伝送線路の電気的特性の最適値取得方法
【課題】 仮想的にグランドプレーンを追加することにより、電源／グランド層を持たない伝送線路の電気的特性の最適値を取得することができるようにする。
【解決手段】 電源／グランド層を持たない二層基板（両面基板）４の配線パターンａ，ｂの電気的特性の最適値を取得するに際し、基板体２の少なくとも一方向に仮想的なグランドプレーンである仮想の電源／グランド層６を配設し、基板体２の配線パターンａ，ｂの電気的特性の最適値をたとえば電磁界解析ソフトによって解析するようにする。
【解決手段】 電源／グランド層を持たない二層基板（両面基板）４の配線パターンａ，ｂの電気的特性の最適値を取得するに際し、基板体２の少なくとも一方向に仮想的なグランドプレーンである仮想の電源／グランド層６を配設し、基板体２の配線パターンａ，ｂの電気的特性の最適値をたとえば電磁界解析ソフトによって解析するようにする。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、伝送線路の電気的特性の最適値取得方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、プリント基板の伝送線路である配線パターンの電気的特性を求める場合、各種計算式が用いられたり電磁界解析等が用いられたりしている。ここで、電気的特性を求める場合、特性インピーダンス、伝搬遅延、自己／相互インダクタンス、自己／相互キャパシタンス等が加味される。
【０００３】ところで、このようなプリント基板の伝送線路である配線パターンの電気的特性を求める場合、最低一方向に電位の基準となるべき電源／グランド層が必要となる。
【０００４】この場合、たとえば図１２に示すような多層基板１では、基板体２内に電源／グランド層３を含むため、その電源／グランド層３が電位の基準となり、部品面及び半田面に形成される伝送線路である配線パターンａ，ｂの電気的特性を求める場合に何ら不都合を生じない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、たとえば図１３に示すように、基板体２内に電源／グランド層を含まない二層基板（両面基板）４の場合には、電位の基準となるものがないため、伝送線路である配線パターンａ，ｂの電気的特性を求めることが極めて困難となっている。
【０００６】この場合、たとえば部品面の所定の領域の周囲や、たとえば図１４に示すように、二層基板（両面基板）４の周囲をグラント５で囲んで解析したり、デフォルト値を当てはめることで、伝送線路である配線パターンａ，ｂの電気的特性を求めるようにしている。
【０００７】ところが、このように、たとえば部品面の所定の領域の周囲や基板の周囲をグラント５で囲んで解析したり、デフォルト値を当てはめるたりすることにより、伝送線路である配線パターンａ，ｂの電気的特性を求めるようにする方法では、実際に製造した二層基板（両面基板）４の電気的特性とはかけ離れた値となる。
【０００８】このため、電位の基準となるものがない場合に、たとえば部品面の所定の領域の周囲や基板の周囲をグラント５で囲んで解析したり、デフォルト値を当てはめるたりする方法では、配線パターンａ，ｂの電気的特性の最適値を取得することが困難となっている。
【０００９】本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、仮想的にグランドプレーンを追加することにより、電源／グランド層を持たない伝送線路の電気的特性の最適値を取得することができる伝送線路の電気的特性の最適値取得方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の伝送線路の電気的特性の最適値取得方法は、電源／グランド層を持たない伝送線路の電気的特性の最適値を取得するに際し、基板体の少なくとも一方向に仮想的なグランドプレーンを配設する第１の工程と、基板体の伝送線路の電気的特性の最適値を所定の手法により取得する第２の工程とを備えることを特徴とする。また、第１の工程には、電源／グランド層を持たない伝送線路と仮想的なグランドプレーンとの間に、空気又は空気に近い特性を有する部材を介在させる第３の工程が含まれるようにすることができる。また、第１、第３の工程には、伝送線路を、基板体内に電源／グランド層を含まない二層基板の配線パターンとする第４の工程が含まれるようにすることができる。また、第１、第３の工程には、伝送線路を、ケーブルとする第５の工程が含まれるようにすることができる。また、第１、第３の工程には、伝送線路を、差動回路とする第６の工程が含まれるようにすることができる。また、第２の工程には、所定の手法として電磁界解析ソフトを用いるようにすることができる。請求項７に記載のプリント基板は、請求項１〜６の何れかに記載の伝送線路の電気的特性の最適値取得方法によって得られたものである。請求項８に記載の電子機器は、請求項７に記載のプリント基板を実装したものである。本発明に係る伝送線路の電気的特性の最適値取得方法においては、電源／グランド層を持たない伝送線路の電気的特性の最適値を取得するに際し、基板体の少なくとも一方向に仮想的なグランドプレーンを配設し、基板体の伝送線路の電気的特性の最適値を所定の手法により取得するようにする。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下に説明する図において、図１３と共通する部分には同一符号を付すものとする。
【００１２】図１は、本発明の伝送線路の電気的特性の最適値取得方法の一実施の形態に係る二層基板（両面基板）の一例を示す図、図２〜図９は、図１の二層基板（両面基板）における伝送線路の電気的特性の最適値を取得する方法を説明するための図、図１０及び図１１は、図１の二層基板（両面基板）における伝送線路の電気的特性の最適値を取得する他の方法を説明するための図である。
【００１３】図１に示す二層基板（両面基板）４は、基板体２内に電源／グランド層が含まれていないものであり、部品面及び半田面には伝送線路である配線パターンａ，ｂが形成されている。また、半田面から所定の位置に仮想的なグランドプレーンである仮想の電源／グランド層６が配設されている。
【００１４】ここで、その半田面からの所定の位置とは、二層基板（両面基板）４の部品面及び半田面の配線パターンａ，ｂの電気的特性の値がそれぞれ限りなく近い箇所である。また、基板体２と仮想の電源／グランド層６との間には、空気又は空気に近い特性を有する部材を介在させることができる。空気に近い特性を有する部材としては、比誘電率が空気の１に近い特性を持ったものを用いることができる。
【００１５】また、図１において、二層基板（両面基板）４の配線パターンａ，ｂの電気的特性は、配線パターンａ，ｂの厚みや幅、基板体２の厚み、基板体２の比誘電率、半田面から仮想の電源／グランド層６までの距離等によって決定される。
【００１６】次に、伝送線路の電気的特性の最適値取得方法について説明する。
