説明

光学フィルム及びその製造方法

【課題】塵埃などで膜面やフィルムにダメージが与えられることを防止し、クニックやシワが発生することを防止することができる光学フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】フィルム10に予め層設された下地層12上に真空成膜によって薄膜14を積層する光学フィルムの製造方法において、該下地層12が層設されたフィルム両端部にエンボス又はスリット目加工を施したテープ82を巻き付けて巻き取る巻取工程を備える。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、光学フィルム及びその製造方法に関し、特に、フィルム上に下地層を設け、その下地層上に真空成膜法により薄膜を設ける光学フィルム及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
光学素子、液晶ディスプレイや有機ELディスプレイなどの表示装置、半導体装置、薄膜太陽電池など、各種の装置に、ガスバリアフィルム、保護フィルム、光学フィルタや反射防止フィルム等の光学フィルムが利用されている。
【0003】
また、これらの光学フィルムの製造に、スパッタリングやプラズマCVD等の真空成膜法による成膜(薄膜形成)が利用されている。真空成膜法によって、効率良く、高い生産性を確保して成膜を行なうために、長尺な基材に連続的に成膜することが行われている。
【0004】
このような成膜方法を実施する設備として、長尺な基材(フィルム)をロール状に巻回してなる供給ロールと、成膜済の基材をロール状に巻回する巻取りロールとを用いる、いわゆるロール・ツー・ロール(Roll to Roll)の成膜装置が知られている。このロール・ツー・ロールの成膜装置は、プラズマCVDによって基材に成膜を行なう成膜室を通過する所定の経路で、供給ロールから巻取りロールまで長尺な基材を挿通し、供給ロールからの基材の送り出しと、巻取りロールによる成膜済基材の巻き取りとを同期して行いつつ、成膜室において、搬送される基材に連続的に成膜を行なう。
【0005】
このように成膜したフィルムが巻き取られる際に、フィルムに付着した塵埃や巻きズレにより膜面やフィルムに傷などのダメージが与えられてしまうという問題があった。
【0006】
そこで、例えば、引用文献1には、巻き取り中の横ずれを防止し、擦れ傷の発生がなく且つ良好な外観で巻き上げることが出来るフィルムの巻き取り方法として、製膜工程から送出されるフィルムの両端部の少なくとも片面に凹凸部を形成(ナーリング)して凸部の高さをフィルムの平均高さより高くした後、巻取機によってロール状に巻き取る方法が開示されている。また、引用文献2には、巻き取られたフィルムの巻き姿が良好で巻きズレのしにくい巻き取り方法として、巻芯に巻き取ったフィルムの端面形状が所定の凹凸形状となるように、巻き取るフィルムを所定振幅、所定周期で幅方向にトラバースさせながら巻き取ることで、フィルムが幅方向に厚さムラがある場合であっても、厚い部分と薄い部分とが相互に積層されるため、巻圧が均一で巻き姿が良好なフィルムを巻き取ることができることが開示されている。
【特許文献1】特開平8−175708号公報
【特許文献2】特開平10−212059号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
ところで、ガスバリアフィルムや保護フィルム等の光学フィルムは、単層であるとは限らず、例えば、プラスチックフィルム等の基材上に、ポリマーを主成分とする有機膜(下地層)を成膜し、その上に無機物からなる無機膜(薄膜)を成膜してなる光学フィルム(積層フィルム)も知られている。
【0008】
このようにフィルム上に下地層と薄膜とを製膜する場合、下地層を製膜したときにフィルムは一旦ロールとして巻き取られ、その巻き取られたフィルムを真空成膜装置の巻出部に設置してフィルムの下地層上に薄膜を製膜することが一般に行われている。
【0009】
この場合、真空下でフィルムを巻き出すため、下地層を製膜したときの巻き取り後、特許文献1や特許文献2の方法では、ロールとして巻き取られたフィルムの中央部にエアーの入出ができないことからクニック(折れ曲がり、押し跡)やシワが発生するという問題があった。なお、特許文献1のようにナーリングをしても、巻き取り時の巻圧で凹凸部が圧縮されてしまいフィルム中央部にエアーの入出ができない。
