光ディスク装置
【目的】 ディスクの感度ばらつきや周囲温度の違いに影響されないで内周から外周まで最適な記録パワーに設定できる光ディスク装置を提供すること。
【構成】 スピンドルモータ２で回転駆動される光磁気ディスク３に対向配置されたピックアップ４にはレーザダイオード４ａが内蔵され、レーザダイオードドライバ７を介して記録発光する。ＣＰＵ９から試し書きのパワーが制御され、光磁気ディスク３の内周と外周の２か所で試し書きが行われ、再生されてエラーレートが計測され、最適記録パワー演算部１７を形成するＣＰＵ９はエラーレートが最も少ない２つの最適記録パワーを求めてＲＡＭ１６に記憶する。２つの最適記録パワーから各半径位置での最適記録パワーを求め、その最適記録パワーを用いてデータの記録を行う。
【構成】 スピンドルモータ２で回転駆動される光磁気ディスク３に対向配置されたピックアップ４にはレーザダイオード４ａが内蔵され、レーザダイオードドライバ７を介して記録発光する。ＣＰＵ９から試し書きのパワーが制御され、光磁気ディスク３の内周と外周の２か所で試し書きが行われ、再生されてエラーレートが計測され、最適記録パワー演算部１７を形成するＣＰＵ９はエラーレートが最も少ない２つの最適記録パワーを求めてＲＡＭ１６に記憶する。２つの最適記録パワーから各半径位置での最適記録パワーを求め、その最適記録パワーを用いてデータの記録を行う。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は最適な記録パワーにて光ディスクの記録を行う光ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、１３０ｍｍ及び９０ｍｍの光磁気ディスクが実用化されている。ところで光磁気ディスクにおける記録時の最適パワーはディスクの材料や構造、さらには同じ材料で構造のディスクでも製造のロットにより異なっている。記録時の記録パワーが弱いとデータが確実に記録できずエラーが多く発生する。
【０００３】また、記録時の記録パワーが強すぎると最短ビット間隔においてピットの相互干渉により分解能が下がりエラーが多く発生する。よって光磁気ディスクで記録を行う場合にはディスクにより、これに応じた最適のレーザーパワーで記録を行う必要がある。
【０００４】また、光磁気記録はレーザビームを磁性膜に照射し温度を上昇させることで記録を行うので、周囲温度の違いや線速度の違いによって熱の逃げ方が異なり、同じレーザパワーで記録しても信号の記録状態が異なる。したがって個々の状態に応じて最適なレーザーパワーで記録を行う必要がある。
【０００５】これを行う技術としてディスクに情報を記録する前に何らかの信号を記録、再生して最適な記録パワーを見つけだす試し書きと呼ばれる方法がある。
【０００６】この技術の従来例として特公昭６３−２５４０８、特開平３−９１１２４、特開平３−１７１４３７などがある。
【０００７】第１の従来例は始めに記録パワーを変化させながら信号を記録し、この記録された信号を再生し再生信号振幅が最大となるところを最良の状態として最適な記録パワーを決定した後、記録パワーが最適値になるように制御しながら信号を記録する方法である。
【０００８】第２の従来例は記録パワーを変化させながらデータ信号を記録し、再生データ中のエラーを測定してエラーがある値を下回る範囲を記録時のレーザーパワーの最適範囲とし、この最適範囲の中心を最適な記録パワーとする技術である。
【０００９】第３の従来例は記録パワーを変化させながらデータ信号を記録し、再生データ中のエラーを測定しエラーがある値を下回るパワーに定量を加えたパワーを最適な記録パワーとする技術である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】これらの従来技術によりディスクの感度ばらつきや周囲温度の違いによる個々のディスクの最適パワーを求めることができる。しかしながらこの求めた最適パワーをディスクのどの範囲まで適応できるかについて考慮されていない。
【００１１】現在、光磁気ディスクはＣＡＶ（Constant Angle Velocity） 方式を標準規格として採用しているので内周と外周でも回転数は同じであり線速度が異なる。例えばＩＳＯ／ＩＥＣ１００８９で規格されている１３０ｍｍ書換え型光磁気ディスクではデータ部の最内周は半径３０ｍｍに対し、最外周は半径６０ｍｍの場所にあるので線速度は２倍になる。
【００１２】従って内周と外周では最適な記録パワーが異なることとなる。これは現在標準化が進められていＺ−ＣＡＶ（Zone-Constant Angle Velocity）方式だと内周と外周とで記録密度がほぼ同じになるので顕著に影響する。
【００１３】これは、ＣＡＶ方式ディスクでは内周に対して外周では記録密度が低いため、外周では最適パワーから記録パワーが多少ずれても良好な記録ができるが、Ｚ−ＣＡＣ方式だと記録パワーのずれに関するマージンが小さくなるからである。
【００１４】本発明は上記問題点を解決するためになされるものであり、ディスクの感度ばらつきや周囲温度の違いに応じて内周から外周まで最適な記録パワーを設定できる光ディスク装置を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段および作用】本発明は上記問題を解決するために試し書きをディスクの内周と外周の２か所で行い、求めた最適記録パワーから各半径位置での最適記録パワーを求め、その最適記録パワーを用いてデータの記録を行う光ディスク装置である。
【００１６】試し書きを行う場所は内周と外周にあるテストゾーンがデータゾーンと同じクロック周波数を用いている場合はテストゾーンで行う。バッファトラックが存在するディスクについてはバッファトラックで試し書きを行う。
【００１７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を具体的に説明する。図１ないし図４は本発明の第１実施例に係り、図１は第１実施例の光磁気ディスク装置の構成を示し、図２は光磁気ディスクのレイアウトを示し、図３はエラーレートと記録パワーとの関係を示し、図４は最適な記録パワーを求める処理内容を示す。本実施例ではＩＳＯ／ＩＥＣ１００９０準拠の９０ｍｍの光磁気ディスクを使用する場合で説明する。
【００１８】図１に示す本発明の第１実施例の光磁気ディスク装置１は、スピンドルモータ２で回転駆動されるターンテーブルに装着される光磁気ディスク３の一方の面に対向して光磁気ピックアップ（以下、単にピックアップと言う）４が配置され、この光磁気ディスク３の他方の面に対向して光磁気ディスク３に磁界を与える界磁コイル５が配置されている。
【００１９】スピンドルモータ２はモータドライバ６によって回転速度が所定の値となるように制御される。また、ピックアップ４内には記録及び再生を行う光ビームを発生するレーザダイオード４ａが収納され、このレーザダイオード４ａの発光パワーはレーザダイオードドライバ７によって制御される。
