回路基板
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属回路と金属放熱板を有するセラミックス基板からなる回路基板の改良に関するものであって、電子部品のパワーモジュール等に使用されるものである。
【０００２】近年、ロボット・モーター等の産業機器の高性能化に伴い、大電力・高能率インバーター等大電力モジュールの変遷が進んでおり、半導体素子から発生する熱も増加の一途をたどっている。この熱を効率よく放散させるため、大電力モジュール基板では従来より様々な方法が取られてきた。特に最近、良好な熱伝導性を有するセラミックス基板が利用できるようになったため、基板上に銅板等の金属板を接合し、回路を形成後、そのままあるいはメッキ等の処理を施してから半導体素子を実装する構造も採用されつつある。
【０００３】金属とセラミックスを接合する方法には種々あるが、回路基板の製造という点からは、Ｍｏ−Ｍｎ法、活性金属ろう付け法、硫化銅法、ＤＢＣ法、銅メタライズ法等があげられる。
【０００４】特に大電力モジュール基板では、従来のアルミナに変わって高熱伝導性の窒化アルミニウム基板が注目されており、銅板の接合方法としては、銅板と窒化アルミニウム基板との間に活性金属を含むろう材（以下、単に「ろう材」という）を介在させ、加熱処理して接合体とする活性金属ろう付け法（例えば特開昭60-177634 号公報）や、表面が酸化処理された窒化アルミニウム基板と銅板とを銅の融点以下でＣｕ−Ｏの共晶温度以上で加熱接合するＤＢＣ法（例えば特開昭56-163093 号公報）等がある。
【０００５】活性金属ろう付け法は、ＤＢＣ法に比べて以下の利点がある。
（１）接合体を得るための処理温度が低いので、窒化アルミニウム基板と銅板の熱膨張差によって生じる残留応力が小さい。
（２）ろう材が延性金属であるので、ヒートショックやヒートサイクルに対する耐久性が大である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、活性金属ろう付け法を用いても、ヒートショックやヒートサイクル等の熱衝撃、熱履歴によって生じる損傷に対して充分な耐久性があるとはいえず新しい技術の提案が待たれていた。そこで、金属放熱板（通常はセラミックス基板の下面に設けられる）の体積を金属回路（通常はセラミックス基板の上面に設けられる）の体積の５０〜９０％となるように調整したり（特開昭63-24815号公報）、金属放熱板の厚さを金属回路のそれの５０％以下にする（特開平5-170564号公報）ことによってある程度は改善された。
【０００７】しかし、これらの技術においては、金属回路と金属放熱板の材質は共に銅であるので、両者の体積を変えることは熱膨張による応力のバランスが異なったものとなる。その結果、接合体自体の耐熱衝撃性は良好となり、金属回路又は金属放熱板が剥離することが少なくなったが、金属放熱板にベース銅板、金属回路に半導体素子をそれぞれ半田付けする際の急激な温度上昇によって接合体の反りの変位が著大となって金属放熱板とベース銅板との間に隙間ができ、その部分が半田付け後にボイドとなる危険性があった。
【０００８】本発明者らは、以上のような問題点を解消するために鋭意検討を重ねた結果、このような熱応力は回路パターンの形状に大きく左右され、金属回路とセラミックス基板とが接合している部分と接合していない部分との割合と回路基板の温度変化に対する反り量の変化とに相関があること見いだし、本発明を完成させたものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、セラミックス基板の一方の面に金属回路、他方の面には金属放熱板が設けられてなるものであって、以下の（１）〜（３）の条件を備えてなることを特徴とする回路基板である。
（１）金属回路の厚みが０．３ｍｍよりも大きいこと。
（２）回路基板の長手方向の中央部から±２０ｍｍの領域における断面において、金属回路とセラミックス基板とが接合している部分の長さの合計の最小値がセラミックス基板の長さに対して２０％以下である箇所があること。
