説明

渦電流探査による構造物の位置検出方法及び位置検出装置

【課題】構造物の表面側及び裏面側に存在する複数種の形状変化部や付属部材の位置を検出する場合、観測波形が各々の信号の重畳した形状となるため、各々を識別した位置検出が困難になる。
【解決手段】高周波数励磁信号と低周波数励磁信号で形状変化部と付属部材の検出信号を抽出し、位相分離検出で形状変化部と付属部材の検出信号を識別するとともに、信号の振幅と幅でしきい値判別して、形状変化部及び付属部材の有無を確認するとともにその中心位置を決定する。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、渦電流探査による構造物の位置検出方法及び位置検出装置に関する。
【背景技術】
【0002】
発電プラント等の構造物の中には、構造物の表面側及び裏面側に形状変化部や付属部材が複数存在し、その位置関係を構造物外部から視覚的に確認することが困難な対象がある。例えば、発電プラントの伝熱管拡管部で伝熱管内面の拡管部と伝熱管外周に設けた管板の位置が正しく設置されているかを確認する場合である。これら構造物の表面側及び裏面側の形状変化部や付属部材の位置を検出する方法の1つとして、渦電流探査技術の利用が考えられる。
【0003】
例えば、特許文献1では、管内に位置検出センサを挿入/移動させ、センサ検知量と波高との関係や物理的性質から溶接部の位置を検出している。しかしながら、特許文献1の位置検出方法では、配管の内面や外面に形状変化部や付属部材が近接する場合、観測波形が各々の信号の重畳した形状となるため、それらを識別した位置検出が困難になる。
【0004】
また、検出精度を向上させる1つの方法として多重周波数法が知られている。例えば、特許文献2では、鋼材の浅い位置にある疵と深い位置にある異物の検出に高周波と低周波を利用し、これに適合した位相設定で高精度な検出が可能とされている。しかしながら、特許文献2は位置や形状/寸法の不定な疵及び異物等を対象とするため、観測される信号の振幅や位相角のばらつきは大きい。そのため、両者の識別には複雑な信号解析が伴う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開2000−249783号公報
【特許文献2】特開平9−80028号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
構造物の表面側及び裏面側に存在する複数種の形状変化部や付属部材の位置を検出する場合、観測波形は各々の検出信号が重畳した形状となるため、形状変化部や付属部材の各々を識別した位置検出が困難になる。
【0007】
本発明は、構造物の表面側及び裏面側に存在する複数種の形状変化部や付属部材に対して渦電流探査によって位置検出する方法及び装置を提供する事を目的とする。ここで、構造物の表面側及び裏面側に存在する形状変化部及び付属部材は設計された構造物を対象とする。そのため、疵等とは異なり形状変化部や付属部材において表面側か裏面側かの位置や形状/寸法は既知である。その点を利用して、本発明では、2周波数励磁と位相分離検出で表面側と裏面側の深さ位置を判別するとともに信号の振幅及び幅のしきい値判別で構造物の寸法を判別することにより形状変化部や付属部材を識別する精度を向上し、探査対象の有無を確認するとともにその中心位置を検出する方法を提案する。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明は、金属材料からなる構造物の表面側または裏面側に設けられた形状変化部及び付属部材を有する探査対象の渦電流探査による位置検出方法において、複数個のコイルで構成されたプローブを用いて、前記構造物の表面側または裏面側を高周波電流で渦電流探査して前記形状変化部を検出し、前記構造物の他面側を低周波電流で渦電流探査して前記付属部材を検出し、前記高周波電流及び低周波電流による探査対象の検出波形を位相調整して、前記形状変化部検出信号と付属部材検出信号を分離抽出し、前記形状変化部検出信号と付属部材検出信号を、前記形状変化部検出信号と付属部材の各々に設定されたしきい値と比較して前記形状変化部及び付属部材の有無を確認するとともにその中心位置を決定することを特徴とする。
