説明

半導体モジュール及びその配設構造

【課題】バスバーと主電極端子との接続のしやすさを向上させることができる半導体モジュール及びその配設構造を提供すること。
【解決手段】半導体モジュール1は、平板形状を有し、両側の板面21が冷却器によって冷やされる冷却面として機能する半導体本体部2と、半導体本体部2における一側面22Aから引き出され、電源に導通されるバスバー4が接続される複数の主電極端子3とを備えている。複数の主電極端子3は、一側面22Aの長辺方向に並んで配置されており、かつ、バスバー4と対面する接続面321が、半導体本体部2における板面21に対して垂直に形成されている。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体本体部から複数の主電極端子を引き出して構成された半導体モジュール及びその配設構造に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体モジュールは、電気自動車、ハイブリッド自動車等に搭載されるインバータ等の電力変換装置として用いられ、トランジスタ等の半導体素子を樹脂内に配置してモールド成形し、半導体素子から導通用の端子を外部に引き出して形成されている。
例えば、特許文献1の端子接続構造においては、電子部品における主電極端子と、電気回路に接続される外部接続部材とを接続する構造が開示されている。この端子接続構造においては、主電極端子及び外部接続部材に、留め具を挿通することができる貫通孔が形成されている。そして、留め具によって主電極端子と外部接続部材とを留め付けるとともに、これらを溶接している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開2005−45185号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、特許文献1の端子接続構造に示されるように、複数の電子部品(半導体モジュール)を冷却器等に配設する際には、複数の電子部品は、その板面(冷却面)が向き合う方向に並べられる。このとき、留め具によって外部接続部材(バスバー)に留め付ける主電極端子の位置が互いに対向する位置に重なり、留め具を主電極端子及び外部接続部材に形成された貫通孔に挿通させることが困難になる。
【0005】
本発明は、かかる背景に鑑みてなされたもので、バスバーと主電極端子との接続のしやすさを向上させることができる半導体モジュール及びその配設構造を提供しようとして得られたものである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一態様は、平板形状を有し、両側の板面が冷却器によって冷やされる冷却面として機能する半導体本体部と、
該半導体本体部における一側面から引き出され、電源に導通されるバスバーが接続される複数の主電極端子と、を備えており、
該複数の主電極端子は、上記一側面の長辺方向に並んで配置されており、かつ、上記バスバーと対面する接続面が、上記半導体本体部における板面に対して垂直に形成されていることを特徴とする半導体モジュールにある(請求項1)。
【0007】
本発明の他の態様は、上記半導体モジュールを、冷却器によって上記板面の方向に挟持してなる構造であって、
上記複数の半導体モジュールは、上記半導体本体部における板面を同一方向に向けるとともに上記主電極端子を同一方向に引き出して、上記一側面に直交する左右側面同士が向き合う横方向と、上記板面同士が向き合う縦方向とに並んで配設されており、
上記複数の半導体モジュールにおける上記主電極端子の上記接続面の全体が、同一方向に向けられていることを特徴とする半導体モジュールの配設構造にある(請求項6)。
【発明の効果】
【0008】
上記半導体モジュールにおいては、半導体本体部から引き出された主電極端子における接続面が、半導体本体部における板面に対して垂直に形成されている。
これにより、冷却器において、複数の半導体モジュールを、板面が互いに向き合うように配設して用いる際には、複数の主電極端子の接続面が、互いに対向してしまうことを防止することができる。これにより、複数の主電極端子の接続面をバスバーに接続する際に、接続面に対向する位置に、容易に作業用のスペースを確保することができる。
それ故、上記半導体モジュールによれば、バスバーと主電極端子との接続のしやすさを向上させることができる。
【0009】
また、上記半導体モジュールの配設構造においては、複数の半導体モジュールを冷却器における横方向及び縦方向に並べて配設する際に、各半導体モジュールの主電極端子の接続面に対向する位置に、容易に作業用のスペースを確保することができる。
