基材の仮固定方法、半導体装置および仮固定用組成物
【課題】部分的に形成した接着層と剥離層とを有する仮固定材を介して仮固定する方法において、基材と支持体とを貼り合わせる際、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく、仮固定材を形成できる基材の処理方法を提供する。
【解決手段】（１）重合体（Ａ）、および前記重合体（Ａ）と実質的に非混和性の化合物（Ｂ）を含有する仮固定用組成物により、基材上に、接着層および剥離層をこの順に形成する工程；（２）前記剥離層の一部を除き、接着層を介して、前記基材と支持体を仮固定する工程；（４）前記接着層の一部を除き、基材上に、接着層の残部、剥離層の残部および支持体をこの順に形成する工程；ならびに（５）支持体から加工後の基材を剥離する工程；をこの順で有する基材の仮固定方法。
【解決手段】（１）重合体（Ａ）、および前記重合体（Ａ）と実質的に非混和性の化合物（Ｂ）を含有する仮固定用組成物により、基材上に、接着層および剥離層をこの順に形成する工程；（２）前記剥離層の一部を除き、接着層を介して、前記基材と支持体を仮固定する工程；（４）前記接着層の一部を除き、基材上に、接着層の残部、剥離層の残部および支持体をこの順に形成する工程；ならびに（５）支持体から加工後の基材を剥離する工程；をこの順で有する基材の仮固定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材の仮固定方法、半導体装置、および基材を処理する際に、基材を支持体上に仮固定するために用いることができる仮固定材の形成に好適な原料組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハなどの基材を加工（例：ダイシング、裏面研削、フォトファブリケーション）や移動（例：ある装置から別の装置へ基材を移動）するに際して、支持体から基材がずれて動かないように、仮固定材などを用いて基材と支持体とを仮固定する必要がある。そして、加工および／または移動終了後は、基材を支持体から剥離する必要がある。
例えば、特許文献１には、基材や支持体の周縁部で基材と支持体とを接着層を介して接着し、それ以外の部分は、基材を支持体から剥離するのに有利な機能を有する層（例えば、剥離剤で形成された層：剥離層）を有する仮固定材を用いた仮固定する方法が提案されていた。
【０００３】
このような仮固定材を形成するための手段として、接着層および剥離層は、各々別に形成する方法、例えば、１）支持体の周縁部以外の部分に剥離層を形成し、また、基材の全面に接着層を形成し、その後、支持体と基材とを、剥離層と接着層が向かい合うように貼り合わせることで形成する方法、２）基材上に接着層を形成し、次いで、接着層上の周縁部以外の部分に剥離層を形成し、その後、支持体と基材とを、接着層および剥離層を介して貼り合わせることで形成する方法、３）基材上の周縁部以外の部分に剥離層を形成し、次いで、周縁部に接着層を分注して形成し、その後、支持体と基材とを、接着層および剥離層を介して貼り合わせることで形成する方法、が提案されていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２０１１−５１０５１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、剥離層を塗布により形成する際、基材の種類によっては、塗布液と基材がはじき、基材上に均一に剥離層を形成することが困難である。また、剥離層を塗布により形成する際、基材上に均一に薄く剥離層を形成することは困難であるため、剥離層は厚膜で形成することになる。このため、基材と支持体を貼り合わせる際、剥離層が不均一であることや、剥離層が厚膜であることにより、基材や支持体と、仮固定材との間で浮きが生じ、基材の加工の際に、この浮きが原因で支持体から基材が脱落するという課題がある。特に基材が、大きかったり、重かったりする場合は、支持体から基材が脱落するという課題が顕著に出てくる。
【０００６】
本発明の課題は、特許文献１の基材の仮固定方法のように、部分的に形成した接着層と剥離層とを有する仮固定材を介して仮固定する方法において、基材と支持体とを貼り合わせる際、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく、仮固定材を形成できる基材の仮固定方法を提供すること、ならびに前記基材の仮固定方法に関連した仮固定用組成物および半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討を行った。その結果、以下の構成を有する基材の仮固定方法により上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち本発明は、例えば以下の［１］〜［８］に関する。
【０００８】
［１］（１）重合体（Ａ）、および前記重合体（Ａ）と実質的に非混和性の化合物（Ｂ）を含有する仮固定用組成物により、基材上に、接着層および剥離層をこの順に形成する工程；
（２）前記剥離層の一部を除き、接着層を介して、前記基材と支持体を仮固定する工程；
（４）前記接着層の一部を除き、基材上に、接着層の残部、剥離層の残部および支持体をこの順に形成する工程；ならびに
（５）支持体から加工後の基材を剥離する工程；
をこの順で有する基材の仮固定方法。
［２］前記接着層が、シクロオレフィン系重合体（Ａ１）を含有する接着層である前記［１］の基材の仮固定方法。
［３］前記工程（４）が、前記接着層の一部を炭化水素系溶剤に溶解させることで除き、基材上に、接着層の残部、剥離層の残部および支持体をこの順に形成する工程；である前記［２］の基材の仮固定方法。
［４］前記剥離層の膜厚が、１〜１０００ｎｍである前記［１］の基材の仮固定方法。
［５］前記［１］〜［４］の基材の仮固定方法に用いられる仮固定用組成物であって、重合体（Ａ）、および前記重合体（Ａ）と実質的に非混和性の化合物（Ｂ）を含有する仮固定用組成物。
［６］前記重合体（Ａ）が、シクロオレフィン系重合体（Ａ１）である前記［５］の仮固定用組成物。
［７］シクロオレフィン系重合体（Ａ１）１００質量部と、フッ素原子を有する繰り返し単位を有する重合体（Ｂ１）を１〜３０質量部含有する組成物。
［８］前記［１］の基材の仮固定方法により得られる半導体装置。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、基材と支持体とを貼り合わせる際、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく、仮固定材を形成できる基材の仮固定方法を提供すること、ならびに前記基材の仮固定方法に関連した仮固定用組成物および半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】基材の仮固定方法の一実施態様の模式図。
【図２】基材の仮固定方法の一実施態様の模式図。
【図３】基材の仮固定方法の一実施態様の模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の基材の仮固定方法、前記基材の仮固定方法に関連した仮固定用組成物、および前記基材の仮固定方法によって得られる半導体装置について説明する。
本発明において仮固定用組成物とは、仮固定材を形成するための組成物である。仮固定材とは、半導体ウエハなどの基材を加工（例：ダイシング、裏面研削、フォトファブリケーション（例：レジストパターンの形成、メッキ等による金属バンプ形成、化学気相成長等による膜形成、ＲＩＥなどによる加工））や移動（例：ある装置から別の装置へ基材を移動）するに際して、支持体から基材がずれて動かないように基材を仮固定するために用いられる仮固定材のことである。
【００１２】
１．基材の仮固定方法
本発明の基材の仮固定方法は、
（１）重合体（Ａ）、および前記重合体（Ａ）と実質的に非混和性の化合物（Ｂ）を含有する仮固定用組成物により、基材上に、接着層および剥離層をこの順に形成する工程；
（２）前記剥離層の一部を除き、接着層を介して、前記基材と支持体を仮固定する工程；
（４）前記接着層の一部を除き、基材上に、接着層の残部、剥離層の残部および支持体をこの順に形成する工程；ならびに
（５）支持体から加工後の基材を剥離する工程；
をこの順で有する。以下、上記各工程をそれぞれ、工程（１）〜工程（５）ともいう。
【００１３】
本発明では、重合体（Ａ）、および重合体（Ａ）と実質的に非混和性の化合物（Ｂ）を含有する仮固定用組成物から、基材上に、接着層および剥離層を形成することから、接着層上に、均一に薄く剥離層を形成することができる。ここから、剥離層の一部を除去することで、接着部、剥離層の残部および接着層の残部を有する仮固定材を形成することができる。このため、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく、基材と支持体とを貼り合わせることができる。
【００１４】
１−１．工程（１）
工程（１）の模式図を、図１（ａ）および図１（ｂ）に示す。工程（１）は、基材１０上に、重合体（Ａ）、および前記重合体（Ａ）と実質的に非混和性の化合物（Ｂ）を含有する仮固定用組成物を塗布することで、仮固定用組成物からなる塗膜２０を形成し、次いで、塗膜２０から、重合体（Ａ）と化合物（Ｂ）が層分離することで、重合体（Ａ）をより多く含有する接着層２１、および化合物（Ｂ）をより多く含有する剥離層２２を基板１０上に形成する。
【００１５】
加工の対象物である基材１０としては、例えば、半導体ウエハ、ガラス基板、樹脂基板、金属基板、金属箔を有する基板が挙げられる。半導体ウエハには、通常はバンプや配線、絶縁膜などが形成されている。樹脂塗膜としては、例えば、有機成分を主成分として含有する層が挙げられ；具体的には、感光性材料から形成される感光性樹脂層、絶縁性材料から形成される絶縁性樹脂層、感光性絶縁樹脂材料から形成される感光性絶縁樹脂層などが挙げられる。
【００１６】
基材上に塗膜２０形成するに際して、塗膜２０を面内で均一に形成するため、基材表面を予め表面処理することもできる。表面処理の方法としては、例えば、基材表面に予め表面処理剤を塗布する方法が挙げられる。
【００１７】
表面処理剤としては、例えば、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラザンなどのシリコン系化合物が挙げられる。これらは、スピンコート法や、ガス状にして基材上に形成する。
【００１８】
仮固定用組成物の塗布方法としては、スピンコート法、等の従来公知の塗布方法を用いることができる。スピンコート法では、基材の大きさにより適宜決められ、例えば、１２インチのシリコンウエハの場合、通常、回転速度が３００〜３，５００ｒｐｍ（好ましくは５００〜１，５００ｒｐｍ）、加速度が５００〜１５，０００ｒｐｍ／秒、回転時間が３０〜３００秒という条件で行われる。
【００１９】
仮固定用組成物を塗布して塗膜２０を形成した後は、接着層２１と剥離層２２の形成を促進するために、および、仮固定用組成物中に溶剤を含む場合は、溶剤を蒸発させるためにホットプレート等で加熱処理を行うことができる。加熱処理の温度は、通常１５０〜２７５℃、好ましくは１５０〜２６０℃であり、時間が２〜１５分、より好ましくは３〜１０分である。塗膜２０の膜厚は、通常、５〜５００μｍである。
【００２０】
後述のとおり、化合物（Ｂ）は、重合体（Ａ）よりも低い表面エネルギーを有していることから、層分離により、化合物（Ｂ）は塗膜２０の表面に偏在する。この偏在により、重合体（Ａ）をより多く含む接着層２１と、化合物（Ｂ）をより多く含む剥離層２２が形成される。なお、ここで剥離層２２とは、化合物（Ｂ）が、６０重量％以上含む層を示し、接着層２１とは、塗膜から形成する層において、剥離層２２以外の層を示す。
なお、剥離層中に含まれる化合物（Ｂ）の含有量は、Ｘ線電子分光法（ＥＳＣＡ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ ｆｏｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ）にて測定した値である。
【００２１】
接着層２１の膜厚は、通常、５〜５００μｍである。また、基材１０の接着層２１形成面側に、バンプなどの突起物がある場合、当該突起物を保護するために、接着層で突起物を覆うことがある。このことから、突起物の高さにより接着層２１の膜厚は適宜決めることができるが、突起物を有する場合、突起物の高さ１に対して、通常、接着層２１の膜厚は、１．５以上で形成する。
【００２２】
剥離層２２の膜厚は、通常、１〜１０００ｎｍであり、好ましくは、５〜９００ｎｍ、より好ましくは１０〜８００ｎｍである。
【００２３】
１−１−１．仮固定用組成物
仮固定用組成物は、重合体（Ａ）と、および前記重合体（Ａ）と実質的に非混和性の化合物（Ｂ）を含有する。また、必要に応じて溶剤（Ｃ）を含有する。
【００２４】
＜重合体（Ａ）＞
重合体（Ａ）は、熱硬化性樹脂でも、熱可塑性樹脂でも、どのような重合体であってもよい。これらの中でも、工程（４）において、接着層の一部を、溶剤にて容易に除去するためには、熱可塑性樹脂が好ましい。
【００２５】