【0010】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、塵埃などで膜面やフィルムにダメージが与えられることを防止し、且つ、クニックやシワが発生することを防止することができる光学フィルムの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0011】
前記目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、フィルムに予め層設された下地層上に真空成膜によって薄膜を積層する光学フィルムの製造方法において、該下地層が層設されたフィルム両端部にエンボス又はスリット目加工を施したテープを巻き付けて巻き取る巻取工程を備えたことを特徴とする。
【0012】
請求項1によれば、下地層が層設されたフィルムの両端部にエンボス又はスリット目加工を施したテープを巻き付けて巻き取ることで、ロールとして巻き取られたフィルム中央部にエアーが入出することができるので、クニック(折れ曲がり、押し跡)やシワが発生するのを防止することができる。また、フィルム上の膜がフィルムと重なることを抑制できるので、塵埃などで膜面やフィルムにダメージが与えられることを防止することができる。
【0013】
特に、巻取工程後、真空成膜法により薄膜を形成する場合、大気から真空状態にロールの設置環境が変わるため、ロールとして巻き取られたフィルム中央部へのエアーの出入りができることが好ましく、エアーの出入りができることで、塵埃などで下地層にダメージが与えられることを防止し、且つ、クニックやシワが発生することを防止することができる。
【0014】
請求項2の発明は請求項1において、前記テープの厚みは50μm以上であって、前記エンボス又はスリット目加工の深さが前記テープの厚みの20〜50%の範囲であることを特徴とする。
【0015】
請求項2によれば、テープの厚みは50μm以上であって、エンボス又はスリット目加工の深さがテープの厚みの20〜50%の範囲であることが好ましい。なお、テープの厚みが50μm未満であると、テープのエンボス又はスリット目加工が巻圧で潰されてしまう。そして、エンボス又はスリット目加工の深さがテープの厚みの20%未満であると、テープのエンボス又はスリット目加工が巻圧で潰されてしまい、ロールとして巻き取られたフィルム中央部にエアーが入出することができなくなり、エンボス又はスリット目加工の深さがテープの厚みの50%よりも大きいと、テープのエンボス又はスリット目加工された部分に強度が無く、巻圧によって加工した形状が潰されてしまう。
【0016】
請求項3の発明は、請求項1又は2に記載の製造方法によって製造されたことを特徴とする光学フィルムである。
【0017】
本発明のフィルムの製造方法によって製造された光学フィルムは、クニックやシワのない光学フィルムであるので、光学素子、表示装置、半導体装置、薄膜太陽電池など、各種の装置に好適に用いることができる。
【発明の効果】
【0018】
本発明によれば、塵埃などで下地層やフィルムにダメージが与えられることを防止し、且つ、クニックやシワが発生することを防止することができる光学フィルムの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0019】
以下添付図面に従って本発明の好ましい実施の形態について説明する。本発明は以下の好ましい実施の形態により説明されるが、本発明の範囲を逸脱すること無く、多くの手法により変更を行うことができ、本実施の形態以外の他の実施の形態を利用することができる。従って、本発明の範囲内における全ての変更が特許請求の範囲に含まれる。また、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を含む範囲を意味する。
【0020】