（３）温度−４０℃〜３００℃に冷却・加熱した場合における反り量が１００μｍ以下であること。
【００１０】以下、さらに詳しく本発明について説明すると、本発明で使用されるセラミックス基板としては、窒化アルミニウム基板、ベリリア基板、アルミナ基板等をあげることができるが、中でも窒化アルミニウム基板が好ましく、その焼結密度は、機械的強度及び電気特性の点から相対密度９５％以上であることが望ましい。セラミックス基板の厚みとしては、０．４〜０．７ｍｍ程度が好ましい。
【００１１】一方、金属回路及び／又は金属放熱板としては、銅、アルミニウム、タングステン、モリブデン等が使用されるが、銅が一般的である。金属回路の厚みとしては、近年、電流密度が増大している傾向から０．３ｍｍよりも厚いことが必要であり、また金属放熱板の厚みは、熱抵抗を下げるために０．２ｍｍ以下であることが望ましい。
【００１２】セラミックス基板の一方の面に金属回路、他方の面に金属放熱板を設ける方法としては、セラミックス基板と金属板との接合体をエッチングする方法、金属板から打ち抜かれた金属回路及び／又は金属放熱板のパターンをセラミックス基板に接合する方法等によって行うことでき、これらの際における金属板又はパターンとセラミックス基板との接合方法としては、活性金属ろう付け法やＤＢＣ法等を採用することができる。
【００１３】活性金属ろう付け法におけるろう材の金属成分は、銀と銅を主成分とし、溶融時のセラミックス基板との濡れ性を確保するために活性金属を副成分とする。この活性金属成分は、セラミックス基板と反応して酸化物や窒化物を生成させ、それらの生成物がろう材とセラミックス基板との結合を強固なものにする。活性金属の具体例をあげれば、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、バナジウム及びこれらの化合物である。これらの比率としては、銀６９〜７５重量部と銅２５〜３１重量部の合計量１００重量部あたり活性金属３〜３５重量部である。
【００１４】活性金属ろう付け法で使用されるろう材ペーストは、上記ろう材の金属成分に有機溶剤及び必要に応じて有機結合剤を加え、ロール、ニーダ、バンバリミキサー、万能混合器、らいかい機等で混合することによって調整することができる。有機溶剤としては、メチルセルソルブ、テルピネオール、イソホロン、トルエン等、また有機結合剤としては、エチルセルロース、メチルセルロース、ポリメチルメタクリレート等が使用される。なお、金属回路又は金属放熱板の材質がアルミニウムである場合には、上記ろう材である必要はなく、例えばアルミニウムとシリコンを金属成分とするものでも充分である。
【００１５】本発明は、このような回路基板において、以下の（１）〜（３）の条件を満たすものである。
（１）金属回路の厚みが０．３ｍｍよりも大きいこと。
（２）回路基板の長手方向の中央部から±２０ｍｍの領域における断面において、金属回路とセラミックス基板とが接合している部分の長さの合計の最小値がセラミックス基板の長さに対して２０％以下である箇所があること。
（３）温度−４０℃〜３００℃に冷却・加熱した場合における反り量が１００μｍ以下であること。
【００１６】まず、第１の条件は、金属回路の厚みであり、本発明において０．３ｍｍよりも大きくしたのは、近年の電流密度の増大に対応するためである。
【００１７】第２の条件は、回路基板の断面において、セラミックス基板の長さ対する金属回路とセラミックス基板との接合部分の長さの合計の最小値の割合（以下、この割合をパターン率という。）が２０％以下にしたことである。パターン率が２０％をこえると、金属回路とセラミックス基板の熱膨張係数の差による熱応力が大きくなって回路基板の反りが大きくなる。その結果、第３の条件を満たすためには裏面の金属放熱板の厚みを厚くする必要があるので熱衝撃等によって生じる損傷に対する耐久性が著しく低下する。
【００１８】パターン率の算出にあたっては、通常、セラミックス基板に金属回路を形成する場合、金属回路の熱膨張から生じる熱応力を直接セラミックス基板に伝播することがないように、セラミックス基板と金属回路との間に非接合部が設けられることがあるが、本発明においては、そのような非接合部も接合部として見做される。