熱可塑性樹脂としては、シクロオレフィン系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリイミド系樹脂などの溶融温度の高い樹脂；ノボラック樹脂、Ｃ５系石油樹脂、Ｃ９系石油樹脂、Ｃ５系／Ｃ９系混合石油樹脂、シクロペンタジエン系樹脂、ビニル置換芳香族化合物の重合体、オレフィンとビニル置換芳香族化合物との共重合体、シクロペンタジエン系化合物とビニル置換芳香族化合物との共重合体、これらの水素添加物などの溶融温度の低い樹脂；を挙げられる。熱可塑性樹脂は、２種以上組み合わせて使うことができる。例えば、溶融温度の高い樹脂と溶融温度の低い樹脂を組み合わせることで、接着層の溶融温度を制御することができる。これらの中でも、シクロオレフィン系樹脂（Ａ１）が好ましい。
【００２６】
シクロオレフィン系重合体（Ａ１）としては、例えば、環状オレフィンの付加共重合体、環状オレフィンの開環メタセシス重合体、前記開環メタセシス重合体を水素化して得られる重合体が挙げられる。このようなシクロオレフィン系重合体（Ａ１）の重合方法は従来公知である。シクロオレフィン系重合体（Ａ１）のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定される重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算で、通常５，０００〜１，０００，０００、好ましくは１０，０００〜５００，０００である。
【００２７】
環状オレフィンとしては、例えば、ノルボルネン系オレフィン、テトラシクロドデセン系オレフィン、ジシクロペンタジエン系オレフィン、およびこれらの誘導体が挙げられる。前記誘導体としては、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基）、アルキリデン基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０のアルキリデン基）、アラルキル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜１８のアラルキル基）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜３０、より好ましくは炭素数３〜１８のシクロアルキル基）、ヒドロキシ基、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１０のアルコキシ基）、アセチル基、シアノ基、アミド基、イミド基、シリル基、およびアリール基などによる置換誘導体が挙げられる。
【００２８】
シクロオレフィン系重合体（Ａ１）の市販品としては、例えば、日本ゼオン（株）製の「ＺＥＯＮＯＲ（ゼオノア）」や「ＺＥＯＮＥＸ（ゼオネックス）」、ＪＳＲ（株）製の「ＡＲＴＯＮ（アートン）」、ＴＯＰＡＳ ＡＤＶＡＮＣＥＤ ＰＯＬＹＭＥＲＳ社製の「ＴＯＰＡＳ（トパス）」、三井化学（株）製の「ＡＰＥＬ（アペル）」などが挙げられる。
【００２９】
＜化合物（Ｂ）＞
重合体（Ａ）と実質的に非混和の化合物（Ｂ）とは、仮固定用組成物では重合体（Ａ）や他の成分と均一に溶解もしくは分散しているが、仮固定用組成物から塗膜を形成するときに重合体（Ａ）や他の成分との溶解性もしくは分散性が低下する化合物を示す。
【００３０】
化合物（Ｂ）は、重合体（Ａ）よりも低い表面エネルギーを有している。このため、重合体（Ａ）と化合物（Ｂ）を含有する塗膜において、化合物（Ｂ）は塗膜の表面に偏在し、剥離層を形成する。前記、表面エネルギーは、通常、重合体（Ａ）の表面エネルギーよりも、０．０１ｍＮ／ｍ以上、好ましくは０．１ｍＮ／ｍ以上低い。
【００３１】
化合物（Ｂ）としては、フッ素原子を有する繰り返し単位を有する重合体（Ｂ１）であることが好ましい。このような繰り返し単位の具体例としては、特開２００７−１６３６０６号公報、特開２０１１−０９５６２３号公報および特開２０１１−１７０２８４号公報に記載の重合体等が挙げられる。
化合物（Ｂ）としては、例えば、特開２００７−１６３６０６号公報に記載の、珪素原子を有する化合物等を用いることもできる。
【００３２】
これらの中でも、下記一般式（ｂ１）および／または（ｂ２）で表される繰り返し単位を有する重合体（Ｂ１−１）が、良好に接着層２１と剥離層２２を形成でき、均一な剥離層を形成できることから、基材と支持体とを貼り合わせる際、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく、仮固定材を形成できるため、好ましい。
【００３３】
【化１】
【００３４】
一般式（ｂ１）および（ｂ２）中、Ｒ１は、水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。一般式（ｂ１）中、Ｒｆ１は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１〜３０の炭化水素基を示す。一般式（ｂ２）中、Ｒ２は、（ｎ＋１）価の連結基を示す。ｎは、１〜３の整数を示す。Ｒ３は、水素原子又は１価の有機基を示す。Ｒｆ２は、相互に独立に、水素原子、電子吸引性基を示す。
【００３５】
一般式（ｂ１）中のＲｆ１の例としては、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状の脂肪族炭化水素基や、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数４〜２０の脂環式炭化水素基又はそれから誘導される基がある。
【００３６】
少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状の脂肪族炭化水素基の例としては、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、２−（２−メチルプロピル）基、１−ペンチル基、２−ペンチル基、３−ペンチル基、１−（２−メチルブチル）基、１−（３−メチルブチル）基、２−（２−メチルブチル）基、２−（３−メチルブチル）基、ネオペンチル基、１−ヘキシル基、２−ヘキシル基、３−ヘキシル基、１−（２−メチルペンチル）基、１−（３−メチルペンチル）基、１−（４−メチルペンチル）基、２−（２−メチルペンチル）基、２−（３−メチルペンチル）基、２−（４−メチルペンチル）基、３−（２−メチルペンチル）基、３−（３−メチルペンチル）基、又はこれらの部分フッ素化或いはこれらのパーフルオロアルキル化した基等を挙げることができる。
【００３７】
また、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数４〜２０の脂環式炭化水素基又はそれから誘導される基の例としては、シクロペンチル基、シクロペンチルメチル基、１−（１−シクロペンチルエチル）基、１−（２−シクロペンチルエチル）基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、１−（１−シクロヘキシルエチル）基、１−（２−シクロヘキシルエチル基）、シクロヘプチル基、シクロヘプチルメチル基、１−（１−シクロヘプチルエチル）基、１−（２−シクロヘプチルエチル）基、２−ノルボルニル基等の脂環式炭化水素基、またはこれらの部分フッ素化或いはこれらのパーフルオロアルキル化した基等がある。
【００３８】
一般式（ｂ２）中、Ｒ３は、水素原子又は１価の有機基を示す。１価の有機基としては炭素数１〜３０の１価の置換基を有していてもよい炭化水素基を挙げることができる。
【００３９】
炭素数１〜３０の１価の炭化水素基の例としては、炭素数１〜１０で直鎖状又は分岐状の脂肪族炭化水素基や炭素数３〜３０の脂環式炭化水素基があり、炭素数１〜７の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基及び炭素数３〜７の脂環式炭化水素基が好ましい。
【００４０】
炭素数１〜１０で直鎖状又は分岐状の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、２−（２−メチルプロピル）基、１−ペンチル基、２−ペンチル基、３−ペンチル基、１−（２−メチルブチル）基、１−（３−メチルブチル）基、２−（２−メチルブチル）基、２−（３−メチルブチル）基、ネオペンチル基、１−ヘキシル基、２−ヘキシル基、３−ヘキシル基、１−（２−メチルペンチル）基、１−（３−メチルペンチル）基、１−（４−メチルペンチル）基、２−（２−メチルペンチル）基、２−（３−メチルペンチル）基、２−（４−メチルペンチル）基、３−（２−メチルペンチル）基、３−（３−メチルペンチル）基等を挙げることができる。また、炭素数３〜３０の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロペンチルメチル基、１−（１−シクロペンチルエチル）基、１−（２−シクロペンチルエチル）基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘプチル基、２−ノルボルニル基等を挙げることができる。また、この炭化水素基は置換基を有していてもよい。
【００４１】
一般式（ｂ２）中、Ｒ２は、（ｎ＋１）価の連結基を示す。連結基の例としては、単結合又は炭素数１〜３０の（ｎ＋１）価の炭化水素基がある。また、これらの炭化水素基と、酸素原子、硫黄原子、イミノ基、カルボニル基、−ＣＯ−Ｏ−基、又は−ＣＯ−ＮＨ−基との組み合わせがある。
【００４２】
一般式（ｂ２）中、Ｒｆ２は水素原子または電子吸引性基を示す。電子求引性基としては、フッ素原子、又は少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１〜３０の炭化水素基、ニトロ基、シアノ基等を挙げることができる。少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１〜３０の炭化水素基としては、前記Ｒｆ１と同様のことがいえる。
【００４３】
繰り返し単位（ｂ１）および／または（ｂ２）を有する重合体（Ｂ１−１）は、公知の方法、例えば、重合開始剤や連鎖移動剤の存在下、重合溶剤中で、繰り返し単位（ｂ１）を与える単量体および／または繰り返し単位（ｂ２）を与える単量体と、必要に応じて他の単量体（ｂ３）を、ラジカル重合することによって合成できる。
【００４４】
繰り返し単位（ｂ１）を与える単量体としては、トリフルオロメチル（メタ）アクリル酸エステル、２，２，２−トリフルオロエチル（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロエチル（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロｎ−プロピル（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロｉ−プロピル（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロｎ−ブチル（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロｉ−ブチル（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロｔ−ブチル（メタ）アクリル酸エステル、２−（１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロピル）（メタ）アクリル酸エステル、１−（２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロペンチル）（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロシクロヘキシルメチル（メタ）アクリル酸エステル、１−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル）（メタ）アクリル酸エステル、１−（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシル）（メタ）アクリル酸エステル、１−（５−トリフルオロメチル−３，３，４，４，５，６，６，６−オクタフルオロヘキシル）（メタ）アクリル酸エステル等がある。繰り返し単位（ｂ１）を与える単量体は、市販品を用いることができる。
【００４５】
繰り返し単位（ｂ２）を与える単量体としては、下記一般式（ｂ２−ｍ１）〜（ｂ２−ｍ５）に示す単量体がある。
【００４６】
【化２】
【００４７】
一般式（ｂ２−ｍ１）〜（ｂ２−ｍ５）中、Ｒ１及びＲ３は、一般式（ｂ２）中のＲ１及びＲ３と同じである。
【００４８】