以下、本発明の光学フィルムの製造方法について説明する。なお、以下の実施形態では、下地層を形成する塗布液が、放射線硬化性のモノマー又はオリゴマーが含有された塗布液の場合について説明するが、本発明では、下地層を形成する塗布液が、熱硬化樹脂であっても良い。この場合には、以下の説明における有機成膜装置を構成するUV照射装置は不要である。また、以下の実施形態では、下地層が有機膜、薄膜が無機膜の場合を例に説明するが、それに限定されるものではない。
【0021】
図1に、光学フィルムの製造方法によって製造される光学フィルムの概念図を示す。
【0022】
図1に示すように、光学フィルムの製造方法は、基材B(フィルム原反)の表面に、所定のポリマーを主成分とする下地層12を成膜(形成)し、この下地層12の上に真空成膜法によって薄膜14を成膜して、積層体(以下、積層フィルム、光学フィルムともいう。)10を製造するものである。
【0023】
光学フィルムの製造方法は、一例として、基材Bの表面に下地層(有機膜)12を成膜する有機成膜装置20と、下地層12の上(表面)に薄膜(無機膜)14を成膜する無機成膜装置22とによって積層フィルム10を製造するものである。
【0024】
図2(A)に、光学フィルムの製造方法を実施する有機成膜装置20の一例を概念的に示す。
【0025】
有機成膜装置20は、塗布手段26、加熱手段28、および、UV照射装置30を有するもので、予め調製した放射線硬化性のモノマー又はオリゴマーが含有された塗布液を基材Bに塗布手段26で塗布し、加熱手段28で乾燥して、UV照射装置30で重合することにより、下地層12を成膜する。
【0026】
この有機成膜装置20は、ロール・ツー・ロールによって有機膜(下地層)を成膜するもので、基材Bは、基材ロール40として回転軸32に装填され、長手方向に搬送されつつ有機膜が成膜され、有機膜を成膜した基材Boをロール42として巻取り軸34に巻き取られる。
【0027】
基材ロール40から送り出された基材Bは、最初に塗布手段26に搬送される。塗布手段26では、基材Bの表面に、予め調製した下地層12となる放射線硬化性のモノマー又はオリゴマーが含有された塗布液を塗布する。この塗布液の塗布は、通常の液体塗布方法が全て利用可能である。
【0028】
基材Bは、次いで、加熱手段28に搬送される。加熱手段28では、塗布手段26が塗布した塗布液中の溶媒を乾燥する。塗布液の加熱方法には、特に限定はなく、ヒータによる加熱、温風による加熱等、基材Bの搬送速度等に応じて、UV照射装置30に至る前に、塗布液を加熱可能なものであれば、公知の加熱手段が全て利用可能である。
【0029】
基材Bは、次いで、UV照射装置30に搬送される。UV照射装置30では、塗布手段26が塗布し加熱手段28で加熱乾燥した塗布液に、UV(紫外線)を照射することにより、放射線硬化性のモノマー又はオリゴマーを重合させて、下地層12を成膜する。
【0030】
そして、本発明においては、テープ巻出機81からテープ82を巻き出し、基材(フィルム)Boの両端部にエンボス又はスリット目加工を施したテープ82を巻取り軸34で巻き付けて巻き取られる。
【0031】
次いで、下地層12を成膜した基材Boを巻回した基材ロール42を、図2(B)に概念的に示すような、無機成膜装置22に装填する。
【0032】
無機成膜装置22は、基材Boの表面(すなわち下地層12の表面)に、真空成膜法によって無機膜14を成膜(形成)するもので、供給室50と、成膜室52と、巻取り室54とを有する。
【0033】
無機成膜装置22も、有機成膜装置20と同様に、ロール・ツー・ロールによる成膜を行なう装置で、基材ロール42から基材Boを送り出し、長手方向に搬送しつつ薄膜14を成膜して、下地層12と薄膜14とを成膜した光学フィルム10を巻取り軸58によってロール状に巻き取る。
【0034】
供給室50は、回転軸56と、ガイドローラ60と、真空排気手段61とを有する。また、有機成膜装置20で基材ロール42の基材Boに巻き付けられているテープ82を巻き取る巻取機83を有する。
【0035】
無機成膜装置22において、基材Bに下地層12を成膜してなる基材Boとテープ82とを巻回した基材ロール42は、供給室50の回転軸56に装填される。回転軸56に基材ロール42が装填されると、基材Boは、供給室50から、成膜室52を通り、巻取り室54の巻取り軸58に至る所定の搬送経路を通される(送通される)。無機成膜装置22においても、基材ロール42からの基材Boの送り出しと、巻取り軸56における光学フィルム10の巻き取りとを同期して行なって、長尺な基材Boを所定の搬送経路で長手方向に搬送しつつ、基材Boに薄膜14の成膜を連続的に行なう。
