不揮発性メモリ
【課題】オンボードで複数回書換えが可能な、低価格な不揮発性メモリ１を提供する。
【解決手段】複数のワンタイムＰＲＯＭ（２−０、２−１）と、前記ワンタイムＰＲＯＭ（２−０、２−１）のいずれが書込済かの情報を保持する状態保持手段（５ｗ、５ｒ）と、前記状態保持手段（５ｗ、５ｒ）の情報に基づきいずれのワンタイムＰＲＯＭ（２−０、２−１）にアクセスするかを切替える切替手段６を備え、複数回書換え可能とした。
【解決手段】複数のワンタイムＰＲＯＭ（２−０、２−１）と、前記ワンタイムＰＲＯＭ（２−０、２−１）のいずれが書込済かの情報を保持する状態保持手段（５ｗ、５ｒ）と、前記状態保持手段（５ｗ、５ｒ）の情報に基づきいずれのワンタイムＰＲＯＭ（２−０、２−１）にアクセスするかを切替える切替手段６を備え、複数回書換え可能とした。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ワンタイムのプログラマブルリードオンリーメモリ（以下、「ＰＲＯＭ」という）を用いて複数回書込みを行うことができるようにした不揮発性メモリに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
不揮発性メモリには、書き換えができないマスクＲＯＭと、書き換え可能なＰＲＯＭとがあり、書き換え可能なＰＲＯＭには、１回のみ書込みが可能なワンタイムＰＲＯＭ、紫外線等の照射より消去して複数回書き換え可能なＥＰＲＯＭ、さらに、電気的に消去してオンボードでの書き換えが可能なＥＥＰＲＯＭがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
ワンタイムＰＲＯＭは、ＥＰＲＯＭやＥＥＰＲＯＭと比較して安価であるという特長はあるが、オンボードでの書換えおよび複数回の書換えができず、多数回書換え可能な不揮発性メモリとしては利用することができなかった。
【０００４】
また、ＥＰＲＯＭは、所定回数書換えられるが、時間をかけて紫外線等を照射して消去しなければならずオンボードでの書換えができず、多数回書換えが可能な不揮発性メモリとしては利用することができなかった。このため、従来の書換え可能な不揮発性メモリでは、高価となるがＥＥＰＲＯＭを用いるしかなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平５−７４１７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の不揮発性メモリでは、オンボードにて書き換える必要のある回数が数回程度で十分であるケースが多く、この書換えのために高価なＥＥＰＲＯＭを使用するのは、非常に非経済的であるという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、前述の課題を解決するため次の構成を採用する。すなわち、複数のワンタイムＰＲＯＭと、前記ワンタイムＰＲＯＭのいずれが書込済かの情報を保持する状態保持手段と、前記状態保持手段の情報に基づき当該ワンタイムＰＲＯＭのいずれにアクセスするかを切替える切替手段と、を設けた。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の不揮発性メモリによれば、複数のワンタイムＰＲＯＭと、前記ワンタイムＰＲＯＭのいずれが書込済かの情報を保持する状態保持手段と、前記状態保持手段の情報に基づき当該ワンタイムＰＲＯＭのいずれにアクセスするかを切替える切替手段と、を設けたので、安価な書換え可能な不揮発性メモリを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施例１の不揮発性メモリの構成図である。
【図２】実施例１の不揮発性メモリの動作説明図である。
【図３】実施例１の不揮発性メモリの制御テーブルの例示図である。
【図４】実施例１の不揮発性メモリの動作フローチャート図である。
【図５】実施例２の不揮発性メモリの構成図である。
【図６】実施例２の不揮発性メモリの制御テーブルの例示図である。