前記他の単量体（ｂ３）としては、下記一般式（ｂ３−ｍ１）〜（ｂ３−ｍ４）に示す単量体や、トリフルオロメチル（メタ）アクリル酸エステル、２，２，２−トリフルオロエチル（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロエチル（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロｎ−プロピル（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロｉ−プロピル（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロｎ−ブチル（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロｉ−ブチル（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロｔ−ブチル（メタ）アクリル酸エステル、２−（１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロピル）（メタ）アクリル酸エステル、１−（２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロペンチル）（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロシクロヘキシルメチル（メタ）アクリル酸エステル、１−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル）（メタ）アクリル酸エステル、１−（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシル）（メタ）アクリル酸エステル、１−（５−トリフルオロメチル−３，３，４，４，５，６，６，６−オクタフルオロヘキシル）（メタ）アクリル酸エステル、（（（トリフルオロメチル）スルホニル）アミノ）エチル−１−メタクリレート、２−（（（トリフルオロメチル）スルホニル）アミノ）エチル−１−アクリレート等を挙げることができる。
【００４９】
【化３】
【００５０】
重合体（Ｂ１−１）中に含まれる、繰り返し構造単位（ｂ１）および繰り返し構造単位（ｂ２）の含有割合は、重合体中の全繰り返し構造単位の合計を１００ｍｏｌ％とした場合、通常１００ｍｏｌ％以下であり、好ましくは５０〜１００ｍｏｌ％であり、より好ましくは６０〜１００ｍｏｌ％である。
【００５１】
重合体（Ｂ１−１）のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定される重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算で、通常１０００〜１０００００、好ましくは１０００〜３００００である。実施例の記載に従い測定した値である。
【００５２】
化合物（Ｂ）の含有量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、通常、１〜５０質量部、好ましくは２〜３０質量部である。化合物（Ｂ）の含有量が前記範囲にあると、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく、仮固定材を形成できることから好ましい。
また、化合物（Ｂ）が、フッ素原子を有する繰り返し単位を有する重合体（Ｂ１）であり、重合体（Ａ）が、シクロオレフィン系重合体（Ａ１）の場合、シクロオレフィン系重合体（Ａ１）１００質量部に対して、フッ素原子を有する繰り返し単位を有する重合体（Ｂ１）は、１〜３０質量部、好ましくは２〜２０質量部、より好ましく３〜１５質量部は含有するのが好ましい。フッ素原子を有する繰り返し単位を有する重合体（Ｂ１）の含有量が前記範囲にあると、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく、仮固定材を形成できることから好ましい。
【００５３】
＜溶剤（Ｃ）＞
仮固定用組成物は、仮固定用組成物のハンドリング性を向上させるために、または、重合体（Ａ）や化合物（Ｂ）などの、仮固定用組成物中に含まれる成分を均一に混合するために用いることができる。
【００５４】
溶剤（Ｃ）としては、重合体（Ａ）および化合物（Ｂ）を溶解できる溶剤であればどのようなものでも良いが、例えば、リモネン、メシチレン、ジペンテン、ピネン、ビシクロヘキシル、シクロドデセン、１−ｔｅｒｔ−ブチル−３，５−ジメチルベンゼン、ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン、シクロヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の炭化水素類、アニソール、４−メチル−２−ペンタノール、１−ブチルアルコール、２−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジグライム等のアルコール／エーテル類、酢酸エチル、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン等のエステル／ラクトン類、シクロヘキサノン、等のケトン類、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン等のアミド／ラクタム類が挙げられ、これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、重合体（Ａ）としてシクロオレフィン系重合体（Ａ１）を用いる場合、シクロオレフィン系重合体（Ａ１）の溶解性等の観点から、炭化水素類が好ましい。
【００５５】
＜その他の成分＞
仮固定用組成物は、必要に応じて、さらに、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランなど密着助剤を、仮固定材の伸びを向上させる目的で特開２００３−１９１３７５号公報などに記載のエラストマーを、仮固定後剥離する際、露光により仮固定材を分解させ剥離を容易におこさせるために、ルシリンＴＰＯ（ＢＡＳＦ社製）、イルガキュア６５１（ＢＡＳＦ社製）およびカーボンブラックなどの紫外線吸収剤を、仮固定材の酸化を防止するために、ＴＩＮＵＶＩＮ４７９（ＢＡＳＦ社製）などの酸化防止剤を、添加することができる。
【００５６】
＜仮固定用組成物の調製＞
仮固定用組成物の調製には、上記成分を均一に混合することで行う。また、不純物を除く目的で、適宜、濾過を行うこともできる。仮固定用組成物中に含まれる重合体（Ａ）の含有量は、通常、５〜７０重量％、化合物（Ｂ）の含有量は、通常、０．０１〜１０重量％である。
【００５７】
１−２．工程（２）
工程（２）の模式図を、図１（ｃ）、図２（ａ）、および図２（ｂ）に示す。工程（２）は、剥離層２２の一部を除くことで、接着層２１の一部を表出させる。次いで、剥離層の残部２４および接着層２１を有する側から、支持体４０を押し当てることで、剥離層の除去した部分３０を接着層２１の一部が占めることにより、接着層２１の一部が接着部２３となる。次いで、接着部２３を介して基材１０と支持体４０を仮固定する。つまり、接着層２１から形成した、接着部２３、剥離層の残部２４、接着層の残部２５を有する仮固定材を介して、基材１０と支持体４０を仮固定する。
【００５８】
剥離層２２の除去は、通常、剥離層２２を溶解可能な溶剤と接触させることにより除去する。剥離層２２が溶解可能な溶剤であればどのような溶剤であってもよいが、通常、上述の仮固定用組成物で挙げた溶剤、または、上述の繰り返し構造単位（ｂ２）のような極性基を有している場合は、水並びに水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液などを用いる。剥離層２２と溶剤との接触時間および温度は、溶剤の種類、剥離層の厚さにより適宜選ばれ、通常、１〜１００００秒、１０〜４０℃である。
【００５９】
剥離層２２を除去する場所は、基材の周縁上方に形成した剥離層が好ましい。工程（４）において、接着部２３が他の層や部材（基材、支持体およびその他の層や部など）によって囲まれていると、接着部を除去するのは非常に困難となる。剥離層２２を除去した場所に接着部２３が形成されることから、剥離層２２を除去する場所は、接着部２３が、接着部が基材、支持体およびその他の層や部によって囲まれない場所に形成できる、基材の周縁上方に形成した剥離層が好ましい。
【００６０】
また、工程（３）では、種々のプロセス溶剤が用いられることが多く、当該プロセス溶剤が仮固定材に接触することになる。接着部２３を基材１０の周縁部に形成することで、前記プロセス溶剤に対して相対的に耐性の劣る（溶解する）剥離層の残部２４などを、接着部２３により保護できる。したがって、前記プロセス溶剤による制限を受けることなく、剥離層の残部２４の材質の選択を広げることができることから、剥離層２２を除去する場所は、基材の周縁上に形成した剥離層が好ましい。
【００６１】
前記支持体４０としては、例えば、ガラスやシリコンなどの取扱いが容易で且つ硬くて平坦な面を有するものを用いられる。
支持体を、押し当てる際、接着層２１は加熱しながら（通常、５０〜３５０℃で１０〜３００秒）行っても良い。接着層２１を加熱しながら行うことで、表出させた接着層２１の表面３０と支持体４０との接着を容易に行うことができる。
【００６２】
１−３．工程（３）
工程（３）の模式図を、図２（ｃ）に示す。工程（３）は、前記基材１０を加工する工程、つまり、支持体上に仮固定された基材１０（被加工基材）を加工し、加工基材１１を得る工程である。基材１０の加工処理としては、例えば、基材の薄膜化（例：裏面研削）；エッチング加工、スパッタ膜の形成、メッキ処理およびメッキリフロー処理などから選ばれる一以上の処理を含むフォトファブリケーション；ならびにダイシングが挙げられる。
【００６３】
工程（３）では、種々のプロセス溶剤が用いられることが多く、当該プロセス溶剤が仮固定材に接触することになる。本発明では、当該プロセス溶剤に対して耐性を有する、シクロオレフィン系重合体（Ａ１）を含有する接着層を用いることで、前記プロセス溶剤によりダメージを受けることなく基材の処理が可能となる。
【００６４】
また、工程（３）のフォトファブリケーションにおいては、メッキリフロー処理など高温処理を行われることが多く、仮固定材には耐熱性が必要となる。重合体（Ａ）に耐熱性に優れたシクロオレフィン系重合体（Ａ１）を用いることで、高温処理を行っても仮固定材はダメージを受けることなく基材の処理が可能となる。
【００６５】
１−４．工程（４）
工程（４）の模式図を、図３（ａ）に示す。工程（４）は、接着層の一部（接着部２３を含む）を除き、基材上に、接着層の残部２６、剥離層の残部２７および支持体をこの順に形成する工程である。剥離層の残部２７とは、接着部２３を除いた後の剥離層の残部のことである。
【００６６】
接着部２３を含む接着層の一部を除く方法として、例えば、溶剤で溶解させる方法などのウェットプロセスを用いた方法；プラズマ処理、アッシング処理またはオゾン処理などのドライプロセスを用いた方法が挙げられる。これらのなかでも、溶剤の種類を選択することで、被加工基材へのダメージを最小限に抑えることができることから、ウェットプロセスを用いた方法が好ましい。
【００６７】
前記溶剤としては、例えば、リモネン、メシチレン、ジペンテン、ピネン、ビシクロヘキシル、シクロドデセン、１−tert−ブチル−３，５−ジメチルベンゼン、ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン、シクロヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の炭化水素類、アニソール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジグライム等のアルコール／エーテル類、炭酸エチレン、酢酸エチル、酢酸Ｎ−ブチル、乳酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン等のエステル／ラクトン類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン等のアミド／ラクタム類が挙げられる。
【００６８】
これらの中でも、被加工基材へのダメージを抑えるためには、炭化水素類が好ましい。また、シクロオレフィン系重合体（Ａ１）を含有する仮固定用組成物を用いれば、接続部にはシクロオレフィン系重合体（Ａ１）を含有することになることから、シクロオレフィン系重合体（Ａ１）を容易に溶解できる炭化水素類が好ましい。
【００６９】
ウェットプロセスを用いた方法としては、例えば、溶剤に浸漬する方法、溶剤をスプレーする方法、溶剤に浸漬しながら超音波を加える方法が挙げられる。溶剤の温度は、通常２０〜８０℃、好ましくは２０〜５０℃である。浸漬時間は、通常、１〜１８０分である。
【００７０】
１−５．工程（５）
工程（５）の模式図を、図３（ｂ）に示す。工程（５）は、支持体から加工後の基材を剥離する工程であり、通常、剥離層の残部２７より剥離する。剥離する際に加える力の方向は、加工後の基材１１がダメージを受けなければどのような方向でもよい。例えば、支持体と基材とを支持体の表面に略水平方向にずらす剪断処理（通常、０．１〜５Ｎ／ｃｍ２）により、支持体から基材を剥離すればよく、あるいは、支持体の表面に対して略垂直方向に基材を引っ張ることで、支持体から基材を剥離すればよい。
【００７１】
例えば、基材を支持体の表面に対して水平方向にスライドさせると同時に、支持体を固定する、あるいは前記基材に付加される力に拮抗する力を支持体に付加することによって、基材を支持体から剥離する。なお、本発明において「剪断」とは、支持体と基材との仮固定面の略平行方向に力を作用させることをいう。
【００７２】
また、剥離層が熱や光により接着する力を下げるものである場合、剥離層の残部２７に、加熱処理や露光処理を行った後、もしくは、加熱処理や露光処理を行いながら、剥離を行っても良い。
【００７３】
