いて構成されてもよい。
【００５３】
多孔質部材７０２の長手方向における一方の端の形状は、半円形状であってもよい。多孔質部材７０２はその半円形状の部分が鉛直方向における上方に位置するように配置されてもよい。多孔質部材７０２の半円形状の部分を含む一部には、温度コントローラ１０９に接続された温度センサ２１１および電源１０８に接続されたヒータ７０１が設けられてもよい。温度コントローラ１０９は、ヒータ７０１が、温度センサ２１１で検出された温度に基づいて、多孔質部材７０２の温度が所定の温度範囲（たとえば２３２℃以上２８０℃未満）内の温度となるように電源１０８をフィードバック制御してもよい。これにより、多孔質部材７０２に捕捉されたＳｎのデブリＤ１が、溶融した状態に維持されつつ、鉛直方向の下方へ流れ得る。
【００５４】
多孔質部材７０２における鉛直方向下方に配置される他方の端は、ヒータ７０１よりも下方へ突出してもよい。この突出した部分は、多孔質部材７０２の上方で捕捉されたＳｎを貯蔵するための貯蔵部７０２ａとして機能してもよい。貯蔵部７０２ａは、ヒータ７０１によって直接加熱されないため、Ｓｎの融点より低い温度となり得る。したがって、多孔質部材７０２の上方から流れ落ちてきた溶融Ｓｎは、貯蔵部７０２ａに流れ込んだ後に放冷されて固化し得る。これにより、Ｓｎが貯蔵部７０２ａにデブリＤ３として貯蔵され得る。
【００５５】
その他の構成および動作は、上述した実施の形態およびその変形例における構成および動作と同様であってよいため、ここでは重複する説明を省略する。
【００５６】
実施の形態８
上述の実施の形態では、デブリ回収部においてイオン流ＦＬが入射する部分を、多孔質部材やメッシュ部材などの液体のデブリを浸透させることができる部材で構成した。しかし、本開示はこれに限定されるものではない。たとえば、イオン流ＦＬが入射する部分にデブリを浸透させない部材が配置されてもよい。このような部材は、溶融したデブリに対してぬれ性の低い材料で構成されることが好ましい。以下、この場合を実施の形態８として、図面を参照して詳細に説明する。以下の説明は、上述した実施の形態６の変形例２によるデブリ回収部をベースとする。
【００５７】
図１９Ａは、磁場Ｂの電磁石コイルの中心軸と鉛直方向とを含む面に沿ってデブリ回収部を切断した際の断面の構成を概略的に示す。図１９Ｂは、図１９Ａに示されるデブリ回収部をイオン流ＦＬが入射する方向から見た構成を概略的に示す。
【００５８】
図１９Ａおよび図１９Ｂに示されるように、実施の形態８によるデブリ回収部８１６は、図１６に示されるデブリ回収部６１６Ｂと同様の構成を備えてもよい。ただし、デブリ回収部８１６は、多孔質部材６０２およびメッシュ部材６０３（図１６参照）に替えて、板材８０２を備えてもよい。板材８０２は、たとえばホルダ８０１に保持されてもよい。板材８０２の表面には、被膜８０３が形成されてもよい。
【００５９】
板材８０２には、熱伝導率が高い材料が用いられるとよい。熱伝導率が高い材料には、たとえば銅などの金属材料、ＳｉＣ等のセラミック材料などが含まれ得る。被膜８０３には、たとえば溶融したデブリに対するぬれ性が低く、かつ、耐スパッタリング性に優れた材料が用いられるのが好ましい。また、被膜８０３にはデブリ（実施の形態８ではＳｎ）との反応性が低い材料が用いられることが好ましい。さらに、デブリをクリーニングするために水素ガス等の反応性ガスがチャンバ１０内に導入される場合は、被膜８０３には反応性ガスとの反応性が低い材料が用いられることが好ましい。このような材料には、ＳｉＣやカーボン（Ｃ）などが含まれ得る。材料にＳｉＣを用いた場合には、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いて被膜８０３を形成することができる。被膜８０３の表面は、ある程度粗いことが好ましい。そこで、被膜８０３の表面は、粗く研磨された面であってもよいし、成膜したままの状態の面であってもよい。
【００６０】