【図７】実施例２の不揮発性メモリの動作フローチャート図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明に係わる実施の形態例を、図面を用いて説明する。図面に共通する要素には同一の符号を付す。
【実施例１】
【００１１】
（構成）
図１は、擬似ＥＥＰＲＯＭとして機能する実施例１の不揮発性メモリの構成図である。同図に示したように、不揮発性メモリ１は、データを記録するＰＲＯＭ０（２−０）とＰＲＯＭ１（２−１）と、いずれをアクセスするかを制御する制御部４とを有する。
【００１２】
制御部４はそれぞれ１ｂｉｔのライトフラグ５ｗ、リードフラグ５ｒのレジスタを有しその出力が切替部６に入力され、ライトフラグ５ｗ、リードフラグ５ｒの出力に応じて、マイコン７からのｒｄ信号、ｗｒ信号を切換えてｒｄ０、ｗｒ０、ｗｒ０、ｗｒ１信号として出力される構成となっている。なお、当該切替部６は、アナログスイッチ等により構成すればよい。
【００１３】
そして、マイコン７と不揮発性メモリ１の間は、リード・ライトするＰＲＯＭのアドレスが指定されるＡｄｄｒｅｓｓ信号線、リード・ライト時のデータがやり取りされるＤａｔａ信号線、リードの制御信号であるｒｄ信号線、ライトの制御信号であるｗｒ信号線、チップセレクトの制御信号であるｃｓ信号線が接続されている。
【００１４】
前記ｃｓ信号線は不揮発性メモリ１内でＰＲＯＭ０（２−０）、ＰＲＯＭ１（２−１）にそれぞれ直接接続されている。
【００１５】
なお、図示していないが、ＰＲＯＭ０（２−０）、ＰＲＯＭ１（２−１）には、電源Ｖｃｃとしての５Ｖおよび書込みの際の書込電圧Ｖｐｐとして１２Ｖ或いは２１Ｖが接続される。
【００１６】
図２および図３は、実施例１の不揮発性メモリ１のＰＲＯＭへのアクセスを行うための制御テーブルを示した図である。
【００１７】
図２（ａ）はライトフラグ５ｗとｗｒ０、ｗｒ１信号の関係を表し、図２（ｂ）はリードフラグ５ｒとｒｄ０、ｒｄ１信号の関係を示している。すなわち、図２（ａ）では、例えば、ライトフラグ５ｗが"０"の場合は、ＰＲＯＭ０（２−０）のｗｒ０信号はマイコン７からのｗｒ信号をそのまま出力し、ｗｒ０信号は常にハイレベルとし、ライトフラグ５ｗが"１"の場合は、ｗｒ１信号はマイコン７からのｗｒ信号をそのまま出力し、ｗｒ０信号は常にハイレベルとすることを示している。
【００１８】
同様に、図２（ｂ）では、例えば、リードフラグ５ｒが"０"の場合は、ＰＲＯＭ０（２−０）のｒｄ０信号はマイコン７からのｒｄ信号をそのまま出力し、ｒｄ０信号は常にハイレベルとし、リードフラグ５ｒが"１"の場合は、ｒｄ１信号はマイコン７からのｒｄ信号をそのまま出力し、ｒｄ０信号は常にハイレベルとすることを示している。
【００１９】
図３は、ライトフラグ５ｗ、リードフラグ５ｒの値によりアクセスされるＰＲＯＭを示している。例えば、ライトフラグ５ｗが"０"でリードフラグ５ｒが"０"の場合でライトアクセスがあった場合はＰＲＯＭ０（２−０）にライトし、リードアクセスがあった場合は、まだいずれのＰＲＯＭにもデータの書込みが行われていないのでリード先なしとする。ライトフラグ５ｗが"１"でリードフラグ５ｒが"０"の場合でライトアクセスがあった場合はＰＲＯＭ１（２−１）にライトし、リードアクセスがあった場合はＰＲＯＭ０（２−０）からリードすることを示している。
【００２０】
なお、以上の切換制御は、アナログスイッチ等から構成される切替部６の制御により行われる。
（動作）
以上の構成により、実施例１の不揮発性メモリ１は、以下のように動作する。この動作を図４の動作フローチャート図を用いて以下説明する。
【００２１】
図４の動作フローチャートにおいて、まず、初期状態では、まだ書込みがなされていないので、ライトフラグ５ｗ、リードフラグ５ｒはいずれも初期値"０"に設定される（ステップＳ０１）。
【００２２】
そして、マイコン７から不揮発性メモリ１へアクセスがあり（ステップＳ０２）、ライトアクセスであった場合は、ライトフラグ５ｗが"０"であるので、図３の制御テーブルによりデータのライト先はＰＲＯＭ０（２−０）となり、ＰＲＯＭ０（２−０）へのライト処理が行われる（ステップＳ０３）。ライト処理が完了するとライトフラグ５ｗを"１"に設定する（ステップＳ０４）。