剥離後の基材１１には、通常、接着層や剥離層の残部が残存しているため、溶剤（通常、上述の仮固定用組成物を製造する際に使用されうる溶剤）で洗浄し、除去する。洗浄方法としては、基材を洗浄液に浸漬する方法、基材に洗浄液をスプレーする方法、基材を洗浄液に浸漬しながら超音波を加える方法などが挙げられる。洗浄液の温度は特に限定されないが、好ましくは２０〜８０℃、より好ましくは２０〜５０℃である。
【００７４】
本発明の基材の仮固定方法は、基材の種類を選ばず、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく、仮固定材を形成することができる。このため、現代の経済活動の場面で要求される様々な加工処理（例：各種材料表面の微細化加工処理、各種表面実装、半導体ウエハや半導体素子の運搬）等に好適である。
【００７５】
３．半導体装置
本発明の半導体装置は、本発明の基材の処理方法によって得られる。本発明の基材の処理方法は、基材の種類を選ばず、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく、仮固定材を形成することができる。
このため、前記半導体素子等の半導体装置は仮固定材による汚染（例：シミ、焦げ）が極めて低減されたものとなっている。また、本発明の半導体装置は、基材自体や基材が有する各部材の破損・損耗が極めて低減されたものとなっている。
【実施例】
【００７６】
以下、本発明の一実施態様を、実施例をもとにより具体的に説明する。
【００７７】
１．化合物（Ｂ）の合成
［合成例１］化合物（Ｂ−１）の合成
４６．８ｇのメタクリル酸（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル−２−ヒドロキシ−４−ブチル）エステル（下記式（ｂ２−ｍ２−１））、及び４．５ｇの２，２’−アゾビス−（２−メチルプロピオン酸メチル）を４０ｇのイソプロパノールに溶解させ、単量体溶液を調製した。窒素で置換したフラスコにイソプロパノール５０ｇを準備し、フラスコ内を８０℃に加熱しながら、前記単量体溶液を２時間かけて滴下した。滴下後、更に８０℃で１時間加熱し、次いで、３．２ｇのビニルスルホン酸を含有するイソプロパノール溶液１０ｇを３０分かけて滴下した。その後、８０℃で１時間加熱した後、冷却して共重合液を得た。得られた共重合液は、溶媒を４−メチル−２−ペンタノール溶液に置換し、化合物（Ｂ−１）の４−メチル−２−ペンタノール溶液を得た。化合物（Ｂ−１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は１０，０００であった。１３ＣＮＭＲによる、下記式（ｂ２−ｍ２−１）の単量体由来の構造単位の含有割合は、化合物（Ｂ−１）中の全繰り返し構造単位の合計を１００ｍｏｌ％とした場合、９８ｍｏｌ％であった。
【００７８】
【化４】
【００７９】
［合成例２］化合物（Ｂ−２）の合成
４６．８ｇのメタクリル酸（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル−２−ヒドロキシ−４−ブチル）エステル（前記式（ｂ２−ｍ２−１））、及び４．５ｇの２，２’−アゾビス−（２−メチルプロピオン酸メチル）を４０ｇのイソプロパノールに溶解させ単量体溶液をフラスコ内に準備し、フラスコ内を８０℃で４時間３０分加熱した。その後、フラスコ内を３０℃以下に冷却して、共重合液を得た。得られた共重合液をｎ−ヘキサンで精製後、４−メチル−２−ペンタノール溶液に置換し、化合物（Ｂ−２）の４−メチル−２−ペンタノール溶液を得た。化合物（Ｂ−２）の重量平均分子量（Ｍｗ）は１０，０００であった。
【００８０】
なお、Ｍｗは、下記の条件によるＧＰＣにより測定した。
装置：ＨＬＣ−８１２０（東ソー製）
カラム：Ｇ２０００ＨＸＬ２本、Ｇ３０００ＨＸＬ１本、Ｇ４０００ＨＸＬ１本（以上、東ソー製）
溶出溶剤：テトラヒドロフラン
カラム温度：４０℃
流速：１．０ｍＬ／分
標準物質：単分散ポリスチレン
【００８１】
１．仮固定用組成物の準備
［実施例１］仮固定用組成物１の調製
１００質量部のシクロオレフィン重合体（商品名「ＡＲＴＯＮ Ｒ５３００」、ＪＳＲ（株）製）と、４０質量部の水添Ｃ９系石油樹脂（商品名「アルコンＰ−１４０」、荒川化学工業（株）製）と、３質量部の商品名「ＴＩＮＵＶＩＮ ４７９」（ＢＡＳＦ社製）と、７質量部の前記合成例１で得た化合物（Ｂ−１）と、２５質量部の４−メチル−２−ペンタノールと、３５０質量部のメシチレンとを混合することにより、仮固定用組成物１を調製した。
【００８２】
［実施例２］仮固定用組成物２の調製
１００質量部のシクロオレフィン重合体（商品名「ＡＲＴＯＮ Ｒ５３００」、ＪＳＲ（株）製）と、４０質量部の水添Ｃ９系石油樹脂（商品名「アルコンＰ−１４０」、荒川化学工業（株）製）と、３質量部の商品名「ＴＩＮＵＶＩＮ ４７９」（ＢＡＳＦ社製）と、７質量部の前記合成例２で得た化合物（Ｂ−２）と、２５質量部の４−メチル−２−ペンタノールと、３５０質量部のメシチレンとを混合することにより、仮固定用組成物２を調製した。
【００８３】
［参考例１］組成物１の調製
１００質量部のシクロオレフィン重合体（商品名「ＡＲＴＯＮ Ｒ５３００」、ＪＳＲ（株）製）と、４０質量部の水添Ｃ９系石油樹脂（商品名「アルコンＰ−１４０」、荒川化学工業（株）製）と、３質量部の商品名「ＴＩＮＵＶＩＮ ４７９」（ＢＡＳＦ社製）と、３５０質量部のメシチレンとを混合することにより、組成物１を調製した。
【００８４】
［参考例２］組成物２
１００質量部の前記合成例１で得た化合物（Ｂ−１）と、７０質量部の４−メチル−２−ペンタノールとを混合することにより、組成物２を調製した。
【００８５】
３．評価
［実施例３］
実施例１で調製した仮固定用組成物１を、スピンコート法で、直径８インチのシリコンウエハ上に塗布し、ホットプレートを用いて１６０℃で５分間、さらに２３０℃で８分間加熱し、厚さ４０μｍの塗膜を得た。塗膜を有する基板を縦１ｃｍ、横１ｃｍの正方形に切断した。次いで、切断した基板の塗膜上に、縦０．５ｃｍ、横０．５ｃｍの正方形のマスキングテープを塗膜の表面の中央に貼り付けた。マスキングテープを貼り付けた基板を、４−メチル−２−ペンタノール（２３℃）に１０秒間浸漬後、マスキングテープをはがした。
次いで、マスキングテープをはがした後の基板と、ガラス基板（縦２ｃｍ、横２ｃｍ、正方形）とを、ダイボンダー装置を用いて、１８０℃で５Ｎの力を６０秒間加え、シリコンウエハとガラス基板とを仮固定材を介して仮固定した。ガラス基板と、仮固定材との間に気泡なく、仮固定されていることを目視により確認できた。また、万能ボンドテスター（商品名「デイジ４０００」、デイジ社製）を用いて、ガラス基板と平行方向に剪断力（５００μｍ／秒の速度で、２３℃で２０Ｎ／ｃｍ２）を加えたが、シリコンウエハおよびガラス基板はずれずに保持していることから、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく仮固定できていることを確認できた。
次いで、仮固定した基材を、メシチレン（２３℃）に１０分間浸漬し、その後、浸漬後の基材を万能ボンドテスター（商品名「デイジ４０００」、デイジ社製）を用いて、ガラス基板と平行方向に剪断力（５００μｍ／秒の速度で、２３℃で５Ｎ／ｃｍ２以下）を加えたところ、シリコンウエハをガラス基板から剥離することができた。
【００８６】
［実施例４］
実施例２で調製した仮固定用組成物２を、スピンコート法で、直径８インチのシリコンウエハ上に塗布し、ホットプレートを用いて１６０℃で５分間、さらに２３０℃で８分間加熱し、厚さ４０μｍの塗膜を得た。塗膜を有する基板を縦１ｃｍ、横１ｃｍの正方形に切断した。次いで、切断した基板の塗膜上に、縦０．５ｃｍ、横０．５ｃｍの正方形のマスキングテープを塗膜の表面の中央に貼り付けた。マスキングテープを貼り付けた基板を、４−メチル−２−ペンタノール（２３℃）に１０秒間浸漬後、マスキングテープをはがした。
次いで、マスキングテープをはがした後の基板と、ガラス基板（縦２ｃｍ、横２ｃｍ、正方形）とを、ダイボンダー装置を用いて、１８０℃で５Ｎの力を６０秒間加え、シリコンウエハとガラス基板とを仮固定材を介して仮固定した。ガラス基板と、仮固定材との間に気泡なく、仮固定されていることを目視により確認できた。また、万能ボンドテスター（商品名「デイジ４０００」、デイジ社製）を用いて、ガラス基板と平行方向に剪断力（５００μｍ／秒の速度で、２３℃で２０Ｎ／ｃｍ２）を加えたが、シリコンウエハおよびガラス基板はずれずに保持していることから、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく仮固定できていることを確認できた。
次いで、仮固定した基材を、メシチレン（２３℃）に１０分間浸漬し、その後、浸漬後の基材を万能ボンドテスター（商品名「デイジ４０００」、デイジ社製）を用いて、ガラス基板と平行方向に剪断力（５００μｍ／秒の速度で、２３℃で５Ｎ／ｃｍ２以下）を加えたところ、シリコンウエハをガラス基板から剥離することができた。
【００８７】
［比較例１］
参考例１で調製した組成物１を、スピンコート法で、直径８インチのシリコンウエハ上に塗布し、ホットプレートを用いて１６０℃で５分間、さらに２３０℃で８分間加熱し、厚さ４０μｍの塗膜を形成した。得られた基板を縦１ｃｍ、横１ｃｍの正方形に切断し、組成物１から形成した塗膜を有する基板を得た。
縦０．７ｃｍ、横０．７ｃｍの正方形のマスキングテープを貼った直径８インチのガラス基板上に、参考例２で調製した組成物２を、スピンコート法で塗布し、ホットプレートを用いて２００℃で５分間加熱し、厚さ１５μｍの塗膜を形成した。マスキングテープが塗膜の表面の中央となるように、マスキングテープの周りを、縦２ｃｍ、横２ｃｍの正方形に切断した。切断したガラス基板を、４−メチル−２−ペンタノール（２３℃）に５分間浸漬後、マスキングテープを剥離し、縦０．７ｃｍ、横０．７ｃｍの組成物２から形成した塗膜を有するガラス基板を得た。
組成物１から形成した塗膜を有する基板と、縦０．７ｃｍ、横０．７ｃｍの組成物２から形成した塗膜を有するガラス基板とを、ダイボンダー装置を用いて、１８０℃で５Ｎの力を６０秒間加え、シリコンウエハとガラス基板とを仮固定材を介して仮固定した。ガラス基板と、仮固定材との間に気泡を確認した。
【００８８】
［参考例３］
実施例１で調製した仮固定用組成物１を、スピンコート法で、直径８インチのシリコンウエハ上に塗布し、ホットプレートを用いて１６０℃で５分間、さらに２３０℃で８分間加熱し、シリコンウエハと厚さ４０μｍの塗膜とを有する基板を得た。得られた基板を縦１ｃｍ、横１ｃｍの正方形に切断した。
切断後の基板と、ガラス基板（縦２ｃｍ、横２ｃｍ、正方形）とを、ダイボンダー装置を用いて、２２０℃で１５Ｎの力を１２０秒間加え、シリコンウエハとガラス基板とを仮固定用組成物１から形成した塗膜を介して仮固定した。
次いで、仮固定した基材を、密着強度試験器（（株）山本鍍金試験器製）を用いて、ガラス基板と垂直方向に力（１ｍｍ／秒の速度で、２３℃で１４Ｎ／ｃｍ２）を加えたところ、基板から、ガラス基板は剥離した。
【００８９】
［参考例４］
実施例１で調製した仮固定用組成物１を、スピンコート法で、直径８インチのシリコンウエハ上に塗布し、ホットプレートを用いて１６０℃で５分間、さらに２３０℃で８分間加熱し、シリコンウエハと厚さ４０μｍの塗膜とを有する基板を得た。得られた基板を縦１ｃｍ、横１ｃｍの正方形に切断した。次いで、切断した基板を、４−メチル−２−ペンタノール（２３℃）に１０秒間浸漬した。
浸漬後の基板と、ガラス基板（縦２ｃｍ、横２ｃｍ、正方形）とを、ダイボンダー装置を用いて、２２０℃で１５Ｎの力を１２０秒間加え、シリコンウエハとガラス基板とを仮固定用組成物１から形成した塗膜を介して仮固定した。
次いで、仮固定した基材を、密着強度試験器（（株）山本鍍金試験器製）を用いて、ガラス基板と垂直方向に力（１ｍｍ／秒の速度で、２３℃で２０Ｎ／ｃｍ２）を加えたが、シリコンウエハおよびガラス基板はずれずに保持していることが確認できた。
【００９０】
参考例３および参考例４の結果より、実施例１および実施例２において、剥離層が形成しており、また、４−メチル−２−ペンタノールにより、剥離層を除去できることが推定できた。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材の仮固定方法、半導体装置、および基材を処理する際に、基材を支持体上に仮固定するために用いることができる仮固定材の形成に好適な原料組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハなどの基材を加工（例：ダイシング、裏面研削、フォトファブリケーション）や移動（例：ある装置から別の装置へ基材を移動）するに際して、支持体から基材がずれて動かないように、仮固定材などを用いて基材と支持体とを仮固定する必要がある。そして、加工および／または移動終了後は、基材を支持体から剥離する必要がある。
例えば、特許文献１には、基材や支持体の周縁部で基材と支持体とを接着層を介して接着し、それ以外の部分は、基材を支持体から剥離するのに有利な機能を有する層（例えば、剥離剤で形成された層：剥離層）を有する仮固定材を用いた仮固定する方法が提案されていた。
【０００３】