【0036】
供給室50においては、図示しない駆動源によって回転軸56を図中時計方向に回転して基材ロール42から基材Boを送り出し、ガイドローラ60によって所定の経路を案内して、基材Boを成膜室52に送る。
【0037】
また、供給室50には、真空排気手段61が配置され、供給室50内を、成膜室52における成膜圧力に応じた所定の真空度(圧力)に減圧する。これにより、供給室50の圧力が、成膜室52の圧力(成膜)に悪影響を与えることを防止する。なお、真空排気手段61は、後述する成膜室52の真空排気手段72と同様、公知の物を用いればよい。
【0038】
なお、真空中で下地層12に接触するガイドローラ60は、基材Boの端部(搬送方向と直交する方向(幅方向)の端部)のみに接触する段差付きローラが好ましい。
【0039】
また、供給室50には、図示した部材以外にも、搬送ローラ対や、基材Boの幅方向の位置を規制するガイド部材など、基材Boを所定の経路で搬送するための各種の部材(搬送手段)を有してもよい。しかしながら、薄膜14の成膜中は、供給室50内は、成膜室の圧力に応じた真空度となるので、下地層12に接触する部材は、段差付きローラであるガイドローラ60と同様、基材Boの端部のみに接触する構成を有する物とする。
【0040】
基材Boは、ガイドローラ60によって案内され、成膜室52に搬送される。
【0041】
成膜室52は、基材Boの表面(すなわち下地層12の表面)に、真空成膜法によって薄膜14を成膜(形成)するものである。図示例において、成膜室52は、ドラム62と、成膜手段64a,64b、64c、および64dと、ガイドローラ68および70と、真空排気手段72とを有する。なお、成膜室52が、スパッタリングやプラズマCVD等による成膜をおこなうものである場合には、成膜室52には、さらに、高周波電源等も設置される。
【0042】
基材Boは、供給室50と成膜室52とを分離する隔壁74に形成されるスリット74aから、成膜室52に搬送される。
【0043】
なお、図示例の無機成膜装置22は、好ましい態様として、供給室50および巻取り室54にも真空排気手段を設け、成膜室52における成膜圧力に応じて、供給室50および巻取り室54も真空とするが、本発明を実施する装置は、これに限定はされない。例えば、供給室50および巻取り室54には、真空排気手段を設けずに、基材Boが通過するスリットを、基材Bに接触することなく、かつ、基材Bが通過可能な最小限のサイズとすることにより、成膜室52を略気密に構成してもよい。あるいは、供給室50および巻取り室54には、真空排気手段を設けずに、供給室50および巻取り室54と、成膜室52との間に、基材Bが通過するサブチャンバを設け、このサブチャンバ内を真空ポンプによって真空にしてもよい。
【0044】
なお、成膜室52の上流(基材Bの搬送方向上流)にサブチャンバ等を設ける場合には、このサブチャンバ等の内部で基材を搬送する手段も、下地層12に接触する場合には、基材Boの端部のみに接触する構成とする必要がある。
【0045】
成膜室52のドラム62は、中心線を中心に図中反時計方向に回転する円筒状の部材である。
【0046】
供給室50から供給され、ガイドローラ68によって所定の経路に案内された基材Boは、ドラム62の周面の所定領域に掛け回されて、ドラム62に支持/案内されつつ、所定の搬送経路を搬送され、成膜手段64a〜64d等によって、表面(下地層12の上)に、薄膜14を形成される。また、成膜室52が、スパッタリングやプラズマCVD等による成膜をおこなうものである場合には、ドラム62は、対向電極としても作用するように、接地(アース)されてもよく、あるいは高周波電源に接続されてもよい。
【0047】
成膜手段64a〜64dは、真空成膜法によって、基材Bの表面に薄膜14を成膜するためのものである。
【0048】