【００２０】このレーザダイオードドライバ７は変調回路８と接続され、記録時にはＣＰＵ９から転送される信号を変調してレーザダイオードドライバ７に供給する。ＣＰＵ９はレーザダイオードドライバ７における記録パワーを可変制御できるようにしてある。レーザダイオード４ａの光は対物レンズ４ｂ等の光学系をへて光磁気ディスク３の光磁気記録膜に集光照射される。
【００２１】また、ピックアップ４は、このピックアップ４を粗シークするＶＣＭ１０により、光磁気ディスク３の半径方向に移動自在である。このＶＣＭ１０はＣＰＵ９の制御のもとでＶＣＭ制御回路１１によって制御される。
【００２２】上記対物レンズ４ｂは図示しないアクチュエータにより対物レンズ４ｂの光軸方向及び光軸に直交するトラック横断方向に移動自在であり、フォーカスおよびトラッキングを制御するフォーカス＆トラッキング制御回路１２によってフォーカスおよびトラッキング制御される。このフォーカス＆トラッキング制御回路１２はＣＰＵ９によってその動作が制御される。
【００２３】光磁気ディスク３の光磁気記録膜からの反射光は対物レンズ４ｂ等の光学系をへて光検出器４ｃで受光され、この光検出器４ｃの出力はフォーカス＆トラッキング制御回路１２に入力され、フォーカスエラー信号とトラッキングエラー信号が生成される。
【００２４】また、光検出器４ｃの出力はＲＦ信号を増幅する増幅回路１３を経て復調回路１４に入力され、この復調回路１４によって光磁気記録膜に光磁気記録された情報に対する再生信号を生成し、ＣＰＵ９に出力する。
【００２５】上記界磁コイル５はコイルドライバ１５と接続され、ＣＰＵ９の制御のもとで記録時には界磁コイル５に駆動信号を供給し、記録用のバイアス磁界を発生させる。また、消去時には記録時と逆極性の駆動信号を供給し、消去用のバイアス磁界を発生させる。
【００２６】この第１実施例の光磁気ディスク装置１はさらに光磁気ディスク３における例えば２つの所定のゾーンにて試し書きを行い、かつこの試し書きによる記録パワーで記録された情報を再生してそのエラーレートを算出し、エラーレートの最も少ない最適な記録パワーを求める最適記録パワー検出手段を有する。試し書きはＣＰＵ９の制御のもとで変調回路８、レーザダイオードドライバ７を経てレーザダイオード４ａを異なるレベル（パワー）で記録発光させることにより行われる。記録発光のレベルはＣＰＵ９からの制御によりレーザダイオードドライバ７の記録発光のパワーレベルが変えられる。
【００２７】ＣＰＵ９はＲＡＭ１６と接続され、最適な記録パワーを求める場合に行われる試し書きの記録パワー等の情報の記憶とか、試し書きによる記録情報を再生した場合のエラーレートの値の記憶等、ＣＰＵ９が最適な記録パワーを求める演算処理を行うワークエリアとして使用される。
【００２８】この第１実施例ではＣＰＵ９は装置１全体の制御を行うコントローラとしての機能を有すると共に、ＲＡＭ１６とで最適記録パワーを求める演算を行う最適記録パワー演算部１７を形成している。
【００２９】また、例えば、装着される光磁気ディスク３に対向してフォトリフレクタ等のディスク検出センサ１８が配置され、非接触で光磁気ディスク３の有無を検出し、ＣＰＵ９に転送する。ＣＰＵ９はセンサ１８の出力から、光磁気ディスク３の挿入を判断し、光磁気ディスク３が挿入されると、最適な記録パワーを求める処理を行う。また、装着される光磁気ディスク３付近には温度センサ１９が配置され、この温度センサ１９の温度情報もＣＰＵ９に転送される。ＣＰＵ９は温度情報を監視し、装置１内の温度が設定された温度以上変化した場合にも、最適な記録パワーを求める処理を行う。
【００３０】図２はＩＳＯ／ＩＥＣ１００９０準拠の光磁気ディスクのレイアウトを示す。この図に示すようにデータ部の内周と外周にデータ部と同じクロック周波数を持つテストゾーンが設けられており、これらのテストゾーンを用いて試し書きを行うようにしている。次にこの実施例の作用を説明する。
【００３１】光磁気ディスク３が光磁気ディスク装置１に挿入された時、または光磁気ディスク装置１内部の温度が変化した時、に以下の動作を行う。まず内周のテストゾーンにシークし、そこで記録パワーを変えながらパルス幅は１つに固定でエラーレートを測定する。エラーレートはあるパターン（例えば３Ｔ，８Ｔ信号の繰り返し）で記録を行い、これを読み出してそのパターンと異なるビットまたはバイトをエラーとし、そのエラー数を全体のビット数もしくはバイト数で割ればよい。バイト当たりのエラーレートの場合には、１バイト内であれば、１ビット間違っていても、８ビット間違っていても１バイトでの誤りと数える。
【００３２】例えば、テストゾーンの１トラックには上記のあるパターン（例えば３Ｔ，８Ｔ信号の繰り返し）が繰り返し書き込まれ、そして再生され、３Ｔ，８Ｔ信号のパターンの繰り返しと比較され、或いはエラーコードチェックの動作により、誤りビットが確認される。
【００３３】エラーレートと記録パワーの関係を図３に示す。実際の光磁気ディスク装置１では図中のＰｓからＰｆまで幾つかの記録パワーでの試し書きの場合のエラー数を測定し、それを光磁気ディスク装置１のＲＡＭ１６に記憶させる。ＲＡＭ１６の中で記録パワーとエラー数のテーブルを作り、Ｐｆまで終了した後、最もエラー数の少なかったパワーを最適パワーとする。
【００３４】この後、外周のテストゾーンにシークし、内周と同じパルス幅で最適パワーを同じように求める。外周の方が線速度が大きいので最適パワーは内周よりも大きくなる。
【００３５】ここで求めた内周の最適パワーをＰｉｎ、外周の最適パワーをＰｏｕｔとする。これら２つのパワーをＲＡＭ１６に記憶させる。これらの最適パワーを決定すする処理内容を図４に示す。
【００３６】ステップＳ１に示すように光磁気ディスク３が挿入されると、ステップＳ２に示すように内周のテストゾーンにシークし、ステップＳ３に示すように試し書き＆エラーレート計測をまずＰｓの記録パワーで行う。
【００３７】つまり、内周のテストゾーンにおける１トラック分の消去後に、そのトラックにあるパターン（例えば３Ｔ，８Ｔ信号の繰り返し）で試し書きを行う。この試し書きの後、試し書きされたトラックをリードし、エラー数をカウントし、試し書きの情報量で割ってエラーレートの値を算出し、用いた記録パワーの値（この場合Ｐｓ）と共に、ＲＡＭ１６に一時記憶する。
【００３８】次にステップＳ４に示すように記録パワーがＰｆより小さいかの判断を行う。この場合にはＹＥＳとなり、ステップＳ５に示すように記録パワーを微小量Δ増大して、ステップＳ３に示す試し書き＆エラーレート計測をＰｓ＋Δの記録パワーで行い、次のステップＳ４に示す記録パワーの判断処理を行う。このようにして、ＰｓからＰｆまで幾つかの記録パワーで試し書き＆エラーレート計測を行い、エラーレートの値を用いた記録パワーの値と共に、ＲＡＭ１６に記憶してテーブルを作成する。
【００３９】次にステップＳ６に示すようにＲＡＭ１６に記憶されたテーブルから内周での最適な記録パワーＰｉｎを決定し、この最適な記録パワーＰｉｎをＲＡＭ１６に記憶する。最適な記録パワーＰｉｎを決定する場合、ＣＰＵ９は最初に求めたエラーレートの値を次に求めたエラーレートの値と比較し、小さい方の値を残し、さらに次のエラーレートの値と比較するという比較処理により、最小のエラーレートの値となる記録パワーを最適な記録パワーＰｉｎとする演算を行う。