【0009】
また、渦電流探査による位置検出方法において、前記探査対象の検出波形の位相調整は、前記高周波数励磁信号による前記形状変化部検出信号と、前記低周波数励磁信号による前記付属部材検出信号とが、各々の周波数でX振幅或いはY振幅のいずれかに対応して評価可能な位相角に決定することを特徴とする。
【0010】
また、渦電流探査による位置検出方法において、前記プローブを前記構造物の表面側に配置し、前記構造物の表面側を高周波電流で渦電流探査して表面側に設けた前記形状変化部を検出し、前記構造物の裏面側を低周波電流で渦電流探査して構造物の裏面側に設けた前記付属部材を検出することを特徴とする。
【0011】
また、渦電流探査による位置検出方法において、前記形状変化部検出信号と付属部材の各々に設定されたしきい値について、上限しきい値と下限しきい値を設定したことを特徴とする。
【0012】
また、渦電流探査による位置検出方法において、前記上限しきい値と下限しきい値は、予め設定された所定位置に対応して設けられることを特徴とする。
【0013】
また、渦電流探査による位置検出方法において、前記形状変化部信号と付属部材の各々に設定されたしきい値について、信号の幅にもしきい値設定したことを特徴とする。
【0014】
また、渦電流探査による位置検出方法において、前記しきい値は、予め設定された所定位置に対応して設けられることを特徴とする。
【0015】
さらに、金属材料からなる構造物の表面側または裏面側に設けられた形状変化部と、該構造物の他面側に設けられた付属部材の渦電流探査による位置検出装置において、前記構造物の表面側または裏面側に配置され、高周波電流および低周波電流で渦電流探査を行う複数個のコイルを有するプローブと、前記プローブに高周波電流を流して前記構造物の表面側または裏面側に設けられた形状変化部を渦電流探査して検出するとともに、前記構造物の他面側を低周波電流で渦電流探査して前記構造物の他面側に設けた前記付属部材を検出する渦電流探査器と、前記プローブを前記構造物に対して相対的に走査する走査装置と、前記高周波電流及び低周波電流による探査対象の検出波形を位相調整して、前記形状変化部検出信号と付属部材検出信号を抽出し、前記形状変化部検出信号と付属部材検出信号を、前記形状変化部検出信号と付属部材の各々に設定された信号の振幅及び幅のしきい値と比較して前記形状変化部及び付属部材の有無を確認するとともにその中心位置を決定する制御装置を有することを特徴とする。
【0016】
さらに、渦電流探査による位置検出装置において、前記形状変化部検出信号と前記付属部材検出信号の各々に設定されたしきい値について、上限しきい値と下限しきい値を設定したことを特徴とする。
【0017】
さらに、渦電流探査による位置検出装置において、前記上限しきい値と下限しきい値は、予め設定された所定位置に対応して設けられることを特徴とする。
【0018】
さらに、渦電流探査による位置検出方法において、前記形状変化部信号と付属部材の各々に設定されたしきい値について、信号の幅にもしきい値設定したことを特徴とする。
【0019】
さらに、渦電流探査による位置検出方法において、前記しきい値は、予め設定された所定位置に対応して設けられることを特徴とする。
【発明の効果】
【0020】
本発明は、構造物の表面側または裏面側に設けられた形状変化部及び付属部材の位置検出方法において、プローブを用いて構造物の表面側または裏面側を高周波電流で渦電流探査して形状変化部を検出し、他面側を低周波電流で渦電流探査して付属部材を検出し、高周波電流及び低周波電流による探査対象の検出波形を位相調整して形状変化部検出信号と付属部材検出信号を分離抽出し、形状変化部検出信号と付属部材検出信号を形状変化部検出信号と付属部材の各々に設定された信号の振幅と幅のしきい値と比較して形状変化部及び付属部材の中心位置を決定することにより、探査対象の形状変化部或いは付属部材の有無を確認するとともにその中心位置を確実に決定できる。
【図面の簡単な説明】
【0021】