デブリ回収部８１６の温度は、イオン流ＦＬが衝突することによって上昇し得る。被膜８０３の表面の温度は、デブリであるＳｎが溶融する温度以上であることが好ましい。ただし、必要以上に被膜８０３の表面の温度が高すぎると、被膜８０３の表面に付着したＳｎがスパッタリングされ易くなる場合がある。そのため、被膜８０３の表面の温度は、所定の範囲内に収まるように制御されることが好ましい。そこで実施の形態８では、図１９Ａおよび図１９Ｂに示されるように、デブリ回収部８１６に冷却器８０８が設けられてもよい。冷却器８０８には、冷却されたシリコン油や有機化合物液体などの冷却媒体を流すための管８０９が連結されてもよい。管８０９の一部は、板材８０２の内部または裏面を通るように配管されてもよい。この管８０９内を冷却器８０８で冷却された冷却媒体が流れることで、被膜８０３の表面の温度が高くなりすぎないように、板材８０２を冷却することができる。この冷却器８０８および管８０９は、上述したいずれの実施の形態に対しても適用することができる。
【００６１】
温度コントローラ１０９は、温度センサ２１１で検出された温度がたとえば予め設定された第１の閾値温度を超えると、冷却器８０８を駆動してもよい。これにより、管８０９内に冷却された冷却媒体が送出され、板材８０２を介して被膜８０３の表面が冷却され得る。たとえば、第１の閾値温度は後述する第２の閾値温度よりも高い温度としてよい。また、第１の閾値温度は、被膜８０３および板材８０２が熱的に変性する温度未満に設定されてもよい。その場合、板材８０２が冷却され、結果として、板材８０２表面に形成された被膜８０３が冷却され得る。管８０９内へは、たとえば温度センサ２１１で検出された温度が予め設定された第２の閾値温度を下回るまで、継続して冷却媒体が送り出されてもよい。第２の閾値温度（＜第１の閾値温度）は、たとえばターゲット物質（Ｓｎ）の溶融温度よりも高い温度に設定されてもよい。
【００６２】
以上のような構成および動作により、実施の形態８では、イオン流ＦＬが衝突する被膜８０３の表面の温度がデブリ（Ｓｎ）の溶融温度以上に保たれ得る。被膜８０３の表面は、溶融したデブリに対するぬれ性が低い。そのため、被膜８０３の表面に付着したデブリは、溶融した状態で自重により鉛直方向下方へ流れ得る。デブリの流れた先には、図１６に示される構成と同様に、ドレイン管６２０が設けられてもよい。ドレイン管６２０の下流側には、回収容器６１０が設けられてもよい。その場合、鉛直方向下方へ流れるデブリは、ドレイン管６２０を通って回収容器６１０に回収され得る。
【００６３】
なお、実施の形態８では、冷却器８０８に代えて、加熱冷却が可能な恒温サーキュレータ等が用いられてもよい。また、その他の構成および動作は、上述した実施の形態およびその変形例における構成および動作と同様であってよいため、ここでは重複する説明を省略する。
【００６４】
実施の形態９
つづいて、実施の形態８で例示された板材８０２の材料について、以下により具体的に説明する。実施の形態８における板材８０２は、以下に例示されるような、溶融Ｓｎに対してぬれ性の低い材料で構成されてもよい。この場合、板材８０２の表面には、被膜８０３が形成されなくともよい。すなわち、実施の形態９では、デブリが入射する面に、以下に例示されるような、溶融Ｓｎに対してぬれ性の低い材料が配置されていればよい。
【００６５】
上述の実施の形態８において述べられたように、被膜８０３には、たとえば溶融したデブリに対するぬれ性が低く、かつ、耐スパッタリング性に優れた材料が用いられるのが好ましい。一般に、接触角度θが０°＜θ≦９０°の材料は、浸漬濡れの特性を有する。そのため、溶融したデブリに対して接触角度θが０°＜θ≦９０°の材料で被膜８０３が形成された場合、被膜８０３の表面に付着したデブリは、被膜８０３表面に浸り得る。一方、接触角度θがθ＞９０°の材料は、付着濡れの特性を有する。そのため、溶融したデブリに対して接触角度θがθ＞９０°の材料で被膜８０３が形成された場合、被膜８０３の表面に付着したデブリは、濡れが進行し難く、被膜８０３の表面に留まり得る。その後、被膜８０３の表面に付着したデブリは、自重により鉛直方向下方へ移動し得る。
【００６６】
以下の表２に、上述の実施の形態において例示したデブリである溶融Ｓｎに対する接触角度と材料との関係を示す。
【００６７】
【表２】
【００６８】
表２を参照すると明らかなように、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ３）、グラファイト、ダイヤモンド、酸化珪素（ＳｉＯｘ）および酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）は、溶融Ｓｎに対する接触角度θが９０°より大きく、溶融Ｓｎに対するぬれ性が低い。そのため、これらの材料は、被膜８０３および板材８０２の材料として好適であり得る。