【００１７】まず、図２に示すように、二層基板（両面基板）４の半田面側に仮想の電源／グランド層６を配設するとともに、配線パターンａ，ｂの厚みｔ（＝０．０１８ｍｍ）、パターン幅ｗ（＝０．５ｍｍ）、基板体２の厚みｔp （＝１．６ｍｍ）、基板体２の比誘電率εr（＝４．７）、半田面から仮想の電源／グランド層６までの距離ｈとしている。ここで、半田面から仮想の電源／グランド層６までの距離ｈを、２ｍｍ〜５０ｍｍの間で変化させ、部品面の配線パターンaと半田面の配線パターンｂのそれぞれ一本の電気的特性を、たとえば電磁界解析ソフトによって解析した結果を図３〜図９に示す。また、配線パターンａ，ｂの厚みｔ（＝０．０１８ｍｍ）、パターン幅ｗ（＝０．５ｍｍ）、基板体２の厚みｔp （＝１．６ｍｍ）、基板体２の比誘電率εr（＝４．７）等の値は、何れも一例であり、これらの値に限るものではない。
【００１８】また、ここでの電磁界解析ソフトとしては、たとえば米国Innoveda社製のXFXを用いている。また、電磁界解析を行う場合、Maxwell方程式を用いている。
【００１９】また、図３〜図９において、＜ｉ，j＞は、配線パターンａ，ｂを示す。＜Lij＞は、インダクタンス (ａ，ａとｂ，ｂは自己で、ａ，ｂは相互)を示す。＜Cij＞は、キャパシタンス (ａ，ａとｂ，ｂは自己で、ａ，ｂは相互)を示す。＜Ze＞は、 イーブン（配線パターンａ，ｂに同じ方法に電流が流れた場合）の特性インピーダンスを示す。＜Zo ＞は、オッズ（配線パターンａ，ｂにそれぞれ反対方法に電流が流れた場合）の特性インピーダンスを示す。＜Se＞は、イーブン（配線パターンａ，ｂに同じ方法に電流が流れた場合）の伝搬時間を示す。＜So＞は、オッズ（配線パターンａ，ｂにそれぞれ反対方法に電流が流れた場合）の伝搬時間を示す。＜Fwdx＞は、フォワード・クロストーク係数（進行方向のクロストークノイズを与える比率）を示す。＜Rvsx＞は、リバース・クロストーク係数（反対方向のクロストークノイズを与える比率）を示す。
【００２０】そこで、まず半田面から仮想の電源／グランド層６までの距離ｈを２ｍｍとした場合の図３において、たとえば＜Lij＞を見てみると、配線パターンａの自己インダクタンスは7.949(nh/cm)、配線パターンａ−ｂの相互インダクタンスは2.455(nh/cm)、配線パターンｂの自己インダクタンスは6.766(nh/cm)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの自己インダクタンスの差は、7.949−6.766＝1.183 (nh/cm) である。
【００２１】また、＜Cij＞を見てみると、配線パターンａの自己キャパシタンスは0.433(pf/cm)、配線パターンａ−ｂの相互キャパシタンスは0.184(pf/cm)、配線パターンｂの自己キャパシタンスは0.490(pf/cm)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの自己キャパシタンスの差は、0.433−0.490＝-0.057(pf/cm)である。
【００２２】また、＜Ze ＞を見てみると、配線パターンａの特性インピーダンスは145.37(ohms)、配線パターンａ−ｂで204.50(ohms)、配線パターンｂの特性インピーダンスは126.51(ohms)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの特性インピーダンスの差は、145.37−126.51＝18.86(ohms)である。
【００２３】また、＜Se＞を見てみると、配線パターンａの伝搬遅延は5.47(ns/m)、配線パターンａ−ｂで5.09(ns/m)、配線パターンｂの伝搬遅延は5.35(ns/m)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの伝搬遅延の差は、5.47−5.35＝0.12(ns/m)である。
【００２４】次に、半田面から仮想の電源／グランド層６までの距離ｈを３ｍｍとした場合の図４において、上記同様に、＜Lij＞を見てみると、配線パターンａで8.437(nh/cm)、配線パターンａ−ｂで3.064(nh/cm)、配線パターンｂで7.576(nh/cm)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、8.437−7.576＝0.861 (nh/cm) である。
【００２５】また、＜Cij＞を見てみると、配線パターンａで0.425(pf/cm)、配線パターンａ−ｂで0.198(pf/cm)、配線パターンｂで0.461(pf/cm)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、0.425−0.461＝-0.036(pf/cm)である。
【００２６】また、＜Ze ＞を見てみると、配線パターンａで154.48(ohms)、配線パターンａ−ｂで224.77(ohms)、配線パターンｂで140.92(ohms)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、154.48−140.92＝13.56(ohms)である。
【００２７】また、＜Se＞を見てみると、配線パターンａで5.46(ns/m)、配線パターンａ−ｂで5.12(ns/m)、配線パターンｂで5.38(ns/m)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、5.46−5.38＝0.08(ns/m)である。
【００２８】次に、半田面から仮想の電源／グランド層６までの距離ｈを５ｍｍとした場合の図５において、上記同様に、＜Lij＞を見てみると、配線パターンａで9.156(nh/cm)、配線パターンａ−ｂで3.907(nh/cm)、配線パターンｂで8.597(nh/cm)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、9.156−8.597＝0.559 (nh/cm) である。
【００２９】また、＜Cij＞を見てみると、配線パターンａで0.413(pf/cm)、配線パターンａ−ｂで0.212(pf/cm)、配線パターンｂで0.436(pf/cm)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、0.413−0.436＝-0.023(pf/cm)である。
【００３０】また、＜Ze ＞を見てみると、配線パターンａで168.47(ohms)、配線パターンａ−ｂで254.94(ohms)、配線パターンｂで159.18(ohms)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、168.47−159.18＝9.29(ohms)である。