これにより、バスバーの接続作業性に優れた、半導体モジュールの配設構造を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】実施例にかかる、半導体モジュールを示す斜視図。
【図2】実施例にかかる、半導体モジュールを冷却器に配置して形成した電力変換装置を示す平面図。
【図3】実施例にかかる、他の半導体モジュールを示す斜視図。
【図4】実施例にかかる、他の半導体モジュールを示す斜視図。
【図5】実施例にかかる、他の半導体モジュールを冷却器に配置して形成した電力変換装置を示す平面図。
【図6】実施例にかかる、他の半導体モジュールを示す斜視図。
【図7】実施例にかかる、他の半導体モジュールを示す斜視図。
【図8】実施例にかかる、2つの半導体モジュールを、端子台によって接続する状態を示す説明図。
【図9】実施例にかかる、2つの半導体モジュールを、バスバー部を一体化した端子台によって接続する状態を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【0011】
上述した半導体モジュールにおける好ましい実施の形態につき説明する。
上記半導体モジュールにおいては、上記複数の主電極端子は、上記一側面から起立する起立部と、該起立部に対して折り曲げられ、上記接続面が形成された端子先端部とからなっていてもよい(請求項2)。
この場合には、簡単な形状の主電極端子によって、半導体本体部における板面に対して垂直な接続面を形成することができる。
また、起立部は一側面から垂直に起立させることができ、端子先端部は、起立部に対して直角に折り曲げて形成することができる。
【0012】
また、上記端子先端部には、上記バスバーを接続するための接続孔が形成されていてもよい(請求項3)。
この場合には、接続孔によって、主電極端子の端子先端部をバスバーに安定して接続することができる。
【0013】
また、上記接続孔は、ビスが挿通される貫通孔又は切欠であってもよい(請求項4)。
この場合には、貫通孔又は切欠に挿通したビスによって、主電極端子の端子先端部をバスバーに安定して接続することができる。
【0014】
また、上記一側面又は該一側面の反対側に位置する他側面から引き出され、制御回路に導通される複数の制御端子を、上記半導体モジュールは備えており、該複数の制御端子は、上記一側面又は上記他側面の長辺方向に並んで配置されていてもよい(請求項5)。
この場合には、半導体モジュールは、複数の主電極端子を電源に導通させるとともに、複数の制御端子を制御回路に導通させて用いることができる。
【0015】
上記半導体モジュールの配設構造においては、上記縦方向に並ぶ複数の半導体モジュールは、一方の半導体モジュールにおける上記主電極端子の上記横方向における位置と、他方の半導体モジュールにおける上記主電極端子の上記横方向における位置とが互いにずれており、上記複数の半導体モジュールにおける上記主電極端子の上記接続面の全体が、千鳥状に配置されていてもよい(請求項7)。
この場合には、各半導体モジュールの主電極端子における接続面同士の配置間隔を、適切に確保することができ、接続面へのバスバーの接続作業性をさらに向上させることができる。
【実施例】
【0016】
以下に、半導体モジュール及びその配設構造にかかる実施例につき、図面を参照して説明する。
(実施例1)
図1は、本例の半導体モジュール1を示す。同図に示すごとく、本例の半導体モジュール1は、平板形状を有し、両側の板面21が冷却器5によって冷やされる冷却面として機能する半導体本体部2と、半導体本体部2における一側面22Aから引き出され、電源に導通されるバスバー(銅材料等を用いた板状の導体)4が接続される複数の主電極端子3とを備えている。
複数の主電極端子3は、一側面22Aの長辺方向に並んで配置されており、かつ、バスバー4と対面する接続面321が、半導体本体部2における板面21に対して垂直に形成されている。
【0017】
以下に、本例の半導体モジュール1及びその配設構造につき、図1〜図7を参照して詳説する。
図2は、本例の半導体モジュール1を冷却器5に配置して形成した電力変換装置10を示す。同図に示すごとく、本例の半導体モジュール1は、その板面21の方向に冷却器5によって挟持されて、半導体モジュール1の配設構造としての電力変換装置10を構成する。半導体モジュール1は、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)等のパワー素子(半導体素子)を、絶縁樹脂によって覆って形成したものである。