このような仮固定材を形成するための手段として、接着層および剥離層は、各々別に形成する方法、例えば、１）支持体の周縁部以外の部分に剥離層を形成し、また、基材の全面に接着層を形成し、その後、支持体と基材とを、剥離層と接着層が向かい合うように貼り合わせることで形成する方法、２）基材上に接着層を形成し、次いで、接着層上の周縁部以外の部分に剥離層を形成し、その後、支持体と基材とを、接着層および剥離層を介して貼り合わせることで形成する方法、３）基材上の周縁部以外の部分に剥離層を形成し、次いで、周縁部に接着層を分注して形成し、その後、支持体と基材とを、接着層および剥離層を介して貼り合わせることで形成する方法、が提案されていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２０１１−５１０５１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、剥離層を塗布により形成する際、基材の種類によっては、塗布液と基材がはじき、基材上に均一に剥離層を形成することが困難である。また、剥離層を塗布により形成する際、基材上に均一に薄く剥離層を形成することは困難であるため、剥離層は厚膜で形成することになる。このため、基材と支持体を貼り合わせる際、剥離層が不均一であることや、剥離層が厚膜であることにより、基材や支持体と、仮固定材との間で浮きが生じ、基材の加工の際に、この浮きが原因で支持体から基材が脱落するという課題がある。特に基材が、大きかったり、重かったりする場合は、支持体から基材が脱落するという課題が顕著に出てくる。
【０００６】
本発明の課題は、特許文献１の基材の仮固定方法のように、部分的に形成した接着層と剥離層とを有する仮固定材を介して仮固定する方法において、基材と支持体とを貼り合わせる際、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく、仮固定材を形成できる基材の仮固定方法を提供すること、ならびに前記基材の仮固定方法に関連した仮固定用組成物および半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討を行った。その結果、以下の構成を有する基材の仮固定方法により上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち本発明は、例えば以下の［１］〜［８］に関する。
【０００８】
［１］（１）重合体（Ａ）、および前記重合体（Ａ）と実質的に非混和性の化合物（Ｂ）を含有する仮固定用組成物により、基材上に、接着層および剥離層をこの順に形成する工程；
（２）前記剥離層の一部を除き、接着層を介して、前記基材と支持体を仮固定する工程；
（４）前記接着層の一部を除き、基材上に、接着層の残部、剥離層の残部および支持体をこの順に形成する工程；ならびに
（５）支持体から加工後の基材を剥離する工程；
をこの順で有する基材の仮固定方法。
［２］前記接着層が、シクロオレフィン系重合体（Ａ１）を含有する接着層である前記［１］の基材の仮固定方法。
［３］前記工程（４）が、前記接着層の一部を炭化水素系溶剤に溶解させることで除き、基材上に、接着層の残部、剥離層の残部および支持体をこの順に形成する工程；である前記［２］の基材の仮固定方法。
［４］前記剥離層の膜厚が、１〜１０００ｎｍである前記［１］の基材の仮固定方法。
［５］前記［１］〜［４］の基材の仮固定方法に用いられる仮固定用組成物であって、重合体（Ａ）、および前記重合体（Ａ）と実質的に非混和性の化合物（Ｂ）を含有する仮固定用組成物。
［６］前記重合体（Ａ）が、シクロオレフィン系重合体（Ａ１）である前記［５］の仮固定用組成物。
［７］シクロオレフィン系重合体（Ａ１）１００質量部と、フッ素原子を有する繰り返し単位を有する重合体（Ｂ１）を１〜３０質量部含有する組成物。
［８］前記［１］の基材の仮固定方法により得られる半導体装置。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、基材と支持体とを貼り合わせる際、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく、仮固定材を形成できる基材の仮固定方法を提供すること、ならびに前記基材の仮固定方法に関連した仮固定用組成物および半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】基材の仮固定方法の一実施態様の模式図。
【図２】基材の仮固定方法の一実施態様の模式図。
【図３】基材の仮固定方法の一実施態様の模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の基材の仮固定方法、前記基材の仮固定方法に関連した仮固定用組成物、および前記基材の仮固定方法によって得られる半導体装置について説明する。
本発明において仮固定用組成物とは、仮固定材を形成するための組成物である。仮固定材とは、半導体ウエハなどの基材を加工（例：ダイシング、裏面研削、フォトファブリケーション（例：レジストパターンの形成、メッキ等による金属バンプ形成、化学気相成長等による膜形成、ＲＩＥなどによる加工））や移動（例：ある装置から別の装置へ基材を移動）するに際して、支持体から基材がずれて動かないように基材を仮固定するために用いられる仮固定材のことである。
【００１２】
１．基材の仮固定方法
本発明の基材の仮固定方法は、
（１）重合体（Ａ）、および前記重合体（Ａ）と実質的に非混和性の化合物（Ｂ）を含有する仮固定用組成物により、基材上に、接着層および剥離層をこの順に形成する工程；
（２）前記剥離層の一部を除き、接着層を介して、前記基材と支持体を仮固定する工程；
（４）前記接着層の一部を除き、基材上に、接着層の残部、剥離層の残部および支持体をこの順に形成する工程；ならびに
（５）支持体から加工後の基材を剥離する工程；
をこの順で有する。以下、上記各工程をそれぞれ、工程（１）〜工程（５）ともいう。
【００１３】
本発明では、重合体（Ａ）、および重合体（Ａ）と実質的に非混和性の化合物（Ｂ）を含有する仮固定用組成物から、基材上に、接着層および剥離層を形成することから、接着層上に、均一に薄く剥離層を形成することができる。ここから、剥離層の一部を除去することで、接着部、剥離層の残部および接着層の残部を有する仮固定材を形成することができる。このため、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく、基材と支持体とを貼り合わせることができる。
【００１４】
１−１．工程（１）
工程（１）の模式図を、図１（ａ）および図１（ｂ）に示す。工程（１）は、基材１０上に、重合体（Ａ）、および前記重合体（Ａ）と実質的に非混和性の化合物（Ｂ）を含有する仮固定用組成物を塗布することで、仮固定用組成物からなる塗膜２０を形成し、次いで、塗膜２０から、重合体（Ａ）と化合物（Ｂ）が層分離することで、重合体（Ａ）をより多く含有する接着層２１、および化合物（Ｂ）をより多く含有する剥離層２２を基板１０上に形成する。
【００１５】
加工の対象物である基材１０としては、例えば、半導体ウエハ、ガラス基板、樹脂基板、金属基板、金属箔を有する基板が挙げられる。半導体ウエハには、通常はバンプや配線、絶縁膜などが形成されている。樹脂塗膜としては、例えば、有機成分を主成分として含有する層が挙げられ；具体的には、感光性材料から形成される感光性樹脂層、絶縁性材料から形成される絶縁性樹脂層、感光性絶縁樹脂材料から形成される感光性絶縁樹脂層などが挙げられる。
【００１６】
基材上に塗膜２０形成するに際して、塗膜２０を面内で均一に形成するため、基材表面を予め表面処理することもできる。表面処理の方法としては、例えば、基材表面に予め表面処理剤を塗布する方法が挙げられる。
【００１７】
表面処理剤としては、例えば、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラザンなどのシリコン系化合物が挙げられる。これらは、スピンコート法や、ガス状にして基材上に形成する。
【００１８】
仮固定用組成物の塗布方法としては、スピンコート法、等の従来公知の塗布方法を用いることができる。スピンコート法では、基材の大きさにより適宜決められ、例えば、１２インチのシリコンウエハの場合、通常、回転速度が３００〜３，５００ｒｐｍ（好ましくは５００〜１，５００ｒｐｍ）、加速度が５００〜１５，０００ｒｐｍ／秒、回転時間が３０〜３００秒という条件で行われる。
【００１９】
仮固定用組成物を塗布して塗膜２０を形成した後は、接着層２１と剥離層２２の形成を促進するために、および、仮固定用組成物中に溶剤を含む場合は、溶剤を蒸発させるためにホットプレート等で加熱処理を行うことができる。加熱処理の温度は、通常１５０〜２７５℃、好ましくは１５０〜２６０℃であり、時間が２〜１５分、より好ましくは３〜１０分である。塗膜２０の膜厚は、通常、５〜５００μｍである。
【００２０】
後述のとおり、化合物（Ｂ）は、重合体（Ａ）よりも低い表面エネルギーを有していることから、層分離により、化合物（Ｂ）は塗膜２０の表面に偏在する。この偏在により、重合体（Ａ）をより多く含む接着層２１と、化合物（Ｂ）をより多く含む剥離層２２が形成される。なお、ここで剥離層２２とは、化合物（Ｂ）が、６０重量％以上含む層を示し、接着層２１とは、塗膜から形成する層において、剥離層２２以外の層を示す。
なお、剥離層中に含まれる化合物（Ｂ）の含有量は、Ｘ線電子分光法（ＥＳＣＡ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ ｆｏｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ）にて測定した値である。
【００２１】
接着層２１の膜厚は、通常、５〜５００μｍである。また、基材１０の接着層２１形成面側に、バンプなどの突起物がある場合、当該突起物を保護するために、接着層で突起物を覆うことがある。このことから、突起物の高さにより接着層２１の膜厚は適宜決めることができるが、突起物を有する場合、突起物の高さ１に対して、通常、接着層２１の膜厚は、１．５以上で形成する。
【００２２】
剥離層２２の膜厚は、通常、１〜１０００ｎｍであり、好ましくは、５〜９００ｎｍ、より好ましくは１０〜８００ｎｍである。
【００２３】
１−１−１．仮固定用組成物
仮固定用組成物は、重合体（Ａ）と、および前記重合体（Ａ）と実質的に非混和性の化合物（Ｂ）を含有する。また、必要に応じて溶剤（Ｃ）を含有する。
【００２４】
＜重合体（Ａ）＞
重合体（Ａ）は、熱硬化性樹脂でも、熱可塑性樹脂でも、どのような重合体であってもよい。これらの中でも、工程（４）において、接着層の一部を、溶剤にて容易に除去するためには、熱可塑性樹脂が好ましい。
【００２５】
熱可塑性樹脂としては、シクロオレフィン系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリイミド系樹脂などの溶融温度の高い樹脂；ノボラック樹脂、Ｃ５系石油樹脂、Ｃ９系石油樹脂、Ｃ５系／Ｃ９系混合石油樹脂、シクロペンタジエン系樹脂、ビニル置換芳香族化合物の重合体、オレフィンとビニル置換芳香族化合物との共重合体、シクロペンタジエン系化合物とビニル置換芳香族化合物との共重合体、これらの水素添加物などの溶融温度の低い樹脂；を挙げられる。熱可塑性樹脂は、２種以上組み合わせて使うことができる。例えば、溶融温度の高い樹脂と溶融温度の低い樹脂を組み合わせることで、接着層の溶融温度を制御することができる。これらの中でも、シクロオレフィン系樹脂（Ａ１）が好ましい。
【００２６】
シクロオレフィン系重合体（Ａ１）としては、例えば、環状オレフィンの付加共重合体、環状オレフィンの開環メタセシス重合体、前記開環メタセシス重合体を水素化して得られる重合体が挙げられる。このようなシクロオレフィン系重合体（Ａ１）の重合方法は従来公知である。シクロオレフィン系重合体（Ａ１）のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定される重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算で、通常５，０００〜１，０００，０００、好ましくは１０，０００〜５００，０００である。
【００２７】
環状オレフィンとしては、例えば、ノルボルネン系オレフィン、テトラシクロドデセン系オレフィン、ジシクロペンタジエン系オレフィン、およびこれらの誘導体が挙げられる。前記誘導体としては、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基）、アルキリデン基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０のアルキリデン基）、アラルキル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜１８のアラルキル基）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜３０、より好ましくは炭素数３〜１８のシクロアルキル基）、ヒドロキシ基、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１０のアルコキシ基）、アセチル基、シアノ基、アミド基、イミド基、シリル基、およびアリール基などによる置換誘導体が挙げられる。
【００２８】