【００３１】また、＜Se＞を見てみると、配線パターンａで5.43(ns/m)、配線パターンａ−ｂで5.12(ns/m)、配線パターンｂで5.40(ns/m)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、5.43−5.40＝0.03(ns/m)である。
【００３２】次に、半田面から仮想の電源／グランド層６までの距離ｈを１０ｍｍとした場合の図６において、上記同様に、＜Lij＞を見てみると、配線パターンａで10.280(nh/cm)、配線パターンａ−ｂで5.148(nh/cm)、配線パターンｂで9.981(nh/cm)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、10.280−9.981＝0.299 (nh/cm) である。
【００３３】また、＜Cij＞を見てみると、配線パターンａで0.402(pf/cm)、配線パターンａ−ｂで0.229(pf/cm)、配線パターンｂで0.412(pf/cm)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、0.402−0.412＝-0.01(pf/cm)である。
【００３４】また、＜Ze ＞を見てみると、配線パターンａで189.04(ohms)、配線パターンａ−ｂで298.37(ohms)、配線パターンｂで184.34(ohms)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、189.04−184.34＝4.7(ohms)である。
【００３５】また、＜Se＞を見てみると、配線パターンａで5.44(ns/m)、配線パターンａ−ｂで5.17(ns/m)、配線パターンｂで5.41(ns/m)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、5.44−5.41＝0.03(ns/m)である。
【００３６】次に、半田面から仮想の電源／グランド層６までの距離ｈを２０ｍｍとした場合の図７において、上記同様に、＜Lij＞を見てみると、配線パターンａで11.521(nh/cm)、配線パターンａ−ｂで6.455(nh/cm)、配線パターンｂで11.365(nh/cm)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、11.521−11.365＝0.156 (nh/cm) である。
【００３７】また、＜Cij＞を見てみると、配線パターンａで0.392(pf/cm)、配線パターンａ−ｂで0.242(pf/cm)、配線パターンｂで0.396(pf/cm)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、0.392−0.396＝-0.004(pf/cm)である。
【００３８】また、＜Ze ＞を見てみると、配線パターンａで211.94(ohms)、配線パターンａ−ｂで346.05(ohms)、配線パターンｂで209.63(ohms)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、211.94−209.63＝2.31(ohms)である。
【００３９】また、＜Se＞を見てみると、配線パターンａで5.44(ns/m)、配線パターンａ−ｂで5.19(ns/m)、配線パターンｂで5.42(ns/m)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、5.44−5.42＝0.02(ns/m)である。
【００４０】次に、半田面から仮想の電源／グランド層６までの距離ｈを３０ｍｍとした場合の図８において、上記同様に、＜Lij＞を見てみると、配線パターンａで12.280(nh/cm)、配線パターンａ−ｂで7.239(nh/cm)、配線パターンｂで12.175(nh/cm)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、12.280−12.175＝0.105 (nh/cm) である。
【００４１】また、＜Cij＞を見てみると、配線パターンａで0.387(pf/cm)、配線パターンａ−ｂで0.248(pf/cm)、配線パターンｂで0.389(pf/cm)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、0.387−0.389＝-0.002(pf/cm)である。
【００４２】また、＜Ze ＞を見てみると、配線パターンａで225.86(ohms)、配線パターンａ−ｂで374.91(ohms)、配線パターンｂで224.49(ohms)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、225.86−224.49＝1.37(ohms)である。
【００４３】また、＜Se＞を見てみると、配線パターンａで5.44(ns/m)、配線パターンａ−ｂで5.21(ns/m)、配線パターンｂで5.42(ns/m)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、5.44−5.42＝0.02(ns/m)である。
【００４４】次に、半田面から仮想の電源／グランド層６までの距離ｈを５０ｍｍとした場合の図９において、上記同様に、＜Lij＞を見てみると、配線パターンａで13.258(nh/cm)、配線パターンａ−ｂで8.238(nh/cm)、配線パターンｂで13.195(nh/cm)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、13.258−13.195＝0.063 (nh/cm) である。
【００４５】また、＜Cij＞を見てみると、配線パターンａで0.379(pf/cm)、配線パターンａ−ｂで0.254(pf/cm)、配線パターンｂで0.382(pf/cm)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、0.379−0.382＝-0.003(pf/cm)である。
【００４６】また、＜Ze ＞を見てみると、配線パターンａで244.87(ohms)、配線パターンａ−ｂで414.80(ohms)、配線パターンｂで242.94(ohms)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、244.87−242.94＝1.93(ohms)である。
【００４７】また、＜Se＞を見てみると、配線パターンａで5.41(ns/m)、配線パターンａ−ｂで5.18(ns/m)、配線パターンｂで5.43(ns/m)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、5.41−5.43＝-0.02(ns/m)である。
【００４８】以上のようなことから、配線パターンａ，ｂに同じ方法に電流が流れた場合のインダクタンス＜Lij＞における配線パターンａ，ｂの差がもっとも小さいのは、図９のように、半田面から仮想の電源／グランド層６までの距離ｈを５０ｍｍとした場合であることが分る。