ここで、本発明の製造方法においては、薄膜14の形成方法には、特に限定は無く、CVD、プラズマCVD、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティング等、公知の真空成膜法(気相堆積法)が、全て、利用可能である。
【0049】
従って、成膜手段64a〜64dは、実施する真空成膜法に応じた、各種の部材で構成される。
【0050】
例えば、成膜室52がICP−CVD法(誘導結合型プラズマCVD)によって薄膜14の成膜を行なうものであれば、成膜手段64a〜64dは、誘導磁場を形成するための誘導コイルや、成膜領域に反応ガスを供給するためのガス供給手段等を有して構成される。
【0051】
成膜室52が、CCP−CVD法(容量結合型プラズマCVD)によって薄膜14の成膜を行なうものであれば、成膜手段64a〜64dは、中空状でドラム46に対向する面に多数の小孔を有し反応ガスの供給源に連結される、高周波電極および反応ガス供給手段として作用するシャワー電極等を有して構成される。
【0052】
成膜室52が、CVD法によって薄膜14の成膜を行なうものであれば、成膜手段64a〜64dは、反応ガスの導入手段等を有して構成される。
【0053】
さらに、成膜室52が、スパッタリングによって薄膜14の成膜を行なうものであれば、成膜手段64a〜64dは、ターゲットの保持手段や高周波電極、スパッタガスの供給手段等を有して構成される。
【0054】
真空排気手段72は、成膜室52内を真空排気して、真空成膜法による薄膜14の成膜に応じた真空度とするものである。
【0055】
真空排気手段72にも、特に限定はなく、ターボポンプ、メカニカルブースターポンプ、ロータリーポンプなどの真空ポンプ、さらには、クライオコイル等の補助手段、到達真空度や排気量の調整手段等を利用する、真空成膜装置に用いられている公知の(真空)排気手段が、各種、利用可能である。
【0056】
ドラム62に支持/搬送されつつ、成膜手段64a〜64dによって薄膜14を成膜された基材Boすなわち光学フィルム10は、ガイドローラ70によって所定経路に案内されて、巻取り室54に搬送されて、巻取り軸58によってロール状に巻き取られる。 ロール状に巻き取られた積層フィルム(光学フィルム)ロールは、次の工程に供される。
【0057】
以上のような光学フィルムの製造方法において、本発明では、基材B上に下地層12が成形された基材Boの両端部にエンボス又はスリット目加工を施したテープ82を巻き付けて巻き取るようにしている。
【0058】
図3(A)は、基材Boの両端部にエンボス又はスリット目加工を施したテープ82を巻き付けて巻き取った基材ロール42を正面から見た図である。また、図3(b)は、図3(A)の丸く囲んだ部分Aの断面を拡大して示した図である。
【0059】
通常、基材B上に下地層12が成形された基材Boが巻取り軸34に巻き取られる際は、基材Boの両端部にエンボス又はスリット目加工を施したテープ82を巻き付けて巻き取っていない。従って、基材Boに付着した塵埃や巻きズレにより基材Boに傷などのダメージが与えられてしまうという問題があった。
【0060】
本発明のように、基材Boの両端部にエンボス又はスリット目加工を施したテープ82を巻き付けて巻き取るようにすることで、塵埃や巻きズレにより基材Boに傷などのダメージが与えられるのを防止することができる。
【0061】
図4は、テープ82を拡大して示したものであり、図4(a)は、エンボス加工が施されたテープの表面と、基材Boと基材Boの間にそのテープ82を挟んだときの断面と、を示したものであり、図4(b)は、スリット目加工が施されたテープの表面と、基材Boと基材Boの間にそのテープ82を挟んだときの断面と、を示したものである。
【0062】
基材Boの両端部に図4のようなエンボス又はスリット目加工を施したテープ82を巻き付けて巻き取ることで、エンボス又はスリット目加工を施したテープ82をエアーが通ることができ、基材ロール42として巻き取られた基材Boの中央部にエアーが入出することができる。従って、有機成膜装置20から無機成膜装置22に基材ロール42を移す際、大気から真空状態に基材ロール42の設置環境が変わるが、ロールとして巻き取られた基材Boの中央部へエアーの出入りができるので、本発明はクニック(折れ曲がり、押し跡)やシワが発生するのを防止することができる。