【００４０】内周での最適な記録パワーＰｉｎの決定を行ったので、次にステップＳ７に示すように外周のテストゾーンにシークし、以下のように同様の処理を行う。ステップＳ８に示すように試し書き＆エラーレート計測をＰｓの記録パワーで行う。
【００４１】つまり、外周のテストゾーンにおける１トラック分の消去後に、そのトラックにあるパターン（例えば３Ｔ，８Ｔ信号の繰り返し）で試し書きを行う。この試し書きの後、試し書きされたトラックをリードし、エラー数をカウントし、試し書きの情報量で割ってエラーレートの値を算出し、用いた記録パワーの値（この場合Ｐｓ）と共に、ＲＡＭ１６に一時記憶する。
【００４２】次にステップＳ９に示すように記録パワーがＰｆより小さいかの判断を行う。この場合にはＹＥＳとなり、ステップＳ１０に示すように記録パワーを微小量Δ増大して、ステップＳ８に示す試し書き＆エラーレート計測をＰｓ＋Δの記録パワーで行い、次のステップＳ９に示す記録パワーの判断処理を行う。このようにして、ＰｓからＰｆまで幾つかの記録パワーで試し書き＆エラーレート計測を行い、エラーレートの値を用いた記録パワーの値と共に、ＲＡＭ１６に記憶してテーブルを作成する。
【００４３】次にステップＳ１１に示すようにＲＡＭ１６に記憶されたテーブルから外周での最適な記録パワーＰｏｕｔを決定し、この最適な記録パワーＰｏｕｔをＲＡＭ１６に記憶する。最適な記録パワーＰｏｕｔを決定する場合、ＣＰＵ９は最初に求めたエラーレートの値を次に求めたエラーレートの値と比較し、小さい方の値を残し、さらに次のエラーレートの値と比較するという比較処理により、最小のエラーレートの値となる記録パワーを最適な記録パワーＰｏｕｔとする演算を行う。
【００４４】内周及び外周での最適な記録パワーＰｉｎ及びＰｏｕｔが求められたので、ステップＳ１２に示すようにデータの記録開始に移る。この後実際にデータ部にデータを記録する際にはたとえば３０００ＴＲＡＣＫで記録するときにはＰ３０００＝Ｐｉｎ＋３０００／１００００＊（Ｐｏｕｔ−Ｐｉｎ） （１）
という計算を行い、そのＴＲＡＣＫでの最適な記録パワーを求めて記録を行うことになる。
【００４５】また、データ部にデータを記録する場合に、温度変化が在るかの判断を行い（ステップＳ１３参照）、温度変化がある場合には、ステップＳ２に戻り、再び最適な記録パワーを求める処理を行い、温度変化がない場合には、ステップＳ１４に移り、データ待ち状態になり、データが転送されたらデータを記録する。
【００４６】または１０００トラック毎に記録パワーを変えることにして例えば０−９９９トラックでは５００トラックでの最適値Ｐ５００＝Ｐｉｎ＋５００／１００００＊（Ｐｏｕｔ−Ｐｉｎ） （２）
を記録パワーに用いることにしてもよい。
【００４７】この場合、予めＰｉｎとＰｏｕｔからＰ５００，Ｐ１５００…Ｐ９５００という１０個のパワーを直線補間により求め、あたかもディスクに１０個のゾーンがあるかのように考え、それぞれのゾーンでの記録用に最適なゾーン記録パワーを１０個ＲＡＭ１６に書き込んでおき、記録する場合にはその記録に用いるトラックが属するゾーンでのゾーン記録パワーで記録するようにしてもよい。
【００４８】この第１実施例によれば、内周側及び外周側で試し書きを行い、それぞれ最適な記録パワーを求めることにより、データ部での記録パワーを各トラックの半径位置を考慮して記録パワーを設定するようにしているので、ディスクの種類や製造ロットの違いによる感度差や周囲温度の違いによらず、かつ信号を記録する半径位置の違いによる線速度の違いに応じて、最も適した記録パワーでデータを記録することができる。
【００４９】本実施例では試し書きの方法としてエラーレートが悪くなるまで記録パワーをあげて最適なパワーを求める方法を用いたが、この方法に限らずどの試し書きを用いても良く、例えば従来例にあるような低いパワーからパワーを上げてあるエラーレートよりも低くなったときのパワーから最適パワーを求める方法を使っても良いし、エラーレートを用いず、信号振幅から最適パワーを求める方法を用いてもよい。
【００５０】また、ＣＡＶディスクであれば９０ｍｍに限らずＩＳＯ／ＩＥＣ１００８９のような１３０ｍｍディスクや他の大きさのディスクにも適用できる。また相変化タイプの光ディスクやＷＲＩＴＥ ＯＮＣＥタイプの光ディスクにも適用できる。また補間方法として直線補間することのみに限らず、別の補間方法をとっても良い。
【００５１】次に本発明の第２実施例を説明する。本実施例では現在規格化が進められている容量１．３ＧＢの次世代１３０ｍｍディスクを使用した場合を考える。これはＥＣＭＡ（EUROPEAN COMPUTER MANUFUCTERS MANUFACTURES ASSOCIATION）においてＳＴＡＮＤＡＲＤ ＥＣＭＡ−１８４として標準化されているものでありそのレイアウトを図５に示す。図中のＭｆｇゾーンがテストゾーンである。
【００５２】図５に示すようにデータエリアの内周と外周にあるテストゾーンは内周の内側のものはデータ部のバンド ０の周波数と等しく、外周の外にあるものはバンド１５の周波数と等しくなっている。
【００５３】光磁気ディスク装置１の構成は第１実施例と同じであり、第１実施例とは異なる光磁気ディスクが使用される。次に作用を説明する。
【００５４】Ｚ−ＣＡＶディスクであるので内周から外周までＤＵＴＹが等しくなるようにパルス幅を設定した場合を考える。このときＤＵＴＹを１Ｔ（３３．３％）とすると回転数１８００ｒｐｍでバンド０で７６ｎｓｅｃ、バンド１５で３９．２ｎｓｅｃとなる。
【００５５】第１実施例と同様にまず内周のテストゾーンで試し書きを行い、最適パワーを求める。この際バンド０で使用するパルス幅を用いる。内周と外周で記録密度が等しく０バンドと内周のテストゾーンはクロック周波数が同じであるので、０バンドの最適パワーを求めることに等しい。
【００５６】次に外周のテストゾーンでバンド１５で使用するパルス幅で試し書きを行う。これはバンド１５の最適パワーを求めることに等しい。
【００５７】これよりバンド０とバンド１５の最適パワーが求められたのでその他のバンドの最適パワーはこの２つのパワーから直線補間することにより求められる。この実施例の効果は次のようになる。
【００５８】この方法によりＺ−ＣＡＶタイプのディスクで各バンドに最も適した記録パワーに近いパワーで信号を記録できる装置を提供できる。本実施例は容量１．３ＧＢ次世代１３０ｍｍディスクを使って説明したがこの方法は他の容量や大きさのＺ−ＣＡＶディスクを使用した場合でもディスクのデータゾーンの内周に最内周バンドと同じクロック周波数のテストゾーンがあり、外周に最外周バンドと同じクロック周波数のテストゾーンがあれば適用できる。次に本発明の第３実施例を説明する。
【００５９】本実施例では現在標準化がすすめられている容量２３０ＭＢ次世代９０ｍｍディスクを使用した場合を考える。このレイアウトを図６、７に示す。