シクロオレフィン系重合体（Ａ１）の市販品としては、例えば、日本ゼオン（株）製の「ＺＥＯＮＯＲ（ゼオノア）」や「ＺＥＯＮＥＸ（ゼオネックス）」、ＪＳＲ（株）製の「ＡＲＴＯＮ（アートン）」、ＴＯＰＡＳ ＡＤＶＡＮＣＥＤ ＰＯＬＹＭＥＲＳ社製の「ＴＯＰＡＳ（トパス）」、三井化学（株）製の「ＡＰＥＬ（アペル）」などが挙げられる。
【００２９】
＜化合物（Ｂ）＞
重合体（Ａ）と実質的に非混和の化合物（Ｂ）とは、仮固定用組成物では重合体（Ａ）や他の成分と均一に溶解もしくは分散しているが、仮固定用組成物から塗膜を形成するときに重合体（Ａ）や他の成分との溶解性もしくは分散性が低下する化合物を示す。
【００３０】
化合物（Ｂ）は、重合体（Ａ）よりも低い表面エネルギーを有している。このため、重合体（Ａ）と化合物（Ｂ）を含有する塗膜において、化合物（Ｂ）は塗膜の表面に偏在し、剥離層を形成する。前記、表面エネルギーは、通常、重合体（Ａ）の表面エネルギーよりも、０．０１ｍＮ／ｍ以上、好ましくは０．１ｍＮ／ｍ以上低い。
【００３１】
化合物（Ｂ）としては、フッ素原子を有する繰り返し単位を有する重合体（Ｂ１）であることが好ましい。このような繰り返し単位の具体例としては、特開２００７−１６３６０６号公報、特開２０１１−０９５６２３号公報および特開２０１１−１７０２８４号公報に記載の重合体等が挙げられる。
化合物（Ｂ）としては、例えば、特開２００７−１６３６０６号公報に記載の、珪素原子を有する化合物等を用いることもできる。
【００３２】
これらの中でも、下記一般式（ｂ１）および／または（ｂ２）で表される繰り返し単位を有する重合体（Ｂ１−１）が、良好に接着層２１と剥離層２２を形成でき、均一な剥離層を形成できることから、基材と支持体とを貼り合わせる際、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく、仮固定材を形成できるため、好ましい。
【００３３】
【化１】
【００３４】
一般式（ｂ１）および（ｂ２）中、Ｒ１は、水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。一般式（ｂ１）中、Ｒｆ１は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１〜３０の炭化水素基を示す。一般式（ｂ２）中、Ｒ２は、（ｎ＋１）価の連結基を示す。ｎは、１〜３の整数を示す。Ｒ３は、水素原子又は１価の有機基を示す。Ｒｆ２は、相互に独立に、水素原子、電子吸引性基を示す。
【００３５】
一般式（ｂ１）中のＲｆ１の例としては、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状の脂肪族炭化水素基や、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数４〜２０の脂環式炭化水素基又はそれから誘導される基がある。
【００３６】
少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状の脂肪族炭化水素基の例としては、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、２−（２−メチルプロピル）基、１−ペンチル基、２−ペンチル基、３−ペンチル基、１−（２−メチルブチル）基、１−（３−メチルブチル）基、２−（２−メチルブチル）基、２−（３−メチルブチル）基、ネオペンチル基、１−ヘキシル基、２−ヘキシル基、３−ヘキシル基、１−（２−メチルペンチル）基、１−（３−メチルペンチル）基、１−（４−メチルペンチル）基、２−（２−メチルペンチル）基、２−（３−メチルペンチル）基、２−（４−メチルペンチル）基、３−（２−メチルペンチル）基、３−（３−メチルペンチル）基、又はこれらの部分フッ素化或いはこれらのパーフルオロアルキル化した基等を挙げることができる。
【００３７】
また、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数４〜２０の脂環式炭化水素基又はそれから誘導される基の例としては、シクロペンチル基、シクロペンチルメチル基、１−（１−シクロペンチルエチル）基、１−（２−シクロペンチルエチル）基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、１−（１−シクロヘキシルエチル）基、１−（２−シクロヘキシルエチル基）、シクロヘプチル基、シクロヘプチルメチル基、１−（１−シクロヘプチルエチル）基、１−（２−シクロヘプチルエチル）基、２−ノルボルニル基等の脂環式炭化水素基、またはこれらの部分フッ素化或いはこれらのパーフルオロアルキル化した基等がある。
【００３８】
一般式（ｂ２）中、Ｒ３は、水素原子又は１価の有機基を示す。１価の有機基としては炭素数１〜３０の１価の置換基を有していてもよい炭化水素基を挙げることができる。
【００３９】
炭素数１〜３０の１価の炭化水素基の例としては、炭素数１〜１０で直鎖状又は分岐状の脂肪族炭化水素基や炭素数３〜３０の脂環式炭化水素基があり、炭素数１〜７の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基及び炭素数３〜７の脂環式炭化水素基が好ましい。
【００４０】
炭素数１〜１０で直鎖状又は分岐状の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、２−（２−メチルプロピル）基、１−ペンチル基、２−ペンチル基、３−ペンチル基、１−（２−メチルブチル）基、１−（３−メチルブチル）基、２−（２−メチルブチル）基、２−（３−メチルブチル）基、ネオペンチル基、１−ヘキシル基、２−ヘキシル基、３−ヘキシル基、１−（２−メチルペンチル）基、１−（３−メチルペンチル）基、１−（４−メチルペンチル）基、２−（２−メチルペンチル）基、２−（３−メチルペンチル）基、２−（４−メチルペンチル）基、３−（２−メチルペンチル）基、３−（３−メチルペンチル）基等を挙げることができる。また、炭素数３〜３０の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロペンチルメチル基、１−（１−シクロペンチルエチル）基、１−（２−シクロペンチルエチル）基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘプチル基、２−ノルボルニル基等を挙げることができる。また、この炭化水素基は置換基を有していてもよい。
【００４１】
一般式（ｂ２）中、Ｒ２は、（ｎ＋１）価の連結基を示す。連結基の例としては、単結合又は炭素数１〜３０の（ｎ＋１）価の炭化水素基がある。また、これらの炭化水素基と、酸素原子、硫黄原子、イミノ基、カルボニル基、−ＣＯ−Ｏ−基、又は−ＣＯ−ＮＨ−基との組み合わせがある。
【００４２】
一般式（ｂ２）中、Ｒｆ２は水素原子または電子吸引性基を示す。電子求引性基としては、フッ素原子、又は少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１〜３０の炭化水素基、ニトロ基、シアノ基等を挙げることができる。少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１〜３０の炭化水素基としては、前記Ｒｆ１と同様のことがいえる。
【００４３】
繰り返し単位（ｂ１）および／または（ｂ２）を有する重合体（Ｂ１−１）は、公知の方法、例えば、重合開始剤や連鎖移動剤の存在下、重合溶剤中で、繰り返し単位（ｂ１）を与える単量体および／または繰り返し単位（ｂ２）を与える単量体と、必要に応じて他の単量体（ｂ３）を、ラジカル重合することによって合成できる。
【００４４】
繰り返し単位（ｂ１）を与える単量体としては、トリフルオロメチル（メタ）アクリル酸エステル、２，２，２−トリフルオロエチル（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロエチル（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロｎ−プロピル（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロｉ−プロピル（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロｎ−ブチル（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロｉ−ブチル（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロｔ−ブチル（メタ）アクリル酸エステル、２−（１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロピル）（メタ）アクリル酸エステル、１−（２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロペンチル）（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロシクロヘキシルメチル（メタ）アクリル酸エステル、１−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル）（メタ）アクリル酸エステル、１−（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシル）（メタ）アクリル酸エステル、１−（５−トリフルオロメチル−３，３，４，４，５，６，６，６−オクタフルオロヘキシル）（メタ）アクリル酸エステル等がある。繰り返し単位（ｂ１）を与える単量体は、市販品を用いることができる。
【００４５】
繰り返し単位（ｂ２）を与える単量体としては、下記一般式（ｂ２−ｍ１）〜（ｂ２−ｍ５）に示す単量体がある。
【００４６】
【化２】
【００４７】
一般式（ｂ２−ｍ１）〜（ｂ２−ｍ５）中、Ｒ１及びＲ３は、一般式（ｂ２）中のＲ１及びＲ３と同じである。
【００４８】
前記他の単量体（ｂ３）としては、下記一般式（ｂ３−ｍ１）〜（ｂ３−ｍ４）に示す単量体や、トリフルオロメチル（メタ）アクリル酸エステル、２，２，２−トリフルオロエチル（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロエチル（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロｎ−プロピル（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロｉ−プロピル（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロｎ−ブチル（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロｉ−ブチル（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロｔ−ブチル（メタ）アクリル酸エステル、２−（１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロピル）（メタ）アクリル酸エステル、１−（２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロペンチル）（メタ）アクリル酸エステル、パーフルオロシクロヘキシルメチル（メタ）アクリル酸エステル、１−（２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル）（メタ）アクリル酸エステル、１−（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシル）（メタ）アクリル酸エステル、１−（５−トリフルオロメチル−３，３，４，４，５，６，６，６−オクタフルオロヘキシル）（メタ）アクリル酸エステル、（（（トリフルオロメチル）スルホニル）アミノ）エチル−１−メタクリレート、２−（（（トリフルオロメチル）スルホニル）アミノ）エチル−１−アクリレート等を挙げることができる。
【００４９】
【化３】
【００５０】
重合体（Ｂ１−１）中に含まれる、繰り返し構造単位（ｂ１）および繰り返し構造単位（ｂ２）の含有割合は、重合体中の全繰り返し構造単位の合計を１００ｍｏｌ％とした場合、通常１００ｍｏｌ％以下であり、好ましくは５０〜１００ｍｏｌ％であり、より好ましくは６０〜１００ｍｏｌ％である。
【００５１】
重合体（Ｂ１−１）のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定される重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算で、通常１０００〜１０００００、好ましくは１０００〜３００００である。実施例の記載に従い測定した値である。
【００５２】
化合物（Ｂ）の含有量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、通常、１〜５０質量部、好ましくは２〜３０質量部である。化合物（Ｂ）の含有量が前記範囲にあると、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく、仮固定材を形成できることから好ましい。