【００６９】
上記表２に例示される材料以外にも、タングステン（Ｗ）およびタンタル（Ｔａ）は、酸化処理されることによって溶融Ｓｎに対するぬれ性が低くなる。そのため、これらの材料も、被膜８０３および板材８０２の材料として好適であり得る。
【００７０】
次に、溶融Ｓｎと各種材料との反応性について、以下に述べる。一般に、高融点材料であるタングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）などは、Ｓｎに対して安定した特性を有する。すなわち、これらの材料は、Ｓｎとの反応性が低い。
【００７１】
炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ）、グラファイト、ダイヤモンド、酸化珪素（ＳｉＯｘ）および酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）もまた、溶融Ｓｎに対して安定した特性を有する。すなわち、これらの材料も、溶融Ｓｎとの反応性が低い。
【００７２】
さらに、酸化タングステン（ＷＯ３）および酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）も、溶融Ｓｎに対して安定した特性を有する。すなわち、これらの材料も、溶融Ｓｎとの反応性が低い。
【００７３】
以上のことから、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ３）、グラファイト、ダイヤモンド、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）、酸化タングステン（ＷＯ３）および酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）のうちいずれかを、被膜８０３および板材８０２の材料とするのが好ましい。あるいは、これらの材料のうち１つ以上を含む材料を、被膜８０３および板材８０２の材料としてもよい。
【００７４】
また、デブリに対するスパッタ率が低いという観点からは、炭素（Ｃ）を被膜８０３および板材８０２の材料とすることも考えられる。
【００７５】
実施の形態１０
実施の形態１０について、図面を参照に詳細に説明する。実施の形態１０では、実施の形態８で例示したデブリ回収部８１６に実施の形態９で例示したぬれ性の低い材料が用いられてもよい。さらに、実施の形態１０では、ヒータと冷却器との組み合わせによってデブリ回収部の温度が制御されてもよい。
【００７６】
（構成）
図２０Ａは、磁場Ｂの電磁石コイルの中心軸と鉛直方向とを含む面に沿ってデブリ回収部を切断した際の断面の構成を概略的に示す。図２０Ｂは、図２０Ａに示されるデブリ回収部をイオン流ＦＬが入射する方向から見た構成を概略的に示す。図２１は、図２０Ａおよび図２０Ｂに示されるフランジ部分の組立体の構成を概略的に示す分解図である。
【００７７】
図２０Ａおよび図２０Ｂに示されるように、実施の形態１０によるデブリ回収部９１６は、基板９０２と、ヒートシンク９１１と、温度コントローラ１０９と、温度センサ２１１と、ヒータ９１２と、電源１０８と、冷却器８０８と、管８０９と、受け部９２１と、ドレイン管９２３とを備えてもよい。
【００７８】
基板９０２には、熱伝導性の高い材料が用いられてもよい。この材料は、たとえば銅（Ｃｕ）等の金属材料や炭化珪素（ＳｉＣ）等のセラミック材料であってもよい。基板９０２の表面には、被膜９０３がコーティングされていてもよい。基板９０２の材料にＣｕを用いた場合、基板９０２表面は、ニッケルを含む被膜９０３にてコーティングされていてもよい。あるいは、被膜９０３には、上述した被膜８０３と同様に、ターゲット物質（たとえばＳｎ）に対するぬれ性の低い材料が用いられてもよい。その際、被膜９０３には、スパッタリングに強い材料が用いられるのが好ましい。被膜９０３の材料は、ＳｉＣやカーボングラファイト（Ｃ）などであってもよい。好ましくは、被膜９０３は、化学蒸着後に研磨されないＣＶＤ−ＳｉＣ膜が用いられるとよい。