【００６０】図６に示すようにこのタイプのディスクもＺ−ＣＡＶ方式である。この規格は各バンドの始まりと終わりに５０セクタ分のブッファトラックが設けられている。
【００６１】図７の中で示すディスクレイアウトのなかでＵＳＥＲがデータの記録に使用するのはＵＳＥＲ ＡＲＥＡ（ユーザエリア）のみであるので、このＢＵＦＦＥＲＴＲＡＣＫ（バッファトラック）は各ＢＡＮＤ（バンド）でデータの記録に使用されることはない。
【００６２】またＢＵＦＦＥＲ ＴＲＡＣＫのＩＤ部のクロック周波数は各ＢＡＮＤのデータ部のものと同じである。よってこのＢＵＦＦＥＲ ＴＲＡＣＫではデータ部と同じ条件で記録、再生することが可能である。光磁気ディスク装置の構成は第１実施例と同じである。次に作用を説明する。
【００６３】ＢＵＦＦＥＲ ＴＲＡＣＫはデータの記録、再生いは用いられない場所なので試し書きに随時使用しても差し支えない。そこで本実施例ではディスク挿入時や温度変化があった場合などのように試し書きを行う必要が生じたときに記録を開始する前にその記録を行おうとするＢＡＮＤのＢＵＦＦＥＲ ＴＲＡＣＫにおいて試し書きを行い、最適パワーを求める。
【００６４】具体的には、図８に示すような流れの処理を行う。ディスク挿入等で動作が開始し、ステップＳ２１に示すように上位のコントローラからＣＰＵ９に記録命令が出される。
【００６５】すると、ステップＳ２２に示すようにＣＰＵ９はＶＣＭ制御回路１１を介してピックアップ４を移動させ、記録を行うバンドのバッファトラックにシークさせる。そして、ステップＳ２３に示すように、シークしたバッファトラックで試し書きを行い、最適パワーを決定する。
【００６６】次に、ステップＳ２４に示すように、記録を始めるトラックにシークする。そして、ステップＳ２５に示すように、そのトラックで消去／記録／ベリファイを開始する。この後、ステップＳ２６に示すように、データが次のバンドにまで跨るか否かの判断を行い、跨る場合にはステップＳ２２に戻る。一方、、跨らない場合にはステップＳ２７に示すように、データ待ちの状態になる。
【００６７】図８に示したように記録するデータが多く、次のバンドにまたがる場合は前のバンドでの記録がＦＵＬＬになった後、次のバンドのバッファトラックで試し書きを行いその最適パワーを求めたのち、残りのデータを今求めた最適パワーでそのバンドに記録する。
【００６８】この実施例の効果は以下のようになる。この方法を用いることでバッファトラックを持つＺ−ＣＡＶタイプのディスクで各バンドにおいて最も適したパワーで信号が記録できる装置を提供することができる。
【００６９】本実施例は容量２３０ＭＢ次世代９０ｍｍディスクを使って説明したがこの方法は他の容量や大きさのディスクを使用した場合でも各バンドにデータの記録に使用しないバッファトラックがあれば適用できる。
【００７０】次に本発明の第４実施例を説明する。本実施例では第３実施例と同様に容量２３０ＭＢ次世代９０ｍｍディスクを使用した場合を考えるが本実施例では第３実施例とは違い最内周バンドのバッファトラックと最外周バンドのバッファトラックのみで試し書きを行う。
【００７１】使用する光磁気ディスク装置の構成は第１実施例と同じである。次に作用を説明する。
【００７２】まずバンド０のバッファトラックにシークしバンド０の最適な記録パワーを求める。その後バンド９のバッファトラックにシークしバンド ９の最適パワーを求める。これにより最内周バンドの最適パワーと最外周バンドの最適パワーが求められたので間のバンドの記録パワーは補間により求められる。この流れを図９に示す。
【００７３】ステップＳ３１に示すように光磁気ディスクが挿入されると、ステップＳ３２に示すようにバンド０のバッファトラックにシークし、ステップＳ３３に示すようにそのトラックで試し書きを行い、最適な記録パワーＰ０を求め、ＲＡＭ１６に記憶する。
【００７４】次にステップＳ３４に示すようにバンド９のバッファトラックにシークし、ステップＳ３５に示すようにそのトラックで試し書きを行い、最適な記録パワーＰ９を求め、ＲＡＭ１６に記憶する。
【００７５】次に、ステップＳ３６に示すようにバンド０及び９での最適な記録パワーＰ０及びＰ９からバンド１ないし８での最適な記録パワーＰ１ないしＰ８を内挿で求め、ＲＡＭ１６に記憶する。
【００７６】全てのバンドでの最適な記録パワーＰ０ないしＰ９が求められたので、ステップＳ３７に示すようにデータの記録開始状態になる。その後、ステップＳ３８に示すように温度変化があるか否かの判断が行われ、設定値以上の温度変化があった場合には、ステップＳ３２に戻り、設定値以上の温度変化がない場合には、ステップＳ３９に示すようにデータ待ちの状態になり、データが転送されてくると、データを記録する。
【００７７】この実施例の効果は以下のようになる。この方法を用いることでバッファトラックを持つＺ−ＣＡＶタイプのディスクで各バンドにおいて最も適したパワーに近い記録パワーで信号が記録できる装置を提供することができる。
【００７８】第３実施例に示した方法では各バンド毎に試し書きを行わなければならなかったが本実施例に示す方法では最内周と最外周の２箇所で行えば良いので試し書きに要する時間が短縮できる。
【００７９】本実施例は容量２３０ＭＢ次世代９０ｍｍディスクを使って説明したがこの方法は他の容量や大きさのディスクを使用した場合でも各バンドにデータの記録に使用しないブッファトラックがあれば適用できる。
【００８０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、内周側と外周側とで最適な記録パワーを求め、求めた２つの記録パワーを用いて、データを記録する半径位置に応じて記録パワーを設定するようにしているので、ディスクの種類や記録するトラックの半径位置の違いによる線速度の違いに影響されないで、最適な記録パワーでデータを記録できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例の光磁気ディスク装置の構成を示すブロック図。
【図２】光磁気ディスクのレイアウトを示す説明図。
【図３】エラーレートと記録パワーとの関係を示す特性図。
【図４】最適な記録パワーを求める処理内容を示すフローチャート図。
【図５】第２実施例における光磁気ディスクのレイアウトを示す説明図。
【図６】第３実施例における光磁気ディスクのレイアウトを示す説明図。
【図７】各バンドのレイアウトを示す説明図。
【図８】最適な記録パワーを求める処理内容を示すフローチャート図。
【図９】第４実施例における最適な記録パワーを求める処理内容を示すフローチャート図。
【符号の説明】
１…光磁気ディスク装置
３…光磁気ディスク
４…ピックアップ
４ａ…レーザダイオード
５…界磁コイル
７…レーザダイオードドライバ
８…変調回路
９…ＣＰＵ
１４…復調回路
１６…ＲＡＭ
１７…最適記録パワー演算部