【図1】本発明の位置検出システムの構成を表すブロック図である。
【図2】本発明の位置検出方法を表す模式図である。
【図3】本発明の渦電流探査による位置検出方法を表すフローチャートである。
【図4A】本発明の渦電流探査での検出信号のリサージュ波形図である。
【図4B】本発明の渦電流探査での検出信号のリサージュ波形図である。
【図5】本発明の上限しきい値と下限しきい値の間で測定される信号波形図である。
【図6A】本発明の位置検出システムでの測定結果を示す信号波形図である。
【図6B】本発明の位置検出システムでの測定結果を示す信号波形図である。
【発明を実施するための形態】
【0022】
以下に本発明の実施形態を図面について説明する。
〔位置検出システム〕
図1は、本発明の実施形態における位置検出システム20の構成を示す模式図である。図1において、位置検出システム20は、モニタ21、コンピュータ22、渦電流探査器23、走査装置24、プローブ25で構成される。位置検出システム20において、プローブ25を渦電流探査器23にケーブルで接続し、渦電流探査器23の探査信号として励磁信号を送信し検出信号を受信する。渦電流探査器23をコンピュータ22にケーブルで接続して、プローブ25の探査条件や探査信号の入出力を電気的に送受信する。走査装置24はプローブ25を移動させるとともに位置情報をコンピュータ22へ送信する。
【0023】
プローブ25は対象に応じた形状であるが、励磁コイルと検出コイルを有する一般的な構成で実現可能である。位置検出システムの動作として、走査装置24によりプローブ25を移動させ、検出位置に対して渦電流探査器23から探査データを取得する。探査データは、ソフトウェアプログラムを有する制御装置としてのコンピュータ22によって処理され、モニタ21に表示される。
【0024】
図2は本発明の位置検出方法の原理を示す模式図である。25はプローブ、33は探査対象である。プローブ25を設けた構造物30の表面側に特異形状を有する形状変化部31が存在し、構造物の裏面側には構造物30と別体の付属部材32が設置されている例を示す。構造物30の表面側に付属部材32が設けられ、裏面側に形状変化部31が設けられていても良い。
【0025】
本発明の実施形態に係る渦電流探査による形状変化部及び付属部材の位置検出方法のフローチャートを図3に示す。まず、励磁信号の2つの励磁周波数(高周波fH、低周波fL)と2つの位相角(θH、θL)の設定を行う。次に、及び渦電流探査の検出信号判別用に上限/下限の2つのしきい値の設定をする(S101)。
【0026】
次にデータファイルを作成して探査対象の構造物30の測定を開始し(S102)、探査対象に対するプローブの検出位置を変えながら信号Xと信号Yの2つの探査データを取得する(S103)。測定を終了して、検出位置に対して信号Xと信号Yを表示する(S104)。
【0027】
信号X及び信号Yで上限しきい値と下限しきい値に挟まれた波形パターンから探査対象を識別して中心位置を算出する(S105)。探査対象の位置関係から構造物が正しく設置されているか合否判定をする(S106)。次の探査対象の有無を判断(S107)し、探査対象があれば(S102)へ戻り、なければ測定を終了する。
【0028】
〔位置検出方法〕
次に、図2の位置検出方法の詳細について、図3のフローチャートのステップごとに説明する。
【0029】
(S101)
S101において、渦電流探査器23の励磁信号の励磁周波数/位相等の探査条件を設定する。励磁周波数には、表面側の形状変化部32検出用の高周波数fHと裏面側の付属部材33検出用の低周波数fLを選定する。従来より、構造物の形状変化部の探査には高周波励磁信号を用い、付属部材については低周波励磁信号を用いる。
【0030】
一般的に、渦電流探査では1つの励磁周波数に対してX振幅とY振幅の2つの探査データが得られ、その2乗平均値を全振幅と呼ぶ。高周波数fHの選定では、表面側の形状変化部32からの全振幅(Ssurf)に対する裏面側の付属部材33からの全振幅(Sback)の比率(Ssurf/Sback)の大きい高周波数fHを選択することが好ましい。一方、低周波数fLの選定では、比率(Ssurf/Sback)の小さい低周波数fLを選択することが好ましい。