図1に示すごとく、半導体モジュール1の半導体本体部2は、平板形状であるとともに略直方体形状を有している。一側面22A及び他側面22Bの長辺方向とは、最も面積が広い略四角形の板面21の周囲に位置する辺のことをいう。
主電極端子3は、パワー素子から引き出され、絶縁樹脂の外部に引き出されている。また、半導体モジュール1の一側面22Aとは反対側の他側面22Bにおいては、他側面22Bの長辺方向に並ぶ位置に、複数の制御端子35が配置されている。各制御端子35は、制御回路(制御基板)に直接接続される。
【0018】
図1に示すごとく、半導体モジュール1においては、複数の主電極端子3は、帯板形状を有しており、一側面22Aから垂直に起立する起立部31と、起立部31に対して直角に折り曲げられ、接続面321が形成された端子先端部32とから構成されている。本例の接続面321は、端子先端部32の外側表面(半導体本体部2から離れた側の表面)とする。なお、接続面321は、端子先端部32の内側表面とすることもできる。
主電極端子3は、半導体本体部2から2本引き出されており、いずれの主電極端子3の端子先端部32も、同じ方向に折り曲げられている。主電極端子3は、パワー素子のコレクタ部とエミッタ部(FETの場合には、ドレイン部とソース部)とに該当する部分から引き出されている。
【0019】
端子先端部32には、バスバー4を接続するための接続孔322が形成されている。この接続孔322は、ビス(ネジ)42が挿通される貫通孔322として形成することができる。端子先端部32に形成された接続孔322と、バスバー4に形成された接続孔41とにビス42を挿通させ、このビス42をナット43を用いて締め付けることにより、主電極端子3の端子先端部32をバスバー4に安定して接続することができる。
ナット43は、治具等を用いて端子先端部32の下側面(接続面321とは反対側の面)に配置することができる。また、ナット43は、端子先端部32の下側面に溶接しておくこともできる。
また、端子先端部32における接続孔322は、貫通孔とする以外にも、図3に示すごとく、端子先端部32の一方向(本例では端子先端部32の折曲先端側)に向けて、端子先端部32の一部を切り欠いた切欠322Aとすることもできる。
【0020】
また、主電極端子3は、図4に示すごとく、ブロック形状によって形成することもできる。この場合には、ブロック形状の主電極端子3の先端面を接続面321として、この接続面321には、バスバー4(図1参照)を留め付ける際に用いるビス42を螺合するネジ穴322Bを形成することができる。そして、バスバー4と主電極端子3の接続面321とを対面させ、バスバー4に形成された接続孔41にビス42を挿通し、このビス42をネジ穴322Bに螺合することができる(図1参照)。
【0021】
図2に示すごとく、冷却器5は、半導体モジュール1を挟持する複数の挟持プレート部51と、各挟持プレート部51の両端部に位置して、各挟持プレート部51へ冷却水Wを導く配管部52とによって構成されている。各挟持プレート部51は、その内部に、冷却水Wを通過させる冷却通路511を形成して構成されている。
電力変換装置10を構成する複数の半導体モジュール1は、半導体本体部2における板面21を同一方向に向けるとともに主電極端子3を同一方向に引き出して、一側面22Aに直交する左右側面23同士が向き合う横方向Bと、板面21同士が向き合う縦方向Hとに並んで配設されている。
複数の半導体モジュール1は、横方向Bに2つ並ぶ状態で、冷却器5の挟持プレート部51に挟持されている。挟持プレート部51と2つの半導体モジュール1とを複数段に積層して、電力変換装置10が形成される。
【0022】
電力変換装置10においては、半導体モジュール1の配列の縦方向H及び横方向Bに直交する方向である奥行方向に、複数の半導体モジュール1における主電極端子3の接続面321の全体が向けられている。そして、各接続面321に対して、奥行方向の外方からバスバー4を対面させることができ、この奥行方向の外方から、バスバー4及び端子先端部32に形成された接続孔41,322にビス42を挿通させて、このビス42をナット43に対して締め付けることができる。
【0023】
図2に示すごとく、電力変換装置10においては、縦方向Hに並ぶ複数の半導体モジュール1は、一方の半導体モジュール1Aにおける主電極端子3の横方向Bにおける位置と、他方の半導体モジュール1Bにおける主電極端子3の横方向Bにおける位置とが互いにずれている。縦方向Hに並ぶ複数の半導体モジュール1において、一方の半導体モジュール1Aと他方の半導体モジュール1Bとの横方向Bの位置は、互いにずれている。そして、電力変換装置10においては、縦方向Hに並ぶ複数の半導体モジュール1の全体において、各半導体モジュール1の主電極端子3における端子先端部32の接続面321が、千鳥状に配置されている。