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は最適な記録パワーにて光ディスクの記録を行う光ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、１３０ｍｍ及び９０ｍｍの光磁気ディスクが実用化されている。ところで光磁気ディスクにおける記録時の最適パワーはディスクの材料や構造、さらには同じ材料で構造のディスクでも製造のロットにより異なっている。記録時の記録パワーが弱いとデータが確実に記録できずエラーが多く発生する。
【０００３】また、記録時の記録パワーが強すぎると最短ビット間隔においてピットの相互干渉により分解能が下がりエラーが多く発生する。よって光磁気ディスクで記録を行う場合にはディスクにより、これに応じた最適のレーザーパワーで記録を行う必要がある。
【０００４】また、光磁気記録はレーザビームを磁性膜に照射し温度を上昇させることで記録を行うので、周囲温度の違いや線速度の違いによって熱の逃げ方が異なり、同じレーザパワーで記録しても信号の記録状態が異なる。したがって個々の状態に応じて最適なレーザーパワーで記録を行う必要がある。
【０００５】これを行う技術としてディスクに情報を記録する前に何らかの信号を記録、再生して最適な記録パワーを見つけだす試し書きと呼ばれる方法がある。
【０００６】この技術の従来例として特公昭６３−２５４０８、特開平３−９１１２４、特開平３−１７１４３７などがある。
【０００７】第１の従来例は始めに記録パワーを変化させながら信号を記録し、この記録された信号を再生し再生信号振幅が最大となるところを最良の状態として最適な記録パワーを決定した後、記録パワーが最適値になるように制御しながら信号を記録する方法である。
【０００８】第２の従来例は記録パワーを変化させながらデータ信号を記録し、再生データ中のエラーを測定してエラーがある値を下回る範囲を記録時のレーザーパワーの最適範囲とし、この最適範囲の中心を最適な記録パワーとする技術である。
【０００９】第３の従来例は記録パワーを変化させながらデータ信号を記録し、再生データ中のエラーを測定しエラーがある値を下回るパワーに定量を加えたパワーを最適な記録パワーとする技術である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】これらの従来技術によりディスクの感度ばらつきや周囲温度の違いによる個々のディスクの最適パワーを求めることができる。しかしながらこの求めた最適パワーをディスクのどの範囲まで適応できるかについて考慮されていない。
【００１１】現在、光磁気ディスクはＣＡＶ（Constant Angle Velocity） 方式を標準規格として採用しているので内周と外周でも回転数は同じであり線速度が異なる。例えばＩＳＯ／ＩＥＣ１００８９で規格されている１３０ｍｍ書換え型光磁気ディスクではデータ部の最内周は半径３０ｍｍに対し、最外周は半径６０ｍｍの場所にあるので線速度は２倍になる。
【００１２】従って内周と外周では最適な記録パワーが異なることとなる。これは現在標準化が進められていＺ−ＣＡＶ（Zone-Constant Angle Velocity）方式だと内周と外周とで記録密度がほぼ同じになるので顕著に影響する。
【００１３】これは、ＣＡＶ方式ディスクでは内周に対して外周では記録密度が低いため、外周では最適パワーから記録パワーが多少ずれても良好な記録ができるが、Ｚ−ＣＡＣ方式だと記録パワーのずれに関するマージンが小さくなるからである。
【００１４】本発明は上記問題点を解決するためになされるものであり、ディスクの感度ばらつきや周囲温度の違いに応じて内周から外周まで最適な記録パワーを設定できる光ディスク装置を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段および作用】本発明は上記問題を解決するために試し書きをディスクの内周と外周の２か所で行い、求めた最適記録パワーから各半径位置での最適記録パワーを求め、その最適記録パワーを用いてデータの記録を行う光ディスク装置である。
【００１６】試し書きを行う場所は内周と外周にあるテストゾーンがデータゾーンと同じクロック周波数を用いている場合はテストゾーンで行う。バッファトラックが存在するディスクについてはバッファトラックで試し書きを行う。
【００１７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を具体的に説明する。図１ないし図４は本発明の第１実施例に係り、図１は第１実施例の光磁気ディスク装置の構成を示し、図２は光磁気ディスクのレイアウトを示し、図３はエラーレートと記録パワーとの関係を示し、図４は最適な記録パワーを求める処理内容を示す。本実施例ではＩＳＯ／ＩＥＣ１００９０準拠の９０ｍｍの光磁気ディスクを使用する場合で説明する。
【００１８】図１に示す本発明の第１実施例の光磁気ディスク装置１は、スピンドルモータ２で回転駆動されるターンテーブルに装着される光磁気ディスク３の一方の面に対向して光磁気ピックアップ（以下、単にピックアップと言う）４が配置され、この光磁気ディスク３の他方の面に対向して光磁気ディスク３に磁界を与える界磁コイル５が配置されている。
【００１９】スピンドルモータ２はモータドライバ６によって回転速度が所定の値となるように制御される。また、ピックアップ４内には記録及び再生を行う光ビームを発生するレーザダイオード４ａが収納され、このレーザダイオード４ａの発光パワーはレーザダイオードドライバ７によって制御される。
【００２０】このレーザダイオードドライバ７は変調回路８と接続され、記録時にはＣＰＵ９から転送される信号を変調してレーザダイオードドライバ７に供給する。ＣＰＵ９はレーザダイオードドライバ７における記録パワーを可変制御できるようにしてある。レーザダイオード４ａの光は対物レンズ４ｂ等の光学系をへて光磁気ディスク３の光磁気記録膜に集光照射される。
【００２１】また、ピックアップ４は、このピックアップ４を粗シークするＶＣＭ１０により、光磁気ディスク３の半径方向に移動自在である。このＶＣＭ１０はＣＰＵ９の制御のもとでＶＣＭ制御回路１１によって制御される。
【００２２】上記対物レンズ４ｂは図示しないアクチュエータにより対物レンズ４ｂの光軸方向及び光軸に直交するトラック横断方向に移動自在であり、フォーカスおよびトラッキングを制御するフォーカス＆トラッキング制御回路１２によってフォーカスおよびトラッキング制御される。このフォーカス＆トラッキング制御回路１２はＣＰＵ９によってその動作が制御される。
【００２３】光磁気ディスク３の光磁気記録膜からの反射光は対物レンズ４ｂ等の光学系をへて光検出器４ｃで受光され、この光検出器４ｃの出力はフォーカス＆トラッキング制御回路１２に入力され、フォーカスエラー信号とトラッキングエラー信号が生成される。
【００２４】また、光検出器４ｃの出力はＲＦ信号を増幅する増幅回路１３を経て復調回路１４に入力され、この復調回路１４によって光磁気記録膜に光磁気記録された情報に対する再生信号を生成し、ＣＰＵ９に出力する。