【0031】
しかしながら、上記で選択した高周波数fHにおいても裏面側の付属部材33からの信号が混在して観測され、低周波数fLにおいても表面側の形状変化部32からの信号が混在して観測されている。
【0032】
次に、高周波数fHの位相角θHと低周波数fLの位相角θLを選定して、表面側の形状変化部32と裏面側の付属部材33からの信号を分離処理する。例えば、裏面側の付属部材33からの信号振幅がY振幅となるように位相角θHと位相角θLを選択する。
【0033】
その検出信号のリサージュ波形を模式的に図4A、4Bに示す。図4Aには、高周波数fHの励磁信号による表面側の形状変化部32からの形状変化部検出信号41と裏面側の付属部材33からの付属部材検出信号42を示し、図4Bには、低周波数fLの励磁信号による表面側の形状変化部32からの形状変化部検出信号41と裏面側の付属部材33からの付属部材検出信号42を示している。図4Aでは、形状変化部検出信号41が原点Oから大きく観測され、付属部材検出信号42は小さくY振幅方向に観測されている。すなわち、X振幅方向を観測すると付属部材検出信号42は大きく低減され、形状変化部検出信号41のみを判別して検出できる。
【0034】
図4Bでは、形状変化部検出信号41が原点Oから小さく観測され、付属部材検出信号42は大きくY振幅方向に観測されている。すなわち、Y振幅方向を観測すると形状変化部検出信号41は大きく低減され、付属部材検出信号42のみを強調して検出できる。
【0035】
【表1】

【0036】
表1は表面形状変化部信号41と付属部材信号42を識別して検出するための2周波数励磁と位相分離検出の組み合わせを表した表である。形状変化部31の検出には高周波数fHのX振幅を観測し、付属部材32の検出には低周波数fLのY振幅を観測する。以降、本明細書ではそれぞれを信号X及び信号Yと記載する。
【0037】
最後に、信号X及び信号Yに対してしきい値を設定する。形状変化部31及び付属部材32の形状/寸法は既知である。そのため、信号X及び信号Yの振幅及び幅を限定することができる。例えば、信号X及び信号Yに振幅の大きい構造物の端部信号が含まれる場合、上限のしきい値を設定して端部信号と識別する。また、信号X及び信号Yには振幅の小さい装置ノイズが含まれるため、下限のしきい値を設定して装置ノイズと識別する。すなわち、形状変化部31と付属部材32を信号X及び信号Yで検出する上で、統計的に十分な検出率を確保できる上限下限のしきい値を設定する。
【0038】
また、渦電流探査による位置検出方法において、形状変化部31と付属部材32の各々に設定されたしきい値について、信号の幅にもしきい値設定可能である。信号X及び信号Yで形状変化部31と付属部材32の寸法に対応してしきい値を設定する。
【0039】
(S102)
S102において、探査データを保存するデータファイルを作成し、測定を開始する。オペレータによるトリガでデータ取得を開始しても良いし、自動化システムにおいては端部信号等をトリガにしても良い。
【0040】
(S103)
S103において、検出位置に対して信号Xと信号Yを取得する。検出位置の移動には、走査装置でプローブを走査するか或いはプローブを固定して対象の構造物を移動させる。検出位置のデータ取得にはエンコーダを利用するか或いはプローブ等の移動速度と時間から算出する。検出位置に対する取得ピッチは任意であるが、対象の有無を確認するとともにその中心位置を決定可能な範囲である。
【0041】
(S104)
S104において、測定を終了し、検出位置に対して信号X及び信号Yのデータを表示する。オペレータによるトリガでデータ取得を終了しても良いし、自動化システムにおいては端部信号等をトリガにしても良い。
【0042】
(S105)
S105において、信号X及び信号Yの波形から探査対象の識別及び中心位置を決定する。探査対象の識別では、上限しきい値と下限しきい値の間で観測される信号波形のパターンを利用する。図5は想定される3つのパターンを示す。図5の区間(a)は下限しきい値から上限しきい値に単調増加する波形、区間(b)は上限しきい値から下限しきい値に単調減少する波形、区間(c)は下限しきい値から極大に達した後に下限しきい値に減少する波形である。