【００２３】
一方、ステップＳ０２にてマイコン７から不揮発性メモリ１へリードアクセスがあった場合は（ステップＳ０２）、まだ、いずれのＰＲＯＭにも書込みが行われていない状態でありデータのリード先は図３の制御テーブルより“該当なし”となり、ＰＲＯＭ０へのリードは行わず、ステップＳ０２に戻り、次のアクセスを待つ。
【００２４】
次に、マイコン７から不揮発性メモリ１へライトアクセスがあった場合は（ステップＳ０５）、ライトフラグ５ｗが"１"となっているので、図３の制御テーブルよりデータのライト先はＰＲＯＭ１（２−１）となり、ＰＲＯＭ１（２−１）へのライト処理が行われる（ステップＳ０７）。ライト処理が完了するとリードフラグ５ｒを"１"に設定する（ステップＳ０８）。
【００２５】
一方、ステップＳ０５にてマイコン７から不揮発性メモリ１へリードアクセスがあった場合は、リードフラグ５ｒは"０"であることから図３の制御テーブルよりデータのリード先はＰＲＯＭ０（２−０）となり、ＰＲＯＭ０（２−０）へのリード処理が行われ、ステップＳ０５に戻り、次のアクセスを待つ。
【００２６】
次に、リードフラグ５ｒが"１"に設定された状態で、マイコン７から不揮発性メモリ１へライトアクセスがあった場合は（ステップＳ０９）、図３の制御テーブルによりライト先は"該当なし"となっており、ＰＲＯＭへのライトは行わず、本処理を終了し（ステップＳ１１）、ライトエラー処理を行う。
【００２７】
一方、ステップＳ０９にて、マイコン７から不揮発性メモリ１へリードアクセスがあった場合は、リードフラグ５ｒが"１"であることから図３の制御テーブルによりリード先はＰＲＯＭ１（２−１）となり、ＰＲＯＭ１（２−１）へのリード処理が行われ（ステップＳ１０）、ステップＳ０９に戻り、次のリードアクセスを同様に処理する。
【００２８】
（実施例１の効果）
以上のように実施例１の不揮発性メモリによれば、複数のＰＲＯＭと、それぞれライトするＰＲＯＭを示すライトフラグおよびリードするＰＲＯＭを示すリードフラグとを備え、当該ライトフラグおよびリードフラグの値に応じて複数のＰＲＯＭへの書き込み、読み出しを行えるようにしたので、安価な書換え可能な不揮発性メモリを提供することができる。
【実施例２】
【００２９】
（構成）
図５は、実施例２の不揮発性メモリの構成図である。同図に示したように、実施例２の不揮発性メモリは、実施例１のライトフラグ５ｗ、リードフラグ５ｒの代わりにライトカウンタ１５を備え、ＰＲＯＭ０（２−０）〜ＰＲＯＭｎ（２−ｎ）のＰＲＯＭを備えた構成となっている。
【００３０】
図６は、実施例２の不揮発性メモリ１のＰＲＯＭへのアクセス制御を行うための制御テーブルの例示図であり、ライトカウンタ１５の値Ｎｘに応じて、どのＰＲＯＭにマイコン７からのライト信号ｗｒ、リード信号ｒｄを接続するかを表わしたものである。ライト信号ｗｒおよびリード信号ｒｄを、いずれかのＰＲＯＭに接続するかは、実施例１と同様にアナログスイッチ等から構成される切替部６にて切換えればよい。
【００３１】
例えば、ライトカウンタＮｘが"１"の場合でライトアクセスの場合はｗｒ信号をＰＲＯＭ１（２−１）に、ライトカウンタＮｘが"２"の場合でリードアクセスの場合はｒｄ信号をＰＲＯＭ１（２−１）に接続してアクセスするようにすることを示している。すなわち、ライトはライトカウンタ値Ｎｘの番号のＰＲＯＭに行い、リードはライトカウンタ値Ｎｘ−１の番号のＰＲＯＭに行うようになっている。
【００３２】
その他の構成は実施例１の不揮発性メモリの構成と同様であるので、簡略化のためにその詳細な説明は省略する。
【００３３】
（動作）
以上の構成により、実施例２の不揮発性メモリ１は、以下のように動作する。この動作を図６の動作フローチャート図を用いて以下説明する。
【００３４】
まず、初期状態では、まだ書込みがなされていないので、ライトカウンタＮｘは初期値"０"に設定される（ステップＳ２１）。
【００３５】