【００２５】上記界磁コイル５はコイルドライバ１５と接続され、ＣＰＵ９の制御のもとで記録時には界磁コイル５に駆動信号を供給し、記録用のバイアス磁界を発生させる。また、消去時には記録時と逆極性の駆動信号を供給し、消去用のバイアス磁界を発生させる。
【００２６】この第１実施例の光磁気ディスク装置１はさらに光磁気ディスク３における例えば２つの所定のゾーンにて試し書きを行い、かつこの試し書きによる記録パワーで記録された情報を再生してそのエラーレートを算出し、エラーレートの最も少ない最適な記録パワーを求める最適記録パワー検出手段を有する。試し書きはＣＰＵ９の制御のもとで変調回路８、レーザダイオードドライバ７を経てレーザダイオード４ａを異なるレベル（パワー）で記録発光させることにより行われる。記録発光のレベルはＣＰＵ９からの制御によりレーザダイオードドライバ７の記録発光のパワーレベルが変えられる。
【００２７】ＣＰＵ９はＲＡＭ１６と接続され、最適な記録パワーを求める場合に行われる試し書きの記録パワー等の情報の記憶とか、試し書きによる記録情報を再生した場合のエラーレートの値の記憶等、ＣＰＵ９が最適な記録パワーを求める演算処理を行うワークエリアとして使用される。
【００２８】この第１実施例ではＣＰＵ９は装置１全体の制御を行うコントローラとしての機能を有すると共に、ＲＡＭ１６とで最適記録パワーを求める演算を行う最適記録パワー演算部１７を形成している。
【００２９】また、例えば、装着される光磁気ディスク３に対向してフォトリフレクタ等のディスク検出センサ１８が配置され、非接触で光磁気ディスク３の有無を検出し、ＣＰＵ９に転送する。ＣＰＵ９はセンサ１８の出力から、光磁気ディスク３の挿入を判断し、光磁気ディスク３が挿入されると、最適な記録パワーを求める処理を行う。また、装着される光磁気ディスク３付近には温度センサ１９が配置され、この温度センサ１９の温度情報もＣＰＵ９に転送される。ＣＰＵ９は温度情報を監視し、装置１内の温度が設定された温度以上変化した場合にも、最適な記録パワーを求める処理を行う。
【００３０】図２はＩＳＯ／ＩＥＣ１００９０準拠の光磁気ディスクのレイアウトを示す。この図に示すようにデータ部の内周と外周にデータ部と同じクロック周波数を持つテストゾーンが設けられており、これらのテストゾーンを用いて試し書きを行うようにしている。次にこの実施例の作用を説明する。
【００３１】光磁気ディスク３が光磁気ディスク装置１に挿入された時、または光磁気ディスク装置１内部の温度が変化した時、に以下の動作を行う。まず内周のテストゾーンにシークし、そこで記録パワーを変えながらパルス幅は１つに固定でエラーレートを測定する。エラーレートはあるパターン（例えば３Ｔ，８Ｔ信号の繰り返し）で記録を行い、これを読み出してそのパターンと異なるビットまたはバイトをエラーとし、そのエラー数を全体のビット数もしくはバイト数で割ればよい。バイト当たりのエラーレートの場合には、１バイト内であれば、１ビット間違っていても、８ビット間違っていても１バイトでの誤りと数える。
【００３２】例えば、テストゾーンの１トラックには上記のあるパターン（例えば３Ｔ，８Ｔ信号の繰り返し）が繰り返し書き込まれ、そして再生され、３Ｔ，８Ｔ信号のパターンの繰り返しと比較され、或いはエラーコードチェックの動作により、誤りビットが確認される。
【００３３】エラーレートと記録パワーの関係を図３に示す。実際の光磁気ディスク装置１では図中のＰｓからＰｆまで幾つかの記録パワーでの試し書きの場合のエラー数を測定し、それを光磁気ディスク装置１のＲＡＭ１６に記憶させる。ＲＡＭ１６の中で記録パワーとエラー数のテーブルを作り、Ｐｆまで終了した後、最もエラー数の少なかったパワーを最適パワーとする。
【００３４】この後、外周のテストゾーンにシークし、内周と同じパルス幅で最適パワーを同じように求める。外周の方が線速度が大きいので最適パワーは内周よりも大きくなる。
【００３５】ここで求めた内周の最適パワーをＰｉｎ、外周の最適パワーをＰｏｕｔとする。これら２つのパワーをＲＡＭ１６に記憶させる。これらの最適パワーを決定すする処理内容を図４に示す。
【００３６】ステップＳ１に示すように光磁気ディスク３が挿入されると、ステップＳ２に示すように内周のテストゾーンにシークし、ステップＳ３に示すように試し書き＆エラーレート計測をまずＰｓの記録パワーで行う。
【００３７】つまり、内周のテストゾーンにおける１トラック分の消去後に、そのトラックにあるパターン（例えば３Ｔ，８Ｔ信号の繰り返し）で試し書きを行う。この試し書きの後、試し書きされたトラックをリードし、エラー数をカウントし、試し書きの情報量で割ってエラーレートの値を算出し、用いた記録パワーの値（この場合Ｐｓ）と共に、ＲＡＭ１６に一時記憶する。
【００３８】次にステップＳ４に示すように記録パワーがＰｆより小さいかの判断を行う。この場合にはＹＥＳとなり、ステップＳ５に示すように記録パワーを微小量Δ増大して、ステップＳ３に示す試し書き＆エラーレート計測をＰｓ＋Δの記録パワーで行い、次のステップＳ４に示す記録パワーの判断処理を行う。このようにして、ＰｓからＰｆまで幾つかの記録パワーで試し書き＆エラーレート計測を行い、エラーレートの値を用いた記録パワーの値と共に、ＲＡＭ１６に記憶してテーブルを作成する。
【００３９】次にステップＳ６に示すようにＲＡＭ１６に記憶されたテーブルから内周での最適な記録パワーＰｉｎを決定し、この最適な記録パワーＰｉｎをＲＡＭ１６に記憶する。最適な記録パワーＰｉｎを決定する場合、ＣＰＵ９は最初に求めたエラーレートの値を次に求めたエラーレートの値と比較し、小さい方の値を残し、さらに次のエラーレートの値と比較するという比較処理により、最小のエラーレートの値となる記録パワーを最適な記録パワーＰｉｎとする演算を行う。
【００４０】内周での最適な記録パワーＰｉｎの決定を行ったので、次にステップＳ７に示すように外周のテストゾーンにシークし、以下のように同様の処理を行う。ステップＳ８に示すように試し書き＆エラーレート計測をＰｓの記録パワーで行う。
【００４１】つまり、外周のテストゾーンにおける１トラック分の消去後に、そのトラックにあるパターン（例えば３Ｔ，８Ｔ信号の繰り返し）で試し書きを行う。この試し書きの後、試し書きされたトラックをリードし、エラー数をカウントし、試し書きの情報量で割ってエラーレートの値を算出し、用いた記録パワーの値（この場合Ｐｓ）と共に、ＲＡＭ１６に一時記憶する。
【００４２】次にステップＳ９に示すように記録パワーがＰｆより小さいかの判断を行う。この場合にはＹＥＳとなり、ステップＳ１０に示すように記録パワーを微小量Δ増大して、ステップＳ８に示す試し書き＆エラーレート計測をＰｓ＋Δの記録パワーで行い、次のステップＳ９に示す記録パワーの判断処理を行う。このようにして、ＰｓからＰｆまで幾つかの記録パワーで試し書き＆エラーレート計測を行い、エラーレートの値を用いた記録パワーの値と共に、ＲＡＭ１６に記憶してテーブルを作成する。