【0043】
ここで探査対象の信号として判断される波形は極大値をもつ区間(c)である。その判断には、しきい値を横切る2点の区間を微分し、微分値で正負反転(ゼロ)をもつ波形を目的信号として抽出し、その微分値がゼロとなる検出位置を求めることで探査対象の中心位置を決定する。観測波形は十分なサンプリング点を有した滑らかな波形でなければならない。そうでない場合にはサンプリング条件を変更するか、滑らかな曲線で近似して処理する。上記手順で信号X及び信号Yに対して探査対象を識別して中心位置を算出する。上限しきい値と下限しきい値は、形状変化部と付属部材で対象物が異なるため信号X及び信号Yで異なり、S101で各々設定されている。
【0044】
また、信号X及び信号Yに対して予め設定された信号の幅のしきい値の範囲であることを確認する。信号の振幅及び幅の両方を満たした信号X及び信号Yを形状変化部及び付属部材として認識する。
【0045】
(S106)
S106において、信号Xから算出した表面側の形状変化部の中心位置と信号Yから算出した裏面側の付属部材の中心位置を比較して、探査対象の位置関係の設定の合否を判定する。例えば、検査位置に対して表面側の形状変化部と裏面側の付属部材の中心位置をカラーでマーキングして表示したり、表面側の形状変化部と裏面側の付属部材の中心位置が設定範囲内の距離差であることを確認したりする。更には、表面側の形状変化部と付属部材の数量を確認することも可能である。
【0046】
(S107)
S107において、全ての対象を評価したら測定を終了し、そうでなければS102で測定を再度開始する。
【0047】
〔測定データ〕
図6A、6Bは渦電流探査システム20による図3の位置検出方法での測定結果を示す。高周波数fH=500kHzであり、低周波数fL=10kHzである。位相角θH=116度であり、位相角θL=120度である。高周波数fHでは、上限しきい値を0.2Vとし、下限しきい値を0.05Vとした。低周波数fLでは、上限しきい値を2Vとし、下限しきい値を0.5Vとした。
【0048】
図6Aは表面側の形状変化部の信号Xを表し、図6Bは裏面側の付属部材の信号Yを表す。信号Xおよび信号Yは、それぞれの上限しきい値と下限しきい値の範囲内で観測され、かつ、信号の幅のしきい値の範囲内である。表面側の形状変化部と裏面側の付属部材に識別して検出された。その中心位置は表面側形状変化部の信号Xについては基準位置から41.2mmと66.2mmであり、裏面側の付属部材の信号Yについては基準位置から50.1mmであった。この事例では、2箇所の形状変化部の間に付属部材が構造物裏面側に設けられる様に予め設計されており、これにより、表面側の形状変化部と裏面側の付属部材の有無を確認するとともにその位置を確認できる。
【符号の説明】
【0049】
20:位置検出システム
21:モニタ
22:コンピュータ
23:渦電流探査器
24:走査装置
25:プローブ
30:構造物
31:形状変化部
32:付属部材
33:探査対象
41:形状変化部検出信号
42:付属部材検出信号

【特許請求の範囲】
【請求項1】
導電性材料からなる構造物の表面側または裏面側に設けられた形状変化部及び付属部材を有する探査対象の渦電流探査による位置検出方法において、
複数個のコイルで構成されたプローブを用いて、前記構造物の表面側または裏面側を高周波電流で渦電流探査して前記形状変化部を検出し、
前記構造物の他面側を低周波電流で渦電流探査して前記付属部材を検出し、
前記高周波電流及び低周波電流による探査対象の検出波形を位相調整して、前記形状変化部検出信号と付属部材検出信号を分離抽出し、
前記形状変化部検出信号と付属部材検出信号を、前記形状変化部検出信号と付属部材の各々に設定された信号の振幅と幅のしきい値と比較して前記形状変化部及び付属部材の有無を確認するとともにその中心位置を決定する
ことを特徴とする渦電流探査による位置検出方法。
【請求項2】