【００７９】
また、図２１に示されるように、基板９０２の裏面側には、ヒータ９１２、ヒートシンク９１１およびフランジ９３０が、基板９０２に近い側から順にこの順番で設けられてもよい。図２１のように、ヒートシンク９１１およびフランジ９３０は、一体の部材として形成されてもよいが、図２０Ａのように、それぞれ別体として形成された部材を接合したものであってもよい。基板９０２およびヒータ９１２は、基板９０２の外縁と係合可能な固定リング９０４を用いてヒートシンク９１１に固定されてもよい。固定リング９０４を用いたヒートシンク９１１への固定は、ネジによる締結であってもよいし、ロウ付けや溶接による固定であってもよい。
【００８０】
ヒータ９１２は、円環形状であってもよい。ヒータ９１２は、減圧熱分解ＣＶＤ法で製造されたセラミックであってもよい。このセラミックは、たとえば熱分解窒化ホウ素と熱分解グラファイトとが積層された構成を備えてもよい。
【００８１】
ヒートシンク９１１とヒータ９１２との間には、空間９１３が画定されていてもよい。ヒートシンク９１１は、ヒータ９１２の外周部および内周部の少なくともいずれかでヒータ９１２に接触していればよい。空間９１３には、ヒートシンク９１１とヒータ９１２との間の熱伝導を調節するよう、不活性ガスや空気などの気体が所望の圧力で封入されていてもよい。または、空間９１３には、ヒートシンク９１１よりも熱伝導率の低い液体または固体の物質が充填されてもよい。
【００８２】
また、図２０Ａに示されるように、ヒートシンク９１１内部の冷却媒体通路には、冷却器８０８に接続された冷却媒体流路である管８０９が接続されていてもよい。フランジ９３０は、チャンバ１０に対して脱着可能であることが好ましい。フランジ９３０とチャンバ１０との接続には、ボルト９３０ａなどが用いられてもよい。チャンバ１０には、デブリ回収部９１６をチャンバ１０の外部から装着するための開口１０ａが設けられていてもよい。その場合、フランジ９３０は、チャンバ１０の開口１０ａを気密に封止可能であることが好ましい。
【００８３】
温度センサ２１１は、基板９０２の表面温度を検出してもよい。温度センサ２１１は、ヒートシンク９１１に接触しないように設けられてもよい。温度センサ２１１によって検出された温度値は、温度コントローラ１０９に入力されてもよい。温度コントローラ１０９は、温度センサ２１１から入力される温度値に基づいて、冷却器８０８および電源１０８を制御してもよい。
【００８４】
基板９０２に入射したイオン流ＦＬは、失活したのち冷却され凝集することで、液体のデブリＤ１となってもよい。液体のデブリＤ１は、デブリに対してぬれ性の低い被膜９０３の表面に液滴の状態で付着し得る。デブリＤ１は、温度制御された被膜９０３の表面を液滴のまま鉛直方向下方へ流れ落ち得る。鉛直方向下方へ流れ落ちたデブリＤ１は、受け部９２１を介してドレイン管９２３内に流れ込んでもよい。ドレイン管９２３内を流れたデブリＤ１は、たとえば収容容器６１０（図１９Ａおよび図１９Ｂ参照）内に貯蔵されてもよい。受け部９２１およびドレイン管９２３は、デブリＤ１の融点以上にヒータ等で加熱されてもよい。
【００８５】
（動作）
実施の形態１０によるデブリ回収部９１６の動作を説明する。冷却器８０８は、ヒートシンク９１１内の管８０９に一定流量の冷却媒体を流すように構成されてもよい。冷却器８０８は、たとえば、ラジエータ等の熱交換装置とポンプ等の圧送装置とを含んでもよい。冷却媒体は、冷却されたシリコン油や有機化合物液体などの他、水であってもよい。温度コントローラ１０９は、温度センサ２１１によって検出された温度に基づいて電源１０８からヒータ９１２に供給される電流を制御してもよい。それにより、ヒータ９１２が基板９０２を所望の温度範囲内の温度に加熱し得る。温度コントローラ１０９の設定温度は、被膜９０３の表面において、ターゲット物質（たとえばＳｎ）の融点以上の温度であってもよい。
【００８６】
実施の形態１０では、被膜９０３の材料には、ターゲット物質に対するぬれ性が比較的低い材料が用いられている。そのため、被膜９０３の表面温度をターゲット物質の融点以上の温度に制御することで、被膜９０３表面に付着したデブリＤ１を液滴の状態で鉛直方向下方に落下させることができる。液滴状のデブリＤ１は、漏斗状の受け部９２１を介してドレイン管９２３内に流れ込み、その後、たとえば収容容器６１０（図１９Ａおよび図１９Ｂ参照）内に貯蔵されてもよい。