【００４９】また、配線パターンａ，ｂに同じ方法に電流が流れた場合のキャパシタンス＜Cij＞における配線パターンａ，ｂの差がもっとも小さいのは、図８のように、半田面から仮想の電源／グランド層６までの距離ｈを３０ｍｍとした場合であることが分る。
【００５０】また、配線パターンａ，ｂに同じ方法に電流が流れた場合の特性インピーダンス＜Ze ＞における配線パターンａ，ｂの差がもっとも小さいのは、図８のように、半田面から仮想の電源／グランド層６までの距離ｈを３０ｍｍとした場合であることが分る。
【００５１】また、配線パターンａ，ｂに同じ方法に電流が流れた場合の伝搬時間＜Se＞における配線パターンａ，ｂの差がもっとも小さいのは、図７〜９のように、半田面から仮想の電源／グランド層６までの距離ｈを２０ｍｍ〜５０ｍｍとした場合であることが分る。
【００５２】よって、このように仮想の電源／グランド層６を、二層基板（両面基板）４の半田面から２０ｍｍ〜５０ｍｍ程度離した位置に配設することで、基板体２内に電源／グランド層を含まない二層基板（両面基板）４の場合であっても配線パターンａ，ｂの電気的特性の最適値を取得することができる。
【００５３】このように、本実施の形態では、電源／グランド層を持たない二層基板（両面基板）４の配線パターンａ，ｂの電気的特性の最適値を取得するに際し、基板体２の少なくとも一方向に仮想的なグランドプレーンである仮想の電源／グランド層６を配設し、基板体２の配線パターンａ，ｂの電気的特性の最適値をたとえば電磁界解析ソフトによって解析するようにしたので、電源／グランド層を持たない基板体２の配線パターンａ，ｂの電気的特性の最適値を取得することができる。
【００５４】なお、本実施の形態では、仮想の電源／グランド層６を、二層基板（両面基板）４の半田面側に配設した場合について説明したが、この例に限らず、仮想の電源／グランド層６を、二層基板（両面基板）４の部品面側に配設するようにしてもよい。
【００５５】さらに、電源／グランド層を持たない基板体２を筐体に実装すると、筐体を電源／グランド層とみなすことができるので、このような場合には図１０に示すように、半田面及び部品面の両方に配設するようにしてもよい。
【００５６】なお、本実施の形態では、電源／グランド層を持たない基板体２の伝送線路である配線パターンａ，ｂの電気的特性の最適値を取得する場合について説明したが、この例に限らず、たとえば図１１（ａ），（ｂ）に示すように、差動回路において、行き帰りの配線パターンａ−ａ、配線パターンａ−ｂが平行になっている場合は、斜線で示す一方の配線パターンａ，ｂを仮想のグラウンドとみなすことができる。
【００５７】また、本実施の形態では、電送線路である配線パターンａ，ｂの電気的特性の最適値を取得する場合について説明したが、伝送線路をケーブルとしてもよい。
【００５８】
【発明の効果】以上の如く本発明に係る伝送線路の電気的特性の最適値取得方法によれば、電源／グランド層を持たない伝送線路の電気的特性の最適値を取得するに際し、基板体の少なくとも一方向に仮想的なグランドプレーンを配設し、基板体の伝送線路の電気的特性の最適値を所定の手法により取得するようにしたので、電源／グランド層を持たない伝送線路の電気的特性の最適値を取得することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の伝送線路の電気的特性の最適値取得方法の一実施の形態に係る二層基板（両面基板）の一例を示す図である。
【図２】図１の二層基板（両面基板）における伝送線路の電気的特性の最適値を取得する方法を説明するための図である。
【図３】図１の二層基板（両面基板）における伝送線路の電気的特性の最適値を取得する方法を説明するための図である。
【図４】図１の二層基板（両面基板）における伝送線路の電気的特性の最適値を取得する方法を説明するための図である。
【図５】図１の二層基板（両面基板）における伝送線路の電気的特性の最適値を取得する方法を説明するための図である。
【図６】図１の二層基板（両面基板）における伝送線路の電気的特性の最適値を取得する方法を説明するための図である。
【図７】図１の二層基板（両面基板）における伝送線路の電気的特性の最適値を取得する方法を説明するための図である。
【図８】図１の二層基板（両面基板）における伝送線路の電気的特性の最適値を取得する方法を説明するための図である。
【図９】図１の二層基板（両面基板）における伝送線路の電気的特性の最適値を取得する方法を説明するための図である。
【図１０】図１の二層基板（両面基板）における伝送線路の電気的特性の最適値を取得する他の方法を説明するための図である。
【図１１】図１の二層基板（両面基板）における伝送線路の電気的特性の最適値を取得する他の方法を説明するための図である。
【図１２】従来の多層基板の一例を示す図である。
【図１３】従来の二層基板（両面基板）を示す図である。
【図１４】従来の二層基板（両面基板）を示す図である。
【符号の説明】
２ 基板体
４ 二層基板（両面基板）
６ 仮想の電源／グランド層
ａ，ｂ 配線パターン
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、伝送線路の電気的特性の最適値取得方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、プリント基板の伝送線路である配線パターンの電気的特性を求める場合、各種計算式が用いられたり電磁界解析等が用いられたりしている。ここで、電気的特性を求める場合、特性インピーダンス、伝搬遅延、自己／相互インダクタンス、自己／相互キャパシタンス等が加味される。
【０００３】ところで、このようなプリント基板の伝送線路である配線パターンの電気的特性を求める場合、最低一方向に電位の基準となるべき電源／グランド層が必要となる。
【０００４】この場合、たとえば図１２に示すような多層基板１では、基板体２内に電源／グランド層３を含むため、その電源／グランド層３が電位の基準となり、部品面及び半田面に形成される伝送線路である配線パターンａ，ｂの電気的特性を求める場合に何ら不都合を生じない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、たとえば図１３に示すように、基板体２内に電源／グランド層を含まない二層基板（両面基板）４の場合には、電位の基準となるものがないため、伝送線路である配線パターンａ，ｂの電気的特性を求めることが極めて困難となっている。
【０００６】この場合、たとえば部品面の所定の領域の周囲や、たとえば図１４に示すように、二層基板（両面基板）４の周囲をグラント５で囲んで解析したり、デフォルト値を当てはめることで、伝送線路である配線パターンａ，ｂの電気的特性を求めるようにしている。