【００１９】また、パターン率を算出する回路基板の位置は、図１のＸで示されるように、回路基板の長手方向の中央部付近であることが最適であるが、長手方向の中央部から±２０ｍｍの範囲内であればよい。
【００２０】次に、第３の条件は、温度−４０℃〜３００℃に冷却・加熱した場合における反り量が１００μｍ以下であるということである。従来技術においては、電気伝導性等の点から、金属回路又は金属放熱板の材質は、無酸素銅又はそれに僅かな酸素を混入させたタフピッチ銅が好ましく使用されているが、このような銅の熱膨張係数は、文献値とほぼ等しく１７×１０-6／℃であり、セラミックス基板例えば窒化アルミニウム基板の４．５×１０-6／℃よりも大きいので回路基板に熱が加えられたときに熱応力が発生していた。
【００２１】また、金属回路と金属放熱板の体積比を変える方法においては、金属板とセラミックス基板との接合体の製造時や、得られた回路基板をベース銅板に取りつける等の際、さらにはその使用時に温度差からくる熱衝撃等によって熱応力がかかる機会が多いものであった。
【００２２】しかしながら、金属回路の厚みは電流容量を保つために今後はますます厚くなる方向にあり、また金属放熱板は熱抵抗を下げる点からも薄い方が望ましい。しかしながら、従来の技術では、このような構造の回路基板では熱応力が大きくなり耐久性が低下していたが、本発明では、熱応力がセラミックス基板に分散して伝達されるようにするため、第３の条件が必要となるものである。
【００２３】
【実施例】以下、本発明を実施例と比較例をあげて具体的に説明する。
実施例１〜２ 比較例１〜３銀粉末７５重量部、銅粉末２５重量部、ジルコニウム粉末５重量部、 テルピネオール１５重量部及び有機結合剤としてポリイソブチルメタアクリレートのトルエン溶液を固形分で１．５重量部を加えてよく混練し、ろう材ペーストを調整した。このろう材ペーストを５１×３６×０．６５ｍｍの窒化アルミニウム基板の両面にスクリーン印刷によって全面に塗布した。その際の塗布量（乾燥後）は６〜８ｍｇ／ｃｍ2 とした。
【００２４】次に、ろう材ペーストの塗布された窒化アルミニウム基板の一方の面に５１×３６×０．５ｍｍの金属回路形成用銅板を、そして他方の面には５１×３６×０．２ｍｍの金属放熱板用銅板をそれぞれ接触配置してから、真空度１×１０-5Ｔｏｒｒ以下の真空下、温度９００℃で３０分加熱した後、２℃/ 分の速度で冷却して接合体を製造した。
【００２５】得られた接合体の銅板上にＵＶ硬化タイプのエッチングレジストをスクリーン印刷で図１及び表１に示す回路パターンに塗布した後、塩化第２銅溶液によりエッチング処理を行って銅板不要部分を溶解除去し、さらにエッチングレジストを５％苛性ソーダ溶液で剥離した。このエッチング処理後の回路基板には、銅回路間等に残留不要ろう材や活性金属成分と窒化アルミニウム基板との反応物があるので、それを除去するため、温度６０℃、１０％フッ化アンモニウム溶液に１０分間浸漬した。
【００２６】以上のようにして製作された回路基板についてヒートサイクル（熱衝撃）試験を行った。ヒートサイクル試験は、気中、−４０℃×３０分保持後、２５℃×１０分間放置、さらに１２５℃×３０分保持後、２５℃×１０分間放置を１サイクルとして行い、銅が剥離開始したヒートサイクル回数を測定した。また、温度３００℃の空気中で１０分間加熱したときの回路基板の反り量を非接触式レーザー変位計で測定した。さらには、温度２５０℃のリフロー炉中、回路基板を厚さ４ｍｍのベース銅板に無荷重で半田付けを行った後、ボイドを超音波探査機で測定し、ボイド発生率（％）を（ボイド面積／回路基板面積）×１００として算出した。これらの結果を表１に示す。
【００２７】
【表１】
（注）回路基板の反りの方向は回路面が凹となる方向を＋として表示してある。
【００２８】