【0063】
ここで、テープ82の厚みXは50μm以上であることが好ましく、エンボス又はスリット目加工の深さxがテープの厚みの20〜50%の範囲であることが好ましい。
【0064】
なお、テープの厚みXが50μm未満であると、テープ82のエンボス又はスリット目加工が巻圧で潰されてしまう。そして、エンボス又はスリット目加工の深さxがテープの厚みXの20%未満であると、テープのエンボス又はスリット目加工が巻圧で潰されてしまい、基材ロール42として巻き取られた基材Boの中央部にエアーが入出することができなくなる。また、エンボス又はスリット目加工の深さxがテープの厚みXの50%よりも大きいと、エンボス又はスリット目加工された部分の強度が弱く、巻圧によって加工した形状が潰されてしまう。
【0065】
このように、本発明の光学フィルムの製造方法によれば、塵埃などで膜面やフィルムにダメージが与えられることを防止し、且つ、クニックやシワが発生することを防止することができる。
【0066】
なお、下地層12は、平滑で、膜硬度が高いことが好ましい。下地層12の平滑性は10μm角の平均粗さ(Ra値)として10nm以下であることが好ましく、2nm以下であることがより好ましい。
【0067】
下地層12の膜硬度はある程度以上の硬さを有することが好ましい。好ましい硬さとしては、ナノインデンテーション法で測定したときの押し込み硬度として100N/mm2 以上が好ましく、200N/mm2以上がより好ましい。また、鉛筆硬度としてはHB以上の硬さを有することが好ましく、H以上の硬さを有することがより好ましい。
【0068】
本発明において、下地層12および薄膜14を成膜される基材Bには、特に限定はなく、PETフィルム等の各種の樹脂フィルム、アルミニウムシートなどの各種の金属シートなど、後述する下地層12および真空成膜による薄膜14の成膜が可能なものであれば、ガスバリアフィルム、光学フィルム、保護フィルムなどの各種の機能性フィルムに利用されている各種の基材(ベースフィルム)が、全て利用可能である。
【0069】
また、基材Bは、表面に、保護膜や接着膜など、各種の膜が形成されているものであってもよい。
【0070】
下地層(有機膜)12を形成する塗布膜は、放射線硬化性のモノマー又はオリゴマーを主成分とする膜である。具体的には、使用されるモノマー又はオリゴマーとしては、エチレン性不飽和二重結合を2個以上有し、光の照射によって付加重合するモノマー又はオリゴマーであることが好ましい。そのようなモノマー及びオリゴマーとしては、分子中に少なくとも1個の付加重合可能なエチレン性不飽和基を有し、沸点が常圧で100℃以上の化合物を挙げることができる。その例としては、ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート及びフェノキシエチル(メタ)アクリレートなどの単官能アクリレートや単官能メタクリレート;ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールエタントリアクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(アクリロイルオキシプロピル)エーテル、トリ(アクリロイルオキシエチル)イソシアヌレート、トリ(アクリロイルオキシエチル)シアヌレート、グリセリントリ(メタ)アクリレート;トリメチロールプロパンやグリセリン等の多官能アルコールにエチレンオキシド又はプロピレンオキシドを付加した後(メタ)アクリレート化したもの等の多官能アクリレートや多官能メタクリレートを挙げることができる。
【0071】
更に特公昭48−41708号公報、特公昭50−6034号公報及び特開昭51−37193号公報に記載されているウレタンアクリレート類;特開昭48−64183号公報、特公昭49−43191号公報及び特公昭52−30490号公報に記載されているポリエステルアクリレート類;エポキシ樹脂と(メタ)アクリル酸の反応生成物であるエポキシアクリレート類等の多官能アクリレートやメタクリレートを挙げることができる。
【0072】
これらの中で、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレートが好ましい。