【０００７】ところが、このように、たとえば部品面の所定の領域の周囲や基板の周囲をグラント５で囲んで解析したり、デフォルト値を当てはめるたりすることにより、伝送線路である配線パターンａ，ｂの電気的特性を求めるようにする方法では、実際に製造した二層基板（両面基板）４の電気的特性とはかけ離れた値となる。
【０００８】このため、電位の基準となるものがない場合に、たとえば部品面の所定の領域の周囲や基板の周囲をグラント５で囲んで解析したり、デフォルト値を当てはめるたりする方法では、配線パターンａ，ｂの電気的特性の最適値を取得することが困難となっている。
【０００９】本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、仮想的にグランドプレーンを追加することにより、電源／グランド層を持たない伝送線路の電気的特性の最適値を取得することができる伝送線路の電気的特性の最適値取得方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の伝送線路の電気的特性の最適値取得方法は、電源／グランド層を持たない伝送線路の電気的特性の最適値を取得するに際し、基板体の少なくとも一方向に仮想的なグランドプレーンを配設する第１の工程と、基板体の伝送線路の電気的特性の最適値を所定の手法により取得する第２の工程とを備えることを特徴とする。また、第１の工程には、電源／グランド層を持たない伝送線路と仮想的なグランドプレーンとの間に、空気又は空気に近い特性を有する部材を介在させる第３の工程が含まれるようにすることができる。また、第１、第３の工程には、伝送線路を、基板体内に電源／グランド層を含まない二層基板の配線パターンとする第４の工程が含まれるようにすることができる。また、第１、第３の工程には、伝送線路を、ケーブルとする第５の工程が含まれるようにすることができる。また、第１、第３の工程には、伝送線路を、差動回路とする第６の工程が含まれるようにすることができる。また、第２の工程には、所定の手法として電磁界解析ソフトを用いるようにすることができる。請求項７に記載のプリント基板は、請求項１〜６の何れかに記載の伝送線路の電気的特性の最適値取得方法によって得られたものである。請求項８に記載の電子機器は、請求項７に記載のプリント基板を実装したものである。本発明に係る伝送線路の電気的特性の最適値取得方法においては、電源／グランド層を持たない伝送線路の電気的特性の最適値を取得するに際し、基板体の少なくとも一方向に仮想的なグランドプレーンを配設し、基板体の伝送線路の電気的特性の最適値を所定の手法により取得するようにする。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下に説明する図において、図１３と共通する部分には同一符号を付すものとする。
【００１２】図１は、本発明の伝送線路の電気的特性の最適値取得方法の一実施の形態に係る二層基板（両面基板）の一例を示す図、図２〜図９は、図１の二層基板（両面基板）における伝送線路の電気的特性の最適値を取得する方法を説明するための図、図１０及び図１１は、図１の二層基板（両面基板）における伝送線路の電気的特性の最適値を取得する他の方法を説明するための図である。
【００１３】図１に示す二層基板（両面基板）４は、基板体２内に電源／グランド層が含まれていないものであり、部品面及び半田面には伝送線路である配線パターンａ，ｂが形成されている。また、半田面から所定の位置に仮想的なグランドプレーンである仮想の電源／グランド層６が配設されている。
【００１４】ここで、その半田面からの所定の位置とは、二層基板（両面基板）４の部品面及び半田面の配線パターンａ，ｂの電気的特性の値がそれぞれ限りなく近い箇所である。また、基板体２と仮想の電源／グランド層６との間には、空気又は空気に近い特性を有する部材を介在させることができる。空気に近い特性を有する部材としては、比誘電率が空気の１に近い特性を持ったものを用いることができる。
【００１５】また、図１において、二層基板（両面基板）４の配線パターンａ，ｂの電気的特性は、配線パターンａ，ｂの厚みや幅、基板体２の厚み、基板体２の比誘電率、半田面から仮想の電源／グランド層６までの距離等によって決定される。
【００１６】次に、伝送線路の電気的特性の最適値取得方法について説明する。
【００１７】まず、図２に示すように、二層基板（両面基板）４の半田面側に仮想の電源／グランド層６を配設するとともに、配線パターンａ，ｂの厚みｔ（＝０．０１８ｍｍ）、パターン幅ｗ（＝０．５ｍｍ）、基板体２の厚みｔp （＝１．６ｍｍ）、基板体２の比誘電率εr（＝４．７）、半田面から仮想の電源／グランド層６までの距離ｈとしている。ここで、半田面から仮想の電源／グランド層６までの距離ｈを、２ｍｍ〜５０ｍｍの間で変化させ、部品面の配線パターンaと半田面の配線パターンｂのそれぞれ一本の電気的特性を、たとえば電磁界解析ソフトによって解析した結果を図３〜図９に示す。また、配線パターンａ，ｂの厚みｔ（＝０．０１８ｍｍ）、パターン幅ｗ（＝０．５ｍｍ）、基板体２の厚みｔp （＝１．６ｍｍ）、基板体２の比誘電率εr（＝４．７）等の値は、何れも一例であり、これらの値に限るものではない。
【００１８】また、ここでの電磁界解析ソフトとしては、たとえば米国Innoveda社製のXFXを用いている。また、電磁界解析を行う場合、Maxwell方程式を用いている。
【００１９】また、図３〜図９において、＜ｉ，j＞は、配線パターンａ，ｂを示す。＜Lij＞は、インダクタンス (ａ，ａとｂ，ｂは自己で、ａ，ｂは相互)を示す。＜Cij＞は、キャパシタンス (ａ，ａとｂ，ｂは自己で、ａ，ｂは相互)を示す。＜Ze＞は、 イーブン（配線パターンａ，ｂに同じ方法に電流が流れた場合）の特性インピーダンスを示す。＜Zo ＞は、オッズ（配線パターンａ，ｂにそれぞれ反対方法に電流が流れた場合）の特性インピーダンスを示す。＜Se＞は、イーブン（配線パターンａ，ｂに同じ方法に電流が流れた場合）の伝搬時間を示す。＜So＞は、オッズ（配線パターンａ，ｂにそれぞれ反対方法に電流が流れた場合）の伝搬時間を示す。＜Fwdx＞は、フォワード・クロストーク係数（進行方向のクロストークノイズを与える比率）を示す。＜Rvsx＞は、リバース・クロストーク係数（反対方向のクロストークノイズを与える比率）を示す。
【００２０】そこで、まず半田面から仮想の電源／グランド層６までの距離ｈを２ｍｍとした場合の図３において、たとえば＜Lij＞を見てみると、配線パターンａの自己インダクタンスは7.949(nh/cm)、配線パターンａ−ｂの相互インダクタンスは2.455(nh/cm)、配線パターンｂの自己インダクタンスは6.766(nh/cm)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの自己インダクタンスの差は、7.949−6.766＝1.183 (nh/cm) である。