そして、マイコン７から不揮発性メモリ１へアクセスがあり（ステップＳ２２）、ライトアクセスであった場合は、ライトカウンタが"０"であり、"ｎ"以下であるので（ステップＳ２３）、図６の制御テーブルによりライト先はＰＲＯＭ０（２−０）となり、ＰＲＯＭ０（２−０）へのライト処理が行われる（ステップＳ２４）。ライト処理が完了するとライトカウンタを＋１し、ライトカウンタ値Ｎｘを"１"とし（ステップＳ２６）、ステップＳ２２に戻り次のアクセスを待つ。
【００３６】
一方、ステップＳ２２にてマイコン７から不揮発性メモリ１へリードアクセスがあった場合は、データのリード先はＮｘ−１、すなわち“−１番目”のＰＲＯＭとなり、図６の制御テーブルは該当がないのでリード処理はスキップされ（Ｓ２５）、ステップＳ２２に戻り、次のアクセスを待つ。
【００３７】
次に、ライトアクセスがあると（ステップＳ２２）、ライトカウンタ値Ｎｘが"１"となっているので、図６の制御テーブルによりデータのライト先はＰＲＯＭ１（２−１）となり、ＰＲＯＭ１（２−１）へのライト処理が行われる（ステップＳ２４）。ライト処理が完了するとライトカウンタを＋１し、ライトカウンタ値Ｎｘを"２"とする（ステップＳ２６）。
【００３８】
一方、ステップＳ２２にてマイコン７から不揮発性メモリ１へリードアクセスがあった場合は、ライトカウンタ値Ｎｘが"１"となっているので、図６の制御テーブルによりリード先はＮｘ−１番目、すなわち“０番目”のＰＲＯＭ０（２−０）となり、ＰＲＯＭ０（２−０）へのリード処理が行われ（Ｓ２５）、ステップＳ２２に戻り、次のアクセスを待つ。
【００３９】
そして、ｎ回ライトアクセスがあったときは、ステップＳ２６によりライトカウンタＮｘは"ｎ＋１"となるので、その状態でライトアクセスがあったときは、ライトするＰＲＯＭがなく、Ｎｘ＞ｎとなるので、ＰＲＯＭへのライトは行わず、本処理を終了し（ステップＳ２３）、ライトエラー処理を行う。
【００４０】
一方、ライトカウンタＮｘ＝ｎ＋１のときに、マイコン７から不揮発性メモリ１へリードアクセスがあった場合は、図６の制御テーブルにより、Ｎｘ−１番目、すなわち“ｎ番目”のＰＲＯＭｎ（２−ｎ）へのリード処理が行われ（ステップＳ２５）、ステップＳ２２に戻り、次のリードアクセスも同様に処理する。
【００４１】
（実施例２の効果）
以上のように実施例２の不揮発性メモリによれば、複数のＰＲＯＭと、ＰＲＯＭへの書込みごとにカウントアップするライトカウンタを備え、当該ライトカウンタ値に応じてライトまたはリードするＰＲＯＭを選択できるようにしたので、実施例１の不揮発性メモリの効果に加え、簡単な制御で多数回の書換えを行うことができる。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
以上述べたように、本発明は、複数回書換え可能な不揮発性メモリに広く利用することができる。
【符号の説明】
【００４３】
１ 不揮発性メモリ
２ ＰＲＯＭ
４ 制御部
５ｗ ライトフラグ
５ｒ リードフラグ
６ 切替部
７ マイコン
１５ ライトカウンタ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ワンタイムのプログラマブルリードオンリーメモリ（以下、「ＰＲＯＭ」という）を用いて複数回書込みを行うことができるようにした不揮発性メモリに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
不揮発性メモリには、書き換えができないマスクＲＯＭと、書き換え可能なＰＲＯＭとがあり、書き換え可能なＰＲＯＭには、１回のみ書込みが可能なワンタイムＰＲＯＭ、紫外線等の照射より消去して複数回書き換え可能なＥＰＲＯＭ、さらに、電気的に消去してオンボードでの書き換えが可能なＥＥＰＲＯＭがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
ワンタイムＰＲＯＭは、ＥＰＲＯＭやＥＥＰＲＯＭと比較して安価であるという特長はあるが、オンボードでの書換えおよび複数回の書換えができず、多数回書換え可能な不揮発性メモリとしては利用することができなかった。