【発明の効果】本発明の回路基板は、温度変化による反りの変位が著しく小さいので、ベース銅板に半田付けする際のボイドの発生が減少し、しかも熱衝撃や熱履歴に対する耐久性すなわち耐ヒートサイクル性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の回路基板の一例を示す上面図である（寸法の単位はｍｍである）。
【図２】図１の下面図である（寸法の単位はｍｍである）。
【符号の説明】
１ セラミックス基板
２ 金属回路
３ 金属放熱板
ａ パターン幅
ｂ パターン幅
Ｘ 最小パターン率（ａ÷３６）を算出した位置
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属回路と金属放熱板を有するセラミックス基板からなる回路基板の改良に関するものであって、電子部品のパワーモジュール等に使用されるものである。
【０００２】近年、ロボット・モーター等の産業機器の高性能化に伴い、大電力・高能率インバーター等大電力モジュールの変遷が進んでおり、半導体素子から発生する熱も増加の一途をたどっている。この熱を効率よく放散させるため、大電力モジュール基板では従来より様々な方法が取られてきた。特に最近、良好な熱伝導性を有するセラミックス基板が利用できるようになったため、基板上に銅板等の金属板を接合し、回路を形成後、そのままあるいはメッキ等の処理を施してから半導体素子を実装する構造も採用されつつある。
【０００３】金属とセラミックスを接合する方法には種々あるが、回路基板の製造という点からは、Ｍｏ−Ｍｎ法、活性金属ろう付け法、硫化銅法、ＤＢＣ法、銅メタライズ法等があげられる。
【０００４】特に大電力モジュール基板では、従来のアルミナに変わって高熱伝導性の窒化アルミニウム基板が注目されており、銅板の接合方法としては、銅板と窒化アルミニウム基板との間に活性金属を含むろう材（以下、単に「ろう材」という）を介在させ、加熱処理して接合体とする活性金属ろう付け法（例えば特開昭60-177634 号公報）や、表面が酸化処理された窒化アルミニウム基板と銅板とを銅の融点以下でＣｕ−Ｏの共晶温度以上で加熱接合するＤＢＣ法（例えば特開昭56-163093 号公報）等がある。
【０００５】活性金属ろう付け法は、ＤＢＣ法に比べて以下の利点がある。
（１）接合体を得るための処理温度が低いので、窒化アルミニウム基板と銅板の熱膨張差によって生じる残留応力が小さい。
（２）ろう材が延性金属であるので、ヒートショックやヒートサイクルに対する耐久性が大である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、活性金属ろう付け法を用いても、ヒートショックやヒートサイクル等の熱衝撃、熱履歴によって生じる損傷に対して充分な耐久性があるとはいえず新しい技術の提案が待たれていた。そこで、金属放熱板（通常はセラミックス基板の下面に設けられる）の体積を金属回路（通常はセラミックス基板の上面に設けられる）の体積の５０〜９０％となるように調整したり（特開昭63-24815号公報）、金属放熱板の厚さを金属回路のそれの５０％以下にする（特開平5-170564号公報）ことによってある程度は改善された。
【０００７】しかし、これらの技術においては、金属回路と金属放熱板の材質は共に銅であるので、両者の体積を変えることは熱膨張による応力のバランスが異なったものとなる。その結果、接合体自体の耐熱衝撃性は良好となり、金属回路又は金属放熱板が剥離することが少なくなったが、金属放熱板にベース銅板、金属回路に半導体素子をそれぞれ半田付けする際の急激な温度上昇によって接合体の反りの変位が著大となって金属放熱板とベース銅板との間に隙間ができ、その部分が半田付け後にボイドとなる危険性があった。
【０００８】本発明者らは、以上のような問題点を解消するために鋭意検討を重ねた結果、このような熱応力は回路パターンの形状に大きく左右され、金属回路とセラミックス基板とが接合している部分と接合していない部分との割合と回路基板の温度変化に対する反り量の変化とに相関があること見いだし、本発明を完成させたものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、セラミックス基板の一方の面に金属回路、他方の面には金属放熱板が設けられてなるものであって、以下の（１）〜（３）の条件を備えてなることを特徴とする回路基板である。