【００２１】また、＜Cij＞を見てみると、配線パターンａの自己キャパシタンスは0.433(pf/cm)、配線パターンａ−ｂの相互キャパシタンスは0.184(pf/cm)、配線パターンｂの自己キャパシタンスは0.490(pf/cm)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの自己キャパシタンスの差は、0.433−0.490＝-0.057(pf/cm)である。
【００２２】また、＜Ze ＞を見てみると、配線パターンａの特性インピーダンスは145.37(ohms)、配線パターンａ−ｂで204.50(ohms)、配線パターンｂの特性インピーダンスは126.51(ohms)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの特性インピーダンスの差は、145.37−126.51＝18.86(ohms)である。
【００２３】また、＜Se＞を見てみると、配線パターンａの伝搬遅延は5.47(ns/m)、配線パターンａ−ｂで5.09(ns/m)、配線パターンｂの伝搬遅延は5.35(ns/m)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの伝搬遅延の差は、5.47−5.35＝0.12(ns/m)である。
【００２４】次に、半田面から仮想の電源／グランド層６までの距離ｈを３ｍｍとした場合の図４において、上記同様に、＜Lij＞を見てみると、配線パターンａで8.437(nh/cm)、配線パターンａ−ｂで3.064(nh/cm)、配線パターンｂで7.576(nh/cm)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、8.437−7.576＝0.861 (nh/cm) である。
【００２５】また、＜Cij＞を見てみると、配線パターンａで0.425(pf/cm)、配線パターンａ−ｂで0.198(pf/cm)、配線パターンｂで0.461(pf/cm)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、0.425−0.461＝-0.036(pf/cm)である。
【００２６】また、＜Ze ＞を見てみると、配線パターンａで154.48(ohms)、配線パターンａ−ｂで224.77(ohms)、配線パターンｂで140.92(ohms)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、154.48−140.92＝13.56(ohms)である。
【００２７】また、＜Se＞を見てみると、配線パターンａで5.46(ns/m)、配線パターンａ−ｂで5.12(ns/m)、配線パターンｂで5.38(ns/m)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、5.46−5.38＝0.08(ns/m)である。
【００２８】次に、半田面から仮想の電源／グランド層６までの距離ｈを５ｍｍとした場合の図５において、上記同様に、＜Lij＞を見てみると、配線パターンａで9.156(nh/cm)、配線パターンａ−ｂで3.907(nh/cm)、配線パターンｂで8.597(nh/cm)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、9.156−8.597＝0.559 (nh/cm) である。
【００２９】また、＜Cij＞を見てみると、配線パターンａで0.413(pf/cm)、配線パターンａ−ｂで0.212(pf/cm)、配線パターンｂで0.436(pf/cm)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、0.413−0.436＝-0.023(pf/cm)である。
【００３０】また、＜Ze ＞を見てみると、配線パターンａで168.47(ohms)、配線パターンａ−ｂで254.94(ohms)、配線パターンｂで159.18(ohms)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、168.47−159.18＝9.29(ohms)である。
【００３１】また、＜Se＞を見てみると、配線パターンａで5.43(ns/m)、配線パターンａ−ｂで5.12(ns/m)、配線パターンｂで5.40(ns/m)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、5.43−5.40＝0.03(ns/m)である。
【００３２】次に、半田面から仮想の電源／グランド層６までの距離ｈを１０ｍｍとした場合の図６において、上記同様に、＜Lij＞を見てみると、配線パターンａで10.280(nh/cm)、配線パターンａ−ｂで5.148(nh/cm)、配線パターンｂで9.981(nh/cm)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、10.280−9.981＝0.299 (nh/cm) である。
【００３３】また、＜Cij＞を見てみると、配線パターンａで0.402(pf/cm)、配線パターンａ−ｂで0.229(pf/cm)、配線パターンｂで0.412(pf/cm)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、0.402−0.412＝-0.01(pf/cm)である。
【００３４】また、＜Ze ＞を見てみると、配線パターンａで189.04(ohms)、配線パターンａ−ｂで298.37(ohms)、配線パターンｂで184.34(ohms)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、189.04−184.34＝4.7(ohms)である。
【００３５】また、＜Se＞を見てみると、配線パターンａで5.44(ns/m)、配線パターンａ−ｂで5.17(ns/m)、配線パターンｂで5.41(ns/m)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、5.44−5.41＝0.03(ns/m)である。
【００３６】次に、半田面から仮想の電源／グランド層６までの距離ｈを２０ｍｍとした場合の図７において、上記同様に、＜Lij＞を見てみると、配線パターンａで11.521(nh/cm)、配線パターンａ−ｂで6.455(nh/cm)、配線パターンｂで11.365(nh/cm)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、11.521−11.365＝0.156 (nh/cm) である。
【００３７】また、＜Cij＞を見てみると、配線パターンａで0.392(pf/cm)、配線パターンａ−ｂで0.242(pf/cm)、配線パターンｂで0.396(pf/cm)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、0.392−0.396＝-0.004(pf/cm)である。