【0024】
本例においては、同図に示すごとく、半導体本体部2から主電極端子3を引き出した構成の半導体モジュール1の種類は1種類である。そして、第1の層X1において、横方向Bに並ぶ2つの半導体モジュール1に対し、第2の層X2において、横方向Bに並ぶ2つの半導体モジュール1の位置が横方向Bに所定の距離だけずれている。第3の層X3において、横方向Bに並ぶ2つの半導体モジュール1は、第1の層X1において、横方向Bに並ぶ2つの半導体モジュール1の横方向Bの位置と同じ横方向Bの位置にある。また、第4の層X4において、横方向Bに並ぶ2つの半導体モジュール1は、第2の層X2において、横方向Bに並ぶ2つの半導体モジュール1の横方向Bの位置と同じ横方向Bの位置にある。
以降、横方向Bに並ぶ2つの半導体モジュール1における各主電極端子3の接続面321の横方向Bの位置が、積層する層ごとに交互に位置ずれして、複数の半導体モジュール1が冷却器5に挟持される。
【0025】
図5に示すごとく、複数の半導体モジュール1は、複数の主電極端子3が横方向Bの一方側にずれた第1の半導体モジュール1Cと、複数の主電極端子3が横方向Bの他方側にずれた第2の半導体モジュール1Dとの2種類を準備することができる。この場合には、第1の層X1において、横方向Bに2つ並ぶ半導体モジュール1には第1の半導体モジュール1Cを用い、第2の層X2において、横方向Bに2つ並ぶ半導体モジュール1には第2の半導体モジュール1Dを用いる。これにより、各層における半導体モジュール1の横方向Bの位置は同じ位置にしたままで、第1の層X1における、各主電極端子3の接続面321が配置される横方向Bの位置と、第2の層X2における、各主電極端子3の接続面321が配置される横方向Bの位置とを互いにずらすことができる。
そして、積層する層の数に合わせて、各層に、第1の半導体モジュール1Cと第2の半導体モジュール1Dとを交互に配置することができる。
【0026】
本例の半導体モジュール1においては、半導体本体部2から引き出された主電極端子3における接続面321が、半導体本体部2における板面21に対して垂直に形成されている。そして、複数の半導体モジュール1における主電極端子3の接続面321の全体は、半導体モジュール1の奥行方向に向けられている。
これにより、冷却器5において、複数の半導体モジュール1を、板面21が互いに向き合うように配設して用いる際には、複数の主電極端子3の接続面321が、互いに対向してしまうことを防止することができる。そのため、複数の主電極端子3の接続面321とバスバー4とを接続する際に、接続面321の全体に対する上方(奥行方向の外方)に、容易に作業用のスペースを確保することができる。
それ故、本例の半導体モジュール1及びその配設構造によれば、バスバー4と主電極端子3との接続のしやすさを向上させることができる。
【0027】
なお、図6に示すごとく、半導体モジュール1において、制御端子35は、主電極端子3を引き出した一側面22Aにおいて、主電極端子3の横方向Bに並んで配置することもできる。
また、図7に示すごとく、半導体モジュール1は、2つのパワー素子を一体的に組み込んで形成することもできる。この場合には、主電極端子3は、一方のパワー素子のコレクタ部から引き出されたものと、一方のパワー素子のエミッタ部と他方のパワー素子のコレクタ部とが内部で一体化されて引き出されたものと、他方のパワー素子のエミッタ部から引き出されたものとの3つが、横方向Bに並んで配置される。
【0028】
(実施例2)
本例は、半導体モジュール1の主電極端子3とバスバー4とを接続する方法について、上記実施例1と異なる場合を示す例である。
図8に示すごとく、各主電極端子3の端子先端部32とバスバー4とを接続する際には、ネジ穴451を形成した端子台45を端子先端部32の下側面(半導体本体部2の側)に配置することができる。そして、端子台45に対して端子先端部32とバスバー4とを重ねて配置し、端子先端部32及びバスバー4に形成された接続孔41にビス42を挿通して、このビス42を端子台45のネジ穴451に螺合することができる。端子台45には、ネジ穴451が形成されたインサートナットを埋設しておくことができる。
この場合には、ナット43の代わりに端子台45を用いることにより、各主電極端子3の端子先端部32とバスバー4との接続を容易に行うことができる。