また、化合物（Ｂ）が、フッ素原子を有する繰り返し単位を有する重合体（Ｂ１）であり、重合体（Ａ）が、シクロオレフィン系重合体（Ａ１）の場合、シクロオレフィン系重合体（Ａ１）１００質量部に対して、フッ素原子を有する繰り返し単位を有する重合体（Ｂ１）は、１〜３０質量部、好ましくは２〜２０質量部、より好ましく３〜１５質量部は含有するのが好ましい。フッ素原子を有する繰り返し単位を有する重合体（Ｂ１）の含有量が前記範囲にあると、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく、仮固定材を形成できることから好ましい。
【００５３】
＜溶剤（Ｃ）＞
仮固定用組成物は、仮固定用組成物のハンドリング性を向上させるために、または、重合体（Ａ）や化合物（Ｂ）などの、仮固定用組成物中に含まれる成分を均一に混合するために用いることができる。
【００５４】
溶剤（Ｃ）としては、重合体（Ａ）および化合物（Ｂ）を溶解できる溶剤であればどのようなものでも良いが、例えば、リモネン、メシチレン、ジペンテン、ピネン、ビシクロヘキシル、シクロドデセン、１−ｔｅｒｔ−ブチル−３，５−ジメチルベンゼン、ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン、シクロヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の炭化水素類、アニソール、４−メチル−２−ペンタノール、１−ブチルアルコール、２−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジグライム等のアルコール／エーテル類、酢酸エチル、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン等のエステル／ラクトン類、シクロヘキサノン、等のケトン類、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン等のアミド／ラクタム類が挙げられ、これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、重合体（Ａ）としてシクロオレフィン系重合体（Ａ１）を用いる場合、シクロオレフィン系重合体（Ａ１）の溶解性等の観点から、炭化水素類が好ましい。
【００５５】
＜その他の成分＞
仮固定用組成物は、必要に応じて、さらに、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランなど密着助剤を、仮固定材の伸びを向上させる目的で特開２００３−１９１３７５号公報などに記載のエラストマーを、仮固定後剥離する際、露光により仮固定材を分解させ剥離を容易におこさせるために、ルシリンＴＰＯ（ＢＡＳＦ社製）、イルガキュア６５１（ＢＡＳＦ社製）およびカーボンブラックなどの紫外線吸収剤を、仮固定材の酸化を防止するために、ＴＩＮＵＶＩＮ４７９（ＢＡＳＦ社製）などの酸化防止剤を、添加することができる。
【００５６】
＜仮固定用組成物の調製＞
仮固定用組成物の調製には、上記成分を均一に混合することで行う。また、不純物を除く目的で、適宜、濾過を行うこともできる。仮固定用組成物中に含まれる重合体（Ａ）の含有量は、通常、５〜７０重量％、化合物（Ｂ）の含有量は、通常、０．０１〜１０重量％である。
【００５７】
１−２．工程（２）
工程（２）の模式図を、図１（ｃ）、図２（ａ）、および図２（ｂ）に示す。工程（２）は、剥離層２２の一部を除くことで、接着層２１の一部を表出させる。次いで、剥離層の残部２４および接着層２１を有する側から、支持体４０を押し当てることで、剥離層の除去した部分３０を接着層２１の一部が占めることにより、接着層２１の一部が接着部２３となる。次いで、接着部２３を介して基材１０と支持体４０を仮固定する。つまり、接着層２１から形成した、接着部２３、剥離層の残部２４、接着層の残部２５を有する仮固定材を介して、基材１０と支持体４０を仮固定する。
【００５８】
剥離層２２の除去は、通常、剥離層２２を溶解可能な溶剤と接触させることにより除去する。剥離層２２が溶解可能な溶剤であればどのような溶剤であってもよいが、通常、上述の仮固定用組成物で挙げた溶剤、または、上述の繰り返し構造単位（ｂ２）のような極性基を有している場合は、水並びに水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液などを用いる。剥離層２２と溶剤との接触時間および温度は、溶剤の種類、剥離層の厚さにより適宜選ばれ、通常、１〜１００００秒、１０〜４０℃である。
【００５９】
剥離層２２を除去する場所は、基材の周縁上方に形成した剥離層が好ましい。工程（４）において、接着部２３が他の層や部材（基材、支持体およびその他の層や部など）によって囲まれていると、接着部を除去するのは非常に困難となる。剥離層２２を除去した場所に接着部２３が形成されることから、剥離層２２を除去する場所は、接着部２３が、接着部が基材、支持体およびその他の層や部によって囲まれない場所に形成できる、基材の周縁上方に形成した剥離層が好ましい。
【００６０】
また、工程（３）では、種々のプロセス溶剤が用いられることが多く、当該プロセス溶剤が仮固定材に接触することになる。接着部２３を基材１０の周縁部に形成することで、前記プロセス溶剤に対して相対的に耐性の劣る（溶解する）剥離層の残部２４などを、接着部２３により保護できる。したがって、前記プロセス溶剤による制限を受けることなく、剥離層の残部２４の材質の選択を広げることができることから、剥離層２２を除去する場所は、基材の周縁上に形成した剥離層が好ましい。
【００６１】
前記支持体４０としては、例えば、ガラスやシリコンなどの取扱いが容易で且つ硬くて平坦な面を有するものを用いられる。
支持体を、押し当てる際、接着層２１は加熱しながら（通常、５０〜３５０℃で１０〜３００秒）行っても良い。接着層２１を加熱しながら行うことで、表出させた接着層２１の表面３０と支持体４０との接着を容易に行うことができる。
【００６２】
１−３．工程（３）
工程（３）の模式図を、図２（ｃ）に示す。工程（３）は、前記基材１０を加工する工程、つまり、支持体上に仮固定された基材１０（被加工基材）を加工し、加工基材１１を得る工程である。基材１０の加工処理としては、例えば、基材の薄膜化（例：裏面研削）；エッチング加工、スパッタ膜の形成、メッキ処理およびメッキリフロー処理などから選ばれる一以上の処理を含むフォトファブリケーション；ならびにダイシングが挙げられる。
【００６３】
工程（３）では、種々のプロセス溶剤が用いられることが多く、当該プロセス溶剤が仮固定材に接触することになる。本発明では、当該プロセス溶剤に対して耐性を有する、シクロオレフィン系重合体（Ａ１）を含有する接着層を用いることで、前記プロセス溶剤によりダメージを受けることなく基材の処理が可能となる。
【００６４】
また、工程（３）のフォトファブリケーションにおいては、メッキリフロー処理など高温処理を行われることが多く、仮固定材には耐熱性が必要となる。重合体（Ａ）に耐熱性に優れたシクロオレフィン系重合体（Ａ１）を用いることで、高温処理を行っても仮固定材はダメージを受けることなく基材の処理が可能となる。
【００６５】
１−４．工程（４）
工程（４）の模式図を、図３（ａ）に示す。工程（４）は、接着層の一部（接着部２３を含む）を除き、基材上に、接着層の残部２６、剥離層の残部２７および支持体をこの順に形成する工程である。剥離層の残部２７とは、接着部２３を除いた後の剥離層の残部のことである。
【００６６】
接着部２３を含む接着層の一部を除く方法として、例えば、溶剤で溶解させる方法などのウェットプロセスを用いた方法；プラズマ処理、アッシング処理またはオゾン処理などのドライプロセスを用いた方法が挙げられる。これらのなかでも、溶剤の種類を選択することで、被加工基材へのダメージを最小限に抑えることができることから、ウェットプロセスを用いた方法が好ましい。
【００６７】
前記溶剤としては、例えば、リモネン、メシチレン、ジペンテン、ピネン、ビシクロヘキシル、シクロドデセン、１−tert−ブチル−３，５−ジメチルベンゼン、ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン、シクロヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の炭化水素類、アニソール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジグライム等のアルコール／エーテル類、炭酸エチレン、酢酸エチル、酢酸Ｎ−ブチル、乳酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン等のエステル／ラクトン類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン等のアミド／ラクタム類が挙げられる。
【００６８】
これらの中でも、被加工基材へのダメージを抑えるためには、炭化水素類が好ましい。また、シクロオレフィン系重合体（Ａ１）を含有する仮固定用組成物を用いれば、接続部にはシクロオレフィン系重合体（Ａ１）を含有することになることから、シクロオレフィン系重合体（Ａ１）を容易に溶解できる炭化水素類が好ましい。
【００６９】
ウェットプロセスを用いた方法としては、例えば、溶剤に浸漬する方法、溶剤をスプレーする方法、溶剤に浸漬しながら超音波を加える方法が挙げられる。溶剤の温度は、通常２０〜８０℃、好ましくは２０〜５０℃である。浸漬時間は、通常、１〜１８０分である。
【００７０】
１−５．工程（５）
工程（５）の模式図を、図３（ｂ）に示す。工程（５）は、支持体から加工後の基材を剥離する工程であり、通常、剥離層の残部２７より剥離する。剥離する際に加える力の方向は、加工後の基材１１がダメージを受けなければどのような方向でもよい。例えば、支持体と基材とを支持体の表面に略水平方向にずらす剪断処理（通常、０．１〜５Ｎ／ｃｍ２）により、支持体から基材を剥離すればよく、あるいは、支持体の表面に対して略垂直方向に基材を引っ張ることで、支持体から基材を剥離すればよい。
【００７１】
例えば、基材を支持体の表面に対して水平方向にスライドさせると同時に、支持体を固定する、あるいは前記基材に付加される力に拮抗する力を支持体に付加することによって、基材を支持体から剥離する。なお、本発明において「剪断」とは、支持体と基材との仮固定面の略平行方向に力を作用させることをいう。
【００７２】
また、剥離層が熱や光により接着する力を下げるものである場合、剥離層の残部２７に、加熱処理や露光処理を行った後、もしくは、加熱処理や露光処理を行いながら、剥離を行っても良い。
【００７３】
剥離後の基材１１には、通常、接着層や剥離層の残部が残存しているため、溶剤（通常、上述の仮固定用組成物を製造する際に使用されうる溶剤）で洗浄し、除去する。洗浄方法としては、基材を洗浄液に浸漬する方法、基材に洗浄液をスプレーする方法、基材を洗浄液に浸漬しながら超音波を加える方法などが挙げられる。洗浄液の温度は特に限定されないが、好ましくは２０〜８０℃、より好ましくは２０〜５０℃である。
【００７４】
本発明の基材の仮固定方法は、基材の種類を選ばず、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく、仮固定材を形成することができる。このため、現代の経済活動の場面で要求される様々な加工処理（例：各種材料表面の微細化加工処理、各種表面実装、半導体ウエハや半導体素子の運搬）等に好適である。
【００７５】
３．半導体装置
本発明の半導体装置は、本発明の基材の処理方法によって得られる。本発明の基材の処理方法は、基材の種類を選ばず、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく、仮固定材を形成することができる。
このため、前記半導体素子等の半導体装置は仮固定材による汚染（例：シミ、焦げ）が極めて低減されたものとなっている。また、本発明の半導体装置は、基材自体や基材が有する各部材の破損・損耗が極めて低減されたものとなっている。
【実施例】
【００７６】
以下、本発明の一実施態様を、実施例をもとにより具体的に説明する。
【００７７】
１．化合物（Ｂ）の合成
［合成例１］化合物（Ｂ−１）の合成
４６．８ｇのメタクリル酸（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル−２−ヒドロキシ−４−ブチル）エステル（下記式（ｂ２−ｍ２−１））、及び４．５ｇの２，２’−アゾビス−（２−メチルプロピオン酸メチル）を４０ｇのイソプロパノールに溶解させ、単量体溶液を調製した。窒素で置換したフラスコにイソプロパノール５０ｇを準備し、フラスコ内を８０℃に加熱しながら、前記単量体溶液を２時間かけて滴下した。滴下後、更に８０℃で１時間加熱し、次いで、３．２ｇのビニルスルホン酸を含有するイソプロパノール溶液１０ｇを３０分かけて滴下した。その後、８０℃で１時間加熱した後、冷却して共重合液を得た。得られた共重合液は、溶媒を４−メチル−２−ペンタノール溶液に置換し、化合物（Ｂ−１）の４−メチル−２−ペンタノール溶液を得た。化合物（Ｂ−１）の重量平均分子量（Ｍｗ）は１０，０００であった。１３ＣＮＭＲによる、下記式（ｂ２−ｍ２−１）の単量体由来の構造単位の含有割合は、化合物（Ｂ−１）中の全繰り返し構造単位の合計を１００ｍｏｌ％とした場合、９８ｍｏｌ％であった。
【００７８】
【化４】