【００３８】また、＜Ze ＞を見てみると、配線パターンａで211.94(ohms)、配線パターンａ−ｂで346.05(ohms)、配線パターンｂで209.63(ohms)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、211.94−209.63＝2.31(ohms)である。
【００３９】また、＜Se＞を見てみると、配線パターンａで5.44(ns/m)、配線パターンａ−ｂで5.19(ns/m)、配線パターンｂで5.42(ns/m)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、5.44−5.42＝0.02(ns/m)である。
【００４０】次に、半田面から仮想の電源／グランド層６までの距離ｈを３０ｍｍとした場合の図８において、上記同様に、＜Lij＞を見てみると、配線パターンａで12.280(nh/cm)、配線パターンａ−ｂで7.239(nh/cm)、配線パターンｂで12.175(nh/cm)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、12.280−12.175＝0.105 (nh/cm) である。
【００４１】また、＜Cij＞を見てみると、配線パターンａで0.387(pf/cm)、配線パターンａ−ｂで0.248(pf/cm)、配線パターンｂで0.389(pf/cm)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、0.387−0.389＝-0.002(pf/cm)である。
【００４２】また、＜Ze ＞を見てみると、配線パターンａで225.86(ohms)、配線パターンａ−ｂで374.91(ohms)、配線パターンｂで224.49(ohms)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、225.86−224.49＝1.37(ohms)である。
【００４３】また、＜Se＞を見てみると、配線パターンａで5.44(ns/m)、配線パターンａ−ｂで5.21(ns/m)、配線パターンｂで5.42(ns/m)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、5.44−5.42＝0.02(ns/m)である。
【００４４】次に、半田面から仮想の電源／グランド層６までの距離ｈを５０ｍｍとした場合の図９において、上記同様に、＜Lij＞を見てみると、配線パターンａで13.258(nh/cm)、配線パターンａ−ｂで8.238(nh/cm)、配線パターンｂで13.195(nh/cm)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、13.258−13.195＝0.063 (nh/cm) である。
【００４５】また、＜Cij＞を見てみると、配線パターンａで0.379(pf/cm)、配線パターンａ−ｂで0.254(pf/cm)、配線パターンｂで0.382(pf/cm)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、0.379−0.382＝-0.003(pf/cm)である。
【００４６】また、＜Ze ＞を見てみると、配線パターンａで244.87(ohms)、配線パターンａ−ｂで414.80(ohms)、配線パターンｂで242.94(ohms)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、244.87−242.94＝1.93(ohms)である。
【００４７】また、＜Se＞を見てみると、配線パターンａで5.41(ns/m)、配線パターンａ−ｂで5.18(ns/m)、配線パターンｂで5.43(ns/m)となっていることが分る。ここで、配線パターンａと配線パターンｂとの差は、5.41−5.43＝-0.02(ns/m)である。
【００４８】以上のようなことから、配線パターンａ，ｂに同じ方法に電流が流れた場合のインダクタンス＜Lij＞における配線パターンａ，ｂの差がもっとも小さいのは、図９のように、半田面から仮想の電源／グランド層６までの距離ｈを５０ｍｍとした場合であることが分る。
【００４９】また、配線パターンａ，ｂに同じ方法に電流が流れた場合のキャパシタンス＜Cij＞における配線パターンａ，ｂの差がもっとも小さいのは、図８のように、半田面から仮想の電源／グランド層６までの距離ｈを３０ｍｍとした場合であることが分る。
【００５０】また、配線パターンａ，ｂに同じ方法に電流が流れた場合の特性インピーダンス＜Ze ＞における配線パターンａ，ｂの差がもっとも小さいのは、図８のように、半田面から仮想の電源／グランド層６までの距離ｈを３０ｍｍとした場合であることが分る。
【００５１】また、配線パターンａ，ｂに同じ方法に電流が流れた場合の伝搬時間＜Se＞における配線パターンａ，ｂの差がもっとも小さいのは、図７〜９のように、半田面から仮想の電源／グランド層６までの距離ｈを２０ｍｍ〜５０ｍｍとした場合であることが分る。
【００５２】よって、このように仮想の電源／グランド層６を、二層基板（両面基板）４の半田面から２０ｍｍ〜５０ｍｍ程度離した位置に配設することで、基板体２内に電源／グランド層を含まない二層基板（両面基板）４の場合であっても配線パターンａ，ｂの電気的特性の最適値を取得することができる。
【００５３】このように、本実施の形態では、電源／グランド層を持たない二層基板（両面基板）４の配線パターンａ，ｂの電気的特性の最適値を取得するに際し、基板体２の少なくとも一方向に仮想的なグランドプレーンである仮想の電源／グランド層６を配設し、基板体２の配線パターンａ，ｂの電気的特性の最適値をたとえば電磁界解析ソフトによって解析するようにしたので、電源／グランド層を持たない基板体２の配線パターンａ，ｂの電気的特性の最適値を取得することができる。
【００５４】なお、本実施の形態では、仮想の電源／グランド層６を、二層基板（両面基板）４の半田面側に配設した場合について説明したが、この例に限らず、仮想の電源／グランド層６を、二層基板（両面基板）４の部品面側に配設するようにしてもよい。
【００５５】さらに、電源／グランド層を持たない基板体２を筐体に実装すると、筐体を電源／グランド層とみなすことができるので、このような場合には図１０に示すように、半田面及び部品面の両方に配設するようにしてもよい。
【００５６】なお、本実施の形態では、電源／グランド層を持たない基板体２の伝送線路である配線パターンａ，ｂの電気的特性の最適値を取得する場合について説明したが、この例に限らず、たとえば図１１（ａ），（ｂ）に示すように、差動回路において、行き帰りの配線パターンａ−ａ、配線パターンａ−ｂが平行になっている場合は、斜線で示す一方の配線パターンａ，ｂを仮想のグラウンドとみなすことができる。