【００８７】
（作用）
実施の形態１０によれば、デブリ回収部９１６における被膜９０３の表面温度をターゲット物質の融点よりも高い温度に制御することができる。デブリ回収部９１６における少なくとも被膜９０３の表面温度は、ＥＵＶ光生成装置１の運転初期や運転状態の変更時（たとえばデューティ比の変更時）であっても、ターゲット物質の融点よりも高い温度に制御され得る。そのため、デブリ回収部９１６の表面に固体状のターゲット物質が蓄積して固着することを抑制し得る。それにより、イオンなどの粒子とデブリ回収部９１６に固着したターゲット物質（デブリＤ１）との衝突によってターゲット物質がスパッタリングされ得る。その結果、スパッタリングによって飛散したデブリがチャンバ内の光学素子に付着してその性能を低下させることを抑制し得る。さらに、ヒータ９１２とヒートシンク９１１との間に空間９１３が設けられることで、ヒータ９１２とヒートシンク９１１との直接の接触面積が小さくされている。それにより、熱伝導を制限することができる。そのような構成によれば、コントローラ１０９による設定温度よりも低い沸点を持つ冷却媒体を用いた場合でも、冷却媒体が沸騰することを抑制できる。その結果、冷却媒体として安価な水を使用することができる。
【００８８】
（その他）
実施の形態１０では、電源１０８からヒータ９１２に供給する電流を一定の電流とし、代わりに、冷却媒体の流量を制御することで、被膜９０３表面の温度が制御されてもよい。その場合、冷却媒体の流量を制御するための制御バルブが管８０９に設けられてもよい。温度コントローラ１０９は、被膜９０３の表面温度を所定の温度範囲（たとえばターゲット物質の融点以上）に制御するために、管８０９に設けられた制御バルブを制御してもよい。あるいは、温度コントローラ１０９は、制御バルブを制御する代わりに、冷却器８０８内のポンプ等の圧送装置による冷却媒体の圧送流量を制御してもよい。
【００８９】
または、温度コントローラ１０９は、電源１０８からヒータ９１２に供給される電流と、冷却器８０８から管８０９に流される冷却媒体の流量との両方を制御してもよい。
【００９０】
上述のような溶融Ｓｎに対してぬれ性の低い材料は、実施の形態１〜１０およびそれらの変形例で例示されたデブリ回収部において、デブリが入射する部分にも適用可能である。デブリが入射する部分には、たとえば、デブリ回収部を構成する部分として、多孔質部材１０２、メッシュ部材２０２、多孔質部材４０２、多孔質部材４０２ａ、多孔質部材４０２ｂ、多孔質部材６０２および多孔質部材７０２が含まれ得る。また、デブリが入射する部分には、これらの部材のスパッタを防止するためのスパッタ防止部として、メッシュ部材３０３、多孔質部材３０４、メッシュ部材５１１、メッシュ部材６０３および多孔質部材６１２が含まれ得る。
【００９１】
実施の形態１１
上述した実施の形態において、イオン流ＦＬの入射面は、重力方向に対してやや傾いていてもよい。たとえば実施の形態１０のように、ターゲット材料（Ｓｎ）に対してぬれ性の低い材料をデブリ回収部９１６のイオン入射面（基板９０２もしくは被膜９０３）に用いた場合、デブリ回収部９１６は、そのイオン流ＦＬの入射面が重力方向に対して傾いて設置されてもよい。この際、入射面が傾く方向は、重力方向からみて入射面が見えるような方向であるとよい。つまり、地面を仮定した場合、上空に対するように傾くとよい。図２２は、実施の形態１１によるデブリ回収部を磁場Ｂの電磁石コイルの中心軸と重力方向とを含む面に沿って切断した際の断面構成を概略的に示す。図２２では、図２０Ａと同様の構成に同一の符号が付されている。
【００９２】
図２２に示されるように、実施の形態１１によるデブリ回収部９１６Ａは、実施の形態１０によるデブリ回収部９１６と同様の構成を備えてもよい。ただし、デブリ回収部９１６Ａは、ヒートシンク９１１に替えてヒートシンク９１１Ａを備えてもよい。
【００９３】
ヒートシンク９１１Ａは、たとえば略円柱状の部材であってもよい。この円柱状の部材における２つの平面のうちの一方の面は、回転対称である円柱の回転軸に対して垂直よりやや傾いた面であってもよい。ヒートシンク９１１Ａは、この一方の面が上空に対するように傾いた状態で、チャンバ１０に設置されてもよい。ヒータ９１２、被膜９０３を伴う基板９０２は、この一方の面に設けられてもよい。これにより、イオン流ＦＬの入射面（基板９０２もしくは被膜９０３）が上空に対するように傾いた状態となり得る。