【００７９】
［合成例２］化合物（Ｂ−２）の合成
４６．８ｇのメタクリル酸（１，１，１−トリフルオロ−２−トリフルオロメチル−２−ヒドロキシ−４−ブチル）エステル（前記式（ｂ２−ｍ２−１））、及び４．５ｇの２，２’−アゾビス−（２−メチルプロピオン酸メチル）を４０ｇのイソプロパノールに溶解させ単量体溶液をフラスコ内に準備し、フラスコ内を８０℃で４時間３０分加熱した。その後、フラスコ内を３０℃以下に冷却して、共重合液を得た。得られた共重合液をｎ−ヘキサンで精製後、４−メチル−２−ペンタノール溶液に置換し、化合物（Ｂ−２）の４−メチル−２−ペンタノール溶液を得た。化合物（Ｂ−２）の重量平均分子量（Ｍｗ）は１０，０００であった。
【００８０】
なお、Ｍｗは、下記の条件によるＧＰＣにより測定した。
装置：ＨＬＣ−８１２０（東ソー製）
カラム：Ｇ２０００ＨＸＬ２本、Ｇ３０００ＨＸＬ１本、Ｇ４０００ＨＸＬ１本（以上、東ソー製）
溶出溶剤：テトラヒドロフラン
カラム温度：４０℃
流速：１．０ｍＬ／分
標準物質：単分散ポリスチレン
【００８１】
１．仮固定用組成物の準備
［実施例１］仮固定用組成物１の調製
１００質量部のシクロオレフィン重合体（商品名「ＡＲＴＯＮ Ｒ５３００」、ＪＳＲ（株）製）と、４０質量部の水添Ｃ９系石油樹脂（商品名「アルコンＰ−１４０」、荒川化学工業（株）製）と、３質量部の商品名「ＴＩＮＵＶＩＮ ４７９」（ＢＡＳＦ社製）と、７質量部の前記合成例１で得た化合物（Ｂ−１）と、２５質量部の４−メチル−２−ペンタノールと、３５０質量部のメシチレンとを混合することにより、仮固定用組成物１を調製した。
【００８２】
［実施例２］仮固定用組成物２の調製
１００質量部のシクロオレフィン重合体（商品名「ＡＲＴＯＮ Ｒ５３００」、ＪＳＲ（株）製）と、４０質量部の水添Ｃ９系石油樹脂（商品名「アルコンＰ−１４０」、荒川化学工業（株）製）と、３質量部の商品名「ＴＩＮＵＶＩＮ ４７９」（ＢＡＳＦ社製）と、７質量部の前記合成例２で得た化合物（Ｂ−２）と、２５質量部の４−メチル−２−ペンタノールと、３５０質量部のメシチレンとを混合することにより、仮固定用組成物２を調製した。
【００８３】
［参考例１］組成物１の調製
１００質量部のシクロオレフィン重合体（商品名「ＡＲＴＯＮ Ｒ５３００」、ＪＳＲ（株）製）と、４０質量部の水添Ｃ９系石油樹脂（商品名「アルコンＰ−１４０」、荒川化学工業（株）製）と、３質量部の商品名「ＴＩＮＵＶＩＮ ４７９」（ＢＡＳＦ社製）と、３５０質量部のメシチレンとを混合することにより、組成物１を調製した。
【００８４】
［参考例２］組成物２
１００質量部の前記合成例１で得た化合物（Ｂ−１）と、７０質量部の４−メチル−２−ペンタノールとを混合することにより、組成物２を調製した。
【００８５】
３．評価
［実施例３］
実施例１で調製した仮固定用組成物１を、スピンコート法で、直径８インチのシリコンウエハ上に塗布し、ホットプレートを用いて１６０℃で５分間、さらに２３０℃で８分間加熱し、厚さ４０μｍの塗膜を得た。塗膜を有する基板を縦１ｃｍ、横１ｃｍの正方形に切断した。次いで、切断した基板の塗膜上に、縦０．５ｃｍ、横０．５ｃｍの正方形のマスキングテープを塗膜の表面の中央に貼り付けた。マスキングテープを貼り付けた基板を、４−メチル−２−ペンタノール（２３℃）に１０秒間浸漬後、マスキングテープをはがした。
次いで、マスキングテープをはがした後の基板と、ガラス基板（縦２ｃｍ、横２ｃｍ、正方形）とを、ダイボンダー装置を用いて、１８０℃で５Ｎの力を６０秒間加え、シリコンウエハとガラス基板とを仮固定材を介して仮固定した。ガラス基板と、仮固定材との間に気泡なく、仮固定されていることを目視により確認できた。また、万能ボンドテスター（商品名「デイジ４０００」、デイジ社製）を用いて、ガラス基板と平行方向に剪断力（５００μｍ／秒の速度で、２３℃で２０Ｎ／ｃｍ２）を加えたが、シリコンウエハおよびガラス基板はずれずに保持していることから、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく仮固定できていることを確認できた。
次いで、仮固定した基材を、メシチレン（２３℃）に１０分間浸漬し、その後、浸漬後の基材を万能ボンドテスター（商品名「デイジ４０００」、デイジ社製）を用いて、ガラス基板と平行方向に剪断力（５００μｍ／秒の速度で、２３℃で５Ｎ／ｃｍ２以下）を加えたところ、シリコンウエハをガラス基板から剥離することができた。
【００８６】
［実施例４］
実施例２で調製した仮固定用組成物２を、スピンコート法で、直径８インチのシリコンウエハ上に塗布し、ホットプレートを用いて１６０℃で５分間、さらに２３０℃で８分間加熱し、厚さ４０μｍの塗膜を得た。塗膜を有する基板を縦１ｃｍ、横１ｃｍの正方形に切断した。次いで、切断した基板の塗膜上に、縦０．５ｃｍ、横０．５ｃｍの正方形のマスキングテープを塗膜の表面の中央に貼り付けた。マスキングテープを貼り付けた基板を、４−メチル−２−ペンタノール（２３℃）に１０秒間浸漬後、マスキングテープをはがした。
次いで、マスキングテープをはがした後の基板と、ガラス基板（縦２ｃｍ、横２ｃｍ、正方形）とを、ダイボンダー装置を用いて、１８０℃で５Ｎの力を６０秒間加え、シリコンウエハとガラス基板とを仮固定材を介して仮固定した。ガラス基板と、仮固定材との間に気泡なく、仮固定されていることを目視により確認できた。また、万能ボンドテスター（商品名「デイジ４０００」、デイジ社製）を用いて、ガラス基板と平行方向に剪断力（５００μｍ／秒の速度で、２３℃で２０Ｎ／ｃｍ２）を加えたが、シリコンウエハおよびガラス基板はずれずに保持していることから、基材や支持体と仮固定材との間で浮きなく仮固定できていることを確認できた。
次いで、仮固定した基材を、メシチレン（２３℃）に１０分間浸漬し、その後、浸漬後の基材を万能ボンドテスター（商品名「デイジ４０００」、デイジ社製）を用いて、ガラス基板と平行方向に剪断力（５００μｍ／秒の速度で、２３℃で５Ｎ／ｃｍ２以下）を加えたところ、シリコンウエハをガラス基板から剥離することができた。
【００８７】
［比較例１］
参考例１で調製した組成物１を、スピンコート法で、直径８インチのシリコンウエハ上に塗布し、ホットプレートを用いて１６０℃で５分間、さらに２３０℃で８分間加熱し、厚さ４０μｍの塗膜を形成した。得られた基板を縦１ｃｍ、横１ｃｍの正方形に切断し、組成物１から形成した塗膜を有する基板を得た。
縦０．７ｃｍ、横０．７ｃｍの正方形のマスキングテープを貼った直径８インチのガラス基板上に、参考例２で調製した組成物２を、スピンコート法で塗布し、ホットプレートを用いて２００℃で５分間加熱し、厚さ１５μｍの塗膜を形成した。マスキングテープが塗膜の表面の中央となるように、マスキングテープの周りを、縦２ｃｍ、横２ｃｍの正方形に切断した。切断したガラス基板を、４−メチル−２−ペンタノール（２３℃）に５分間浸漬後、マスキングテープを剥離し、縦０．７ｃｍ、横０．７ｃｍの組成物２から形成した塗膜を有するガラス基板を得た。
組成物１から形成した塗膜を有する基板と、縦０．７ｃｍ、横０．７ｃｍの組成物２から形成した塗膜を有するガラス基板とを、ダイボンダー装置を用いて、１８０℃で５Ｎの力を６０秒間加え、シリコンウエハとガラス基板とを仮固定材を介して仮固定した。ガラス基板と、仮固定材との間に気泡を確認した。
【００８８】
［参考例３］
実施例１で調製した仮固定用組成物１を、スピンコート法で、直径８インチのシリコンウエハ上に塗布し、ホットプレートを用いて１６０℃で５分間、さらに２３０℃で８分間加熱し、シリコンウエハと厚さ４０μｍの塗膜とを有する基板を得た。得られた基板を縦１ｃｍ、横１ｃｍの正方形に切断した。
切断後の基板と、ガラス基板（縦２ｃｍ、横２ｃｍ、正方形）とを、ダイボンダー装置を用いて、２２０℃で１５Ｎの力を１２０秒間加え、シリコンウエハとガラス基板とを仮固定用組成物１から形成した塗膜を介して仮固定した。
次いで、仮固定した基材を、密着強度試験器（（株）山本鍍金試験器製）を用いて、ガラス基板と垂直方向に力（１ｍｍ／秒の速度で、２３℃で１４Ｎ／ｃｍ２）を加えたところ、基板から、ガラス基板は剥離した。
【００８９】
［参考例４］
実施例１で調製した仮固定用組成物１を、スピンコート法で、直径８インチのシリコンウエハ上に塗布し、ホットプレートを用いて１６０℃で５分間、さらに２３０℃で８分間加熱し、シリコンウエハと厚さ４０μｍの塗膜とを有する基板を得た。得られた基板を縦１ｃｍ、横１ｃｍの正方形に切断した。次いで、切断した基板を、４−メチル−２−ペンタノール（２３℃）に１０秒間浸漬した。
浸漬後の基板と、ガラス基板（縦２ｃｍ、横２ｃｍ、正方形）とを、ダイボンダー装置を用いて、２２０℃で１５Ｎの力を１２０秒間加え、シリコンウエハとガラス基板とを仮固定用組成物１から形成した塗膜を介して仮固定した。
次いで、仮固定した基材を、密着強度試験器（（株）山本鍍金試験器製）を用いて、ガラス基板と垂直方向に力（１ｍｍ／秒の速度で、２３℃で２０Ｎ／ｃｍ２）を加えたが、シリコンウエハおよびガラス基板はずれずに保持していることが確認できた。
【００９０】
参考例３および参考例４の結果より、実施例１および実施例２において、剥離層が形成しており、また、４−メチル−２−ペンタノールにより、剥離層を除去できることが推定できた。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）重合体（Ａ）、および前記重合体（Ａ）と実質的に非混和性の化合物（Ｂ）を含有する仮固定用組成物により、基材上に、接着層および剥離層をこの順に形成する工程；
（２）前記剥離層の一部を除き、接着層を介して、前記基材と支持体を仮固定する工程；
（４）前記接着層の一部を除き、基材上に、接着層の残部、剥離層の残部および支持体をこの順に形成する工程；ならびに
（５）支持体から加工後の基材を剥離する工程；
をこの順で有する基材の仮固定方法。
【請求項２】
重合体（Ａ）が、シクロオレフィン系重合体（Ａ１）である請求項１の基材の仮固定方法。
【請求項３】
前記工程（４）が、前記接着層の一部を炭化水素系溶剤に溶解させることで除き、基材上に、接着層の残部、剥離層の残部および支持体をこの順に形成する工程；である請求項２の基材の仮固定方法。
【請求項４】
前記剥離層の膜厚が、１〜１０００ｎｍである請求項１の基材の仮固定方法。
【請求項５】
請求項１〜請求項４の基材の処理方法に用いられる仮固定用組成物であって、重合体（Ａ）、および前記重合体（Ａ）と実質的に非混和性の化合物（Ｂ）を含有する仮固定用組成物。
【請求項６】
前記重合体（Ａ）が、シクロオレフィン系重合体（Ａ１）である請求項５の仮固定用組成物。
【請求項７】
シクロオレフィン系重合体（Ａ１）１００質量部と、フッ素原子を有する繰り返し単位を有する重合体（Ｂ１）を１〜３０質量部含有する組成物。
【請求項８】
請求項１の基材の仮固定方法を使って得られる半導体装置。
【請求項１】
（１）重合体（Ａ）、および前記重合体（Ａ）と実質的に非混和性の化合物（Ｂ）を含有する仮固定用組成物により、基材上に、接着層および剥離層をこの順に形成する工程；
（２）前記剥離層の一部を除き、接着層を介して、前記基材と支持体を仮固定する工程；
（４）前記接着層の一部を除き、基材上に、接着層の残部、剥離層の残部および支持体をこの順に形成する工程；ならびに
（５）支持体から加工後の基材を剥離する工程；
をこの順で有する基材の仮固定方法。
【請求項２】
重合体（Ａ）が、シクロオレフィン系重合体（Ａ１）である請求項１の基材の仮固定方法。
【請求項３】
前記工程（４）が、前記接着層の一部を炭化水素系溶剤に溶解させることで除き、基材上に、接着層の残部、剥離層の残部および支持体をこの順に形成する工程；である請求項２の基材の仮固定方法。
【請求項４】
前記剥離層の膜厚が、１〜１０００ｎｍである請求項１の基材の仮固定方法。
【請求項５】
請求項１〜請求項４の基材の処理方法に用いられる仮固定用組成物であって、重合体（Ａ）、および前記重合体（Ａ）と実質的に非混和性の化合物（Ｂ）を含有する仮固定用組成物。
【請求項６】
前記重合体（Ａ）が、シクロオレフィン系重合体（Ａ１）である請求項５の仮固定用組成物。
【請求項７】
シクロオレフィン系重合体（Ａ１）１００質量部と、フッ素原子を有する繰り返し単位を有する重合体（Ｂ１）を１〜３０質量部含有する組成物。
【請求項８】
請求項１の基材の仮固定方法を使って得られる半導体装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１３−８４９５０（Ｐ２０１３−８４９５０Ａ）
【公開日】平成２５年５月９日（２０１３．５．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−２１６９０３（Ｐ２０１２−２１６９０３）
【出願日】平成２４年９月２８日（２０１２．９．２８）
【出願人】（０００００４１７８）ＪＳＲ株式会社 (3,320)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月９日（２０１３．５．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年９月２８日（２０１２．９．２８）
【出願人】（０００００４１７８）ＪＳＲ株式会社 (3,320)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]