【００５７】また、本実施の形態では、電送線路である配線パターンａ，ｂの電気的特性の最適値を取得する場合について説明したが、伝送線路をケーブルとしてもよい。
【００５８】
【発明の効果】以上の如く本発明に係る伝送線路の電気的特性の最適値取得方法によれば、電源／グランド層を持たない伝送線路の電気的特性の最適値を取得するに際し、基板体の少なくとも一方向に仮想的なグランドプレーンを配設し、基板体の伝送線路の電気的特性の最適値を所定の手法により取得するようにしたので、電源／グランド層を持たない伝送線路の電気的特性の最適値を取得することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の伝送線路の電気的特性の最適値取得方法の一実施の形態に係る二層基板（両面基板）の一例を示す図である。
【図２】図１の二層基板（両面基板）における伝送線路の電気的特性の最適値を取得する方法を説明するための図である。
【図３】図１の二層基板（両面基板）における伝送線路の電気的特性の最適値を取得する方法を説明するための図である。
【図４】図１の二層基板（両面基板）における伝送線路の電気的特性の最適値を取得する方法を説明するための図である。
【図５】図１の二層基板（両面基板）における伝送線路の電気的特性の最適値を取得する方法を説明するための図である。
【図６】図１の二層基板（両面基板）における伝送線路の電気的特性の最適値を取得する方法を説明するための図である。
【図７】図１の二層基板（両面基板）における伝送線路の電気的特性の最適値を取得する方法を説明するための図である。
【図８】図１の二層基板（両面基板）における伝送線路の電気的特性の最適値を取得する方法を説明するための図である。
【図９】図１の二層基板（両面基板）における伝送線路の電気的特性の最適値を取得する方法を説明するための図である。
【図１０】図１の二層基板（両面基板）における伝送線路の電気的特性の最適値を取得する他の方法を説明するための図である。
【図１１】図１の二層基板（両面基板）における伝送線路の電気的特性の最適値を取得する他の方法を説明するための図である。
【図１２】従来の多層基板の一例を示す図である。
【図１３】従来の二層基板（両面基板）を示す図である。
【図１４】従来の二層基板（両面基板）を示す図である。
【符号の説明】
２ 基板体
４ 二層基板（両面基板）
６ 仮想の電源／グランド層
ａ，ｂ 配線パターン
【特許請求の範囲】
【請求項１】 電源／グランド層を持たない伝送線路の電気的特性の最適値を取得するに際し、基板体の少なくとも一方向に仮想的なグランドプレーンを配設する第１の工程と、前記基板体の伝送線路の電気的特性の最適値を所定の手法により取得する第２の工程とを備えることを特徴とする伝送線路の電気的特性の最適値取得方法。
【請求項２】 前記第１の工程には、前記電源／グランド層を持たない伝送線路と前記仮想的なグランドプレーンとの間に、空気又は空気に近い特性を有する部材を介在させる第３の工程が含まれることを特徴とする請求項１に記載の伝送線路の電気的特性の最適値取得方法。
【請求項３】 前記第１、第３の工程には、前記伝送線路を、基板体内に前記電源／グランド層を含まない二層基板の配線パターンとする第４の工程が含まれることを特徴とする請求項１又は２に記載の伝送線路の電気的特性の最適値取得方法。
【請求項４】 前記第１、第３の工程には、前記伝送線路を、ケーブルとする第５の工程が含まれることを特徴とする請求項１又は２に記載の伝送線路の電気的特性の最適値取得方法。
【請求項５】 前記第１、第３の工程には、前記伝送線路を、差動回路とする第６の工程が含まれることを特徴とする請求項１又は２に記載の伝送線路の電気的特性の最適値取得方法。
【請求項６】 前記第２の工程には、前記所定の手法として電磁界解析ソフトを用いることを特徴とする請求項１に記載の伝送線路の電気的特性の最適値取得方法。
【請求項７】 請求項１〜６の何れかに記載の伝送線路の電気的特性の最適値取得方法によって得られたプリント基板。
【請求項８】 請求項７に記載の前記プリント基板を実装した電子機器。
【請求項１】 電源／グランド層を持たない伝送線路の電気的特性の最適値を取得するに際し、基板体の少なくとも一方向に仮想的なグランドプレーンを配設する第１の工程と、前記基板体の伝送線路の電気的特性の最適値を所定の手法により取得する第２の工程とを備えることを特徴とする伝送線路の電気的特性の最適値取得方法。
【請求項２】 前記第１の工程には、前記電源／グランド層を持たない伝送線路と前記仮想的なグランドプレーンとの間に、空気又は空気に近い特性を有する部材を介在させる第３の工程が含まれることを特徴とする請求項１に記載の伝送線路の電気的特性の最適値取得方法。
【請求項３】 前記第１、第３の工程には、前記伝送線路を、基板体内に前記電源／グランド層を含まない二層基板の配線パターンとする第４の工程が含まれることを特徴とする請求項１又は２に記載の伝送線路の電気的特性の最適値取得方法。
【請求項４】 前記第１、第３の工程には、前記伝送線路を、ケーブルとする第５の工程が含まれることを特徴とする請求項１又は２に記載の伝送線路の電気的特性の最適値取得方法。
【請求項５】 前記第１、第３の工程には、前記伝送線路を、差動回路とする第６の工程が含まれることを特徴とする請求項１又は２に記載の伝送線路の電気的特性の最適値取得方法。
【請求項６】 前記第２の工程には、前記所定の手法として電磁界解析ソフトを用いることを特徴とする請求項１に記載の伝送線路の電気的特性の最適値取得方法。
【請求項７】 請求項１〜６の何れかに記載の伝送線路の電気的特性の最適値取得方法によって得られたプリント基板。
【請求項８】 請求項７に記載の前記プリント基板を実装した電子機器。
【図１】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１４】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１４】
【公開番号】特開２００２−２５０７４８（Ｐ２００２−２５０７４８Ａ）
【公開日】平成１４年９月６日（２００２．９．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００１−５１１７０（Ｐ２００１−５１１７０）
【出願日】平成１３年２月２６日（２００１．２．２６）
【出願人】（３０１００７７００）株式会社マイクコーポレーション (1)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１４年９月６日（２００２．９．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１３年２月２６日（２００１．２．２６）
【出願人】（３０１００７７００）株式会社マイクコーポレーション (1)
【Ｆターム（参考）】
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