【0073】
また、この他、特開平11−133600号公報に記載の「重合性化合物B」も好適なものとして挙げることができる。
【0074】
使用される光重合開始剤又は光重合開始剤系としては、米国特許第2367660号明細書に開示されているビシナルポリケタルドニル化合物、米国特許第2448828号明細書に記載されているアシロインエーテル化合物、米国特許第2722512号明細書に記載のα−炭化水素で置換された芳香族アシロイン化合物、米国特許第3046127号明細書及び同第2951758号明細書に記載の多核キノン化合物、米国特許第3549367号明細書に記載のトリアリールイミダゾール2量体とp−アミノケトンの組み合わせ、特公昭51−48516号公報に記載のベンゾチアゾール化合物とトリハロメチル−s−トリアジン化合物、米国特許第4239850号明細書に記載されているトリハロメチル−トリアジン化合物、米国特許第4212976号明細書に記載されているトリハロメチルオキサジアゾール化合物等を挙げることができる。特に、トリハロメチル−s−トリアジン、トリハロメチルオキサジアゾール及びトリアリールイミダゾール2量体が好ましい。
【0075】
また、この他、特開平11−133600号公報に記載の「重合開始剤C」も好適なものとしてあげることができる。光重合開始剤の使用量は、塗布液の固形分の0.01〜20質量%であることが好ましく、0.5〜10質量%であることがさらに好ましい。液晶性化合物の重合のための光照射は、紫外線を用いることが好ましい。照射エネルギーは、20mJ/cm〜50J/cmであることが好ましく、100〜2000mJ/cmであることがさらに好ましい。光重合反応を促進するため、加熱条件下で光照射を実施してもよい。
【0076】
下地層12の成膜方法としては、通常の溶液塗布法、あるいは真空成膜法等を挙げることができる。
【0077】
溶液塗布法としては、例えばディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、スライドコート法、或いは、米国特許第2681294号明細書に記載のホッパ−を使用するエクストル−ジョンコート法により塗布することができる。
【0078】
なお、アクリレートやメタクリレートは、空気中の酸素によって重合阻害を受ける。従って、本発明において、有機膜12としてこれらを利用する場合には、重合時の酸素濃度もしくは酸素分圧を低くすることが好ましい。窒素置換法によって重合時の酸素濃度を低下させる場合、酸素濃度は2%以下が好ましく、0.5%以下がより好ましい。減圧法により重合時の酸素分圧を低下させる場合、全圧が1000Pa以下であることが好ましく、100Pa以下であることがより好ましい。また、100Pa以下の減圧条件下で2J/cm以上のエネルギーを照射して紫外線重合を行うのが特に好ましい。
【0079】
本発明において、モノマーの重合率は80%以上であることが好ましく、85%以上であることがより好ましく、90%以上であることがさらに好ましい。ここでいう重合率とはモノマー混合物中の全ての重合性基(例えばアクリレートやメタクリレートであれば、アクリロイル基およびメタクリロイル基)のうち、反応した重合性基の比率を意味する。
【0080】
積層フィルム(光学フィルム)として、有機ELディスプレイや液晶ディスプレイのような表示装置など、各種のデバイスや装置の保護フィルムを製造する際には、無機膜14として、酸化ケイ素膜等を成膜すればよい。
【0081】
さらに、光反射防止フィルム、光反射フィルム、各種のフィルタ等の光学フィルムを製造する際には、無機膜14として、目的とする光学特性を有する、あるいは発現する材料からなる膜を成膜すればよい。
【0082】
中でも特に、有機膜12の優れた表面平滑性により、ガスバリア性の優れた無機膜14を成膜できるので、本発明は、ガスバリアフィルムの製造に最適である。
【0083】
以上、本発明の光学フィルムの製造方法について詳細に説明したが、本発明は、上記実施形態に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変更を行なってもよいのは、もちろんである。
【実施例】
【0084】