請求項1に記載された渦電流探査による位置検出方法において、前記探査対象の検出波形の位相調整は、前記高周波数励磁信号による前記形状変化部検出信号と、前記低周波数励磁信号による前記付属部材検出信号とが、各々の周波数でX振幅或いはY振幅のいずれかに対応して評価可能な位相角に決定することを特徴とする渦電流探査による位置検出方法。
【請求項3】
請求項1または2に記載された渦電流探査による位置検出方法において、前記プローブを前記構造物の表面側に配置し、前記構造物の表面側を高周波電流で渦電流探査して表面側に設けた前記形状変化部を検出し、前記構造物の裏面側を低周波電流で渦電流探査して構造物の裏面側に設けた前記付属部材を検出することを特徴とする渦電流探査による位置検出方法。
【請求項4】
請求項1または2に記載された渦電流探査による位置検出方法において、前記形状変化部検出信号と付属部材の各々に設定された信号の振幅と幅のしきい値について、上限しきい値と下限しきい値を設定したことを特徴とする渦電流探査による位置検出方法。
【請求項5】
請求項1または2に記載された渦電流探査による位置検出方法において、前記上限しきい値と下限しきい値は、予め設定された所定位置に対応して設けられることを特徴とする渦電流探査による位置検出方法。
【請求項6】
導電性材料からなる構造物の表面側または裏面側に設けられた形状変化部と、該構造物の他面側に設けられた付属部材の渦電流探査による位置検出装置において、
前記構造物の表面側または裏面側に配置され、高周波電流および低周波電流で渦電流探査を行う複数個のコイルを有するプローブと、
前記プローブに高周波励磁信号を流して前記構造物の表面側または裏面側に設けられた形状変化部を渦電流探査して検出するとともに、前記構造物の他面側を低周波励磁信号で渦電流探査して前記構造物の他面側に設けた前記付属部材を検出する渦電流探査器と、
前記プローブを前記構造物に対して相対的に走査する走査装置と、
前記高周波電流及び低周波電流による探査対象の検出波形を位相調整して、前記形状変化部検出信号と付属部材検出信号を抽出し、前記形状変化部検出信号と付属部材検出信号を、前記形状変化部検出信号と付属部材の各々に設定された信号の振幅と幅のしきい値と比較して前記形状変化部及び付属部材の有無を確認するとともにその中心位置を決定する制御装置を有することを特徴とする渦電流探査による位置検出装置。
【請求項7】
請求項6に記載された渦電流探査による位置検出装置において、前記形状変化部検出信号と前記付属部材検出信号の各々に設定された信号の振幅と幅のしきい値について、上限しきい値と下限しきい値を設定したことを特徴とする渦電流探査による位置検出装置。
【請求項8】
請求項7に記載された渦電流探査による位置検出装置において、前記上限しきい値と下限しきい値は、予め設定された所定位置に対応して設けられることを特徴とする渦電流探査による位置検出装置。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4A】
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【図4B】
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【図5】
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【図6A】
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【図6B】
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【公開番号】特開2012−78309(P2012−78309A)
【公開日】平成24年4月19日(2012.4.19)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−226310(P2010−226310)
【出願日】平成22年10月6日(2010.10.6)
【出願人】(507250427)日立GEニュークリア・エナジー株式会社 (858)
【Fターム(参考)】