（１）金属回路の厚みが０．３ｍｍよりも大きいこと。
（２）回路基板の長手方向の中央部から±２０ｍｍの領域における断面において、金属回路とセラミックス基板とが接合している部分の長さの合計の最小値がセラミックス基板の長さに対して２０％以下である箇所があること。
（３）温度−４０℃〜３００℃に冷却・加熱した場合における反り量が１００μｍ以下であること。
【００１０】以下、さらに詳しく本発明について説明すると、本発明で使用されるセラミックス基板としては、窒化アルミニウム基板、ベリリア基板、アルミナ基板等をあげることができるが、中でも窒化アルミニウム基板が好ましく、その焼結密度は、機械的強度及び電気特性の点から相対密度９５％以上であることが望ましい。セラミックス基板の厚みとしては、０．４〜０．７ｍｍ程度が好ましい。
【００１１】一方、金属回路及び／又は金属放熱板としては、銅、アルミニウム、タングステン、モリブデン等が使用されるが、銅が一般的である。金属回路の厚みとしては、近年、電流密度が増大している傾向から０．３ｍｍよりも厚いことが必要であり、また金属放熱板の厚みは、熱抵抗を下げるために０．２ｍｍ以下であることが望ましい。
【００１２】セラミックス基板の一方の面に金属回路、他方の面に金属放熱板を設ける方法としては、セラミックス基板と金属板との接合体をエッチングする方法、金属板から打ち抜かれた金属回路及び／又は金属放熱板のパターンをセラミックス基板に接合する方法等によって行うことでき、これらの際における金属板又はパターンとセラミックス基板との接合方法としては、活性金属ろう付け法やＤＢＣ法等を採用することができる。
【００１３】活性金属ろう付け法におけるろう材の金属成分は、銀と銅を主成分とし、溶融時のセラミックス基板との濡れ性を確保するために活性金属を副成分とする。この活性金属成分は、セラミックス基板と反応して酸化物や窒化物を生成させ、それらの生成物がろう材とセラミックス基板との結合を強固なものにする。活性金属の具体例をあげれば、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、バナジウム及びこれらの化合物である。これらの比率としては、銀６９〜７５重量部と銅２５〜３１重量部の合計量１００重量部あたり活性金属３〜３５重量部である。
【００１４】活性金属ろう付け法で使用されるろう材ペーストは、上記ろう材の金属成分に有機溶剤及び必要に応じて有機結合剤を加え、ロール、ニーダ、バンバリミキサー、万能混合器、らいかい機等で混合することによって調整することができる。有機溶剤としては、メチルセルソルブ、テルピネオール、イソホロン、トルエン等、また有機結合剤としては、エチルセルロース、メチルセルロース、ポリメチルメタクリレート等が使用される。なお、金属回路又は金属放熱板の材質がアルミニウムである場合には、上記ろう材である必要はなく、例えばアルミニウムとシリコンを金属成分とするものでも充分である。
【００１５】本発明は、このような回路基板において、以下の（１）〜（３）の条件を満たすものである。
（１）金属回路の厚みが０．３ｍｍよりも大きいこと。
（２）回路基板の長手方向の中央部から±２０ｍｍの領域における断面において、金属回路とセラミックス基板とが接合している部分の長さの合計の最小値がセラミックス基板の長さに対して２０％以下である箇所があること。
（３）温度−４０℃〜３００℃に冷却・加熱した場合における反り量が１００μｍ以下であること。
【００１６】まず、第１の条件は、金属回路の厚みであり、本発明において０．３ｍｍよりも大きくしたのは、近年の電流密度の増大に対応するためである。
【００１７】第２の条件は、回路基板の断面において、セラミックス基板の長さ対する金属回路とセラミックス基板との接合部分の長さの合計の最小値の割合（以下、この割合をパターン率という。）が２０％以下にしたことである。パターン率が２０％をこえると、金属回路とセラミックス基板の熱膨張係数の差による熱応力が大きくなって回路基板の反りが大きくなる。その結果、第３の条件を満たすためには裏面の金属放熱板の厚みを厚くする必要があるので熱衝撃等によって生じる損傷に対する耐久性が著しく低下する。