【０００４】
また、ＥＰＲＯＭは、所定回数書換えられるが、時間をかけて紫外線等を照射して消去しなければならずオンボードでの書換えができず、多数回書換えが可能な不揮発性メモリとしては利用することができなかった。このため、従来の書換え可能な不揮発性メモリでは、高価となるがＥＥＰＲＯＭを用いるしかなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平５−７４１７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の不揮発性メモリでは、オンボードにて書き換える必要のある回数が数回程度で十分であるケースが多く、この書換えのために高価なＥＥＰＲＯＭを使用するのは、非常に非経済的であるという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、前述の課題を解決するため次の構成を採用する。すなわち、複数のワンタイムＰＲＯＭと、前記ワンタイムＰＲＯＭのいずれが書込済かの情報を保持する状態保持手段と、前記状態保持手段の情報に基づき当該ワンタイムＰＲＯＭのいずれにアクセスするかを切替える切替手段と、を設けた。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の不揮発性メモリによれば、複数のワンタイムＰＲＯＭと、前記ワンタイムＰＲＯＭのいずれが書込済かの情報を保持する状態保持手段と、前記状態保持手段の情報に基づき当該ワンタイムＰＲＯＭのいずれにアクセスするかを切替える切替手段と、を設けたので、安価な書換え可能な不揮発性メモリを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施例１の不揮発性メモリの構成図である。
【図２】実施例１の不揮発性メモリの動作説明図である。
【図３】実施例１の不揮発性メモリの制御テーブルの例示図である。
【図４】実施例１の不揮発性メモリの動作フローチャート図である。
【図５】実施例２の不揮発性メモリの構成図である。
【図６】実施例２の不揮発性メモリの制御テーブルの例示図である。
【図７】実施例２の不揮発性メモリの動作フローチャート図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明に係わる実施の形態例を、図面を用いて説明する。図面に共通する要素には同一の符号を付す。
【実施例１】
【００１１】
（構成）
図１は、擬似ＥＥＰＲＯＭとして機能する実施例１の不揮発性メモリの構成図である。同図に示したように、不揮発性メモリ１は、データを記録するＰＲＯＭ０（２−０）とＰＲＯＭ１（２−１）と、いずれをアクセスするかを制御する制御部４とを有する。
【００１２】
制御部４はそれぞれ１ｂｉｔのライトフラグ５ｗ、リードフラグ５ｒのレジスタを有しその出力が切替部６に入力され、ライトフラグ５ｗ、リードフラグ５ｒの出力に応じて、マイコン７からのｒｄ信号、ｗｒ信号を切換えてｒｄ０、ｗｒ０、ｗｒ０、ｗｒ１信号として出力される構成となっている。なお、当該切替部６は、アナログスイッチ等により構成すればよい。
【００１３】
そして、マイコン７と不揮発性メモリ１の間は、リード・ライトするＰＲＯＭのアドレスが指定されるＡｄｄｒｅｓｓ信号線、リード・ライト時のデータがやり取りされるＤａｔａ信号線、リードの制御信号であるｒｄ信号線、ライトの制御信号であるｗｒ信号線、チップセレクトの制御信号であるｃｓ信号線が接続されている。
【００１４】
前記ｃｓ信号線は不揮発性メモリ１内でＰＲＯＭ０（２−０）、ＰＲＯＭ１（２−１）にそれぞれ直接接続されている。
【００１５】
なお、図示していないが、ＰＲＯＭ０（２−０）、ＰＲＯＭ１（２−１）には、電源Ｖｃｃとしての５Ｖおよび書込みの際の書込電圧Ｖｐｐとして１２Ｖ或いは２１Ｖが接続される。
【００１６】
図２および図３は、実施例１の不揮発性メモリ１のＰＲＯＭへのアクセスを行うための制御テーブルを示した図である。
【００１７】