【００４３】次にステップＳ１１に示すようにＲＡＭ１６に記憶されたテーブルから外周での最適な記録パワーＰｏｕｔを決定し、この最適な記録パワーＰｏｕｔをＲＡＭ１６に記憶する。最適な記録パワーＰｏｕｔを決定する場合、ＣＰＵ９は最初に求めたエラーレートの値を次に求めたエラーレートの値と比較し、小さい方の値を残し、さらに次のエラーレートの値と比較するという比較処理により、最小のエラーレートの値となる記録パワーを最適な記録パワーＰｏｕｔとする演算を行う。
【００４４】内周及び外周での最適な記録パワーＰｉｎ及びＰｏｕｔが求められたので、ステップＳ１２に示すようにデータの記録開始に移る。この後実際にデータ部にデータを記録する際にはたとえば３０００ＴＲＡＣＫで記録するときにはＰ３０００＝Ｐｉｎ＋３０００／１００００＊（Ｐｏｕｔ−Ｐｉｎ） （１）
という計算を行い、そのＴＲＡＣＫでの最適な記録パワーを求めて記録を行うことになる。
【００４５】また、データ部にデータを記録する場合に、温度変化が在るかの判断を行い（ステップＳ１３参照）、温度変化がある場合には、ステップＳ２に戻り、再び最適な記録パワーを求める処理を行い、温度変化がない場合には、ステップＳ１４に移り、データ待ち状態になり、データが転送されたらデータを記録する。
【００４６】または１０００トラック毎に記録パワーを変えることにして例えば０−９９９トラックでは５００トラックでの最適値Ｐ５００＝Ｐｉｎ＋５００／１００００＊（Ｐｏｕｔ−Ｐｉｎ） （２）
を記録パワーに用いることにしてもよい。
【００４７】この場合、予めＰｉｎとＰｏｕｔからＰ５００，Ｐ１５００…Ｐ９５００という１０個のパワーを直線補間により求め、あたかもディスクに１０個のゾーンがあるかのように考え、それぞれのゾーンでの記録用に最適なゾーン記録パワーを１０個ＲＡＭ１６に書き込んでおき、記録する場合にはその記録に用いるトラックが属するゾーンでのゾーン記録パワーで記録するようにしてもよい。
【００４８】この第１実施例によれば、内周側及び外周側で試し書きを行い、それぞれ最適な記録パワーを求めることにより、データ部での記録パワーを各トラックの半径位置を考慮して記録パワーを設定するようにしているので、ディスクの種類や製造ロットの違いによる感度差や周囲温度の違いによらず、かつ信号を記録する半径位置の違いによる線速度の違いに応じて、最も適した記録パワーでデータを記録することができる。
【００４９】本実施例では試し書きの方法としてエラーレートが悪くなるまで記録パワーをあげて最適なパワーを求める方法を用いたが、この方法に限らずどの試し書きを用いても良く、例えば従来例にあるような低いパワーからパワーを上げてあるエラーレートよりも低くなったときのパワーから最適パワーを求める方法を使っても良いし、エラーレートを用いず、信号振幅から最適パワーを求める方法を用いてもよい。
【００５０】また、ＣＡＶディスクであれば９０ｍｍに限らずＩＳＯ／ＩＥＣ１００８９のような１３０ｍｍディスクや他の大きさのディスクにも適用できる。また相変化タイプの光ディスクやＷＲＩＴＥ ＯＮＣＥタイプの光ディスクにも適用できる。また補間方法として直線補間することのみに限らず、別の補間方法をとっても良い。
【００５１】次に本発明の第２実施例を説明する。本実施例では現在規格化が進められている容量１．３ＧＢの次世代１３０ｍｍディスクを使用した場合を考える。これはＥＣＭＡ（EUROPEAN COMPUTER MANUFUCTERS MANUFACTURES ASSOCIATION）においてＳＴＡＮＤＡＲＤ ＥＣＭＡ−１８４として標準化されているものでありそのレイアウトを図５に示す。図中のＭｆｇゾーンがテストゾーンである。
【００５２】図５に示すようにデータエリアの内周と外周にあるテストゾーンは内周の内側のものはデータ部のバンド ０の周波数と等しく、外周の外にあるものはバンド１５の周波数と等しくなっている。
【００５３】光磁気ディスク装置１の構成は第１実施例と同じであり、第１実施例とは異なる光磁気ディスクが使用される。次に作用を説明する。
【００５４】Ｚ−ＣＡＶディスクであるので内周から外周までＤＵＴＹが等しくなるようにパルス幅を設定した場合を考える。このときＤＵＴＹを１Ｔ（３３．３％）とすると回転数１８００ｒｐｍでバンド０で７６ｎｓｅｃ、バンド１５で３９．２ｎｓｅｃとなる。
【００５５】第１実施例と同様にまず内周のテストゾーンで試し書きを行い、最適パワーを求める。この際バンド０で使用するパルス幅を用いる。内周と外周で記録密度が等しく０バンドと内周のテストゾーンはクロック周波数が同じであるので、０バンドの最適パワーを求めることに等しい。
【００５６】次に外周のテストゾーンでバンド１５で使用するパルス幅で試し書きを行う。これはバンド１５の最適パワーを求めることに等しい。
【００５７】これよりバンド０とバンド１５の最適パワーが求められたのでその他のバンドの最適パワーはこの２つのパワーから直線補間することにより求められる。この実施例の効果は次のようになる。
【００５８】この方法によりＺ−ＣＡＶタイプのディスクで各バンドに最も適した記録パワーに近いパワーで信号を記録できる装置を提供できる。本実施例は容量１．３ＧＢ次世代１３０ｍｍディスクを使って説明したがこの方法は他の容量や大きさのＺ−ＣＡＶディスクを使用した場合でもディスクのデータゾーンの内周に最内周バンドと同じクロック周波数のテストゾーンがあり、外周に最外周バンドと同じクロック周波数のテストゾーンがあれば適用できる。次に本発明の第３実施例を説明する。
【００５９】本実施例では現在標準化がすすめられている容量２３０ＭＢ次世代９０ｍｍディスクを使用した場合を考える。このレイアウトを図６、７に示す。
【００６０】図６に示すようにこのタイプのディスクもＺ−ＣＡＶ方式である。この規格は各バンドの始まりと終わりに５０セクタ分のブッファトラックが設けられている。
【００６１】図７の中で示すディスクレイアウトのなかでＵＳＥＲがデータの記録に使用するのはＵＳＥＲ ＡＲＥＡ（ユーザエリア）のみであるので、このＢＵＦＦＥＲＴＲＡＣＫ（バッファトラック）は各ＢＡＮＤ（バンド）でデータの記録に使用されることはない。
【００６２】またＢＵＦＦＥＲ ＴＲＡＣＫのＩＤ部のクロック周波数は各ＢＡＮＤのデータ部のものと同じである。よってこのＢＵＦＦＥＲ ＴＲＡＣＫではデータ部と同じ条件で記録、再生することが可能である。光磁気ディスク装置の構成は第１実施例と同じである。次に作用を説明する。
【００６３】ＢＵＦＦＥＲ ＴＲＡＣＫはデータの記録、再生いは用いられない場所なので試し書きに随時使用しても差し支えない。そこで本実施例ではディスク挿入時や温度変化があった場合などのように試し書きを行う必要が生じたときに記録を開始する前にその記録を行おうとするＢＡＮＤのＢＵＦＦＥＲ ＴＲＡＣＫにおいて試し書きを行い、最適パワーを求める。
【００６４】具体的には、図８に示すような流れの処理を行う。ディスク挿入等で動作が開始し、ステップＳ２１に示すように上位のコントローラからＣＰＵ９に記録命令が出される。
【００６５】すると、ステップＳ２２に示すようにＣＰＵ９はＶＣＭ制御回路１１を介してピックアップ４を移動させ、記録を行うバンドのバッファトラックにシークさせる。そして、ステップＳ２３に示すように、シークしたバッファトラックで試し書きを行い、最適パワーを決定する。