【００１８】パターン率の算出にあたっては、通常、セラミックス基板に金属回路を形成する場合、金属回路の熱膨張から生じる熱応力を直接セラミックス基板に伝播することがないように、セラミックス基板と金属回路との間に非接合部が設けられることがあるが、本発明においては、そのような非接合部も接合部として見做される。
【００１９】また、パターン率を算出する回路基板の位置は、図１のＸで示されるように、回路基板の長手方向の中央部付近であることが最適であるが、長手方向の中央部から±２０ｍｍの範囲内であればよい。
【００２０】次に、第３の条件は、温度−４０℃〜３００℃に冷却・加熱した場合における反り量が１００μｍ以下であるということである。従来技術においては、電気伝導性等の点から、金属回路又は金属放熱板の材質は、無酸素銅又はそれに僅かな酸素を混入させたタフピッチ銅が好ましく使用されているが、このような銅の熱膨張係数は、文献値とほぼ等しく１７×１０-6／℃であり、セラミックス基板例えば窒化アルミニウム基板の４．５×１０-6／℃よりも大きいので回路基板に熱が加えられたときに熱応力が発生していた。
【００２１】また、金属回路と金属放熱板の体積比を変える方法においては、金属板とセラミックス基板との接合体の製造時や、得られた回路基板をベース銅板に取りつける等の際、さらにはその使用時に温度差からくる熱衝撃等によって熱応力がかかる機会が多いものであった。
【００２２】しかしながら、金属回路の厚みは電流容量を保つために今後はますます厚くなる方向にあり、また金属放熱板は熱抵抗を下げる点からも薄い方が望ましい。しかしながら、従来の技術では、このような構造の回路基板では熱応力が大きくなり耐久性が低下していたが、本発明では、熱応力がセラミックス基板に分散して伝達されるようにするため、第３の条件が必要となるものである。
【００２３】
【実施例】以下、本発明を実施例と比較例をあげて具体的に説明する。
実施例１〜２ 比較例１〜３銀粉末７５重量部、銅粉末２５重量部、ジルコニウム粉末５重量部、 テルピネオール１５重量部及び有機結合剤としてポリイソブチルメタアクリレートのトルエン溶液を固形分で１．５重量部を加えてよく混練し、ろう材ペーストを調整した。このろう材ペーストを５１×３６×０．６５ｍｍの窒化アルミニウム基板の両面にスクリーン印刷によって全面に塗布した。その際の塗布量（乾燥後）は６〜８ｍｇ／ｃｍ2 とした。
【００２４】次に、ろう材ペーストの塗布された窒化アルミニウム基板の一方の面に５１×３６×０．５ｍｍの金属回路形成用銅板を、そして他方の面には５１×３６×０．２ｍｍの金属放熱板用銅板をそれぞれ接触配置してから、真空度１×１０-5Ｔｏｒｒ以下の真空下、温度９００℃で３０分加熱した後、２℃/ 分の速度で冷却して接合体を製造した。
【００２５】得られた接合体の銅板上にＵＶ硬化タイプのエッチングレジストをスクリーン印刷で図１及び表１に示す回路パターンに塗布した後、塩化第２銅溶液によりエッチング処理を行って銅板不要部分を溶解除去し、さらにエッチングレジストを５％苛性ソーダ溶液で剥離した。このエッチング処理後の回路基板には、銅回路間等に残留不要ろう材や活性金属成分と窒化アルミニウム基板との反応物があるので、それを除去するため、温度６０℃、１０％フッ化アンモニウム溶液に１０分間浸漬した。
【００２６】以上のようにして製作された回路基板についてヒートサイクル（熱衝撃）試験を行った。ヒートサイクル試験は、気中、−４０℃×３０分保持後、２５℃×１０分間放置、さらに１２５℃×３０分保持後、２５℃×１０分間放置を１サイクルとして行い、銅が剥離開始したヒートサイクル回数を測定した。また、温度３００℃の空気中で１０分間加熱したときの回路基板の反り量を非接触式レーザー変位計で測定した。さらには、温度２５０℃のリフロー炉中、回路基板を厚さ４ｍｍのベース銅板に無荷重で半田付けを行った後、ボイドを超音波探査機で測定し、ボイド発生率（％）を（ボイド面積／回路基板面積）×１００として算出した。これらの結果を表１に示す。