図２（ａ）はライトフラグ５ｗとｗｒ０、ｗｒ１信号の関係を表し、図２（ｂ）はリードフラグ５ｒとｒｄ０、ｒｄ１信号の関係を示している。すなわち、図２（ａ）では、例えば、ライトフラグ５ｗが"０"の場合は、ＰＲＯＭ０（２−０）のｗｒ０信号はマイコン７からのｗｒ信号をそのまま出力し、ｗｒ０信号は常にハイレベルとし、ライトフラグ５ｗが"１"の場合は、ｗｒ１信号はマイコン７からのｗｒ信号をそのまま出力し、ｗｒ０信号は常にハイレベルとすることを示している。
【００１８】
同様に、図２（ｂ）では、例えば、リードフラグ５ｒが"０"の場合は、ＰＲＯＭ０（２−０）のｒｄ０信号はマイコン７からのｒｄ信号をそのまま出力し、ｒｄ０信号は常にハイレベルとし、リードフラグ５ｒが"１"の場合は、ｒｄ１信号はマイコン７からのｒｄ信号をそのまま出力し、ｒｄ０信号は常にハイレベルとすることを示している。
【００１９】
図３は、ライトフラグ５ｗ、リードフラグ５ｒの値によりアクセスされるＰＲＯＭを示している。例えば、ライトフラグ５ｗが"０"でリードフラグ５ｒが"０"の場合でライトアクセスがあった場合はＰＲＯＭ０（２−０）にライトし、リードアクセスがあった場合は、まだいずれのＰＲＯＭにもデータの書込みが行われていないのでリード先なしとする。ライトフラグ５ｗが"１"でリードフラグ５ｒが"０"の場合でライトアクセスがあった場合はＰＲＯＭ１（２−１）にライトし、リードアクセスがあった場合はＰＲＯＭ０（２−０）からリードすることを示している。
【００２０】
なお、以上の切換制御は、アナログスイッチ等から構成される切替部６の制御により行われる。
（動作）
以上の構成により、実施例１の不揮発性メモリ１は、以下のように動作する。この動作を図４の動作フローチャート図を用いて以下説明する。
【００２１】
図４の動作フローチャートにおいて、まず、初期状態では、まだ書込みがなされていないので、ライトフラグ５ｗ、リードフラグ５ｒはいずれも初期値"０"に設定される（ステップＳ０１）。
【００２２】
そして、マイコン７から不揮発性メモリ１へアクセスがあり（ステップＳ０２）、ライトアクセスであった場合は、ライトフラグ５ｗが"０"であるので、図３の制御テーブルによりデータのライト先はＰＲＯＭ０（２−０）となり、ＰＲＯＭ０（２−０）へのライト処理が行われる（ステップＳ０３）。ライト処理が完了するとライトフラグ５ｗを"１"に設定する（ステップＳ０４）。
【００２３】
一方、ステップＳ０２にてマイコン７から不揮発性メモリ１へリードアクセスがあった場合は（ステップＳ０２）、まだ、いずれのＰＲＯＭにも書込みが行われていない状態でありデータのリード先は図３の制御テーブルより“該当なし”となり、ＰＲＯＭ０へのリードは行わず、ステップＳ０２に戻り、次のアクセスを待つ。
【００２４】
次に、マイコン７から不揮発性メモリ１へライトアクセスがあった場合は（ステップＳ０５）、ライトフラグ５ｗが"１"となっているので、図３の制御テーブルよりデータのライト先はＰＲＯＭ１（２−１）となり、ＰＲＯＭ１（２−１）へのライト処理が行われる（ステップＳ０７）。ライト処理が完了するとリードフラグ５ｒを"１"に設定する（ステップＳ０８）。
【００２５】
一方、ステップＳ０５にてマイコン７から不揮発性メモリ１へリードアクセスがあった場合は、リードフラグ５ｒは"０"であることから図３の制御テーブルよりデータのリード先はＰＲＯＭ０（２−０）となり、ＰＲＯＭ０（２−０）へのリード処理が行われ、ステップＳ０５に戻り、次のアクセスを待つ。
【００２６】
次に、リードフラグ５ｒが"１"に設定された状態で、マイコン７から不揮発性メモリ１へライトアクセスがあった場合は（ステップＳ０９）、図３の制御テーブルによりライト先は"該当なし"となっており、ＰＲＯＭへのライトは行わず、本処理を終了し（ステップＳ１１）、ライトエラー処理を行う。
【００２７】
一方、ステップＳ０９にて、マイコン７から不揮発性メモリ１へリードアクセスがあった場合は、リードフラグ５ｒが"１"であることから図３の制御テーブルによりリード先はＰＲＯＭ１（２−１）となり、ＰＲＯＭ１（２−１）へのリード処理が行われ（ステップＳ１０）、ステップＳ０９に戻り、次のリードアクセスを同様に処理する。