【００９４】
以上で説明したように、イオン流ＦＬの入射面（基板９０２もしくは被膜９０３）を上空に対するように傾いた状態とすることで、入射面に付着したデブリＤ１が入射面を伝って重力方向へ流れ得る。それにより、デブリＤ１が入射面の縁以外の部分から離れて落下することを抑制できる。その結果、デブリＤ１が、受け部９２１に到達せずに、チャンバ１０内の要素（たとえばＥＵＶ集光ミラー１２等）に付着したり、チャンバ１０内に拡散したりする確率を低減できる。また、より多くのデブリＤ１が受け部９２１を介してドレイン管９２３内へ流れ込むため、より多くのデブリＤ１を回収することが可能となる。
【００９５】
ヒートシンク９１１Ａ内に配設された管８０９は、入射面側の部分がこの入射面と略平行であるとよい。その場合、イオン流ＦＬの入射面を効率的且つ効果的に冷却し得る。その他の構成は、上述した実施の形態と同様であってもよい。
【００９６】
上記実施の形態およびその変形例は本開示を実施するための例にすぎず、本開示はこれらに限定されるものではなく、仕様等に応じて種々変形することは本開示の範囲内である。更に本開示の範囲内において、他の様々な実施の形態が可能であることは上記記載から自明である。例えば各実施の形態に対して適宜例示された変形例は、他の実施の形態に対して適用することも可能であることは言うまでもない。
【００９７】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００９８】
１ ＥＵＶ光生成装置
１０ チャンバ
１０ａ 開口
１１ ウィンドウ
１２ ＥＵＶ集光ミラー
１２ａ 貫通孔
１３ ドロップレットジェネレータ
１３ａ ノズル
１４ ターゲット回収部
１５ 磁場生成部
１５ａ 電磁石コイル
１６、２１６、２１６Ａ、３１６、３１６Ａ、４１６、４１６Ａ、４１６Ｂ、５１６、５１６Ａ、５１６Ｂ、６１６、６１６Ａ、６１６Ｂ、６１６Ｃ、７１６、８１６、９１６、９１６Ａ デブリ回収部
１９ 露光装置接続部
１０１、６０１、６０１ａ、６１１、６２１、７０１ ヒータ
１０２、３０４、４０２、４０２ａ、４０２ｂ、６０２、６１２、７０２ 多孔質部材
１０８ 電源
１０９ 温度コントローラ
２０２、３０３、５１１、６０３ メッシュ部材
２１１ 温度センサ
４１１、４１２ ポケット
４１３ 開口部
４１４ 空洞部
６１０、６３０ 回収容器
６１３ 開口
６２０ ドレイン管
７０２ａ 貯蔵部
８０１ ホルダ
８０２ 板材
８０３ 被膜
８０８ 冷却器
８０９ 管
９０２ 基板
９０３ 被膜
９０４ 固定リング
９１１、９１１Ａ ヒートシンク
９１２ ヒータ
９１３ 空間
９２１ 受け部
９２３ ドレイン管
９３０ フランジ
９３０ａ ボルト
ＡＸ 軸
Ｂ 磁場
Ｄ ドロップレット
Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３ デブリ
ＦＬ イオン流
ＩＦ 中間集光点
Ｌ１ レーザ光
Ｌ２ ＥＵＶ光
Ｐ１ プラズマ生成領域
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ装置および前記レーザ装置から出力されるレーザ光を集光するための集光光学系と共に用いられるチャンバ装置であって、
前記レーザ装置から出力されたレーザ光を通過させる入射口が設けられたチャンバと、
前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するように構成されたターゲット供給部と、
前記チャンバ内で前記ターゲット物質にレーザ光が照射することで発生した前記ターゲット物質のデブリを付着させるデブリ入射面を含む回収部と、
前記回収部から流出したデブリを回収する回収容器とを備え、
前記デブリ入射面は、前記デブリが入射する方向に対して垂直でない方向に傾いている、
チャンバ装置。
【請求項２】
レーザ装置および前記レーザ装置から出力されるレーザ光を集光するための集光光学系と共に用いられるチャンバ装置であって、