【００２７】
【表１】
（注）回路基板の反りの方向は回路面が凹となる方向を＋として表示してある。
【００２８】
【発明の効果】本発明の回路基板は、温度変化による反りの変位が著しく小さいので、ベース銅板に半田付けする際のボイドの発生が減少し、しかも熱衝撃や熱履歴に対する耐久性すなわち耐ヒートサイクル性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の回路基板の一例を示す上面図である（寸法の単位はｍｍである）。
【図２】図１の下面図である（寸法の単位はｍｍである）。
【符号の説明】
１ セラミックス基板
２ 金属回路
３ 金属放熱板
ａ パターン幅
ｂ パターン幅
Ｘ 最小パターン率（ａ÷３６）を算出した位置
【特許請求の範囲】
【請求項１】 セラミックス基板の一方の面に金属回路、他方の面には金属放熱板が設けられてなるものであって、以下の（１）〜（３）の条件を備えてなることを特徴とする回路基板。
（１）金属回路の厚みが０．３ｍｍよりも大きいこと。
（２）回路基板の長手方向の中央部から±２０ｍｍの領域における断面において、金属回路とセラミックス基板とが接合している部分の長さの合計の最小値がセラミックス基板の長さに対して２０％以下である箇所があること。
（３）温度−４０℃〜３００℃に冷却・加熱した場合における反り量が１００μｍ以下であること。
【請求項１】 セラミックス基板の一方の面に金属回路、他方の面には金属放熱板が設けられてなるものであって、以下の（１）〜（３）の条件を備えてなることを特徴とする回路基板。
（１）金属回路の厚みが０．３ｍｍよりも大きいこと。
（２）回路基板の長手方向の中央部から±２０ｍｍの領域における断面において、金属回路とセラミックス基板とが接合している部分の長さの合計の最小値がセラミックス基板の長さに対して２０％以下である箇所があること。
（３）温度−４０℃〜３００℃に冷却・加熱した場合における反り量が１００μｍ以下であること。
【図１】
【図２】
【図２】
【特許番号】特許第３１５５８７４号（Ｐ３１５５８７４）
【登録日】平成１３年２月２日（２００１．２．２）
【発行日】平成１３年４月１６日（２００１．４．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願平５−２６１０９５
【出願日】平成５年１０月１９日（１９９３．１０．１９）
【公開番号】特開平７−１１５２５２
【公開日】平成７年５月２日（１９９５．５．２）
【審査請求日】平成１１年１１月２６日（１９９９．１１．２６）
【出願人】（０００００３２９６）電気化学工業株式会社 (1,539)
【参考文献】
【文献】特開 昭６３−４２１５２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平２−２０８０３３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平３−１０１１５３（ＪＰ，Ａ）
【登録日】平成１３年２月２日（２００１．２．２）
【発行日】平成１３年４月１６日（２００１．４．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成５年１０月１９日（１９９３．１０．１９）
【公開番号】特開平７−１１５２５２
【公開日】平成７年５月２日（１９９５．５．２）
【審査請求日】平成１１年１１月２６日（１９９９．１１．２６）
【出願人】（０００００３２９６）電気化学工業株式会社 (1,539)
【参考文献】
【文献】特開 昭６３−４２１５２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平２−２０８０３３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平３−１０１１５３（ＪＰ，Ａ）
[ Back to top ]