【００２８】
（実施例１の効果）
以上のように実施例１の不揮発性メモリによれば、複数のＰＲＯＭと、それぞれライトするＰＲＯＭを示すライトフラグおよびリードするＰＲＯＭを示すリードフラグとを備え、当該ライトフラグおよびリードフラグの値に応じて複数のＰＲＯＭへの書き込み、読み出しを行えるようにしたので、安価な書換え可能な不揮発性メモリを提供することができる。
【実施例２】
【００２９】
（構成）
図５は、実施例２の不揮発性メモリの構成図である。同図に示したように、実施例２の不揮発性メモリは、実施例１のライトフラグ５ｗ、リードフラグ５ｒの代わりにライトカウンタ１５を備え、ＰＲＯＭ０（２−０）〜ＰＲＯＭｎ（２−ｎ）のＰＲＯＭを備えた構成となっている。
【００３０】
図６は、実施例２の不揮発性メモリ１のＰＲＯＭへのアクセス制御を行うための制御テーブルの例示図であり、ライトカウンタ１５の値Ｎｘに応じて、どのＰＲＯＭにマイコン７からのライト信号ｗｒ、リード信号ｒｄを接続するかを表わしたものである。ライト信号ｗｒおよびリード信号ｒｄを、いずれかのＰＲＯＭに接続するかは、実施例１と同様にアナログスイッチ等から構成される切替部６にて切換えればよい。
【００３１】
例えば、ライトカウンタＮｘが"１"の場合でライトアクセスの場合はｗｒ信号をＰＲＯＭ１（２−１）に、ライトカウンタＮｘが"２"の場合でリードアクセスの場合はｒｄ信号をＰＲＯＭ１（２−１）に接続してアクセスするようにすることを示している。すなわち、ライトはライトカウンタ値Ｎｘの番号のＰＲＯＭに行い、リードはライトカウンタ値Ｎｘ−１の番号のＰＲＯＭに行うようになっている。
【００３２】
その他の構成は実施例１の不揮発性メモリの構成と同様であるので、簡略化のためにその詳細な説明は省略する。
【００３３】
（動作）
以上の構成により、実施例２の不揮発性メモリ１は、以下のように動作する。この動作を図６の動作フローチャート図を用いて以下説明する。
【００３４】
まず、初期状態では、まだ書込みがなされていないので、ライトカウンタＮｘは初期値"０"に設定される（ステップＳ２１）。
【００３５】
そして、マイコン７から不揮発性メモリ１へアクセスがあり（ステップＳ２２）、ライトアクセスであった場合は、ライトカウンタが"０"であり、"ｎ"以下であるので（ステップＳ２３）、図６の制御テーブルによりライト先はＰＲＯＭ０（２−０）となり、ＰＲＯＭ０（２−０）へのライト処理が行われる（ステップＳ２４）。ライト処理が完了するとライトカウンタを＋１し、ライトカウンタ値Ｎｘを"１"とし（ステップＳ２６）、ステップＳ２２に戻り次のアクセスを待つ。
【００３６】
一方、ステップＳ２２にてマイコン７から不揮発性メモリ１へリードアクセスがあった場合は、データのリード先はＮｘ−１、すなわち“−１番目”のＰＲＯＭとなり、図６の制御テーブルは該当がないのでリード処理はスキップされ（Ｓ２５）、ステップＳ２２に戻り、次のアクセスを待つ。
【００３７】
次に、ライトアクセスがあると（ステップＳ２２）、ライトカウンタ値Ｎｘが"１"となっているので、図６の制御テーブルによりデータのライト先はＰＲＯＭ１（２−１）となり、ＰＲＯＭ１（２−１）へのライト処理が行われる（ステップＳ２４）。ライト処理が完了するとライトカウンタを＋１し、ライトカウンタ値Ｎｘを"２"とする（ステップＳ２６）。
【００３８】
一方、ステップＳ２２にてマイコン７から不揮発性メモリ１へリードアクセスがあった場合は、ライトカウンタ値Ｎｘが"１"となっているので、図６の制御テーブルによりリード先はＮｘ−１番目、すなわち“０番目”のＰＲＯＭ０（２−０）となり、ＰＲＯＭ０（２−０）へのリード処理が行われ（Ｓ２５）、ステップＳ２２に戻り、次のアクセスを待つ。
【００３９】
そして、ｎ回ライトアクセスがあったときは、ステップＳ２６によりライトカウンタＮｘは"ｎ＋１"となるので、その状態でライトアクセスがあったときは、ライトするＰＲＯＭがなく、Ｎｘ＞ｎとなるので、ＰＲＯＭへのライトは行わず、本処理を終了し（ステップＳ２３）、ライトエラー処理を行う。