前記レーザ装置から出力されたレーザ光を通過させる入射口が設けられたチャンバと、
前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するように構成されたターゲット供給部と、
前記所定の領域に磁場を形成するように構成された磁場生成部と、
前記チャンバ内で前記ターゲット物質にレーザ光が照射することで発生した前記ターゲット物質のデブリのうち前記磁場に沿って移動したデブリを回収するように構成された回収部と、
前記回収部の少なくとも一部を所定の温度範囲内に維持するように構成された温度調節部とを備え、
前記温度調節部は、
前記回収部を冷却するように構成された冷却器と、
前記回収部を加熱するように構成された加熱部と、
前記回収部の温度を検出するように構成された温度センサと、
前記温度センサで検出された温度に基づいて前記冷却器および前記加熱部のうち少なくとも１つを制御するように構成された制御部とを含む、
チャンバ装置。
【請求項３】
前記回収部は、前記デブリが入射する第１面を備えた基板を含み、
前記加熱部は、前記基板における前記第１面の反対側に位置する第２面の少なくとも一部と接触し、
前記冷却器は、冷却媒体と、該冷却媒体が接する冷却部材とを含み、
前記冷却部材は、前記基板における前記第２面の少なくとも一部と接触し、
前記加熱部と前記冷却部材との間の少なくとも一部には、空間が存在する、
請求項２記載のチャンバ装置。
【請求項４】
前記冷却器は、一定の流量の冷却媒体を用いて前記回収部を冷却し、
前記制御部は、前記温度センサで検出された温度に基づいて前記加熱部を制御する、
請求項２記載のチャンバ装置。
【請求項５】
前記加熱部は、発熱部に一定の電流を流して前記回収部を加熱し、
前記制御部は、前記温度センサで検出された温度に基づいて前記冷却器を制御する、
請求項２記載のチャンバ装置。
【請求項６】
前記冷却器は、冷却媒体を供給する供給部と、該供給部から供給された冷却媒体が流れる管と、該管内に流れる前記冷却媒体の流量を制御する制御バルブとを含み、
前記冷却器は、冷却媒体を用いて前記回収部を冷却し、
前記加熱部は、発熱部に一定の電流を流して前記回収部を加熱し、
前記制御部は、前記温度センサで検出された温度に基づいて前記制御バルブを制御する、
請求項２記載のチャンバ装置。
【請求項７】
前記回収部における前記デブリが入射する面は、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、グラファイト、ダイヤモンド、酸化珪素、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化タンタルおよび炭素のうち少なくとも１つを含む材料で形成される、請求項２記載のチャンバ装置。
【請求項８】
前記回収部における前記デブリが入射する面は、前記デブリが入射する方向に対して垂直でない方向に傾いている、請求項２記載のチャンバ装置。
【請求項９】
前記冷却媒体は、水を含む、請求項３記載のチャンバ装置。
【請求項１】
レーザ装置および前記レーザ装置から出力されるレーザ光を集光するための集光光学系と共に用いられるチャンバ装置であって、
前記レーザ装置から出力されたレーザ光を通過させる入射口が設けられたチャンバと、
前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するように構成されたターゲット供給部と、
前記チャンバ内で前記ターゲット物質にレーザ光が照射することで発生した前記ターゲット物質のデブリを付着させるデブリ入射面を含む回収部と、
前記回収部から流出したデブリを回収する回収容器とを備え、
前記デブリ入射面は、前記デブリが入射する方向に対して垂直でない方向に傾いている、
チャンバ装置。
【請求項２】
レーザ装置および前記レーザ装置から出力されるレーザ光を集光するための集光光学系と共に用いられるチャンバ装置であって、
前記レーザ装置から出力されたレーザ光を通過させる入射口が設けられたチャンバと、
前記チャンバ内の所定の領域にターゲット物質を供給するように構成されたターゲット供給部と、
前記所定の領域に磁場を形成するように構成された磁場生成部と、
前記チャンバ内で前記ターゲット物質にレーザ光が照射することで発生した前記ターゲット物質のデブリのうち前記磁場に沿って移動したデブリを回収するように構成された回収部と、