【0029】
また、図9に示すごとく、端子台45を用いる代わりに、バスバー部462を一体化した端子台46を用いることもできる。この場合には、絶縁性の端子台本体部461に対して、銅材料等による導通性のバスバー部462を、導通の必要性に応じて形成することができる。また、端子台本体部461において、主電極端子3の端子先端部32を取り付ける位置に合わせて、ビス42(図8等参照)を螺合するネジ穴463を形成することができる。そして、端子台46を端子先端部32の下側面(半導体本体部2に近い側)に配置し、端子先端部32の接続孔322に挿通したビス42を、端子台46のネジ穴463に螺合することができる。
【0030】
この場合には、端子台46のバスバー部462によって、隣接する半導体モジュール1E,1Fにおける一方の半導体モジュール1Eの主電極端子3の端子先端部32と、他方の半導体モジュール1Fの主電極端子3の端子先端部32とを導通させることができる。 本例においても、その他の構成は上記実施例1と同様であり、上記実施例1と同様の作用効果を得ることができる。
【符号の説明】
【0031】
1 半導体モジュール
10 電力変換装置
2 半導体本体部
21 板面
22A 一側面
22B 他側面
3 主電極端子
31 起立部
32 端子先端部
321 接続面
322 接続孔
4 バスバー
42 ビス
5 冷却器

【特許請求の範囲】
【請求項1】
平板形状を有し、両側の板面が冷却器によって冷やされる冷却面として機能する半導体本体部と、
該半導体本体部における一側面から引き出され、電源に導通されるバスバーが接続される複数の主電極端子と、を備えており、
該複数の主電極端子は、上記一側面の長辺方向に並んで配置されており、かつ、上記バスバーと対面する接続面が、上記半導体本体部における板面に対して垂直に形成されていることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項2】
請求項1に記載の半導体モジュールにおいて、上記複数の主電極端子は、上記一側面から起立する起立部と、該起立部に対して折り曲げられ、上記接続面が形成された端子先端部とからなることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項3】
請求項2に記載の半導体モジュールにおいて、上記端子先端部には、上記バスバーを接続するための接続孔が形成されていることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項4】
請求項3に記載の半導体モジュールにおいて、上記接続孔は、ビスが挿通される貫通孔又は切欠であることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項5】
請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体モジュールにおいて、上記一側面又は該一側面の反対側に位置する他側面から引き出され、制御回路に導通される複数の制御端子を備えており、
該複数の制御端子は、上記一側面又は上記他側面の長辺方向に並んで配置されていることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項6】
請求項1〜5に記載の半導体モジュールを、冷却器によって上記板面の方向に挟持してなる構造であって、
上記複数の半導体モジュールは、上記半導体本体部における板面を同一方向に向けるとともに上記主電極端子を同一方向に引き出して、上記一側面に直交する左右側面同士が向き合う横方向と、上記板面同士が向き合う縦方向とに並んで配設されており、
上記複数の半導体モジュールにおける上記主電極端子の上記接続面の全体が、同一方向に向けられていることを特徴とする半導体モジュールの配設構造。
【請求項7】
請求項6に記載の半導体モジュールの配設構造において、上記縦方向に並ぶ複数の半導体モジュールは、一方の半導体モジュールにおける上記主電極端子の上記横方向における位置と、他方の半導体モジュールにおける上記主電極端子の上記横方向における位置とが互いにずれており、
上記複数の半導体モジュールにおける上記主電極端子の上記接続面の全体が、千鳥状に配置されていることを特徴とする半導体モジュールの配設構造。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【図9】
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