【００４０】
一方、ライトカウンタＮｘ＝ｎ＋１のときに、マイコン７から不揮発性メモリ１へリードアクセスがあった場合は、図６の制御テーブルにより、Ｎｘ−１番目、すなわち“ｎ番目”のＰＲＯＭｎ（２−ｎ）へのリード処理が行われ（ステップＳ２５）、ステップＳ２２に戻り、次のリードアクセスも同様に処理する。
【００４１】
（実施例２の効果）
以上のように実施例２の不揮発性メモリによれば、複数のＰＲＯＭと、ＰＲＯＭへの書込みごとにカウントアップするライトカウンタを備え、当該ライトカウンタ値に応じてライトまたはリードするＰＲＯＭを選択できるようにしたので、実施例１の不揮発性メモリの効果に加え、簡単な制御で多数回の書換えを行うことができる。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
以上述べたように、本発明は、複数回書換え可能な不揮発性メモリに広く利用することができる。
【符号の説明】
【００４３】
１ 不揮発性メモリ
２ ＰＲＯＭ
４ 制御部
５ｗ ライトフラグ
５ｒ リードフラグ
６ 切替部
７ マイコン
１５ ライトカウンタ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のワンタイムＰＲＯＭと、
前記ワンタイムＰＲＯＭのいずれが書込済かの情報を保持する状態保持手段と、
前記状態保持手段の情報に基づき当該ワンタイムＰＲＯＭのいずれにアクセスするかを切替える切替手段と、を設けたことを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項２】
前記状態保持手段は、前記ワンタイムＰＲＯＭのいずれが書込済かの情報をフラグ情報として保持するようにしたことを特徴とする請求項１記載の不揮発性メモリ。
【請求項３】
複数のワンタイムＰＲＯＭと、
書込んだ数をカウント情報として保持するカウント手段と、
前記カウント手段の値に基づき当該ワンタイムＰＲＯＭのいずれにアクセスするかを切替える切替手段と、を設けたことを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項１】
複数のワンタイムＰＲＯＭと、
前記ワンタイムＰＲＯＭのいずれが書込済かの情報を保持する状態保持手段と、
前記状態保持手段の情報に基づき当該ワンタイムＰＲＯＭのいずれにアクセスするかを切替える切替手段と、を設けたことを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項２】
前記状態保持手段は、前記ワンタイムＰＲＯＭのいずれが書込済かの情報をフラグ情報として保持するようにしたことを特徴とする請求項１記載の不揮発性メモリ。
【請求項３】
複数のワンタイムＰＲＯＭと、
書込んだ数をカウント情報として保持するカウント手段と、
前記カウント手段の値に基づき当該ワンタイムＰＲＯＭのいずれにアクセスするかを切替える切替手段と、を設けたことを特徴とする不揮発性メモリ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１１−１４２１９（Ｐ２０１１−１４２１９Ａ）
【公開日】平成２３年１月２０日（２０１１．１．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１６０２２７（Ｐ２００９−１６０２２７）
【出願日】平成２１年７月６日（２００９．７．６）
【出願人】（００００００２９５）沖電気工業株式会社 (6,645)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１月２０日（２０１１．１．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年７月６日（２００９．７．６）
【出願人】（００００００２９５）沖電気工業株式会社 (6,645)
【Ｆターム（参考）】
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