前記回収部の少なくとも一部を所定の温度範囲内に維持するように構成された温度調節部とを備え、
前記温度調節部は、
前記回収部を冷却するように構成された冷却器と、
前記回収部を加熱するように構成された加熱部と、
前記回収部の温度を検出するように構成された温度センサと、
前記温度センサで検出された温度に基づいて前記冷却器および前記加熱部のうち少なくとも１つを制御するように構成された制御部とを含む、
チャンバ装置。
【請求項３】
前記回収部は、前記デブリが入射する第１面を備えた基板を含み、
前記加熱部は、前記基板における前記第１面の反対側に位置する第２面の少なくとも一部と接触し、
前記冷却器は、冷却媒体と、該冷却媒体が接する冷却部材とを含み、
前記冷却部材は、前記基板における前記第２面の少なくとも一部と接触し、
前記加熱部と前記冷却部材との間の少なくとも一部には、空間が存在する、
請求項２記載のチャンバ装置。
【請求項４】
前記冷却器は、一定の流量の冷却媒体を用いて前記回収部を冷却し、
前記制御部は、前記温度センサで検出された温度に基づいて前記加熱部を制御する、
請求項２記載のチャンバ装置。
【請求項５】
前記加熱部は、発熱部に一定の電流を流して前記回収部を加熱し、
前記制御部は、前記温度センサで検出された温度に基づいて前記冷却器を制御する、
請求項２記載のチャンバ装置。
【請求項６】
前記冷却器は、冷却媒体を供給する供給部と、該供給部から供給された冷却媒体が流れる管と、該管内に流れる前記冷却媒体の流量を制御する制御バルブとを含み、
前記冷却器は、冷却媒体を用いて前記回収部を冷却し、
前記加熱部は、発熱部に一定の電流を流して前記回収部を加熱し、
前記制御部は、前記温度センサで検出された温度に基づいて前記制御バルブを制御する、
請求項２記載のチャンバ装置。
【請求項７】
前記回収部における前記デブリが入射する面は、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、グラファイト、ダイヤモンド、酸化珪素、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化タンタルおよび炭素のうち少なくとも１つを含む材料で形成される、請求項２記載のチャンバ装置。
【請求項８】
前記回収部における前記デブリが入射する面は、前記デブリが入射する方向に対して垂直でない方向に傾いている、請求項２記載のチャンバ装置。
【請求項９】
前記冷却媒体は、水を含む、請求項３記載のチャンバ装置。
【図１】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４Ａ】
【図１４Ｂ】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８Ａ】
【図１８Ｂ】
【図１９Ａ】
【図１９Ｂ】
【図２０Ａ】
【図２０Ｂ】
【図２１】
【図２２】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４Ａ】
【図１４Ｂ】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８Ａ】
【図１８Ｂ】
【図１９Ａ】
【図１９Ｂ】
【図２０Ａ】
【図２０Ｂ】
【図２１】
【図２２】
【公開番号】特開２０１３−８４８９２（Ｐ２０１３−８４８９２Ａ）
【公開日】平成２５年５月９日（２０１３．５．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１０７３７７（Ｐ２０１２−１０７３７７）
【出願日】平成２４年５月９日（２０１２．５．９）
【出願人】（３０００７３９１９）ギガフォトン株式会社 (227)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月９日（２０１３．５．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年５月９日（２０１２．５．９）
【出願人】（３０００７３９１９）ギガフォトン株式会社 (227)
【Ｆターム（参考）】
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