【００６６】次に、ステップＳ２４に示すように、記録を始めるトラックにシークする。そして、ステップＳ２５に示すように、そのトラックで消去／記録／ベリファイを開始する。この後、ステップＳ２６に示すように、データが次のバンドにまで跨るか否かの判断を行い、跨る場合にはステップＳ２２に戻る。一方、、跨らない場合にはステップＳ２７に示すように、データ待ちの状態になる。
【００６７】図８に示したように記録するデータが多く、次のバンドにまたがる場合は前のバンドでの記録がＦＵＬＬになった後、次のバンドのバッファトラックで試し書きを行いその最適パワーを求めたのち、残りのデータを今求めた最適パワーでそのバンドに記録する。
【００６８】この実施例の効果は以下のようになる。この方法を用いることでバッファトラックを持つＺ−ＣＡＶタイプのディスクで各バンドにおいて最も適したパワーで信号が記録できる装置を提供することができる。
【００６９】本実施例は容量２３０ＭＢ次世代９０ｍｍディスクを使って説明したがこの方法は他の容量や大きさのディスクを使用した場合でも各バンドにデータの記録に使用しないバッファトラックがあれば適用できる。
【００７０】次に本発明の第４実施例を説明する。本実施例では第３実施例と同様に容量２３０ＭＢ次世代９０ｍｍディスクを使用した場合を考えるが本実施例では第３実施例とは違い最内周バンドのバッファトラックと最外周バンドのバッファトラックのみで試し書きを行う。
【００７１】使用する光磁気ディスク装置の構成は第１実施例と同じである。次に作用を説明する。
【００７２】まずバンド０のバッファトラックにシークしバンド０の最適な記録パワーを求める。その後バンド９のバッファトラックにシークしバンド ９の最適パワーを求める。これにより最内周バンドの最適パワーと最外周バンドの最適パワーが求められたので間のバンドの記録パワーは補間により求められる。この流れを図９に示す。
【００７３】ステップＳ３１に示すように光磁気ディスクが挿入されると、ステップＳ３２に示すようにバンド０のバッファトラックにシークし、ステップＳ３３に示すようにそのトラックで試し書きを行い、最適な記録パワーＰ０を求め、ＲＡＭ１６に記憶する。
【００７４】次にステップＳ３４に示すようにバンド９のバッファトラックにシークし、ステップＳ３５に示すようにそのトラックで試し書きを行い、最適な記録パワーＰ９を求め、ＲＡＭ１６に記憶する。
【００７５】次に、ステップＳ３６に示すようにバンド０及び９での最適な記録パワーＰ０及びＰ９からバンド１ないし８での最適な記録パワーＰ１ないしＰ８を内挿で求め、ＲＡＭ１６に記憶する。
【００７６】全てのバンドでの最適な記録パワーＰ０ないしＰ９が求められたので、ステップＳ３７に示すようにデータの記録開始状態になる。その後、ステップＳ３８に示すように温度変化があるか否かの判断が行われ、設定値以上の温度変化があった場合には、ステップＳ３２に戻り、設定値以上の温度変化がない場合には、ステップＳ３９に示すようにデータ待ちの状態になり、データが転送されてくると、データを記録する。
【００７７】この実施例の効果は以下のようになる。この方法を用いることでバッファトラックを持つＺ−ＣＡＶタイプのディスクで各バンドにおいて最も適したパワーに近い記録パワーで信号が記録できる装置を提供することができる。
【００７８】第３実施例に示した方法では各バンド毎に試し書きを行わなければならなかったが本実施例に示す方法では最内周と最外周の２箇所で行えば良いので試し書きに要する時間が短縮できる。
【００７９】本実施例は容量２３０ＭＢ次世代９０ｍｍディスクを使って説明したがこの方法は他の容量や大きさのディスクを使用した場合でも各バンドにデータの記録に使用しないブッファトラックがあれば適用できる。
【００８０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、内周側と外周側とで最適な記録パワーを求め、求めた２つの記録パワーを用いて、データを記録する半径位置に応じて記録パワーを設定するようにしているので、ディスクの種類や記録するトラックの半径位置の違いによる線速度の違いに影響されないで、最適な記録パワーでデータを記録できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例の光磁気ディスク装置の構成を示すブロック図。
【図２】光磁気ディスクのレイアウトを示す説明図。
【図３】エラーレートと記録パワーとの関係を示す特性図。
【図４】最適な記録パワーを求める処理内容を示すフローチャート図。
【図５】第２実施例における光磁気ディスクのレイアウトを示す説明図。
【図６】第３実施例における光磁気ディスクのレイアウトを示す説明図。
【図７】各バンドのレイアウトを示す説明図。
【図８】最適な記録パワーを求める処理内容を示すフローチャート図。
【図９】第４実施例における最適な記録パワーを求める処理内容を示すフローチャート図。
【符号の説明】
１…光磁気ディスク装置
３…光磁気ディスク
４…ピックアップ
４ａ…レーザダイオード
５…界磁コイル
７…レーザダイオードドライバ
８…変調回路
９…ＣＰＵ
１４…復調回路
１６…ＲＡＭ
１７…最適記録パワー演算部
【特許請求の範囲】
【請求項１】 光ディスクに異なった記録パワーで試し書きを行い、最適な記録パワーを求め、上記記録パワーでデータの記録を行う光ディスク装置において、上記光ディスクのデータゾーンの内側と外側のデータの記録に使用しないゾーンにて試し書きを行うことにより、２つの最適な記録パワーを求め、データゾーンにおけるデータの記録を半径位置に応じて上記２つの最適な記録パワーから補間して求めた記録パワーにてデータの記録を行うことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項１】 光ディスクに異なった記録パワーで試し書きを行い、最適な記録パワーを求め、上記記録パワーでデータの記録を行う光ディスク装置において、上記光ディスクのデータゾーンの内側と外側のデータの記録に使用しないゾーンにて試し書きを行うことにより、２つの最適な記録パワーを求め、データゾーンにおけるデータの記録を半径位置に応じて上記２つの最適な記録パワーから補間して求めた記録パワーにてデータの記録を行うことを特徴とする光ディスク装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開平７−５７２６７
【公開日】平成７年（１９９５）３月３日
【国際特許分類】
【出願番号】特願平５−１９７５３２
【出願日】平成５年（１９９３）８月９日
【出願人】（００００００３７６）オリンパス光学工業株式会社 (11,466)
【公開日】平成７年（１９９５）３月３日
【国際特許分類】
【出願日】平成５年（１９９３）８月９日
【出願人】（００００００３７６）オリンパス光学工業株式会社 (11,466)
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