以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明を説明する。
【0085】
ジペンタエリスリトールペンタアクリレートとジペンタエリスリトールヘキサアクリレートとの混合物(DPHA、日本化薬(株)製)98gを、900gのメチルエチルケトン溶媒に溶解した。得られた溶液に、光重合開始剤(イルガキュア907、チバファインケミカルズ(株)製)2gを加え、攪拌溶解したものを塗布液とした。
【0086】
基材は、富士フイルム社製のTAC(トリアセチルセルロースフィルム)で80μm厚さ1460mm幅のものを用いた。フィルムの走行速度を10m/分とした。
【0087】
90℃に加熱したロールを通過した後、塗布工程においてワイヤーバーで上記組成の重合性化合物を含む塗布液を連続塗布した。塗布液が塗布された後、加熱工程において、100℃で乾燥した。次に、UV光源として350〜400nmに強い発光スペクトルを有するD−Bulbを搭載したマイクロウェーブ発光方式の紫外線照射装置(Light Hammer 10、240W/cm、Fusion UV Systems社製)を用い、UV照射装置30において、焦点から5mmの位置で0.4W/cm、0.4J/cmで1秒間UV照射し重合性化合物を重合させた。その後、室温まで放冷し、下地層(膜厚:0.5μm)が形成された長尺のフィルム(基材Bo)を巻き取った。
【0088】
ここで、基材Boの巻き取りの際には、以下の表1に示すテープを耳端に巻き付けて巻き取った。なお、表1に記載したエンボスとスリット目の加工とは、図4に示した形状のものを示している。また、テープ幅は20mmのものを用いた。
【0089】
巻き取ったロールをスパッタリング装置に持ち込み、下地層12の上に、薄膜14として、膜厚50nmの酸化アルミニウム膜を成膜した。酸化アルミニウム膜は、ターゲットとしてアルミニウムを、放電ガスとしてアルゴンを、反応ガスとして酸素を用いた。
【0090】
ここで、製造された光学フィルムの欠陥の個数を評価した。1μm以上の欠陥の個数を単位面積あたりでカウントし、以下の判断基準で評価した。
◎:欠陥個数が5個/cm以下
○:欠陥個数が10個/cm以下
×:欠陥個数が10個/cmを超えるもの
【0091】
【表1】

【0092】
以上から、下地層上に真空成膜によって薄膜を積層する光学フィルムの製造方法において、下地層が層設されたフィルム両端部にエンボス又はスリット目加工を施したテープを巻き付けて巻き取ることで、光学フィルムの欠陥個数を抑制することができることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【0093】
【図1】光学フィルムの製造方法によって製造される光学フィルムを示す図
【図2】光学フィルムの製造方法を実施する装置の一例を示す図
【図3】基材の両端部にテープを巻き付けて巻き取った基材ロールを示す図
【図4】エンボス加工又はスリット目加工が施されたテープの表面と断面とを示す図
【符号の説明】
【0094】
10…積層フィルム(光学フィルム)、12…下地層(有機膜)、14…薄膜(無機膜)、20…有機成膜装置、22…無機成膜装置、26…塗布手段、28…乾燥手段、30…UV照射装置、52…成膜室、64a,64b,64c,64d…成膜手段、81…テープ巻出機、82…テープ、83…テープ巻取機

【特許請求の範囲】
【請求項1】
フィルムに予め層設された下地層上に真空成膜によって薄膜を積層する光学フィルムの製造方法において、
該下地層が層設されたフィルム両端部にエンボス又はスリット目加工を施したテープを巻き付けて巻き取る巻取工程を備えたことを特徴とする光学フィルムの製造方法。
【請求項2】
前記テープの厚みは50μm以上であって、前記エンボス又はスリット目加工の深さが前記テープの厚みの20〜50%の範囲であることを特徴とする請求項1に記載の光学フィルムの製造方法。
【請求項3】
請求項1又は2に記載の製造方法によって製造されたことを特徴とする光学フィルム。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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